Продукція > DI1

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 450A
Gate charge: 143nC
Application: automotive industry
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.71 грн
10+52.00 грн
100+47.80 грн
500+46.13 грн
1000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.71 грн
100+62.10 грн
500+46.38 грн
1000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.31 грн
100+51.17 грн
500+37.91 грн
1000+34.66 грн
2000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70.7A; Idm: 400A; 46.1W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70.7A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 46.1W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 3x3, N, 40V, 100A, 2m?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDI100N10PQ
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.45 грн
141+100.95 грн
250+89.85 грн
500+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: QFN5x6
On-state resistance: 6.6mΩ
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+101.48 грн
100+70.45 грн
250+62.06 грн
500+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+113.44 грн
100+77.58 грн
500+58.40 грн
1000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.41 грн
50+110.09 грн
100+93.24 грн
500+75.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100SPANJIT09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI100_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI101PANJIT1.0A, 100V, DIP-4 Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
25+17.44 грн
50+14.01 грн
100+12.50 грн
250+10.57 грн
500+9.39 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
50+13.65 грн
100+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI101N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 240A; 130W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 130W
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI101_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI104PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 400, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+125, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588
Додати до обраних Обраний товар
BoplaКорпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елементи
Колір: червоний
Довжина, мм: 109x45 мм
у наявності: 20 шт
  • 18 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7.00 грн
10+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanJitDI104S_R2_00001
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+11.31 грн
1316+10.75 грн
1416+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+52.91 грн
100+41.17 грн
500+32.75 грн
1000+26.68 грн
2000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+5.53 грн
5000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S (DF06S)PANJITДиодный мост (V=600В, I=1.0А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +125C), корпус SMD Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanJitDI106S_R2_00001
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+16.78 грн
1200+11.79 грн
1272+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 843 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
16+26.25 грн
100+10.82 грн
500+9.48 грн
1500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
28+15.43 грн
50+12.41 грн
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 800, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+7.82 грн
5000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SDIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.68 грн
100+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
28+15.52 грн
100+9.56 грн
500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SDIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_R2_00001PanJitDiode Rectifier Bridge Single 800V 1A 4-Pin SPDIP SMD T/R
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
818+17.29 грн
1094+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 818 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
26+16.44 грн
50+13.17 грн
100+11.74 грн
250+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SDIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
50+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI108_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; 30A; DIP; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 30A
Case: DIP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 110A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]