Продукція > DI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI100N04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.75 грн
10+52.03 грн
100+47.84 грн
500+46.16 грн
1000+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.17 грн
500+42.60 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.03 грн
10+91.77 грн
100+62.15 грн
500+46.41 грн
1000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.61 грн
14+61.74 грн
100+51.17 грн
500+42.60 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.72 грн
10+76.36 грн
100+51.20 грн
500+37.94 грн
1000+34.68 грн
2000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.83 грн
10+77.22 грн
100+44.76 грн
500+35.35 грн
1000+32.07 грн
5000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 3x3, N, 40V, 100A, 2m?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70.7A; Idm: 400A; 46.1W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70.7A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 46.1W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.92 грн
10+108.16 грн
100+73.70 грн
500+55.31 грн
1000+50.85 грн
2000+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.23 грн
500+58.77 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDI100N10PQ
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+124.51 грн
141+92.12 грн
250+81.99 грн
500+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.08 грн
10+110.65 грн
100+65.96 грн
500+52.71 грн
1000+52.15 грн
2500+52.08 грн
5000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 6.6mΩ
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Case: QFN5x6
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.07 грн
10+94.84 грн
100+65.46 грн
250+58.75 грн
500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.89 грн
10+114.70 грн
100+79.23 грн
500+58.77 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.82 грн
10+140.32 грн
100+84.37 грн
500+71.12 грн
5000+52.92 грн
10000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.41 грн
10+118.66 грн
100+85.09 грн
500+65.90 грн
1000+61.36 грн
2000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 480A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 6.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI100P04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -400A; 50W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -400A
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -40V
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100SPANJIT09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101PANJIT1.0A, 100V, DIP-4 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
50+13.66 грн
100+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 400, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+125, Тип мосту = однофазний,... Група товару: Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588
Додати до обраних Обраний товар
BoplaКорпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний
у наявності 20 шт:
18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7.00 грн
10+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanJitDI104S_R2_00001
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+10.33 грн
1316+9.81 грн
1416+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.46 грн
10+52.95 грн
100+41.20 грн
500+32.77 грн
1000+26.70 грн
2000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.56 грн
500+51.06 грн
1000+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.00 грн
10+69.68 грн
100+39.67 грн
500+31.58 грн
1000+28.03 грн
5000+23.36 грн
10000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 520A; 83W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 520A
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.95 грн
10+92.73 грн
100+55.56 грн
500+51.06 грн
1000+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI106PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Група товару: Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+5.41 грн
5000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S (DF06S)PANJITДиодный мост (V=600В, I=1.0А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +125C), корпус SMD Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanJitDI106S_R2_00001
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+15.32 грн
1200+10.76 грн
1272+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 843
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.50 грн
28+15.44 грн
50+12.42 грн
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 800, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Група товару: Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+7.65 грн
5000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DI108-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
13+24.70 грн
100+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanJitDI108S_R2_00001
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+32.52 грн
758+17.04 грн
1000+15.83 грн
1500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.71 грн
13+26.14 грн
100+14.36 грн
500+12.13 грн
1000+11.50 грн
1500+8.79 грн
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
50+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.11 грн
10+117.07 грн
100+61.22 грн
500+60.66 грн
1000+58.71 грн
2500+51.87 грн
5000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 420A
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 163nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.58 грн
10+93.55 грн
100+56.21 грн
500+51.67 грн
1000+46.23 грн
5000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.29 грн
10+59.58 грн
100+36.12 грн
500+29.00 грн
1000+24.68 грн
5000+22.80 грн
10000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.13 грн
10+60.01 грн
100+40.37 грн
500+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.25 грн
10+66.17 грн
100+44.15 грн
500+32.58 грн
1000+29.73 грн
2000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.21 грн
500+51.67 грн
1000+46.23 грн
5000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.86 грн
10+129.92 грн
100+89.87 грн
500+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.29 грн
10+154.75 грн
100+80.88 грн
800+52.92 грн
2400+49.92 грн
4800+49.16 грн
9600+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.82 грн
10+118.13 грн
100+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 60V, 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorDescription: DI110N06D2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+472.69 грн
2500+357.14 грн
5000+243.34 грн
10000+227.37 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.69 грн
5+96.52 грн
25+84.77 грн
100+77.21 грн
500+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDI114N06PQ
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+127.69 грн
112+115.64 грн
500+108.42 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDiotec SemiconductorDescription: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: DI120N04PQ-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQ-DIODIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 480A; 50W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 480A
Drain current: 85A
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.37 грн
19+17.56 грн
100+9.62 грн
500+7.18 грн
1000+6.41 грн
3000+5.79 грн
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.81 грн
18+17.52 грн
100+11.07 грн
500+7.74 грн
1000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DI145N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.36 грн
10+130.70 грн
100+78.79 грн
500+64.77 грн
5000+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.08 грн
10+129.46 грн
100+89.31 грн
500+67.70 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI150SPANJITBridge Rectifiers 50 Volt 1.5 Amp, SDIP Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S-R2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanJitDI1510S_R2_00001
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+26.16 грн
944+13.68 грн
1014+12.73 грн
1500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154SPANJIT09+ sop
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S-LPANJIT0829+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.24 грн
11+29.27 грн
100+16.32 грн
500+12.48 грн
1000+11.09 грн
1500+9.97 грн
3000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI15530-9HARRISDIP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI156PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1,5, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+125, Тип мосту = однофазний,... Група товару: Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+7.23 грн
5000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DI156SPanJitДіодний міст SMD, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1,5, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -50...+125, Тип мосту = однофазний,... Група товару: Діоди Корпус: SMD-4 (SDIP) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PANJITBridge Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp, SDIP-4 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 50A; DIP; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 50A
Case: DIP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI160N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A; 83.3W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 83.3W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI160N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A; 83.3W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 83.3W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 170A; Idm: 680A; 135W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 170A
Power dissipation: 135W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 680A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 5x6, N, 30V, 170A, 1.2m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.54 грн
23+18.30 грн
33+12.84 грн
100+11.50 грн
250+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.