Продукція > TK3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK3206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3206 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3207 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.58 грн
10+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
50+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.99 грн
13+66.49 грн
100+60.23 грн
500+45.51 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.3mm
Blade tip shape: head 05; round
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.3mm
Blade tip shape: head 08
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: rhodium plated
Tip diameter: 2mm
Blade tip shape: head 08
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.08 грн
5+161.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.3mm
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2mm
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+294.43 грн
5+243.21 грн
20+228.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.1,50.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.5mm
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2mm
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.62 грн
5+241.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.3mm
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Max. contact resistance:: 10mΩ
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3306InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3306 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1295.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1295.13 грн
5+1068.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1295.13 грн
5+1068.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1295.13 грн
5+1068.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1295.13 грн
5+1068.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK336PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK338MN/A05+ DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S.9TekoDescription: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm
Area (L x W): 39.0in² (252cm²)
Container Type: Box
Design: Cover Included
Height: 2.984" (75.79mm)
Thickness: 0.055" (1.40mm)
Material: Plastic, ABS
Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm)
Color: Black
Features: PCB Supports
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.85 грн
10+2146.76 грн
100+1908.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
5+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+82.50 грн
100+55.52 грн
500+41.25 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.46 грн
120+117.94 грн
250+113.21 грн
500+105.22 грн
1000+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.11 грн
219+64.84 грн
250+61.60 грн
500+56.90 грн
1000+54.49 грн
3000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.59 грн
100+69.12 грн
500+51.81 грн
1000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.78 грн
4000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.83 грн
11+68.94 грн
25+68.54 грн
100+65.10 грн
250+59.36 грн
500+56.11 грн
1000+55.23 грн
3000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.84 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.41 грн
152+93.63 грн
200+85.33 грн
1000+66.92 грн
2000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.84 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.27 грн
138+103.13 грн
169+83.92 грн
200+75.69 грн
1000+62.09 грн
2000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.40 грн
100+58.96 грн
500+43.90 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQToshibaMOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LXHQ(OToshibaTK33S10N1Z,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+119.92 грн
124+114.55 грн
250+109.96 грн
500+102.21 грн
1000+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1ZLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK343TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1221.98 грн
5+1007.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK34343M (TC)Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 7900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.35 грн
8+58.71 грн
10+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK34E10N1S1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3501B-EQ
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3511-EG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.92 грн
5+325.14 грн
10+249.54 грн
50+227.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.97 грн
5+456.82 грн
10+395.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.00 грн
13+67.38 грн
100+61.21 грн
500+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 6.4mm; 8mm; Min.pitch: 2.54mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
Contact plating: rhodium plated
Related items: TK35N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.53 грн
5+195.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 6.4mm; 8mm; Min.pitch: 2.54mm; 3A
Contact plating: rhodium plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK35N
Tip diameter: 1.3mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Blade tip shape: head 07; serrated
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]