Продукція > DI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI100N04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 40V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.10 грн
500+41.72 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Case: DPAK; TO252AA
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.53 грн
10+50.95 грн
100+46.84 грн
500+45.20 грн
1000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.95 грн
10+83.80 грн
100+56.75 грн
500+42.38 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.14 грн
14+60.46 грн
100+50.10 грн
500+41.72 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Case: DPAK; TO252AA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+69.03 грн
10+63.50 грн
100+56.21 грн
500+54.24 грн
1000+48.32 грн
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.98 грн
10+87.35 грн
100+52.32 грн
500+46.88 грн
1000+45.70 грн
2000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.86 грн
10+96.58 грн
100+50.46 грн
500+49.98 грн
1000+48.34 грн
2500+42.74 грн
5000+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: DI100N04PT-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 6.6mΩ
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Case: QFN5x6
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.34 грн
10+91.22 грн
100+63.28 грн
250+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.29 грн
10+105.92 грн
100+72.17 грн
500+54.16 грн
1000+49.80 грн
2000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 6.6mΩ
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Case: QFN5x6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+181.61 грн
10+113.68 грн
100+75.94 грн
250+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.58 грн
500+57.55 грн
1000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDI100N10PQ
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+124.80 грн
141+92.33 грн
250+82.18 грн
500+77.29 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.50 грн
10+104.43 грн
100+62.27 грн
500+51.07 грн
1000+51.00 грн
2500+44.24 грн
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.26 грн
10+112.31 грн
100+77.58 грн
500+57.55 грн
1000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.10 грн
10+197.08 грн
100+103.10 грн
500+96.27 грн
1000+90.12 грн
5000+68.14 грн
10000+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.66 грн
10+116.20 грн
100+83.32 грн
500+64.54 грн
1000+60.08 грн
2000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI100SPANJIT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100SPANJIT09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorDI1010S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 197 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.17 грн
119+9.86 грн
326+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
50+13.37 грн
100+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588
Додати до обраних Обраний товар

BoplaКорпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний
у наявності 20 шт:
18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7.00 грн
10+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanJitDI104S_R2_00001
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+10.35 грн
1316+9.83 грн
1416+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+51.85 грн
100+40.35 грн
500+32.09 грн
1000+26.14 грн
2000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.40 грн
500+50.00 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.57 грн
10+68.23 грн
100+37.76 грн
500+30.93 грн
1000+27.45 грн
5000+23.42 грн
10000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.50 грн
10+90.81 грн
100+54.40 грн
500+50.00 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI106PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanJitDI106S_R2_00001
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+15.35 грн
1200+10.78 грн
1272+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 843
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorDI106-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+32.92 грн
129+9.07 грн
353+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI108-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorDI108S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.71 грн
127+9.27 грн
348+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
13+24.19 грн
100+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanJitDI108S_R2_00001
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+32.60 грн
758+17.08 грн
1000+15.87 грн
1500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.82 грн
13+25.60 грн
100+14.06 грн
500+11.88 грн
1000+11.27 грн
1500+8.60 грн
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorDI108S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+35.05 грн
121+9.66 грн
332+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
50+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.96 грн
10+114.64 грн
100+59.95 грн
500+59.40 грн
1000+57.49 грн
2500+50.80 грн
5000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.09 грн
10+91.60 грн
100+55.04 грн
500+50.59 грн
1000+45.27 грн
5000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDI110N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.73 грн
34+34.52 грн
93+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.42 грн
10+58.34 грн
100+35.37 грн
500+28.40 грн
1000+24.17 грн
5000+22.33 грн
10000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.00 грн
10+64.79 грн
100+43.23 грн
500+31.90 грн
1000+29.11 грн
2000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.04 грн
500+50.59 грн
1000+45.27 грн
5000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.55 грн
10+127.22 грн
100+88.00 грн
500+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.16 грн
10+151.54 грн
100+79.20 грн
800+51.82 грн
2400+48.89 грн
4800+48.13 грн
9600+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.88 грн
10+115.68 грн
100+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 60V, 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorDescription: DI110N06D2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+462.88 грн
2500+349.72 грн
5000+238.29 грн
10000+222.65 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDI114N06PQ
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+127.98 грн
112+115.91 грн
500+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI114N06PQ-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+154.00 грн
13+93.69 грн
35+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORDI115N06PQ-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+560.77 грн
17+70.02 грн
46+67.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI115N06PQDiotec SemiconductorDescription: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: DI120N04PQ-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI120SIC026D7DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 117A; Idm: 297A; 535W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 535W
Case: TO263-7
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.76 грн
19+17.20 грн
100+9.42 грн
500+7.03 грн
1000+6.28 грн
3000+5.67 грн
9000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
19+16.12 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI145N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.14 грн
10+127.98 грн
100+77.15 грн
500+63.43 грн
5000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.26 грн
10+119.38 грн
100+82.35 грн
500+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S-R2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanJitDI1510S_R2_00001
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+26.22 грн
944+13.71 грн
1014+12.76 грн
1500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 494
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154SPANJIT09+ sop
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S-LPANJIT0829+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S-LPANJIT08+ SOP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
11+28.66 грн
100+15.98 грн
500+12.22 грн
1000+10.86 грн
1500+9.76 грн
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI15530-9HARRISDIP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI156PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.86 грн
23+17.92 грн
33+12.57 грн
100+11.26 грн
250+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+38.23 грн
14+22.33 грн
25+15.09 грн
100+13.51 грн
250+11.93 грн
1000+10.75 грн
2500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.