Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH4R008NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 86A
на замовлення 5565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.43 грн
25+50.63 грн
100+48.06 грн
250+43.79 грн
500+41.36 грн
1000+40.68 грн
3000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+90.95 грн
50+68.64 грн
100+57.66 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+51.43 грн
280+50.63 грн
284+49.84 грн
289+47.30 грн
500+43.09 грн
1000+40.68 грн
3000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.73 грн
140000+65.54 грн
210000+60.99 грн
280000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.29 грн
184+76.94 грн
200+71.94 грн
1000+61.46 грн
2000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1ToshibaTPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.73 грн
20000+65.54 грн
30000+60.99 грн
40000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET
на замовлення 24819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+116.46 грн
100+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.15 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.06 грн
107+133.37 грн
250+129.33 грн
500+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 9293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
10+188.39 грн
100+132.53 грн
500+104.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.29 грн
100+68.84 грн
500+51.56 грн
1000+47.37 грн
2000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 138A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MToshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MToshibaTPH4R50ANH1,LQ(M
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.01 грн
252+56.29 грн
259+54.69 грн
500+52.55 грн
1000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 14790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(MWToshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1LQ(MToshibaMOSFETs UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1LQ(MWToshibaMOSFETs UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANHLQ(M1WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NHToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q
Код товару: 179170
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaN-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+119.33 грн
100+82.23 грн
500+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 3800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 3800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.96 грн
469+30.17 грн
481+29.42 грн
500+27.55 грн
1000+24.92 грн
5000+22.55 грн
10000+21.82 грн
20000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 26276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.63 грн
100+33.89 грн
500+24.67 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(SToshibaTPH4R803PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PLLQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH520RCADescription: RCA - TPH520 - Connector A:USB Type A Plug
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
USB-Version: USB 2.0
Elektronische Kennzeichnung / Markierung: -
Steckverbinder auf Steckverbinder: Type A Plug to Type B Plug
Kabellänge - Metrisch: 1.82
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 18605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+166.81 грн
50+128.80 грн
100+109.37 грн
500+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+57.97 грн
100+44.03 грн
500+33.21 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.83 грн
209+67.93 грн
244+58.19 грн
257+53.21 грн
500+46.05 грн
1000+41.53 грн
5000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5900CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.38 грн
100+56.87 грн
500+42.29 грн
1000+38.73 грн
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.80 грн
100+75.67 грн
500+56.92 грн
1000+52.38 грн
2000+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.40 грн
193+73.55 грн
225+62.94 грн
237+57.63 грн
500+49.88 грн
1000+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]