Продукція > HP8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
HP8Amphenol FCIArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+952.20 грн
500+751.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+952.20 грн
500+751.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP802HUAYAMICRO08+
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP804HUAYA MICRO2008
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsDescription: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsHP8060-9RG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Rack Mount 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8120AHENWOOD0106+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8126AHENWOOD0136+
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8127AHENWOOD2002
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8128AHENWOOD2002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Nominal life: 30min
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5002.37 грн
2+4585.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Nominal life: 30min
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6002.84 грн
2+5713.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HP8210PRO ELECDescription: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Zielpositionen: 2-polig
rohsCompliant: YES
Ausführung Zielsteckverbinder: Buchse
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen B: Kaltgerätebuchse (IEC C13), x2
euEccn: NLR
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen A: Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausführung Ausgangssteckverbinder: Stecker
Ausgangspositionen: 1-polig
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+272.09 грн
10+242.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP838H8NibcoDescription: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP840X8NibcoDescription: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP843X8NibcoDescription: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.00 грн
10+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.13 грн
10+131.19 грн
100+91.85 грн
500+69.51 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.20 грн
10+131.11 грн
100+91.82 грн
250+80.34 грн
500+73.45 грн
1000+66.95 грн
2500+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+199.46 грн
90+135.66 грн
100+121.13 грн
200+92.66 грн
500+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 29724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.76 грн
10+80.95 грн
100+48.82 грн
500+41.24 грн
1000+39.63 грн
2500+33.90 грн
5000+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+100.13 грн
151+80.59 грн
200+68.56 грн
500+54.27 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.80 грн
10+78.03 грн
100+54.52 грн
500+43.23 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+59.34 грн
250+56.96 грн
500+54.90 грн
1000+51.21 грн
2500+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHM SemiconductorMOSFETs HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC-DC converter.
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.57 грн
10+104.71 грн
100+62.21 грн
500+50.81 грн
1000+47.06 грн
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+87.84 грн
250+76.45 грн
500+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 10855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.15 грн
10+93.73 грн
100+64.18 грн
500+51.11 грн
1000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+87.84 грн
250+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+146.97 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORHP8KA1TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+104.17 грн
152+79.78 грн
200+72.68 грн
500+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.08 грн
10+81.93 грн
100+54.99 грн
500+40.75 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 30V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.09 грн
10+79.19 грн
100+48.28 грн
500+39.02 грн
1000+35.96 грн
2500+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.07 грн
10+96.13 грн
100+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 N CHAN 40V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.30 грн
10+81.57 грн
100+57.77 грн
2500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+72.60 грн
224+54.27 грн
263+46.19 грн
500+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+89.11 грн
100+60.01 грн
500+44.62 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.35 грн
10+105.59 грн
100+62.89 грн
500+57.16 грн
1000+52.34 грн
2500+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.16 грн
10+106.64 грн
100+72.54 грн
500+54.36 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+162.23 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.23 грн
10+116.73 грн
100+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+158.27 грн
111+109.82 грн
200+96.90 грн
500+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+140.07 грн
100+124.25 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.03 грн
10+166.02 грн
100+115.66 грн
500+88.37 грн
1000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.79 грн
10+183.68 грн
100+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.94 грн
10+162.78 грн
100+114.01 грн
250+101.00 грн
500+92.58 грн
1000+85.70 грн
2500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+236.60 грн
73+166.35 грн
100+144.55 грн
200+112.13 грн
500+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.11 грн
10+98.55 грн
100+56.93 грн
500+46.67 грн
1000+40.86 грн
2500+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+72.84 грн
223+54.51 грн
261+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.67 грн
10+89.43 грн
100+60.25 грн
500+44.81 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.34 грн
10+91.84 грн
100+62.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+159.08 грн
117+104.17 грн
200+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.98 грн
10+106.96 грн
100+72.77 грн
500+54.55 грн
1000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.00 грн
10+105.59 грн
100+72.38 грн
250+63.05 грн
500+57.31 грн
1000+52.49 грн
2500+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.88 грн
10+143.34 грн
100+100.42 грн
500+80.50 грн
1000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.40 грн
10+163.66 грн
100+114.77 грн
250+101.00 грн
500+93.35 грн
1000+85.70 грн
2500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+248.72 грн
70+174.42 грн
100+151.81 грн
200+117.58 грн
500+101.66 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.42 грн
500+80.50 грн
1000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.86 грн
10+166.66 грн
100+116.19 грн
500+88.79 грн
1000+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.15 грн
10+90.78 грн
100+61.21 грн
500+45.55 грн
1000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+74.70 грн
217+55.88 грн
255+47.56 грн
500+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.46 грн
10+103.00 грн
100+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+159.08 грн
115+105.79 грн
200+96.09 грн
500+71.33 грн
1000+61.57 грн
2000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.47 грн
10+108.47 грн
100+73.81 грн
500+55.36 грн
1000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.61 грн
10+118.79 грн
100+73.45 грн
250+71.39 грн
500+58.38 грн
1000+53.64 грн
2500+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.05 грн
10+176.86 грн
100+107.89 грн
500+94.11 грн
1000+90.29 грн
2500+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+228.53 грн
74+164.73 грн
100+155.04 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.31 грн
10+171.68 грн
100+119.86 грн
500+91.72 грн
1000+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.80 грн
10+187.12 грн
100+131.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+134.73 грн
100+128.70 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+225.54 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.48 грн
500+108.40 грн
1000+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+220.45 грн
100+154.24 грн
200+140.51 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+149.20 грн
100+104.05 грн
500+79.15 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M31TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.02 грн
10+176.82 грн
100+142.48 грн
500+108.40 грн
1000+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.17 грн
10+153.98 грн
100+93.35 грн
500+78.81 грн
1000+73.07 грн
2500+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+155.11 грн
112+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M51TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+155.11 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8M51TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application.
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.23 грн
10+163.66 грн
100+99.47 грн
500+80.34 грн
1000+74.91 грн
2500+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+218.03 грн
100+151.81 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.16 грн
10+145.30 грн
100+100.48 грн
500+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.02 грн
133+91.73 грн
250+88.04 грн
500+81.84 грн
1000+73.30 грн
2500+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.22 грн
10+100.50 грн
100+77.24 грн
500+61.35 грн
1000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.97 грн
10+119.67 грн
100+74.91 грн
500+61.13 грн
1000+56.77 грн
2500+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+94.96 грн
149+81.51 грн
250+77.00 грн
500+64.18 грн
1000+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8MA2TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.44 грн
10+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+117.90 грн
136+89.63 грн
200+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.47 грн
10+92.61 грн
100+62.53 грн
500+46.58 грн
1000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.47 грн
10+91.51 грн
100+54.17 грн
500+49.05 грн
1000+44.76 грн
2500+44.68 грн
5000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.91 грн
10+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.47 грн
10+91.51 грн
100+54.17 грн
500+49.05 грн
1000+44.76 грн
2500+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.43 грн
130+93.67 грн
200+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.47 грн
10+92.61 грн
100+62.53 грн
500+46.58 грн
1000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+136.12 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.28 грн
13+70.30 грн
100+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+133.24 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.29 грн
10+93.17 грн
100+62.89 грн
500+46.86 грн
1000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+67.69 грн
250+63.23 грн
500+53.75 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.97 грн
10+102.95 грн
100+62.21 грн
500+49.43 грн
1000+45.30 грн
2500+40.78 грн
5000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8P
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8Q
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+174.89 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TB
Код товару: 174887
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.