Продукція > B2D
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B2D-211213 | OTTO | Basic / Snap Action Switches REDUCED DEAD BREAK, .2 WIDE,BTN,SGL SLDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D-212211 | OTTO | Basic / Snap Action Switches Sub-Subminiature Basic Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D-213213 | OTTO | Basic / Snap Action Switches B2, LOW DEADBREAK, .2 WIDE,BTN, QC TERM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Case: TO252-2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.92V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 20µA | на замовлення 3358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Case: TO252-2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.92V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 20µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D02120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 20µA Power dissipation: 35W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D02120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 20µA Power dissipation: 35W Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D04065D | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D04065D1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D1 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Mounting: SMD Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Mounting: SMD Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 39W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 39W | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D04065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065KF1 THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D04065V | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D04065V1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V1 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D05120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120E1 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D05120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 64W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.75V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 55A Leakage current: 30µA | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D05120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 64W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.75V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 55A Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Case: TO252-2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode | на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Case: TO252-2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065KS THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D06065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065Q SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 57W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 57W | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 37W | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 37W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065E1 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D10065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F1 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065KF1 THT Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 47W | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 47W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065Q SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D10120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10120E1 SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D10120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 64W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 55A Leakage current: 20µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 64W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 55A Leakage current: 20µA | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D10120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D15120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D15120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D16065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. load current: 16A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D16065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. load current: 16A | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D16120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 74W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 16A Max. forward voltage: 1.82V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 80A Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D16120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 74W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 16A Max. forward voltage: 1.82V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 80A Leakage current: 30µA | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO263-2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO263-2 | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 146A Leakage current: 15µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 146A Leakage current: 15µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30µA Kind of package: tube Max. load current: 20A Power dissipation: 74W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30µA Kind of package: tube Max. load current: 20A Power dissipation: 74W | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D20065K1 THT Schottky diodes | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 20A Max. forward voltage: 1.62V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 20µA Power dissipation: 33W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO3PF | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 20A Max. forward voltage: 1.62V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 20µA Power dissipation: 33W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO3PF кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20120F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 180A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 122W Leakage current: 33µA кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D20120F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 180A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 122W Leakage current: 33µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
B2D20120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.78V Max. forward impulse current: 190A Kind of package: tube Power dissipation: 159W Leakage current: 40µA | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.78V Max. forward impulse current: 190A Kind of package: tube Power dissipation: 159W Leakage current: 40µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 90A Kind of package: tube Power dissipation: 60W Max. load current: 20A Leakage current: 40µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D20120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 90A Kind of package: tube Power dissipation: 60W Max. load current: 20A Leakage current: 40µA | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Kind of package: tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. load current: 30A | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. load current: 30A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 95W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 30A Max. forward voltage: 1.75V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 135A Leakage current: 40µA | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D30120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 95W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 30A Max. forward voltage: 1.75V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 135A Leakage current: 40µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D40065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D40065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D40065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D40065HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D40120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D40120H1 THT Schottky diodes | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D40120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.92V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D40120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.92V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 30µA | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D60120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 361W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2.1V Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 340A Leakage current: 70µA | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B2D60120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 361W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2.1V Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 340A Leakage current: 70µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|