Продукція > DI1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1

Diotec Semiconductor MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1

Description: MOSFET DPAK N 40V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

MOSFET MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.45 грн
10+	85.03 грн
100+	57.38 грн
500+	42.72 грн
1000+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.51 грн
500+	43.72 грн
1000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.46 грн
14+	63.36 грн
100+	52.51 грн
500+	43.72 грн
1000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.11 грн
10+	111.25 грн
100+	58.04 грн
500+	57.45 грн
1000+	55.66 грн
2500+	49.19 грн
5000+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.55 грн
10+	91.54 грн
100+	54.83 грн
500+	49.13 грн
1000+	47.90 грн
2000+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PT-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70.7A; Idm: 400A; 46.1W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70.7A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 46.1W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PT-AQ

Description: DI100N04PT-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.48 грн
10+	117.70 грн
100+	81.31 грн
500+	60.31 грн
1000+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	150.26 грн
10+	113.02 грн
16+	70.69 грн
43+	66.97 грн
500+	65.11 грн
1000+	64.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

DI100N10PQ

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	117.71 грн
141+	87.08 грн
250+	77.51 грн
500+	72.90 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.31 грн
500+	60.31 грн
1000+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 4792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.51 грн
10+	111.00 грн
100+	75.63 грн
500+	56.76 грн
1000+	52.19 грн
2000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	125.22 грн
10+	90.69 грн
16+	58.91 грн
43+	55.81 грн
500+	54.26 грн
1000+	53.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.26 грн
10+	122.37 грн
100+	72.11 грн
500+	57.60 грн
1000+	56.11 грн
5000+	45.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.48 грн
10+	246.46 грн
100+	127.99 грн
500+	127.25 грн
1000+	122.78 грн
2500+	108.64 грн
5000+	102.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

DI100N10PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.14 грн
10+	121.78 грн
100+	87.32 грн
500+	67.63 грн
1000+	62.97 грн
2000+	61.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-Q

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 complian

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100S

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI100S

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI100S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S

08+ TQFP68

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI1010S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V

на замовлення 658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	25.88 грн
23+	16.98 грн
50+	13.64 грн
100+	12.17 грн
117+	7.83 грн
320+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 658 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	31.05 грн
14+	21.15 грн
50+	16.37 грн
100+	14.60 грн
117+	9.39 грн
320+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI1010_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.20 грн
50+	14.01 грн
100+	12.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI1010_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI101S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI101S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI101_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI102S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI102S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI102_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI103A

IFM ELECTRONIC

DI103A Measurement Sensors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588

Додати до обраних Обраний товар

Bopla

Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний

у наявності 20 шт:

18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

2+	7.00 грн
10+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI104S-R2-00001

Bridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104S_R2_00001

DI104S_R2_00001

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	9.76 грн
1316+	9.27 грн
1416+	8.62 грн

Мінімальне замовлення: 1250

В кошику од. на суму грн.

DI104S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.01 грн
500+	52.40 грн
1000+	46.87 грн
5000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.23 грн
10+	54.34 грн
100+	42.28 грн
500+	33.63 грн
1000+	27.40 грн
2000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.04 грн
10+	95.16 грн
100+	57.01 грн
500+	52.40 грн
1000+	46.87 грн
5000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.02 грн
10+	96.70 грн
100+	50.53 грн
500+	50.08 грн
1000+	48.52 грн
2500+	42.86 грн
5000+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

DI105N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI106

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI106S R2 00001

Bridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S_R2_00001

DI106S_R2_00001

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

520+	23.51 грн
994+	12.28 грн
1072+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 520

В кошику од. на суму грн.

DI106S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 283 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.05 грн
15+	19.90 грн
50+	15.35 грн
100+	13.67 грн
129+	8.56 грн
353+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DI106_T0_00001

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	24.21 грн
25+	15.97 грн
50+	12.79 грн
100+	11.39 грн
129+	7.13 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DI106_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108 _T0 _10001

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI108-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S-R2-00001

Bridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S-T0-00001

Bridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

DI108S_R2_00001

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

512+	23.83 грн
981+	12.45 грн
1057+	11.55 грн
1500+	10.20 грн

Мінімальне замовлення: 512

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.94 грн
14+	24.90 грн
100+	14.66 грн
500+	11.46 грн
1000+	11.31 грн
1500+	9.15 грн
9000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

DI108S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	38.97 грн
127+	8.65 грн
348+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн
11+	28.22 грн
100+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн
50+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

DI108S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

на замовлення 327 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	33.06 грн
121+	9.02 грн
332+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI108_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI108_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ

DI110N03PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.35 грн
10+	124.94 грн
100+	65.34 грн
500+	64.74 грн
1000+	62.66 грн
2500+	55.36 грн
5000+	35.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ-AQ

DI110N03PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

DI110N04PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.41 грн
500+	33.10 грн
1000+	26.04 грн
5000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

DI110N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

N-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.16 грн
14+	63.69 грн
100+	44.41 грн
500+	33.10 грн
1000+	26.04 грн
5000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.74 грн
10+	56.59 грн
100+	39.42 грн
500+	29.72 грн
1000+	27.34 грн
2000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.37 грн
10+	63.58 грн
100+	38.55 грн
500+	30.96 грн
1000+	26.34 грн
5000+	24.33 грн
10000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

MOSFET MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

Diotec Semiconductor AG

Description: MOSFET, DPAK, N, 65V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

Diotec Semiconductor AG

Description: MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

MOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.41 грн
10+	136.07 грн
100+	84.83 грн
800+	63.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

DI110N15PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

Description: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	485.09 грн
2500+	366.50 грн
5000+	249.72 грн
10000+	233.33 грн

Мінімальне замовлення: 1250

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ-AQ

DI110N15PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ-AQ

Description: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ-Q

DI110N15PQ-Q-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.20 грн
5+	96.12 грн
13+	73.64 грн
34+	69.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	138.24 грн
5+	119.78 грн
13+	88.37 грн
34+	83.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

DI114N06PQ

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	120.71 грн
112+	109.32 грн
500+	102.49 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

DI115N06PQ

Description: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI115N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 480A; 78.9W; QFN5x6
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI115N06PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI120N04PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI120N04PQ-AQ-DIO

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 480A; 50W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 50W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Description: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.98 грн
19+	17.05 грн
100+	10.74 грн
500+	7.49 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Trans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN

на замовлення 10128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.29 грн
20+	17.20 грн
100+	9.38 грн
500+	8.19 грн
1000+	7.22 грн
3000+	5.51 грн
9000+	4.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Description: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI135N06PQ

DI135N06PQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI145N04PQ-AQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.55 грн
10+	101.47 грн
100+	72.30 грн
500+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.24 грн
10+	118.95 грн
100+	73.52 грн
500+	60.35 грн
5000+	55.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI150S-R2-00001

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI1510S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_R2_00001

DI1510S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.54 грн
50+	24.26 грн
100+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI1510_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI151S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI151S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI151_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152_T0_00001

DI152-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI154S

09+ sop

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI154S-L

08+ SOP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI154S-L

0829+

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI154S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI154S_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI154S_R2_00001

Bridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.89 грн
12+	28.84 грн
100+	18.75 грн
500+	14.73 грн
1000+	11.68 грн
1500+	10.34 грн
3000+	9.60 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI154S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI154_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI15530-9

HARRIS

DIP

на замовлення 106 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI156

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI156S-AU_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156S-R2-00001

Bridge Rectifiers RECT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S_R2_00001

DI158S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI170N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI170N03PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1A0N60D1-AQ

DI1A0N60D1-AQ-DIO SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1A5N60D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	32.56 грн
22+	18.29 грн
31+	12.79 грн
100+	11.47 грн
102+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

DI1A5N60D1

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	39.07 грн
13+	22.80 грн
25+	15.35 грн
100+	13.77 грн
102+	10.70 грн
280+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI1A5N60D1