Продукція > DI1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.78 грн
500+	45.61 грн
1000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Case: DPAK; TO252AA

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	56.61 грн
10+	50.14 грн
100+	46.09 грн
500+	44.48 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	93.32 грн
100+	63.19 грн
500+	47.19 грн
1000+	44.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.59 грн
14+	66.10 грн
100+	54.78 грн
500+	45.61 грн
1000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

MOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	67.93 грн
10+	62.48 грн
100+	55.31 грн
500+	53.37 грн
1000+	47.55 грн
2500+	44.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.10 грн
10+	109.81 грн
100+	57.37 грн
500+	56.83 грн
1000+	54.96 грн
2500+	48.60 грн
5000+	45.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.81 грн
10+	95.50 грн
100+	57.21 грн
500+	51.25 грн
1000+	49.97 грн
2000+	47.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PT-AQ

Description: DI100N04PT-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N04PT-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 6.6mΩ
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Case: QFN5x6
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4501 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	178.71 грн
10+	111.86 грн
100+	74.72 грн
250+	67.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.82 грн
500+	62.92 грн
1000+	49.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

DI100N10PQ

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	119.98 грн
141+	88.76 грн
250+	79.00 грн
500+	74.30 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.77 грн
10+	118.74 грн
100+	70.80 грн
500+	58.07 грн
1000+	57.99 грн
2500+	50.31 грн
5000+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	187.24 грн
10+	122.79 грн
100+	84.82 грн
500+	62.92 грн
1000+	49.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

на замовлення 4501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.92 грн
10+	89.76 грн
100+	62.27 грн
250+	56.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 4792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.27 грн
10+	115.80 грн
100+	78.90 грн
500+	59.21 грн
1000+	54.44 грн
2000+	50.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.92 грн
10+	224.09 грн
100+	117.23 грн
500+	109.46 грн
1000+	102.48 грн
5000+	77.48 грн
10000+	75.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.15 грн
10+	127.04 грн
100+	91.10 грн
500+	70.56 грн
1000+	65.69 грн
2000+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI100N10PQ-Q

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 complian

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100S

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI100S

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI100S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI100_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S

08+ TQFP68

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI1010S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010S_T0_00001

DI1010S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

на замовлення 714 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	34.49 грн
109+	10.58 грн
299+	10.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI1010_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1010_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.59 грн
50+	14.62 грн
100+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DI101S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI101S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI101_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI102S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI102S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI102_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588

Додати до обраних Обраний товар

Bopla

Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний

у наявності 20 шт:

18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

6+	7.00 грн
10+	5.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DI104S-R2-00001

Bridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104S_R2_00001

DI104S_R2_00001

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	9.95 грн
1316+	9.45 грн
1416+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 1250

В кошику од. на суму грн.

DI104S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI104_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 4403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.42 грн
10+	99.99 грн
100+	52.25 грн
500+	51.78 грн
1000+	50.15 грн
2500+	44.33 грн
5000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.28 грн
10+	99.28 грн
100+	59.48 грн
500+	54.67 грн
1000+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.22 грн
10+	56.69 грн
100+	44.11 грн
500+	35.09 грн
1000+	28.58 грн
2000+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DI105N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm

на замовлення 4996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.48 грн
500+	54.67 грн
1000+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI106

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI106S R2 00001

Bridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S_R2_00001

DI106S_R2_00001

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

843+	14.76 грн
1200+	10.36 грн
1272+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 843

В кошику од. на суму грн.

DI106S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	22.64 грн
28+	14.88 грн
50+	11.97 грн
100+	10.67 грн
250+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DI106_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI106_T0_00001

на замовлення 278 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	27.17 грн
17+	18.54 грн
50+	14.36 грн
100+	12.81 грн
250+	10.77 грн
500+	9.61 грн
1000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI108 _T0 _10001

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI108-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S-R2-00001

Bridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S-T0-00001

Bridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

DI108S_R2_00001

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

426+	31.34 грн
758+	16.42 грн
1000+	15.26 грн
1500+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 426

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

на замовлення 2841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.55 грн
13+	29.10 грн
100+	15.99 грн
500+	13.51 грн
1000+	12.81 грн
1500+	9.78 грн
3000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated

на замовлення 7986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	38.32 грн
19+	21.92 грн
100+	14.23 грн
500+	10.43 грн
1500+	8.33 грн
3000+	7.20 грн
4500+	6.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

на замовлення 7986 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	45.98 грн
12+	27.31 грн
100+	17.08 грн
500+	12.52 грн
1500+	10.00 грн
3000+	8.64 грн
4500+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI108S_R2_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.51 грн
13+	26.44 грн
100+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated

на замовлення 318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	24.38 грн
26+	15.85 грн
50+	12.70 грн
100+	11.32 грн
250+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 318 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	29.26 грн
16+	19.75 грн
50+	15.24 грн
100+	13.59 грн
250+	11.45 грн
500+	10.29 грн
1000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

DI108S_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.51 грн
50+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DI108_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI108_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.37 грн
10+	130.35 грн
100+	68.16 грн
500+	67.54 грн
1000+	65.37 грн
2500+	57.76 грн
5000+	37.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N03PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	82.56 грн
10+	60.36 грн
100+	45.90 грн
500+	39.98 грн
1000+	38.04 грн
2000+	36.29 грн
2500+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.53 грн
10+	66.33 грн
100+	40.21 грн
500+	32.30 грн
1000+	27.48 грн
5000+	25.39 грн
10000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.89 грн
10+	70.84 грн
100+	47.27 грн
500+	34.88 грн
1000+	31.83 грн
2000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.18 грн
500+	55.31 грн
1000+	49.49 грн
5000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

N-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	68.80 грн
10+	48.44 грн
100+	38.25 грн
500+	33.32 грн
1000+	31.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI110N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.02 грн
10+	100.15 грн
100+	60.18 грн
500+	55.31 грн
1000+	49.49 грн
5000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

Description: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.54 грн
10+	139.09 грн
100+	96.22 грн
500+	75.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 65V
Pulsed drain current: 550A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Drain current: 70A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

Description: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1

MOSFETs MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D1-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 480A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Drain current: 70A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

MOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.90 грн
10+	172.31 грн
100+	90.05 грн
800+	58.92 грн
2400+	55.59 грн
4800+	54.73 грн
9600+	54.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

Description: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.23 грн
10+	126.48 грн
100+	87.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

Description: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2

MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2-AQ

Description: DI110N06D2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 480A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Drain current: 70A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N06D2-AQ

MOSFETs D2PAK, N, 60V, 110A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ

Description: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	506.07 грн
2500+	382.36 грн
5000+	260.52 грн
10000+	243.43 грн

Мінімальне замовлення: 1250

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI110N15PQ-AQ

Description: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.47 грн
5+	93.00 грн
25+	81.68 грн
100+	74.40 грн
500+	69.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

DI114N06PQ

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	123.04 грн
112+	111.43 грн
500+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	133.77 грн
5+	115.89 грн
25+	98.01 грн
100+	89.28 грн
500+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI114N06PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI115N06PQ

DI115N06PQ-DIO SMD N channel transistors

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	551.79 грн
17+	68.90 грн
46+	65.02 грн

В кошику од. на суму грн.

DI115N06PQ

Description: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI120N04PQ-AQ

Description: DI120N04PQ-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI120N04PQ-AQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI120N04PQ-AQ-DIO

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 480A; 50W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 50W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Description: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Trans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN

на замовлення 10023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	32.70 грн
19+	19.55 грн
100+	10.71 грн
500+	8.00 грн
1000+	7.14 грн
3000+	6.44 грн
9000+	5.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI13001

Description: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 2333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	30.23 грн
19+	17.71 грн
100+	11.14 грн
500+	7.79 грн
1000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DI135N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 560A; 92.6W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI145N04PQ-AQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	174.80 грн
10+	117.85 грн
100+	74.14 грн
500+	72.12 грн
5000+	58.61 грн
10000+	57.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.78 грн
10+	131.65 грн
100+	90.81 грн
500+	70.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DI150N04PQ

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

DI150S-R2-00001

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI150_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI1510S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Features of semiconductor devices: glass passivated

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_R2_00001

DI1510S_R2_00001

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

494+	25.20 грн
944+	13.18 грн
1014+	12.27 грн
1500+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 494

В кошику од. на суму грн.

DI1510S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI1510_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 50A; DIP; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 50A
Case: DIP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1510_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI151S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI151S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI151_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI152_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI154S

09+ sop

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI154S-L

08+ SOP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI154S-L

0829+

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI154S_R2_00001

Bridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.71 грн
11+	32.59 грн
100+	18.17 грн
500+	13.90 грн
1000+	12.34 грн
1500+	11.10 грн
3000+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DI154S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI154_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI15530-9

HARRIS

DIP

на замовлення 106 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI156

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DI156S-AU_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156S-R2-00001

Bridge Rectifiers RECT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI156_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S-R2-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S-T0-00001

Bridge Rectifiers

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI158_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI170N03PQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI170N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1A5N60D1

Description: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI1A5N60D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	37.62 грн
14+	21.97 грн
25+	14.85 грн
100+	13.29 грн
250+	11.74 грн
1000+	10.58 грн
2500+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DI1A5N60D1