Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMYS007N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+132.84 грн
25+112.73 грн
100+84.45 грн
250+73.97 грн
500+67.52 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS008N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS008N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.68 грн
500+35.55 грн
1000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWGonsemiMOSFETs 40V 10Ohm 38A Single N-Channel
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.38 грн
6000+22.20 грн
9000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
13+67.38 грн
100+45.68 грн
500+35.55 грн
1000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+46.12 грн
100+33.95 грн
500+27.21 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 173A; 9.1W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 173A
Power dissipation: 9.1W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.10 грн
100+39.13 грн
500+28.68 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWGonsemiMOSFETs 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL LFPAK4
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+60.99 грн
25+55.25 грн
100+45.89 грн
250+43.05 грн
500+41.34 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 283A; 36W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 36W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.02 грн
6000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS013N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS013N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+61.36 грн
100+42.92 грн
500+32.51 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS013N08LHTWGonsemiMOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLonsemi T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.80 грн
50+71.77 грн
100+67.47 грн
500+58.65 грн
1500+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.57 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.47 грн
500+58.65 грн
1500+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.57 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS016N06CTWGonsemiDescription: POWER MOSFET 60 V, 16M33A, SINGL
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS016N10MCLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 264A; 32W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS016N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS016N10MCLTWGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL LFPAK4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS016N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+59.93 грн
25+54.31 грн
100+45.07 грн
250+42.27 грн
500+40.58 грн
1000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS020N08LHTWGonsemiMOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS020N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.53 грн
6000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS020N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.14 грн
100+40.72 грн
500+29.99 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.55 грн
100+36.83 грн
500+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.40 грн
500+27.17 грн
1000+22.78 грн
5000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.73 грн
14+60.96 грн
100+40.40 грн
500+27.17 грн
1000+22.78 грн
5000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 21mOhm 27A Single N-Channel
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N10MCLTWGonsemiMOSFET PTNG 100V LL LFPAK4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS022N06CTWGonsemiMOSFETs T6 60V SL LFPAK4 5X6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS022N06CTWGonsemiDescription: T6 60V SL LFPAK4 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.65 грн
100+36.18 грн
500+26.52 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS022N06CTWGonsemiDescription: T6 60V SL LFPAK4 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.32 грн
6000+20.83 грн
9000+20.00 грн
15000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.74 грн
100+38.20 грн
500+27.96 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 103A
Power dissipation: 7.6W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.23 грн
13+64.87 грн
100+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS029N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS029N08LHTWGonsemiMOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS029N08LHTWGonsemiDescription: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D2N04CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 258A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+124.54 грн
100+85.94 грн
500+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
10+165.82 грн
100+154.44 грн
500+132.09 грн
1000+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWGonsemiDescription: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.44 грн
500+132.09 грн
1000+112.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWGonsemiDescription: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.20 грн
10+132.84 грн
100+91.71 грн
500+69.57 грн
1000+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLT1GonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+112.84 грн
100+77.18 грн
500+58.11 грн
1000+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLT1GonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+112.09 грн
100+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 1.07 mohm, 280 A, Single N-Channel LFPAK4 (Pb-Free)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLTWGONN
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D7N04CT1GonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+112.84 грн
100+77.18 грн
500+58.11 грн
1000+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D7N04CT1GonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D7N04CTWGonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D7N04CTWGonsemiDescription: T6 40V SL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+112.09 грн
100+76.66 грн
500+57.71 грн
1000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D1N04CLTWGonsemiMOSFET Power Mosfet 40V 2.15ohm 139A
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D2N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D2N06CLTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D2N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+125.90 грн
100+100.21 грн
500+79.58 грн
1000+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D3N06CTWGonsemiMOSFET T6 60V SL LFPAK4 5X6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D3N06CTWGonsemiDescription: T6 60V SL LFPAK4 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.7A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 134.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3584 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWGON Semiconductor
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.65 грн
100+64.19 грн
500+47.98 грн
1000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 138A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 829A
Case: LFPAK56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWGonsemiMOSFETs Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.81 грн
6000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.78 грн
100+56.37 грн
500+41.90 грн
1000+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWGON Semiconductor
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D3N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+104.84 грн
100+71.40 грн
500+53.58 грн
1000+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D3N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D3N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D5N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+68.53 грн
100+48.13 грн
500+36.62 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D5N04CTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D5N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS4D1N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS4D5N04CTWGonsemiMOSFETs Power MOSFET 40 V, 4.5m?, 80 A, Single N-Channel
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS4D6N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]