Продукція > S2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
S2M-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER GEN PURP 1000V 2A SMA
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-HFComchip TechnologyDiode 1KV 2A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - S2M-LTP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3598+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 2A SILICON RECTIFIER
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
6000+2.72 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - S2M-LTP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5155+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 5155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTP
Код товару: 211140
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 16046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTPMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTP-HFMicro Commercial ComponentsDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTP-HFMicro Commercial Components (MCC)Rectifiers 2A SILICON RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-LTP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-M3/52TVishay / SiliconixRectifiers 1.5A, 1000V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-M3/52TVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GPP 1.5A 1000V DO-214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-M3/52TVishayDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-M3/5BTVishay / SiliconixRectifiers 1.5A, 1000V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-M3/5BTVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GPP 1.5A 1000V DO-214AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-QDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1000V 2A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.23 грн
100+5.98 грн
500+4.68 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-QDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1000V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-R1-00001PanjitRectifiers SMB/GENERAL/SMD/GSM-20H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-T
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-T3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-TPMCC Corp.2.0A 1000V DO-214AA (SMB) (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M-TR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M/2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0-B2
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0016120D-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0016120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3289.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0016120K-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0025120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4402 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0025120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0025120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4402 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0040120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1757.31 грн
10+1560.59 грн
100+1332.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0040120FSMC Diode SolutionsDescription: MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0040120J-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1904 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0040120J-1SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1904 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0040120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1784.75 грн
10+1585.12 грн
100+1353.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0040120K-1SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; Idm: 160A; 320.5W
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 320.5W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1394.48 грн
5+1168.24 грн
10+1029.02 грн
30+920.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.80 грн
10+945.22 грн
100+817.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120DSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W
Technology: SiC
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 231W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1258.10 грн
10+958.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120ISMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 80MOHM,1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220MF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.94 грн
10+972.39 грн
100+841.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120NSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0080120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 231W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.72 грн
10+360.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120JSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Gate charge: 29.6nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.55 грн
10+247.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29.6nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 66A
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+367.59 грн
10+243.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120TSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0120120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Gate charge: 29.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: reel; tape
Case: TOLL
On-state resistance: 212mΩ
Pulsed drain current: 66A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.79 грн
10+158.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120DSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.72 грн
10+308.18 грн
100+249.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120ISMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, 160MOHM,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220MF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120JSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120JSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 122W
Gate charge: 26.5nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+443.45 грн
10+281.79 грн
50+254.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120KSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120KSMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.56 грн
10+338.37 грн
100+273.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120TSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 121W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.59 грн
10+176.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-12.000-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+171.45 грн
200+58.73 грн
500+38.87 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-12.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+200.29 грн
100+100.01 грн
200+79.40 грн
500+51.88 грн
1000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-16.000-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-16.000-X-RAker Technology USADescription: XTAL OSC XO 16.0000MHZ HCMOS SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-24.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+97.52 грн
50+95.22 грн
100+76.59 грн
500+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-24.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 24.0000MHZ HCMOS SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.45 грн
3000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M025T-50.000-X-RAker Technology CorpDescription: XTAL OSC XO 50.0000MHZ HCMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 20mA
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+82.71 грн
100+60.53 грн
200+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2M11002SDKTRSamtecHeaders & Wire Housings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2M62
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2MATaiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MATaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 29638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
50+9.74 грн
100+7.96 грн
500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MAMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - S2MA - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 60A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MATaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
на замовлення 7071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2MAYenyo TechnologyDiode Switching 1KV 2A 2-Pin SMA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MATaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+4.20 грн
22500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MAMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - S2MA - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 60A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MADiodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2MATaiwan SemiconductorSMA Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA F2Taiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA F2Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA F2GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA F3Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA F3Taiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA F3GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA M2GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA M2GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching 1KV 1.5A 1500ns 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R2Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R2Taiwan SemiconductorDiode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3Taiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching 1KV 1.5A 1500ns 2-Pin SMA T/R
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.54 грн
55+13.83 грн
56+13.08 грн
100+11.63 грн
250+10.70 грн
500+10.24 грн
1000+9.78 грн
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MA R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 1.5A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.