Продукція > DI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI100N04D1Diotec SemiconductorDiotec Semiconductor MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORDI100N04D1-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI100N04D1-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.73 грн
10+87.48 грн
100+75.35 грн
500+59.54 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+94.26 грн
100+73.28 грн
500+58.30 грн
1000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI100N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.99 грн
10+61.54 грн
100+47.87 грн
500+38.08 грн
1000+31.02 грн
2000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.90 грн
10+107.45 грн
100+56.21 грн
500+55.62 грн
1000+53.85 грн
2500+47.60 грн
5000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.16 грн
10+99.03 грн
100+85.83 грн
500+68.43 грн
1000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.93 грн
10+109.98 грн
100+67.98 грн
500+55.76 грн
1000+49.29 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.79 грн
10+89.66 грн
16+58.24 грн
43+55.18 грн
500+53.64 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.55 грн
10+111.73 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
500+64.37 грн
1000+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.47 грн
10+109.74 грн
100+74.77 грн
500+56.11 грн
1000+51.59 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.04 грн
10+120.39 грн
100+86.33 грн
500+66.86 грн
1000+62.25 грн
2000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.40 грн
10+129.44 грн
100+80.92 грн
500+66.51 грн
1000+60.55 грн
5000+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-QDiotec SemiconductorDC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 complian
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100SPANJIT09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100SPANJIT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010ST/PPanjitДиодный мост SDIP-4 U=1000V I=1A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.25 грн
10+26.98 грн
100+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_R2_00001PanJit SemiconductorDI1010S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorDI1010S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.68 грн
121+8.92 грн
332+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
50+13.86 грн
100+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102/TP//HF/0.05K/DIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10H/DI10-QI27/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI103AIFM ELECTRONICDI103A Measurement Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588
Додати до обраних Обраний товар

BoplaКорпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний
у наявності 20 шт:
18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+7.00 грн
10+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.13 грн
10+63.62 грн
100+38.48 грн
500+30.97 грн
1000+26.34 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+43.00 грн
500+33.95 грн
1000+28.37 грн
5000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.44 грн
10+53.72 грн
100+41.80 грн
500+33.25 грн
1000+27.09 грн
2000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI105N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+312.00 грн
10+62.40 грн
100+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorDI106-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.70 грн
129+8.37 грн
353+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.67 грн
14+25.21 грн
100+14.93 грн
500+11.18 грн
1000+8.31 грн
2500+7.65 грн
5000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
62+10.14 грн
69+9.13 грн
100+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
DI108-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorDI108S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.52 грн
127+8.55 грн
348+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
14+24.62 грн
100+14.49 грн
500+11.33 грн
1000+11.18 грн
1500+9.05 грн
9000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
11+27.89 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
50+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorDI108S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.68 грн
121+8.92 грн
332+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.50 грн
10+123.52 грн
100+64.59 грн
500+64.00 грн
1000+61.94 грн
2500+54.73 грн
5000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N03PQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N03PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N04PQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.08 грн
14+62.97 грн
100+43.91 грн
500+32.72 грн
1000+25.75 грн
5000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+55.94 грн
100+38.97 грн
500+29.39 грн
1000+27.03 грн
2000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.91 грн
500+32.72 грн
1000+25.75 грн
5000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.27 грн
10+62.86 грн
100+38.11 грн
500+30.60 грн
1000+26.04 грн
5000+24.06 грн
10000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, DPAK, N, 65V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORDI110N06D1-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.12 грн
10+134.52 грн
100+83.87 грн
800+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI110N06D2-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N06D2-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N15PQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+479.58 грн
2500+362.34 грн
5000+246.88 грн
10000+230.68 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N15PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-QDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N15PQ-Q-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDI114N06PQ
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+120.71 грн
112+109.32 грн
500+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.67 грн
5+118.42 грн
13+87.36 грн
34+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.89 грн
5+95.03 грн
13+72.80 грн
34+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 480A; 78.9W; QFN5x6
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 480A; 78.9W; QFN5x6
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDiotec SemiconductorDescription: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
19+16.86 грн
100+10.61 грн
500+7.41 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
на замовлення 10488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.88 грн
20+17.01 грн
100+9.27 грн
500+8.09 грн
1000+7.14 грн
3000+5.44 грн
9000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI135N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI135N06PQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI145N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.23 грн
10+117.60 грн
100+72.69 грн
500+59.66 грн
5000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+108.82 грн
100+77.51 грн
500+61.90 грн
1000+60.08 грн
2000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.45mΩ
Power dissipation: 125W
Gate charge: 61nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.45mΩ
Power dissipation: 125W
Gate charge: 61nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S-R2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
50+23.99 грн
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152_T0_00001PanJit SemiconductorDI152-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154SPANJIT09+ sop
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S-LPANJIT0829+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S-LPANJIT08+ SOP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
13+27.83 грн
100+16.85 грн
500+13.17 грн
1000+10.67 грн
1500+9.49 грн
9000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanJit SemiconductorDI154S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI15530-9HARRISDIP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI156PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+207.99 грн
10+62.40 грн
100+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanJit SemiconductorDI158S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A0N60D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI1A0N60D1-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
22+18.09 грн
31+12.64 грн
100+11.34 грн
102+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
13+22.54 грн
25+15.17 грн
100+13.61 грн
102+10.67 грн
278+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.