Продукція > HP8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HP8 | Amphenol FCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| HP8-ZH-BPL5 | RSCC Aerospace & Defense | Low Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8-ZH-BPL5 | RSCC Aerospace & Defense | Low Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP802 | HUAYAMICRO | 08+ | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP804 | HUAYA MICRO | 2008 | на замовлення 9930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8060-9RG | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Rack Mount 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8060-9RG | Bel Power Solutions | Description: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8060-9RG | Bel Power Solutions | HP8060-9RG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8120A | HENWOOD | 0106+ | на замовлення 127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8126A | HENWOOD | 0136+ | на замовлення 11365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8127A | HENWOOD | 2002 | на замовлення 6220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8128A | HENWOOD | 2002 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP816P300BSL | Eaton Electrical | PNL , 8/16 CKT, 1 (150A) MAIN W/ Prov | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP816P400BS | Eaton Electrical | 400A PNL, 1 200A main incl and 1 Prov | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP816P400BSL | Eaton Electrical | 400A PNL, 1 200A main incl and 1 Prov | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP816P400BSLBL | Eaton Electrical | 400A PNL, 1 200A MAIN incl AND 1 Prov | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP820 | PORTASOL | PORTA-HP820 Gas soldering irons & torches | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8210 | PRO ELEC | Description: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker tariffCode: 85369010 productTraceability: No Zielpositionen: 2-polig rohsCompliant: YES Ausführung Zielsteckverbinder: Buchse Steckverbinder zwischen versch. Baureihen B: Kaltgerätebuchse (IEC C13), x2 euEccn: NLR Steckverbinder zwischen versch. Baureihen A: Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausführung Ausgangssteckverbinder: Stecker Ausgangspositionen: 1-polig usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP838H8 | Nibco | Description: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP840X8 | Nibco | Description: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP843X8 | Nibco | Description: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8JB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, -40V 18A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8JB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 7A 8-Pin HSOP EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8JC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, -60V 14.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8JC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 5.5A 8-Pin HSOP EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications. | на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8K | на замовлення 7820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| HP8K22TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K22TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K22TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K22TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K22TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K22TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 29724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K24 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8K24TB | ROHM | Description: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 27 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8K24TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET | на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K24TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K24TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K24TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K24TB | ROHM | Description: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8K24TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | на замовлення 10855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8K24TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KA1TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 2NCH 40V 6A | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KC7TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KC7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KC7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KE7TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KF7HTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8KF7HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KF7HTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 150V DUAL 18.5A | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8KF7HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7W euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET | на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7W euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active | на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8M51TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8M51TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V Nch+Pch Power MOSFET | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET | на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8MB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 4811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8MC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 10423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP | на замовлення 3642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8ME5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8P | на замовлення 6230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| HP8Q | на замовлення 4115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| HP8S36 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8S36TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HP8S36TB Код товару: 174887
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| HP8S36TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Not For New Designs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |