Продукція > HP8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
HP8Amphenol FCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+1014.61 грн
500+801.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseLow Smoke, Zero Halogen Crossed-Linked Polyolefin
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+1014.61 грн
500+801.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP802HUAYAMICRO08+
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP804HUAYA MICRO2008
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsDescription: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8060-9RGBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Rack Mount 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8120AHENWOOD0106+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8126AHENWOOD0136+
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8127AHENWOOD2002
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8128AHENWOOD2002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP816P300BSLEaton Electrical PNL , 8/16 CKT, 1 (150A) MAIN W/ Prov
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP816P400BSEaton Electrical 400A PNL, 1 200A main incl and 1 Prov
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP816P400BSLEaton Electrical 400A PNL, 1 200A main incl and 1 Prov
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP816P400BSLBLEaton Electrical 400A PNL, 1 200A MAIN incl AND 1 Prov
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Nominal life: 30min
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5536.82 грн
2+4714.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HP8210PRO ELECDescription: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Zielpositionen: 2-polig
rohsCompliant: YES
Ausführung Zielsteckverbinder: Buchse
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen B: Kaltgerätebuchse (IEC C13), x2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Steckverbinder zwischen versch. Baureihen A: Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausführung Ausgangssteckverbinder: Stecker
Ausgangspositionen: 1-polig
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.47 грн
10+218.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP838H8NibcoDescription: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP840X8NibcoDescription: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP843X8NibcoDescription: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: -40V 18A, DUAL PCH+PCH, HSOP8, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.78 грн
10+80.75 грн
100+54.48 грн
500+40.59 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, -40V 18A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 7A 8-Pin HSOP EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: -40V 18A, DUAL PCH+PCH, HSOP8, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: -60V 14.5A, DUAL PCH+PCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, -60V 14.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.5A 8-Pin HSOP EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: -60V 14.5A, DUAL PCH+PCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.78 грн
10+81.05 грн
100+54.69 грн
500+40.75 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.82 грн
10+141.54 грн
100+97.61 грн
500+74.40 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.85 грн
10+125.89 грн
100+75.30 грн
500+61.78 грн
1000+58.85 грн
2500+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+212.53 грн
90+144.55 грн
100+129.07 грн
200+98.74 грн
500+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.61 грн
10+124.33 грн
100+87.05 грн
500+65.88 грн
1000+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.61 грн
500+74.40 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.70 грн
10+83.39 грн
100+56.17 грн
500+41.78 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+106.69 грн
151+85.87 грн
200+73.05 грн
500+57.83 грн
1000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 22201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.40 грн
10+84.19 грн
100+48.95 грн
500+38.84 грн
1000+36.05 грн
2500+32.00 грн
5000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+63.23 грн
250+60.70 грн
500+58.50 грн
1000+54.57 грн
2500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+109.62 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.68 грн
10+90.41 грн
100+61.38 грн
500+45.95 грн
1000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+93.60 грн
250+81.46 грн
500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.84 грн
10+88.20 грн
100+52.43 грн
500+44.41 грн
1000+43.23 грн
2500+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+93.60 грн
250+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+156.60 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+111.00 грн
152+85.01 грн
200+77.44 грн
500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.83 грн
10+77.22 грн
100+44.90 грн
500+35.42 грн
1000+32.42 грн
2500+29.07 грн
5000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.23 грн
10+72.74 грн
100+48.80 грн
500+36.16 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.27 грн
10+84.45 грн
100+56.87 грн
500+42.29 грн
1000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.43 грн
10+100.87 грн
100+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+77.35 грн
224+57.82 грн
263+49.22 грн
500+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 2NCH 40V 6A
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.35 грн
10+89.00 грн
100+51.60 грн
500+42.25 грн
1000+37.02 грн
2500+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.81 грн
10+101.03 грн
100+59.20 грн
500+47.27 грн
1000+44.83 грн
2500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+172.86 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.15 грн
10+101.06 грн
100+68.74 грн
500+51.52 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.84 грн
10+87.04 грн
100+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+168.65 грн
111+117.02 грн
200+103.25 грн
500+78.57 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+149.25 грн
100+132.39 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.43 грн
10+135.84 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+252.11 грн
73+177.25 грн
100+154.02 грн
200+119.48 грн
500+104.48 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.41 грн
10+155.55 грн
100+94.82 грн
500+82.27 грн
1000+78.79 грн
2500+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.22 грн
10+157.34 грн
100+109.61 грн
500+83.75 грн
1000+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.05 грн
10+84.75 грн
100+57.10 грн
500+42.46 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.43 грн
10+100.87 грн
100+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+77.61 грн
223+58.08 грн
261+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.17 грн
10+89.80 грн
100+51.87 грн
500+42.53 грн
1000+37.23 грн
2500+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.62 грн
10+101.03 грн
100+59.33 грн
500+47.41 грн
1000+45.18 грн
2500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.94 грн
10+101.37 грн
100+68.96 грн
500+51.69 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 23 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.84 грн
10+87.04 грн
100+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+169.51 грн
117+111.00 грн
200+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.17 грн
500+76.29 грн
1000+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.00 грн
10+157.94 грн
100+110.11 грн
500+84.15 грн
1000+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.43 грн
10+135.84 грн
100+95.17 грн
500+76.29 грн
1000+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.41 грн
10+156.36 грн
100+95.52 грн
500+82.27 грн
1000+79.48 грн
2500+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+79.59 грн
217+59.54 грн
255+50.68 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.03 грн
10+85.79 грн
100+51.18 грн
500+43.37 грн
1000+36.19 грн
2500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.41 грн
10+86.03 грн
100+58.01 грн
500+43.17 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.49 грн
10+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+169.51 грн
115+112.72 грн
200+102.39 грн
500+76.00 грн
1000+65.61 грн
2000+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.28 грн
10+89.48 грн
100+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.82 грн
10+107.44 грн
100+64.15 грн
500+51.04 грн
1000+46.92 грн
2500+45.95 грн
5000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.29 грн
10+102.80 грн
100+69.95 грн
500+52.46 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.06 грн
10+162.70 грн
100+113.60 грн
500+86.92 грн
1000+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.38 грн
10+182.21 грн
100+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+243.50 грн
74+175.53 грн
100+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.73 грн
10+161.17 грн
100+98.31 грн
500+85.76 грн
1000+82.27 грн
2500+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+143.56 грн
100+137.14 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 150V DUAL 18.5A
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.37 грн
10+170.79 грн
100+109.47 грн
500+97.61 грн
1000+95.52 грн
2500+80.88 грн
5000+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1ROHMDescription: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.50 грн
10+241.59 грн
100+162.69 грн
500+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1ROHMDescription: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.69 грн
500+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.03 грн
500+102.73 грн
1000+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.57 грн
10+133.24 грн
100+92.33 грн
500+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+240.32 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.61 грн
10+167.57 грн
100+135.03 грн
500+102.73 грн
1000+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.75 грн
10+127.49 грн
100+83.67 грн
500+71.82 грн
1000+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+234.90 грн
100+164.34 грн
200+149.72 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.12 грн
10+136.31 грн
100+82.27 грн
500+68.96 грн
1000+64.15 грн
2500+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.65 грн
10+137.70 грн
100+95.23 грн
500+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+102.31 грн
133+97.74 грн
250+93.81 грн
500+87.20 грн
1000+78.11 грн
2500+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
10+95.25 грн
100+73.20 грн
500+58.14 грн
1000+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+101.19 грн
149+86.85 грн
250+82.04 грн
500+68.38 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.90 грн
10+88.20 грн
100+63.59 грн
500+54.87 грн
1000+53.34 грн
2500+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+125.62 грн
136+95.51 грн
200+89.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.28 грн
10+86.60 грн
100+51.04 грн
500+40.51 грн
1000+37.23 грн
2500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MB5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.74 грн
10+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.54 грн
10+87.77 грн
100+59.26 грн
500+44.14 грн
1000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.54 грн
10+87.77 грн
100+59.26 грн
500+44.14 грн
1000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.28 грн
10+86.60 грн
100+51.04 грн
500+40.51 грн
1000+37.23 грн
2500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+141.11 грн
130+99.81 грн
200+89.49 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
HP8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8MC5TB1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 12 A, 12 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.59 грн
10+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.91 грн
10+89.48 грн
100+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.33 грн
10+88.30 грн
100+59.60 грн
500+44.41 грн
1000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+145.04 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 10423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+87.40 грн
100+51.32 грн
500+40.79 грн
1000+37.51 грн
2500+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+141.97 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+72.13 грн
250+67.37 грн
500+57.27 грн
1000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
HP8P
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8Q
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+186.35 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8S36TB
Код товару: 174887
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.