Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146207) > Сторінка 2343 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2338 2339 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MC74HC164ADR2G-Q MC74HC164ADR2G-Q ONSEMI mc74hc164a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC; -55÷125°C; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Number of inputs: 2
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADTR2G-Q MC74HC164ADTR2G-Q ONSEMI mc74hc164a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164BDR2G MC74HC164BDR2G ONSEMI mc74hc164b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
Number of channels: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG ONSEMI N93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 ONSEMI CAT93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.43 грн
10+182.83 грн
50+174.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+339.59 грн
5+221.40 грн
10+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T3G ONSEMI tl331-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T3G ONSEMI tl331-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T1G ONSEMI tl331-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0530 MBR0530 ONSEMI MBR0530.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STU BD13810STU ONSEMI BD136_138_140.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
25+25.24 грн
120+22.31 грн
480+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138G ONSEMI BD136G-D.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3163M MOC3163M ONSEMI MOC3163M.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Case: DIP6
Number of channels: 1
Mounting: THT
Slew rate: 1kV/μs
Kind of output: zero voltage crossing driver
Insulation voltage: 4.17kV
Type of optocoupler: optotriac
Output voltage: 600V
Trigger current: 5mA
Manufacturer series: MOC3163M
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
10+47.47 грн
25+44.20 грн
50+42.10 грн
100+40.17 грн
500+35.64 грн
750+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB2S MB2S ONSEMI MB6S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
14+31.20 грн
16+27.09 грн
50+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM301ADR2G LM301ADR2G ONSEMI lm301a-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 1; ±5÷15VDC; SO8; 7.5mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...15V DC
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 7.5mV
Input bias current: 0.25µA
Input offset current: 50nA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14555BDG MC14555BDG ONSEMI MC14555B-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; binary 1 to 4,decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: binary 1 to 4; decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450US ONSEMI fsb50450us-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250AS ONSEMI fsb50250as-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.2A; MOSFET; Uoper: 500V; 13.4W
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 13.4W
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250US ONSEMI fsb50250us-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450AS ONSEMI fsb50450at-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.5A; MOSFET; Uoper: 500V; 14W
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
Output current: 1.5A
DC supply current: 0.2mA
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AB ONSEMI fsb50825ab-d.pdf ONSM-S-A0003588523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; DIP; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; Usup: 150V; Uinsul: 1.5kV
Mounting: THT
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: DIP
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AS ONSEMI fsb50825as-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; 14.2W
Mounting: SMD
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
5+106.51 грн
10+93.09 грн
50+68.77 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ONSEMI ntljs2103p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G-Q MC74HC04ADR2G-Q ONSEMI mc74hc04a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; SOIC14; -55÷125°C; 2uA
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Supply voltage: 2...6V
Family: HC
Kind of integrated circuit: inverter
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 2µA
Number of inputs: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UCMR6T1G NUP2114UCMR6T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
12+37.07 грн
14+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS30R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 3A; D2PAK-5; SMD; Ch: 1
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 3V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS28R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 3A; D2PAK-5; SMD
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 2.8V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.09 грн
6+79.84 грн
10+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33067PG ONSEMI mc34067-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; THT; DIP16; -40÷85°C; 20V; 1MHz; MC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP16
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 5...5.2V
Input voltage: 20V
Frequency: 1MHz
Topology: flyback
Manufacturer series: MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5924BT3G 1SMB5924BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 9.1V; SMD; SMB; single diode; reel,tape; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
19+22.64 грн
22+19.29 грн
50+13.08 грн
100+11.24 грн
250+9.56 грн
500+8.55 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ5239BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N5239BTR ONSEMI 1N52xxB.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100EG ONSEMI MUR8100E.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.76 грн
10+81.35 грн
50+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.57 грн
10+106.51 грн
25+92.25 грн
100+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.32 грн
10+69.61 грн
25+62.06 грн
100+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.63 грн
5+170.25 грн
10+156.83 грн
25+140.89 грн
50+129.99 грн
100+119.93 грн
500+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.09 грн
5+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.21 грн
5+150.96 грн
10+132.51 грн
50+98.96 грн
100+88.06 грн
250+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate charge: 64nC
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.96 грн
25+41.93 грн
100+37.74 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.73 грн
5+115.73 грн
10+103.15 грн
25+88.06 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 78W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 ONSEMI FDMS86300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI FDMS86104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352 ONSEMI FDMS5352.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2/2.5W
Gate charge: 24/30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22/30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20/±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S ONSEMI FDMS3604S-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADR2G-Q mc74hc164a-d.pdf
MC74HC164ADR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC; -55÷125°C; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Number of inputs: 2
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADTR2G-Q mc74hc164a-d.pdf
MC74HC164ADTR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164BDR2G mc74hc164b-d.pdf
MC74HC164BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
Number of channels: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG N93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 CAT93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+322.43 грн
10+182.83 грн
50+174.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+339.59 грн
5+221.40 грн
10+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T3G tl331-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T3G tl331-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T1G tl331-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0530 MBR0530.pdf
MBR0530
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STU BD136_138_140.pdf
BD13810STU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.08 грн
25+25.24 грн
120+22.31 грн
480+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138G BD136G-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3163M MOC3163M.pdf
MOC3163M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Case: DIP6
Number of channels: 1
Mounting: THT
Slew rate: 1kV/μs
Kind of output: zero voltage crossing driver
Insulation voltage: 4.17kV
Type of optocoupler: optotriac
Output voltage: 600V
Trigger current: 5mA
Manufacturer series: MOC3163M
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.41 грн
10+47.47 грн
25+44.20 грн
50+42.10 грн
100+40.17 грн
500+35.64 грн
750+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB2S MB6S.pdf
MB2S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.64 грн
14+31.20 грн
16+27.09 грн
50+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM301ADR2G lm301a-d.pdf
LM301ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 1; ±5÷15VDC; SO8; 7.5mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...15V DC
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 7.5mV
Input bias current: 0.25µA
Input offset current: 50nA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14555BDG MC14555B-D.pdf
MC14555BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; binary 1 to 4,decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: binary 1 to 4; decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450US fsb50450us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250AS fsb50250as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.2A; MOSFET; Uoper: 500V; 13.4W
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 13.4W
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250US fsb50250us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450AS fsb50450at-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.5A; MOSFET; Uoper: 500V; 14W
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
Output current: 1.5A
DC supply current: 0.2mA
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AB fsb50825ab-d.pdf ONSM-S-A0003588523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; DIP; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; Usup: 150V; Uinsul: 1.5kV
Mounting: THT
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: DIP
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AS fsb50825as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; 14.2W
Mounting: SMD
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.83 грн
5+106.51 грн
10+93.09 грн
50+68.77 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ntljs2103p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G-Q mc74hc04a-d.pdf
MC74HC04ADR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; SOIC14; -55÷125°C; 2uA
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Supply voltage: 2...6V
Family: HC
Kind of integrated circuit: inverter
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 2µA
Number of inputs: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UCMR6T1G nup2114-d.pdf
NUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.90 грн
12+37.07 грн
14+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G nup2114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS30R4G NCP59300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 3A; D2PAK-5; SMD; Ch: 1
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 3V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS28R4G NCP59300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 3A; D2PAK-5; SMD
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 2.8V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+111.09 грн
6+79.84 грн
10+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33067PG mc34067-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; THT; DIP16; -40÷85°C; 20V; 1MHz; MC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP16
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 5...5.2V
Input voltage: 20V
Frequency: 1MHz
Topology: flyback
Manufacturer series: MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5924BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5924BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 9.1V; SMD; SMB; single diode; reel,tape; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.61 грн
19+22.64 грн
22+19.29 грн
50+13.08 грн
100+11.24 грн
250+9.56 грн
500+8.55 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5239BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N52xxB.PDF
1N5239BTR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100E.PDF
MUR8100EG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.76 грн
10+81.35 грн
50+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.57 грн
10+106.51 грн
25+92.25 грн
100+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.32 грн
10+69.61 грн
25+62.06 грн
100+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P.pdf
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.63 грн
5+170.25 грн
10+156.83 грн
25+140.89 грн
50+129.99 грн
100+119.93 грн
500+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460.pdf
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.09 грн
5+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+203.21 грн
5+150.96 грн
10+132.51 грн
50+98.96 грн
100+88.06 грн
250+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate charge: 64nC
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+46.96 грн
25+41.93 грн
100+37.74 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.73 грн
5+115.73 грн
10+103.15 грн
25+88.06 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200.pdf
FDMS86200
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
FDMS2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 78W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300.pdf
FDMS86300
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672.pdf
FDMS5672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352.pdf
FDMS5352
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC fdms86200dc-d.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2/2.5W
Gate charge: 24/30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22/30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20/±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S FDMS3604S-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 fdms8622-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2338 2339 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]