Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTQ50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.72 грн
10+418.81 грн
100+249.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.97 грн
10+238.17 грн
120+178.80 грн
510+163.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.72 грн
30+227.43 грн
120+189.58 грн
510+151.88 грн
1020+148.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+361.53 грн
10+239.32 грн
30+213.56 грн
60+208.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TMOSFET N-CH., 250V, 50A, TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TIXYSMOSFETs 50Amps 250V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.85 грн
10+365.19 грн
120+268.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
30+342.40 грн
120+288.79 грн
510+234.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T
Код товару: 59390
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Напруга сток-витік Uds, V: 250 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4100/78
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+250.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+747.41 грн
5+654.79 грн
10+562.97 грн
50+436.76 грн
100+375.55 грн
250+343.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P
Код товару: 143359
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PMOSFET, N-кан. 300В, 52А , TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PIXYSMOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.56 грн
10+305.65 грн
120+254.05 грн
510+251.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.47 грн
10+336.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.94 грн
30+319.02 грн
120+269.15 грн
510+224.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTQ52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.53 грн
25+533.17 грн
100+391.42 грн
250+309.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10TIXYSMOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20TIXYSMOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.50 грн
10+292.95 грн
120+205.72 грн
510+156.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO3P
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+399.12 грн
10+276.71 грн
30+245.13 грн
120+206.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N30TIXYSMOSFETs 60 Amps 300V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Supplier Device Package: TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25PIXYSMOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.76 грн
10+457.28 грн
120+300.30 грн
510+296.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+451.30 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30P
Код товару: 132595
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.06 грн
5+958.42 грн
10+952.79 грн
50+498.83 грн
100+428.01 грн
250+394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.86 грн
30+446.20 грн
120+418.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PIXYSMOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.22 грн
10+676.40 грн
120+472.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 25A TO3PFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PMIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N30TIXYSMOSFETs 72 Amps 300V 52 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N20PIXYSMOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 74A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.02 грн
10+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.61 грн
10+294.53 грн
120+212.62 грн
510+163.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.93 грн
10+354.87 грн
120+259.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.07 грн
10+287.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.30 грн
30+287.28 грн
120+245.82 грн
510+210.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25T (транзистор)
Код товару: 87316
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ80N28TIXYSDescription: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ80N28TIXYS06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+839.22 грн
10+495.39 грн
120+388.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+646.11 грн
5+505.23 грн
10+447.89 грн
30+431.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.04 грн
5+548.48 грн
10+463.10 грн
50+351.50 грн
100+303.75 грн
250+283.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.66 грн
30+389.49 грн
120+330.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ82N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+928.75 грн
18+822.91 грн
30+792.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N25TIXYSMOSFETs TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N15IXYSMOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N28TLittelfuseArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N28TТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.25 грн
30+519.97 грн
120+446.22 грн
510+405.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N30PIXYSMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 538 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
1+865.00 грн
10+751.82 грн
30+635.80 грн
60+600.60 грн
120+564.70 грн
270+546.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N15PIXYSMOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.53 грн
10+486.66 грн
120+388.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.66 грн
30+389.49 грн
120+330.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N25TIXYSMOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.84 грн
10+483.48 грн
30+401.09 грн
120+347.93 грн
510+303.06 грн
1020+257.50 грн
2520+248.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 450ns
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 54A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 330W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1737.33 грн
30+1069.70 грн
120+937.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR102N65X2IXYSMOSFETs ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1386.09 грн
10+1043.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]