Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NLToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+50.87 грн
100+39.56 грн
500+31.47 грн
1000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
на замовлення 19357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+45.59 грн
100+31.54 грн
500+24.73 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.46 грн
25+31.19 грн
50+29.81 грн
100+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+67.25 грн
25+56.31 грн
100+41.17 грн
250+35.43 грн
500+31.89 грн
1000+28.45 грн
2500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.49 грн
10000+31.14 грн
15000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFET N-CH 100V 66A/45A SOP-8 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
на замовлення 13527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.67 грн
100+54.85 грн
500+40.70 грн
1000+37.24 грн
2000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANLL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH707KK
Код товару: 21611
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Кутове з’єднання стільниць 1100х1100мм, навантаження 150кг
товару немає в наявності
1+9100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH707KK ESD
Код товару: 21612
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Кутове з’єднання стільниць 1100х1100мм, навантаження 150кг, антистатичне
товару немає в наявності
1+12400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712
Код товару: 21222
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 700х1200мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм,навантаження 300кг,
товару немає в наявності
1+9950.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712 ESD
Код товару: 21223
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 700х1200мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм, навантаження 300кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+13400.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712 L
Код товару: 21548
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж з полицями 700х1200, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг
товару немає в наявності
1+7850.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH712L ESD
Код товару: 21585
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж, з полицями 700х1200, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+11600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715 ESD
Код товару: 21225
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 700х1500мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм, навантаження 300кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+14700.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715 L
Код товару: 21549
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж з полицями 700х1500, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг
товару немає в наявності
1+8200.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715-3
Код товару: 106391
Додати до обраних Обраний товар
TrestonСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH715L ESD
Код товару: 21586
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж, з полицями 700х1500, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+12900.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718
Код товару: 21226
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 700х1800мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм, навантаження 300кг
товару немає в наявності
1+11800.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718 ESD
Код товару: 21227
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 700х1800мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм, навантаження 300кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+17600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718 L
Код товару: 21550
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж з полицями 700х1800, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг
товару немає в наявності
1+9050.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH718L ESD
Код товару: 21587
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж, з полицями 700х1800, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+15100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.19 грн
50+43.31 грн
100+36.12 грн
500+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.35 грн
15000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.18 грн
233+60.72 грн
274+51.67 грн
500+42.64 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
299+47.42 грн
311+45.52 грн
500+43.88 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.38 грн
100+24.24 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
на замовлення 7155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.86 грн
6000+17.43 грн
9000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.71 грн
383+36.96 грн
500+33.85 грн
1000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 5400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.03 грн
351+40.35 грн
500+38.89 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 5400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+87.63 грн
100+59.21 грн
500+44.14 грн
1000+40.47 грн
2000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
на замовлення 15529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+23.29 грн
615+23.01 грн
625+22.63 грн
1000+21.46 грн
5000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+98.12 грн
100+66.93 грн
500+50.26 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QMLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
на замовлення 8833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+99.10 грн
100+70.32 грн
500+56.10 грн
1000+50.75 грн
2000+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 61W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.57 грн
100+25.41 грн
500+18.55 грн
1000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.53 грн
429+33.00 грн
469+30.17 грн
471+28.99 грн
580+21.79 грн
1000+19.60 грн
2000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 24W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH909KK
Код товару: 21615
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Кутове з’єднання стільниць 1300х1300мм, навантаження 150кг
товару немає в наявності
1+9300.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH909KK ESD
Код товару: 21616
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Кутове з’єднання стільниць 1300х1300мм, навантаження 150кг, антистатичне
товару немає в наявності
1+13600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915
Код товару: 21228
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 900х1500мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм, навантаження 300кг
товару немає в наявності
1+11600.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915 ESD
Код товару: 21229
Додати до обраних Обраний товар
Системи зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл з полицями, 900х1500мм, висота стільниці 650-900мм, висота полиці 1080-1550мм, навантаження 300кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+16800.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915L
Код товару: 21588
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж, з полицями 900х1500, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+9100.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH915L ESD
Код товару: 21589
Додати до обраних Обраний товар
TRESTONСистеми зберігання та меблі > Промислові меблі Treston
Опис: Монтажний стіл приставний уздовж, з полицями 900х1500, висота стільниці 650-900мм, навантаження 150кг, антистатичний
товару немає в наявності
1+15000.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]