Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145645) > Сторінка 2343 з 2428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2338 2339 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LM301ADR2G ONSEMI lm301a-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 1; ±5÷15VDC; SO8; 7.5mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...15V DC
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 7.5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.25µA
Input offset current: 50nA
Slew rate: 10V/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14555BDG MC14555BDG ONSEMI MC14555B-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; binary 1 to 4,decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: binary 1 to 4; decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450US ONSEMI fsb50450us-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250AS ONSEMI fsb50250as-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.2A; MOSFET; Uoper: 500V; 13.4W
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 13.4W
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250US ONSEMI fsb50250us-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450AS ONSEMI fsb50450at-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.5A; MOSFET; Uoper: 500V; 14W
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
Output current: 1.5A
DC supply current: 0.2mA
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AB ONSEMI fsb50825ab-d.pdf ONSM-S-A0003588523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; DIP; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; Usup: 150V; Uinsul: 1.5kV
Mounting: THT
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: DIP
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AS ONSEMI fsb50825as-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; 14.2W
Mounting: SMD
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+152.19 грн
5+107.92 грн
10+95.07 грн
50+71.94 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ONSEMI ntljs2103p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G-Q MC74HC04ADR2G-Q ONSEMI mc74hc04a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; SOIC14; -55÷125°C; 2uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 2µA
Family: HC
Number of channels: 6
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UCMR6T1G NUP2114UCMR6T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.95 грн
11+40.77 грн
13+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS30R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 3A; D2PAK-5; SMD; Ch: 1
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 3V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS28R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 3A; D2PAK-5; SMD
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 2.8V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+113.45 грн
6+81.54 грн
10+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33067PG ONSEMI mc34067-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; THT; DIP16; -40÷85°C; 20V; 1MHz; MC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP16
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 5...5.2V
Input voltage: 20V
Frequency: 1MHz
Topology: flyback
Manufacturer series: MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5924BT3G 1SMB5924BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 9.1V; SMD; SMB; single diode; reel,tape; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+32.28 грн
19+23.12 грн
22+19.70 грн
50+13.36 грн
100+11.48 грн
250+9.76 грн
500+8.74 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ5239BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N5239BTR ONSEMI 1N52xxB.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100EG ONSEMI MUR8100E.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.59 грн
10+83.08 грн
50+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.02 грн
10+108.77 грн
25+94.21 грн
100+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.24 грн
10+71.09 грн
25+63.38 грн
100+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.25 грн
5+173.86 грн
10+160.16 грн
25+143.89 грн
50+132.75 грн
100+122.48 грн
500+118.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.04 грн
5+109.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.53 грн
5+154.16 грн
10+135.32 грн
50+101.06 грн
100+89.93 грн
250+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate charge: 64nC
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+47.96 грн
25+42.82 грн
100+38.54 грн
500+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.96 грн
5+118.19 грн
10+105.35 грн
25+89.93 грн
100+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 78W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 ONSEMI FDMS86300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI FDMS86104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352 ONSEMI FDMS5352.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S ONSEMI FDMS3604S-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 ONSEMI fdms86181-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 ONSEMI fdms86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 ONSEMI fdms7694-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS ONSEMI fdms0308as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ07P6X NC7WZ07P6X ONSEMI NC7WZ07.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; SC70-6; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.46 грн
100+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E ONSEMI 2SK3557-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Drain-source voltage: 15V
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-7-TB-E ONSEMI 2SK3557-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 16mA
Drain-source voltage: 15V
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.33 грн
9+48.82 грн
11+42.48 грн
50+30.40 грн
100+26.38 грн
500+19.61 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BRLG 1N5359BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.27 грн
16+27.92 грн
18+24.24 грн
50+18.33 грн
100+16.53 грн
250+14.22 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BG 1N5359BG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.97 грн
21+20.90 грн
24+18.59 грн
100+14.13 грн
250+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP54 BCP54 ONSEMI BCP54-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.50 грн
10+44.88 грн
11+40.43 грн
50+26.12 грн
100+21.07 грн
250+16.62 грн
500+14.73 грн
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M ONSEMI GBU4x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM301ADR2G lm301a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 1; ±5÷15VDC; SO8; 7.5mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...15V DC
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 7.5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.25µA
Input offset current: 50nA
Slew rate: 10V/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14555BDG MC14555B-D.pdf
MC14555BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; binary 1 to 4,decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: binary 1 to 4; decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450US fsb50450us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250AS fsb50250as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.2A; MOSFET; Uoper: 500V; 13.4W
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 13.4W
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250US fsb50250us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450AS fsb50450at-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.5A; MOSFET; Uoper: 500V; 14W
Type of integrated circuit: driver
Case: Gull wing; PowerSMD
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating voltage: 500V
Insulation voltage: 1.5kV
Power dissipation: 14W
Output current: 1.5A
DC supply current: 0.2mA
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AB fsb50825ab-d.pdf ONSM-S-A0003588523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; DIP; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; Usup: 150V; Uinsul: 1.5kV
Mounting: THT
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: DIP
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AS fsb50825as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; 14.2W
Mounting: SMD
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 250V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+152.19 грн
5+107.92 грн
10+95.07 грн
50+71.94 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ntljs2103p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G-Q mc74hc04a-d.pdf
MC74HC04ADR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; SOIC14; -55÷125°C; 2uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 2µA
Family: HC
Number of channels: 6
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UCMR6T1G nup2114-d.pdf
NUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.95 грн
11+40.77 грн
13+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G nup2114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS30R4G NCP59300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 3A; D2PAK-5; SMD; Ch: 1
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 3V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS28R4G NCP59300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 3A; D2PAK-5; SMD
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 2.8V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+113.45 грн
6+81.54 грн
10+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33067PG mc34067-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; THT; DIP16; -40÷85°C; 20V; 1MHz; MC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP16
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 5...5.2V
Input voltage: 20V
Frequency: 1MHz
Topology: flyback
Manufacturer series: MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5924BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5924BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 9.1V; SMD; SMB; single diode; reel,tape; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+32.28 грн
19+23.12 грн
22+19.70 грн
50+13.36 грн
100+11.48 грн
250+9.76 грн
500+8.74 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5239BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N52xxB.PDF
1N5239BTR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100E.PDF
MUR8100EG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.59 грн
10+83.08 грн
50+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.02 грн
10+108.77 грн
25+94.21 грн
100+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.24 грн
10+71.09 грн
25+63.38 грн
100+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P.pdf
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.25 грн
5+173.86 грн
10+160.16 грн
25+143.89 грн
50+132.75 грн
100+122.48 грн
500+118.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460.pdf
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+142.04 грн
5+109.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.53 грн
5+154.16 грн
10+135.32 грн
50+101.06 грн
100+89.93 грн
250+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate charge: 64nC
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+47.96 грн
25+42.82 грн
100+38.54 грн
500+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.96 грн
5+118.19 грн
10+105.35 грн
25+89.93 грн
100+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200.pdf
FDMS86200
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
FDMS2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 78W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300.pdf
FDMS86300
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672.pdf
FDMS5672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352.pdf
FDMS5352
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC fdms86200dc-d.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S FDMS3604S-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 fdms8622-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 fdms86181-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 fdms7694-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS fdms0308as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ07P6X NC7WZ07.pdf
NC7WZ07P6X
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; SC70-6; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.46 грн
100+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Drain-source voltage: 15V
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 16mA
Drain-source voltage: 15V
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-DTE.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.33 грн
9+48.82 грн
11+42.48 грн
50+30.40 грн
100+26.38 грн
500+19.61 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BRLG description 1N53xx.PDF
1N5359BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.27 грн
16+27.92 грн
18+24.24 грн
50+18.33 грн
100+16.53 грн
250+14.22 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BG description 1N53xx.PDF
1N5359BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.97 грн
21+20.90 грн
24+18.59 грн
100+14.13 грн
250+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP54 BCP54-D.PDF
BCP54
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.50 грн
10+44.88 грн
11+40.43 грн
50+26.12 грн
100+21.07 грн
250+16.62 грн
500+14.73 грн
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4x.PDF
GBU4M
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ndb5060l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2338 2339 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]