Продукція > HP8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
HP8Amphenol FCIArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+959.14 грн
500+757.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+959.14 грн
500+757.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP802HUAYAMICRO08+
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP804HUAYA MICRO2008
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsHP8060-9RG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Rack Mount 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsDescription: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8120AHENWOOD0106+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8126AHENWOOD0136+
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8127AHENWOOD2002
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8128AHENWOOD2002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP820PORTASOLPORTA-HP820 Gas soldering irons & torches
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5610.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HP8210PRO ELECDescription: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Zielpositionen: 2-polig
rohsCompliant: YES
Ausführung Zielsteckverbinder: Buchse
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen B: Kaltgerätebuchse (IEC C13), x2
euEccn: NLR
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen A: Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausführung Ausgangssteckverbinder: Stecker
Ausgangspositionen: 1-polig
usEccn: EAR99
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.62 грн
10+232.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP838H8NibcoDescription: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP840X8NibcoDescription: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP843X8NibcoDescription: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.30 грн
10+126.06 грн
100+88.28 грн
250+77.25 грн
500+70.63 грн
1000+64.37 грн
2500+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+200.91 грн
90+136.65 грн
100+122.01 грн
200+93.34 грн
500+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.07 грн
10+125.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.38 грн
10+126.14 грн
100+88.31 грн
500+66.84 грн
1000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+59.77 грн
250+57.38 грн
500+55.30 грн
1000+51.59 грн
2500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 30237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.43 грн
10+83.59 грн
100+50.84 грн
500+41.27 грн
1000+38.11 грн
2500+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+100.86 грн
151+81.18 грн
200+69.06 грн
500+54.67 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.88 грн
10+75.02 грн
100+52.42 грн
500+41.56 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 10855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
10+90.12 грн
100+61.71 грн
500+49.14 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.48 грн
250+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHM SemiconductorMOSFETs HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC-DC converter.
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.35 грн
10+100.68 грн
100+59.81 грн
500+48.85 грн
1000+45.24 грн
2500+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.48 грн
250+77.00 грн
500+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 30V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.27 грн
10+76.14 грн
100+46.42 грн
500+37.52 грн
1000+34.58 грн
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORHP8KA1TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+104.93 грн
152+80.36 грн
200+73.21 грн
500+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.78 грн
100+52.88 грн
500+39.19 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.25 грн
10+92.43 грн
100+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+73.12 грн
224+54.66 грн
263+46.53 грн
500+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.27 грн
10+85.68 грн
100+57.70 грн
500+42.90 грн
1000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+163.41 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+112.24 грн
100+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+159.43 грн
111+110.62 грн
200+97.61 грн
500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.10 грн
10+101.52 грн
100+60.47 грн
500+54.96 грн
1000+50.32 грн
2500+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+102.54 грн
100+69.74 грн
500+52.27 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.71 грн
10+176.61 грн
100+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.39 грн
10+156.52 грн
100+109.62 грн
250+97.11 грн
500+89.02 грн
1000+82.40 грн
2500+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+238.33 грн
73+167.56 грн
100+145.60 грн
200+112.95 грн
500+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+141.09 грн
100+125.15 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.86 грн
10+159.63 грн
100+111.20 грн
500+84.97 грн
1000+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.06 грн
10+85.98 грн
100+57.93 грн
500+43.08 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+73.37 грн
223+54.90 грн
261+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+160.24 грн
117+104.93 грн
200+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.32 грн
10+102.84 грн
100+69.97 грн
500+52.45 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.95 грн
10+101.52 грн
100+69.60 грн
250+60.62 грн
500+55.10 грн
1000+50.47 грн
2500+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.58 грн
10+106.46 грн
100+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.68 грн
10+157.36 грн
100+110.35 грн
250+97.11 грн
500+89.75 грн
1000+82.40 грн
2500+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+250.53 грн
70+175.69 грн
100+152.92 грн
200+118.44 грн
500+102.40 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.62 грн
500+93.49 грн
1000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.66 грн
10+160.24 грн
100+111.72 грн
500+85.37 грн
1000+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.54 грн
10+177.44 грн
100+124.62 грн
500+93.49 грн
1000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+75.24 грн
217+56.29 грн
255+47.91 грн
500+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
10+87.29 грн
100+58.85 грн
500+43.80 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.08 грн
10+114.21 грн
100+70.63 грн
250+68.64 грн
500+56.13 грн
1000+51.57 грн
2500+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.67 грн
10+99.03 грн
100+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+160.24 грн
115+106.56 грн
200+96.79 грн
500+71.85 грн
1000+62.02 грн
2000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.71 грн
10+104.30 грн
100+70.97 грн
500+53.23 грн
1000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+230.19 грн
74+165.93 грн
100+156.17 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.82 грн
10+165.07 грн
100+115.25 грн
500+88.19 грн
1000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.49 грн
10+179.91 грн
100+126.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+135.71 грн
100+129.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.08 грн
10+186.97 грн
100+114.77 грн
500+92.70 грн
1000+86.81 грн
2500+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+222.06 грн
100+155.36 грн
200+141.53 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.28 грн
10+143.46 грн
100+100.05 грн
500+76.11 грн
1000+70.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M31TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.62 грн
10+170.01 грн
100+137.00 грн
500+104.22 грн
1000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive.
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.47 грн
10+169.21 грн
100+106.67 грн
250+102.26 грн
500+82.40 грн
1000+76.51 грн
2500+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+227.18 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.00 грн
500+104.22 грн
1000+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8M51TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application.
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.02 грн
10+157.36 грн
100+95.64 грн
500+77.25 грн
1000+72.02 грн
2500+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+219.62 грн
100+152.92 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.69 грн
10+139.70 грн
100+96.61 грн
500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+156.24 грн
112+108.95 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M51TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.66 грн
149+82.10 грн
250+77.56 грн
500+64.65 грн
1000+55.59 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8MA2TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.72 грн
133+92.39 грн
250+88.69 грн
500+82.44 грн
1000+73.84 грн
2500+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
10+96.63 грн
100+74.27 грн
500+58.99 грн
1000+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+115.06 грн
100+72.02 грн
500+58.78 грн
1000+54.59 грн
2500+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.21 грн
10+87.99 грн
100+52.09 грн
500+47.16 грн
1000+43.04 грн
2500+42.96 грн
5000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
10+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+118.76 грн
136+90.29 грн
200+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
10+89.05 грн
100+60.12 грн
500+44.78 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.52 грн
10+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.21 грн
10+87.99 грн
100+52.09 грн
500+47.16 грн
1000+43.04 грн
2500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+133.40 грн
130+94.35 грн
200+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
10+89.05 грн
100+60.12 грн
500+44.78 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+134.21 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+89.58 грн
100+60.46 грн
500+45.05 грн
1000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+68.19 грн
250+63.69 грн
500+54.14 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
10+98.99 грн
100+59.81 грн
500+47.53 грн
1000+43.55 грн
2500+39.21 грн
5000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+137.11 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.38 грн
13+67.59 грн
100+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HP8P
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8Q
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TB
Код товару: 174887
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.