Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6K202FETOSHSOT26/
на замовлення 8230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 15376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.74 грн
100+22.19 грн
500+16.36 грн
1000+12.64 грн
2000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.76 грн
8000+11.49 грн
12000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K204FE
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K204FE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K204FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin ES T/R
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+28.52 грн
515+27.49 грн
1000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K204FE,LF(CAToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+24.83 грн
100+15.88 грн
500+11.28 грн
1000+10.11 грн
2000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K210FE(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 6923 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+25.13 грн
100+16.81 грн
500+12.90 грн
1000+10.54 грн
2000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.69 грн
8000+5.15 грн
12000+5.12 грн
20000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 21923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
38+8.00 грн
100+7.33 грн
500+6.68 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LF(ATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.95 грн
39+20.89 грн
100+13.57 грн
500+9.28 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FE,LF(ATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.57 грн
500+9.28 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K217FELF(AToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K22FE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K30FETOSHIBA09+
на замовлення 16018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
100+21.12 грн
500+15.11 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LFToshibaMOSFET N-CH 60V 6A UDFN6B Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
на замовлення 570586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.90 грн
6000+11.39 грн
9000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(BToshibaSSM6K341NU,LF(B
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.57 грн
574+24.65 грн
1000+23.85 грн
2500+22.31 грн
5000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
9000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.21 грн
50+29.99 грн
100+20.16 грн
500+13.96 грн
1500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+25.72 грн
553+25.61 грн
620+22.84 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.16 грн
500+13.96 грн
1500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 65436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+31.85 грн
100+20.53 грн
500+14.67 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K361NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
на замовлення 72351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
на замовлення 65300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
6000+11.04 грн
9000+10.52 грн
15000+9.33 грн
21000+9.01 грн
30000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K361NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K361NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.38 грн
24+34.22 грн
100+22.03 грн
500+15.55 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 60 V, 2 A, 82 M@10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.80 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K388NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, UDFN-B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UDFN-B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.60 грн
31+26.50 грн
100+15.20 грн
500+9.51 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K388R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K389NU,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K389R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm at 4V, in UF6 package
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
14+22.57 грн
100+15.36 грн
500+10.81 грн
1000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.61 грн
100+21.05 грн
500+15.07 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.91 грн
22+37.31 грн
100+24.55 грн
500+17.89 грн
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.55 грн
500+17.89 грн
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.70 грн
100+12.53 грн
500+8.82 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.11 грн
39+21.38 грн
100+13.74 грн
500+8.76 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K504NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.74 грн
500+8.76 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.83 грн
100+18.51 грн
500+13.21 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
на замовлення 24739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 15A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+25.46 грн
559+25.35 грн
686+20.63 грн
1000+18.64 грн
2000+17.16 грн
3000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0089 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.40 грн
30+27.72 грн
100+20.24 грн
500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K513NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K513NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 8900 µohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.03 грн
500+15.55 грн
1000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K514NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
6000+10.72 грн
9000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K514NU,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K514NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+30.27 грн
100+19.89 грн
500+14.47 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K514NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K514NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0116 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.75 грн
25+32.68 грн
100+22.03 грн
500+15.93 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K514NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.21 грн
938+15.09 грн
968+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K514NULF SNBToshibaTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 17,3mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistor N-MOSFET SSM6K514NU TSSM6K514NU
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+25.66 грн
100+17.84 грн
500+13.07 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LFToshibaMOSFETs MOS TRANSISTOR
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF
Код товару: 179908
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.53 грн
100+18.27 грн
500+13.00 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.32 грн
21+37.46 грн
25+37.09 грн
50+35.40 грн
100+17.86 грн
250+16.96 грн
500+16.78 грн
1000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LFToshibaMOSFETs UDFN6B N CHAN 30V
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LFToshibaMOSFETs 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm a. 1.8V
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+25.66 грн
100+17.84 грн
500+13.07 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.51 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.87 грн
100+19.90 грн
500+14.23 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LFToshibaMOSFETs WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]