Продукція > B2D
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B2D-211213 | OTTO | Basic / Snap Action Switches REDUCED DEAD BREAK, .2 WIDE,BTN,SGL SLDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| B2D-212211 | OTTO | Basic / Snap Action Switches Sub-Subminiature Basic Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| B2D-213213 | OTTO | Basic / Snap Action Switches B2, LOW DEADBREAK, .2 WIDE,BTN, QC TERM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Power dissipation: 34W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Power dissipation: 34W | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 20µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 39W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2451 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 20µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 39W | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 39W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 39W | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065E1 SMD Schottky diodes | на замовлення 2436 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065K1 THT Schottky diodes | на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D08065K THT Schottky diodes | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D08065K1 THT Schottky diodes | на замовлення 79 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D08065KS THT Schottky diodes | на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065K1 THT Schottky diodes | на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065KS THT Schottky diodes | на замовлення 63 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D10120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10120H1 THT Schottky diodes | на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D10120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10120HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D15120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D15120H1 THT Schottky diodes | на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D16065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D16065HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D16120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D16120HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 13µA Load current: 20A Power dissipation: 100W Max. forward impulse current: 140A Max. forward voltage: 1.67V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: reel; tape Case: TO263-2 | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 13µA Load current: 20A Power dissipation: 100W Max. forward impulse current: 140A Max. forward voltage: 1.67V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: reel; tape Case: TO263-2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 520 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 15µA Load current: 20A Power dissipation: 130W Max. forward impulse current: 146A Max. forward voltage: 1.7V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO247-2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 15µA Load current: 20A Power dissipation: 130W Max. forward impulse current: 146A Max. forward voltage: 1.7V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO247-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 30µA Load current: 10A x2 Power dissipation: 74W Max. forward impulse current: 70A Max. forward voltage: 1.75V Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO247-3 | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 30µA Load current: 10A x2 Power dissipation: 74W Max. forward impulse current: 70A Max. forward voltage: 1.75V Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 20µA Load current: 10A x2 Power dissipation: 33W Max. forward impulse current: 70A Max. forward voltage: 1.62V Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO3PF | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA Mounting: THT Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Leakage current: 20µA Load current: 10A x2 Power dissipation: 33W Max. forward impulse current: 70A Max. forward voltage: 1.62V Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO3PF кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 40µA Max. forward voltage: 1.78V Power dissipation: 159W Load current: 20A Max. forward impulse current: 190A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-2 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 40µA Max. forward voltage: 1.78V Power dissipation: 159W Load current: 20A Max. forward impulse current: 190A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D20120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D20120HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D30065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D30065H1 THT Schottky diodes | на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D30065HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D30065HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D30120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D30120H1 THT Schottky diodes | на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D30120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D30120HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D40065H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D40065H1 THT Schottky diodes | на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D40120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D40120H1 THT Schottky diodes | на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D40120HC1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D40120HC1 THT Schottky diodes | на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||
| B2D60120H1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D60120H1 THT Schottky diodes | на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|