Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTQ170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.68 грн
30+487.36 грн
120+417.18 грн
510+374.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1475.40 грн
10+1359.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ180N055TIXYSMOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.13 грн
30+332.71 грн
120+280.02 грн
510+226.56 грн
1020+215.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ180N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 480W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 151nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60PIXYSMOSFETs 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N06PIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 400A, 15V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.56 грн
10+490.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+624.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T
Код товару: 103720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10TIXYSMOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50PIXYSMOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.77 грн
5+381.59 грн
10+344.68 грн
30+290.17 грн
60+261.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.35 грн
30+314.29 грн
60+286.97 грн
120+247.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P
Код товару: 188888
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.49 грн
30+387.10 грн
60+354.76 грн
120+307.42 грн
510+266.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60PIXYSMOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 230A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ23N60QIXYSMOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ24N55QIXYSMOSFETs 24 Amps 550V 0.270 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P
Код товару: 94734
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50PMOSFET N-CH 500V 26A TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.49 грн
30+387.10 грн
60+354.76 грн
120+307.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+460.61 грн
3+393.33 грн
10+341.33 грн
30+337.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.41 грн
30+390.12 грн
60+357.72 грн
120+310.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+524.74 грн
10+372.36 грн
30+318.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ28N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ28N15PIXYSMOSFET MOSFET Polar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+612.09 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50P
Код товару: 76072
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 710ns
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.85 грн
30+955.33 грн
60+889.59 грн
120+782.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32P20TIXYSMOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 54nC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+676.47 грн
3+564.41 грн
10+499.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2MIXYSDescription: DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2MIXYSMOSFETs TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.56 грн
30+229.53 грн
120+191.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30PIXYSMOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+738.79 грн
30+585.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1305.98 грн
13+1145.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.04 грн
30+612.96 грн
60+566.30 грн
120+494.63 грн
510+451.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.92 грн
30+387.28 грн
120+328.08 грн
510+267.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ3N150MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38.6nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Pulsed drain current: 9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ3N150MLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ3N150MIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PFP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ3N150MIXYSMOSFETs TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1696.17 грн
30+1034.31 грн
60+963.12 грн
120+847.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2IXYSMOSFETs 40 Amps 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Box
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.