Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142743) > Сторінка 2346 з 2380

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1190 1428 1666 1904 2142 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2380  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SZ1SMA5927BT3G ONSEMI 1SMA59xxBT3.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 12V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5919BT3G 1SMA5919BT3G ONSEMI 1SMA59xxBT3.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
на замовлення 612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.49 грн
27+15.87 грн
50+11.53 грн
100+9.94 грн
250+8.27 грн
500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMA5919BT3G ONSEMI 1SMA59xxBT3.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.86 грн
12+37.33 грн
25+27.73 грн
75+19.79 грн
150+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G MJD112-1G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.55 грн
10+60.97 грн
25+52.62 грн
75+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Collector-emitter voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1G ES1G ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13 ONSEMI ss19-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13HE ONSEMI ss13he-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13FP ONSEMI s110fp-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1010AP100G
+1
 		NCP1010AP100G ONSEMI ncp1010-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 100mA; 100kHz; Ch: 1; DIP7
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.1A
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Case: DIP7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 23Ω
Operating voltage: 8.5...10V DC
Duty cycle factor: 0...72%
Kind of package: tube
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC34074DR2G ONSEMI mc34071-d.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO14
Operating temperature: 0...70°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.17 грн
15+27.89 грн
25+25.81 грн
100+22.88 грн
250+20.96 грн
500+19.54 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237B ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237BT1G MMSZ5237BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.30 грн
105+4.01 грн
143+2.92 грн
166+2.53 грн
250+2.11 грн
500+1.84 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5237BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDG MC14106BDG ONSEMI MC14106B.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Case: SO14
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of input: with Schmitt trigger
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 100ns
Number of inputs: 1
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.57 грн
17+25.56 грн
25+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDTR2G MC14106BDTR2G ONSEMI MC14106B-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Delay time: 100ns
Number of inputs: 1
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of gate: NOT
Technology: CMOS
Number of channels: hex; 6
Family: HEF4000B
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.68 грн
16+26.39 грн
25+24.39 грн
100+21.63 грн
250+19.96 грн
500+18.71 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDTR2G NLV14106BDTR2G ONSEMI mc14106b-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Kind of input: with Schmitt trigger
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857ALT1G SBC857ALT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.59 грн
41+10.36 грн
44+9.52 грн
100+6.26 грн
500+4.43 грн
1000+3.93 грн
1500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NLVASB3157DFT2G NLVASB3157DFT2G ONSEMI nlasb3157-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; SC88A
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Application: automotive industry
Kind of output: SPDT
Number of channels: 1
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.65 грн
25+19.46 грн
100+16.95 грн
500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS3157MX3TCG ONSEMI NLAS3157-D.PDF Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; ULLGA6; reel,tape
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Case: ULLGA6
Supply voltage: 1.65...4.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of output: SPDT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L3.3ST5G ESD9L3.3ST5G ONSEMI esd9l-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 4.8V; SOD923; reel,tape; 0.5÷0.9pF
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.8V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Capacitance: 0.5...0.9pF
Version: ESD
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.49 грн
26+16.54 грн
30+13.95 грн
100+7.35 грн
250+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SS38 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 80V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G ONSEMI ntzd5110n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563F
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.38 грн
43+9.94 грн
100+7.35 грн
500+6.10 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0530T1G NRVB0530T1G ONSEMI mbr0530t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.89 грн
53+8.02 грн
100+7.02 грн
500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM130LT1G MBRM130LT1G ONSEMI mbrm130l-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO216AA; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO216AA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.38V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 2A
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.58 грн
17+25.06 грн
19+22.63 грн
50+15.37 грн
100+12.78 грн
500+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM120LT3G ONSEMI mbrm120l-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO216AA; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO216AA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H ONSEMI NTHL041N60S5H.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+590.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTU ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 231A
Gate charge: 285nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F ONSEMI fch041n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A
Gate charge: 277nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 ONSEMI fch041n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A
Gate charge: 277nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5F ONSEMI ntmt061n60s5f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Power dissipation: 255W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 146A
Gate charge: 76nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G ONSEMI dtc123e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G ONSEMI dtc123e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1G ONSEMI dtc123ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1G ONSEMI dtc113ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5G ONSEMI dtc123e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS190T3G MBRS190T3G ONSEMI MBRS190T3G-DTE.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.68 грн
18+23.22 грн
20+21.38 грн
50+17.71 грн
100+16.20 грн
500+12.53 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP302045MNTWG ONSEMI ncp302045-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PQFN31 5X5
Mounting: SMD
Pulse fall time: 6ns
Impulse rise time: 12ns
Output current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3150 FOD3150 ONSEMI FOD3150.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Slew rate: 50kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: 0...35V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+73.50 грн
25+70.15 грн
100+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7181MUT5G ONSEMI esd7181mu-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 20.5÷35V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 18.5V
Breakdown voltage: 20.5...35V
Semiconductor structure: bidirectional
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 ONSEMI FDB070AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 175W
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.86 грн
5+172.88 грн
10+156.18 грн
25+150.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8460ADR2G NCV8460ADR2G ONSEMI ncv8460-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Supply voltage: 6...36V DC
Application: automotive industry
Kind of output: N-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8
On-state resistance: 0.4Ω
Number of channels: 1
Output current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.08 грн
17+25.89 грн
19+22.05 грн
100+12.86 грн
500+10.27 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G NCP1607BDR2G ONSEMI ncp1607-d.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; 500÷800mA; 9.5÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: 500...800mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 9.5...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN9673Q ONSEMI fan9673-d.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; LQFP32; 15V
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Supply voltage: 15V
Case: LQFP32
Kind of integrated circuit: PFC controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ11P6X NC7SZ11P6X ONSEMI NC7SZ11P6X.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 3; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SC88A
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of gate: AND
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.59 грн
34+12.36 грн
39+10.86 грн
44+9.52 грн
100+8.02 грн
250+7.18 грн
500+6.68 грн
1000+6.18 грн
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08 ONSEMI fdp032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 235A; Idm: 940A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 235A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 169nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 ONSEMI fdp032n08b-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 211A
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752BMX18TCG ONSEMI ncv8752-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 1.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752AMX18TCG ONSEMI ncv8752-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 1.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752AMX28TCG ONSEMI ncv8752-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 2.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752ASN30T1G ONSEMI ncv8752-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.2A; TSOP5; SMD; Ch: 1
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Output current: 0.2A
Output voltage: 3V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752BMX28TCG ONSEMI ncv8752-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 2.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMA5927BT3G 1SMA59xxBT3.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 12V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5919BT3G 1SMA59xxBT3.PDF
1SMA5919BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
на замовлення 612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.49 грн
27+15.87 грн
50+11.53 грн
100+9.94 грн
250+8.27 грн
500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMA5919BT3G 1SMA59xxBT3.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMA59xxBT3G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112G mjd112-d.pdf
MJD112G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.86 грн
12+37.33 грн
25+27.73 грн
75+19.79 грн
150+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1G mjd112-d.pdf
MJD112-1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.55 грн
10+60.97 грн
25+52.62 грн
75+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Collector-emitter voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG mjd112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1G ES1x.PDF
ES1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13 ss19-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13HE ss13he-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13FP s110fp-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123HE; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123HE
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1010AP100G ncp1010-d.pdf
NCP1010AP100G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 100mA; 100kHz; Ch: 1; DIP7
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.1A
Frequency: 0.1MHz
Mounting: THT
Case: DIP7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
On-state resistance: 23Ω
Operating voltage: 8.5...10V DC
Duty cycle factor: 0...72%
Kind of package: tube
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC34074DR2G description mc34071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 4; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO14
Operating temperature: 0...70°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.17 грн
15+27.89 грн
25+25.81 грн
100+22.88 грн
250+20.96 грн
500+19.54 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ fdmc6675bz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237B MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5237BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5237BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.30 грн
105+4.01 грн
143+2.92 грн
166+2.53 грн
250+2.11 грн
500+1.84 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5237BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDG MC14106B.PDF
MC14106BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Case: SO14
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of input: with Schmitt trigger
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 100ns
Number of inputs: 1
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+39.57 грн
17+25.56 грн
25+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC14106BDTR2G MC14106B-D.pdf
MC14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Delay time: 100ns
Number of inputs: 1
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of gate: NOT
Technology: CMOS
Number of channels: hex; 6
Family: HEF4000B
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.68 грн
16+26.39 грн
25+24.39 грн
100+21.63 грн
250+19.96 грн
500+18.71 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14106BDTR2G mc14106b-d.pdf
NLV14106BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Kind of input: with Schmitt trigger
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857ALT1G BC856_7_8.PDF
SBC857ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.59 грн
41+10.36 грн
44+9.52 грн
100+6.26 грн
500+4.43 грн
1000+3.93 грн
1500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NLVASB3157DFT2G nlasb3157-d.pdf
NLVASB3157DFT2G
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; SC88A
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Application: automotive industry
Kind of output: SPDT
Number of channels: 1
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.65 грн
25+19.46 грн
100+16.95 грн
500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS3157MX3TCG NLAS3157-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; ULLGA6; reel,tape
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Case: ULLGA6
Supply voltage: 1.65...4.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of output: SPDT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L3.3ST5G esd9l-d.pdf
ESD9L3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 0.15W; 4.8V; SOD923; reel,tape; 0.5÷0.9pF
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.8V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Capacitance: 0.5...0.9pF
Version: ESD
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.49 грн
26+16.54 грн
30+13.95 грн
100+7.35 грн
250+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SS38 SS32_SS39.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 80V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G ntzd5110n-d.pdf
NTZD5110NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563F
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.38 грн
43+9.94 грн
100+7.35 грн
500+6.10 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0530T1G mbr0530t1-d.pdf
NRVB0530T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.43V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.89 грн
53+8.02 грн
100+7.02 грн
500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM130LT1G mbrm130l-d.pdf
MBRM130LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO216AA; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO216AA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.38V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 2A
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.58 грн
17+25.06 грн
19+22.63 грн
50+15.37 грн
100+12.78 грн
500+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM120LT3G mbrm120l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO216AA; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO216AA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H.PDF
NTHL041N60S5H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU1N60CTU fqu1n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 231A
Gate charge: 285nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F fch041n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A
Gate charge: 277nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 fch041n60f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A
Gate charge: 277nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5F ntmt061n60s5f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Power dissipation: 255W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 146A
Gate charge: 76nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1G dtc123e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5G dtc123e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1G dtc123ed-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1G dtc113ep-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 4000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123EM3T5G dtc123e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS190T3G MBRS190T3G-DTE.PDF
MBRS190T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 90V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 90V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.68 грн
18+23.22 грн
20+21.38 грн
50+17.71 грн
100+16.20 грн
500+12.53 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP302045MNTWG ncp302045-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PQFN31 5X5
Mounting: SMD
Pulse fall time: 6ns
Impulse rise time: 12ns
Output current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3150 FOD3150.pdf
FOD3150
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Slew rate: 50kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: 0...35V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.50 грн
25+70.15 грн
100+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7181MUT5G esd7181mu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 20.5÷35V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 18.5V
Breakdown voltage: 20.5...35V
Semiconductor structure: bidirectional
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0.pdf
FDB070AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 175W
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.86 грн
5+172.88 грн
10+156.18 грн
25+150.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8460ADR2G ncv8460-d.pdf
NCV8460ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Supply voltage: 6...36V DC
Application: automotive industry
Kind of output: N-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8
On-state resistance: 0.4Ω
Number of channels: 1
Output current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.08 грн
17+25.89 грн
19+22.05 грн
100+12.86 грн
500+10.27 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G ncp1607-d.pdf
NCP1607BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: PMIC; 500÷800mA; 9.5÷20VDC; SO8; Topology: boost
Type of integrated circuit: PMIC
Output current: 500...800mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 9.5...20V DC
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN9673Q fan9673-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; LQFP32; 15V
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Supply voltage: 15V
Case: LQFP32
Kind of integrated circuit: PFC controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ11P6X NC7SZ11P6X.pdf
NC7SZ11P6X
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 3; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SC88A
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of gate: AND
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.59 грн
34+12.36 грн
39+10.86 грн
44+9.52 грн
100+8.02 грн
250+7.18 грн
500+6.68 грн
1000+6.18 грн
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08 fdp032n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 235A; Idm: 940A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 235A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 169nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP032N08B-F102 fdp032n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 211A; Idm: 844A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 211A
Pulsed drain current: 844A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752BMX18TCG ncv8752-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 1.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752AMX18TCG ncv8752-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 1.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752AMX28TCG ncv8752-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 2.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752ASN30T1G ncv8752-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.2A; TSOP5; SMD; Ch: 1
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Output current: 0.2A
Output voltage: 3V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8752BMX28TCG ncv8752-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 0.2A; XDFN6; SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
Case: XDFN6
Output current: 0.2A
Output voltage: 2.8V
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1190 1428 1666 1904 2142 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2380  [ Наступна Сторінка >> ]