Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146207) > Сторінка 2346 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
8+53.51 грн
10+47.05 грн
50+35.56 грн
100+31.78 грн
500+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
6+76.48 грн
10+67.43 грн
50+50.57 грн
100+44.78 грн
500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF ONSEMI FQT4N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
11+39.67 грн
100+28.60 грн
250+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.63 грн
5+101.48 грн
10+75.48 грн
50+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
11+41.18 грн
25+34.72 грн
100+27.26 грн
250+23.57 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain current: 3.42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 2.3Ω
Power dissipation: 158W
Gate charge: 40nC
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.91 грн
5+207.15 грн
10+176.12 грн
25+143.41 грн
50+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: QFET®
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.05 грн
10+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
Drain current: 38.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 155W
Gate charge: 98nC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.18 грн
10+150.96 грн
25+124.12 грн
50+107.35 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.73 грн
10+91.41 грн
25+81.35 грн
50+74.64 грн
100+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI FQD6N40C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.44 грн
10+73.80 грн
25+64.24 грн
100+53.17 грн
250+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.60 грн
10+104.83 грн
50+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7905CTG MC7905CTG ONSEMI MC7900-D.PDF description Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Tolerance: ±4%
Mounting: THT
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Manufacturer series: MC7900
Output current: 1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 1.3V
Operating temperature: 0...125°C
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output voltage: -5V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Number of channels: 1
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
16+27.17 грн
25+24.91 грн
50+23.23 грн
100+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C512MUW3VTBG ONSEMI NV24C512MUW-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 0.4ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C512YE-GT3 ONSEMI CAV24C512-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 400ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G ONSEMI ne5534-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 1; ±3÷20VDC; SO8; 2mV
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 2mV
Slew rate: 13V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low noise
Input bias current: 0.8µA
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
Case: SO8
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802GMJ802G
MJ802GMJ802G
 MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+540.99 грн
5+410.94 грн
10+367.33 грн
50+356.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PIR-GEVB ONSEMI PIR-GEVB_Web.pdf Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Kit contents: prototype board
Components: NCS36000
Connection: Pmod connector
Interface: GPIO; I2C
development kits accessories features: motion sensor
Type of accessories for development kits: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADR2G MC33274ADR2G ONSEMI MC3327xA.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.35 грн
11+41.85 грн
25+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADTBR2G MC33274ADTBR2G ONSEMI mc33272a-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; 1.8mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.8µA
Input offset current: 80nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262PG MC33262PG ONSEMI mc34262-d.pdf description Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; DIP8; tube; SMPS; 12÷28VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Output voltage: 6.4V
Output current: 0.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating voltage: 12...28V DC
Application: SMPS
Kind of integrated circuit: PFC controller
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+58.71 грн
25+53.67 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262DR2G MC33262DR2G ONSEMI mc34262-d.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; SO8; reel,tape; SMPS; 12÷28VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Output voltage: 6.4V
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 12...28V DC
Application: SMPS
Kind of integrated circuit: PFC controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC597ADR2G MC74HC597ADR2G ONSEMI MC74HC597A-D.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HC; HC; -55÷125°C; 2÷6VDC; IN: 13
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; latch; parallel in; serial input; serial output; shift register
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HC
Number of inputs: 13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216 FOD4216 ONSEMI FOD420.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1; FOD4216; t(on): 60us
Output voltage: 600V
Case: DIP6
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: THT
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SD ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Output voltage: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: SMT6
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SDV ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Output voltage: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: SMT6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SV ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; tube
Output voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: SMT6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216TV FOD4216TV ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4216; tube
Output voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: DIP6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: THT
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216V FOD4216V ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4216; tube
Output voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: DIP6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: THT
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15025G MJ15025G ONSEMI MJ15023G.PDF description Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+503.96 грн
5+396.68 грн
10+395.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15023G MJ15023G ONSEMI MJ15023G.PDF description Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+522.03 грн
5+401.71 грн
10+381.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15015G MJ15015G ONSEMI MJ15015G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 15A; 180W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 15A
Power dissipation: 180W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 6MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15016G MJ15016G ONSEMI 2n3055a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D45H11G D45H11G ONSEMI D44H-D.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI 2SA2016-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 560...200
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 330MHz
Collector current: 7A
Mounting: SMD
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
10+43.61 грн
50+35.06 грн
100+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI 2SA2013-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
11+39.58 грн
50+30.44 грн
100+27.09 грн
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1G NSVBAT54HT1G ONSEMI bat54ht1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Application: automotive industry
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
67+6.29 грн
84+5.03 грн
100+4.23 грн
120+3.52 грн
200+2.94 грн
500+2.31 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF44H11G MJF44H11G ONSEMI MJF44H11G-DTE.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 60
Frequency: 50MHz
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+141.73 грн
10+99.80 грн
50+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11 KSE44H11 ONSEMI KSE44H.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Pulsed collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G ONSEMI njw44h11-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 120W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 120W
Case: TO3P
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G NJVMJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3442G 2N3442G ONSEMI 2N3442.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 10A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 10A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 800kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C FQPF11N40C ONSEMI FQPF11N40C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14520BDWR2G ONSEMI MC14518B-D.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; binary up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: binary up counter
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16WB
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G NCV333ASN2T1G ONSEMI ncs333-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC; SOT23-5
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 350kHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.15V/μs
Integrated circuit features: zero-drift
Input offset voltage: 30µV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.2nA
Input offset current: 400pA
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.87 грн
12+37.24 грн
13+33.38 грн
25+29.02 грн
50+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KA1M0565RYDTU ONSEMI ka1m0565r-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 74...80%
Kind of package: tube
Power: 140W
Operating voltage: 10...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
76+5.96 грн
136+3.10 грн
166+2.54 грн
500+1.79 грн
1000+1.58 грн
1500+1.48 грн
3000+1.33 грн
6000+1.25 грн
9000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G ONSEMI BC858CDXV6T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4051DR2G ONSEMI mc74vhc4051-d.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G 1N4933G ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933RLG 1N4933RLG ONSEMI 1N4933-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 300ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI FDA24N40F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 400V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PN
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 13.8A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
10+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF05T1G ONSEMI SMF05.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; ESD; SC88A; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 21428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
74+5.70 грн
109+3.87 грн
129+3.25 грн
250+2.57 грн
500+2.12 грн
1000+1.75 грн
3000+1.27 грн
6000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.48 грн
8+53.51 грн
10+47.05 грн
50+35.56 грн
100+31.78 грн
500+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.28 грн
6+76.48 грн
10+67.43 грн
50+50.57 грн
100+44.78 грн
500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20L.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.90 грн
11+39.67 грн
100+28.60 грн
250+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.63 грн
5+101.48 грн
10+75.48 грн
50+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.64 грн
11+41.18 грн
25+34.72 грн
100+27.26 грн
250+23.57 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90.pdf
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain current: 3.42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 2.3Ω
Power dissipation: 158W
Gate charge: 40nC
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.91 грн
5+207.15 грн
10+176.12 грн
25+143.41 грн
50+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2.pdf
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: QFET®
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+214.05 грн
10+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
Drain current: 38.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 155W
Gate charge: 98nC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+222.18 грн
10+150.96 грн
25+124.12 грн
50+107.35 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.73 грн
10+91.41 грн
25+81.35 грн
50+74.64 грн
100+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40C.pdf
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.44 грн
10+73.80 грн
25+64.24 грн
100+53.17 грн
250+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.60 грн
10+104.83 грн
50+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7905CTG description MC7900-D.PDF
MC7905CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Tolerance: ±4%
Mounting: THT
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Manufacturer series: MC7900
Output current: 1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 1.3V
Operating temperature: 0...125°C
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output voltage: -5V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Number of channels: 1
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.64 грн
16+27.17 грн
25+24.91 грн
50+23.23 грн
100+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C512MUW3VTBG NV24C512MUW-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 0.4ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C512YE-GT3 CAV24C512-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Access time: 400ns
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 1MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G ne5534-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 1; ±3÷20VDC; SO8; 2mV
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 2mV
Slew rate: 13V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low noise
Input bias current: 0.8µA
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
Case: SO8
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802GMJ802G
MJ802GMJ802G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+540.99 грн
5+410.94 грн
10+367.33 грн
50+356.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PIR-GEVB PIR-GEVB_Web.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Kit contents: prototype board
Components: NCS36000
Connection: Pmod connector
Interface: GPIO; I2C
development kits accessories features: motion sensor
Type of accessories for development kits: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADR2G MC3327xA.PDF
MC33274ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+55.35 грн
11+41.85 грн
25+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADTBR2G mc33272a-d.pdf
MC33274ADTBR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; 1.8mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.8µA
Input offset current: 80nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262PG description mc34262-d.pdf
MC33262PG
Виробник: ONSEMI
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; DIP8; tube; SMPS; 12÷28VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Output voltage: 6.4V
Output current: 0.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating voltage: 12...28V DC
Application: SMPS
Kind of integrated circuit: PFC controller
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.80 грн
10+58.71 грн
25+53.67 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262DR2G mc34262-d.pdf
MC33262DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; SO8; reel,tape; SMPS; 12÷28VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Output voltage: 6.4V
Output current: 0.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 12...28V DC
Application: SMPS
Kind of integrated circuit: PFC controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC597ADR2G MC74HC597A-D.pdf
MC74HC597ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HC; HC; -55÷125°C; 2÷6VDC; IN: 13
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; latch; parallel in; serial input; serial output; shift register
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HC
Number of inputs: 13
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216 FOD420.pdf
FOD4216
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1; FOD4216; t(on): 60us
Output voltage: 600V
Case: DIP6
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: THT
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SD fod4218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Output voltage: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: SMT6
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SDV fod4218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Output voltage: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: SMT6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SV fod4218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; tube
Output voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: SMT6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: SMD
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216TV fod4218-d.pdf
FOD4216TV
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4216; tube
Output voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: DIP6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: THT
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216V fod4218-d.pdf
FOD4216V
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4216; tube
Output voltage: 600V
Kind of package: tube
Case: DIP6
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
Number of channels: 1
Trigger current: 1.3mA
Mounting: THT
Manufacturer series: FOD4216
Kind of output: triac
Insulation voltage: 5kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optotriac
Turn-on time: 60µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15025G description MJ15023G.PDF
MJ15025G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.96 грн
5+396.68 грн
10+395.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15023G description MJ15023G.PDF
MJ15023G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.03 грн
5+401.71 грн
10+381.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15015G MJ15015G.PDF
MJ15015G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 15A; 180W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 15A
Power dissipation: 180W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 6MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15016G 2n3055a-d.pdf
MJ15016G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D45H11G D44H-D.PDF
D45H11G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.77 грн
10+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-E 2SA2016-D.PDF
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 560...200
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 330MHz
Collector current: 7A
Mounting: SMD
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.09 грн
10+43.61 грн
50+35.06 грн
100+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.74 грн
11+39.58 грн
50+30.44 грн
100+27.09 грн
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAT54HT1G bat54ht1-d.pdf
NSVBAT54HT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Application: automotive industry
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
67+6.29 грн
84+5.03 грн
100+4.23 грн
120+3.52 грн
200+2.94 грн
500+2.31 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF44H11G MJF44H11G-DTE.PDF
MJF44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 60
Frequency: 50MHz
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.73 грн
10+99.80 грн
50+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11 KSE44H.pdf
KSE44H11
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Pulsed collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW44H11G njw44h11-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 120W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 120W
Case: TO3P
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf ONSMS34461-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NJVMJB44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3442G 2N3442.PDF
2N3442G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 10A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 10A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 800kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C FQPF11N40C-D.PDF
FQPF11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14520BDWR2G MC14518B-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; binary up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: binary up counter
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16WB
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G ncs333-d.pdf
NCV333ASN2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC; SOT23-5
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 350kHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.15V/μs
Integrated circuit features: zero-drift
Input offset voltage: 30µV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.2nA
Input offset current: 400pA
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.87 грн
12+37.24 грн
13+33.38 грн
25+29.02 грн
50+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KA1M0565RYDTU ka1m0565r-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 74...80%
Kind of package: tube
Power: 140W
Operating voltage: 10...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC856_7_8.PDF
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+5.96 грн
136+3.10 грн
166+2.54 грн
500+1.79 грн
1000+1.58 грн
1500+1.48 грн
3000+1.33 грн
6000+1.25 грн
9000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1-D.PDF
BC858CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC856_7_8.PDF
BC858CLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4051DR2G mc74vhc4051-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G 1N4933_7.PDF
1N4933G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933RLG 1N4933-D.PDF
1N4933RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 300ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F-D.PDF
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Drain-source voltage: 400V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PN
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 13.8A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.72 грн
10+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF05T1G SMF05.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.2V; 1A; 200W; common anode; ESD; SC88A; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...7.2V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: common anode
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SC88A
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G DTA114E_MUNx111.PDF
MMUN2111LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 21428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.03 грн
74+5.70 грн
109+3.87 грн
129+3.25 грн
250+2.57 грн
500+2.12 грн
1000+1.75 грн
3000+1.27 грн
6000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]