Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147006) > Сторінка 2348 з 2451

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2352 2353 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVR1020MW2T1G NSVR1020MW2T1G ONSEMI nsr1020mw2t1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVR1020MW2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 540 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 540mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 24380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.79 грн
60+13.68 грн
121+6.76 грн
500+5.74 грн
1000+4.81 грн
5000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1117DTARKG NCV1117DTARKG ONSEMI 2236912.pdf Description: ONSEMI - NCV1117DTARKG - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 20V in, 1.07V drop, 1.25V to 18.8V/1A out, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 18.8V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.41 грн
500+34.09 грн
1000+24.77 грн
2500+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FGB40T65SPD-F085 - IGBT, n-Kanal, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+146.64 грн
1000+127.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC NTB011N15MC ONSEMI 3409753.pdf Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.87 грн
10+218.98 грн
100+169.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5D0N15MC NTB5D0N15MC ONSEMI 3191499.pdf Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+285.73 грн
100+213.28 грн
500+189.73 грн
1000+167.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5D0N15MC NTB5D0N15MC ONSEMI 3191499.pdf Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.95 грн
10+285.73 грн
100+213.28 грн
500+189.73 грн
1000+167.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC NTB011N15MC ONSEMI 3409753.pdf Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P ONSEMI fdmc2523p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.71 грн
10+85.47 грн
100+65.77 грн
500+57.98 грн
1000+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DR2G MC33204DR2G ONSEMI ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC33204DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 4 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 10mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.71 грн
250+49.05 грн
500+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70LT1G BAS70LT1G ONSEMI 1796157.pdf Description: ONSEMI - BAS70LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+6.11 грн
176+4.64 грн
264+3.09 грн
500+2.65 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16HT1G BAS16HT1G ONSEMI 2299983.pdf Description: ONSEMI - BAS16HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C02CH-TL-E 15C02CH-TL-E ONSEMI 2255212.pdf Description: ONSEMI - 15C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 1 A, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.32 грн
80+10.26 грн
164+4.97 грн
500+3.93 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SLT1G BAT54SLT1G ONSEMI 2353871.pdf Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 400mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+12.13 грн
96+8.55 грн
177+4.61 грн
500+3.30 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SLT1G BAT54SLT1G ONSEMI 2353871.pdf Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 400mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.30 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D ONSEMI 2277806.pdf Description: ONSEMI - HGTG20N60A4D - IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 290W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.71 грн
10+441.21 грн
100+348.41 грн
500+275.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC546BTA BC546BTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G ONSEMI 1571918.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.40 грн
1500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.86 грн
1500+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSI45020AT1G NSI45020AT1G ONSEMI 1840604.pdf Description: ONSEMI - NSI45020AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 20mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 20mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX373MTCX 74LCX373MTCX ONSEMI 2298512.pdf Description: ONSEMI - 74LCX373MTCX - Latch, 74LCX373, Typ D transparent, Tri-State, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Anzahl der Bits: 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D transparent
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX16373MTDX 74LCX16373MTDX ONSEMI 1681794.pdf Description: ONSEMI - 74LCX16373MTDX - Latch, 74LCX16373, Typ D transparent, Tri-State, nicht invertiert, 5.4 ns, 24 mA, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7416373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Anzahl der Bits: 16bit
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX16373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 5.4ns
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D transparent
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.79 грн
250+62.59 грн
500+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADTR2G MC74HC14ADTR2G ONSEMI ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74HC14ADTR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.20 грн
500+16.18 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADG MC74HC14ADG ONSEMI ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - HEX INVERTER, SCHMITT TRIGGER SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Inverter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: With Schmitt Trigger Input
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Hex
directShipCharge: 25
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.62 грн
34+24.50 грн
110+23.36 грн
550+20.64 грн
1045+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1G NVMFS5C420NLWFT1G ONSEMI nvmfs5c420nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+104.31 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1G NVMFS5C420NLWFT1G ONSEMI nvmfs5c420nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.69 грн
10+126.18 грн
100+118.85 грн
500+104.31 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1T1G MMSZ5V1T1G ONSEMI ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5V1T1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
9000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD835LT4G MBRD835LT4G ONSEMI 2353974.pdf Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD660CTT4G MBRD660CTT4G ONSEMI 2353822.pdf Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.32 грн
50+47.87 грн
100+36.88 грн
500+28.35 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDR2G LP2951CDR2G ONSEMI 2255355.pdf Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.25V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.35 грн
500+22.90 грн
1000+17.79 грн
2500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC273WMX MM74HC273WMX ONSEMI 2298195.pdf Description: ONSEMI - MM74HC273WMX - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 18 ns, 78 MHz, WSOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz: 78MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 18ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+8.08 грн
144+5.66 грн
252+3.23 грн
500+2.25 грн
1500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S MB6S ONSEMI 2304089.pdf Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 36055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.52 грн
50+30.93 грн
100+21.82 грн
500+16.40 грн
1500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S MB6S ONSEMI 2304089.pdf Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 36055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.82 грн
500+16.40 грн
1500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5231BT1G MMSZ5231BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5231BT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 21000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5230BT1G MMSZ5230BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 21000
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25640VI-GT3 CAT25640VI-GT3 ONSEMI ONSMS22355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT25640VI-GT3 - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.15 грн
500+29.33 грн
1000+26.86 грн
2500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 41017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.66 грн
1500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.04 грн
1000+2.10 грн
15000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ108 MMBFJ108 ONSEMI ONSM-S-A0013296851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ108 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 80 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.17 грн
500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ108 MMBFJ108 ONSEMI ONSM-S-A0013296851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ108 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 80 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
9000+13.84 грн
24000+13.76 грн
45000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20164DR2G NCS20164DR2G ONSEMI NCS20161-D.PDF Description: ONSEMI - NCS20164DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 8 MHz, 3.5 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: CMOS
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 3.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 8MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.42 грн
500+32.50 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20164DR2G NCS20164DR2G ONSEMI NCS20161-D.PDF Description: ONSEMI - NCS20164DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 8 MHz, 3.5 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: CMOS
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 3.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 8MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.03 грн
15+56.09 грн
100+38.42 грн
500+32.50 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20162DR2G NCV20162DR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV20162DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 8 MHz, 3.5 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: CMOS
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 3.5V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 8MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.85 грн
20+41.52 грн
100+27.76 грн
500+23.36 грн
1000+19.61 грн
2500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
9000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T1G TL331VSN4T1G ONSEMI 4424024.pdf Description: ONSEMI - TL331VSN4T1G - Analoger Komparator, Geringe Leistungsaufnahme, 1 Kanäle, 700 ns, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, DTL, ECL, TTL, Open Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Leistungsaufnahme
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.00 грн
36+22.79 грн
100+14.08 грн
500+10.43 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013903253-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.39 грн
45+18.15 грн
100+8.79 грн
500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LM324DR2G LM324DR2G ONSEMI 2236828.pdf description Description: ONSEMI - LM324DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Niedriger Eingangsruhestrom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.21 грн
500+14.06 грн
1000+11.30 грн
5000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3F NVHL110N65S3F ONSEMI nvhl110n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.50 грн
10+265.38 грн
100+227.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.52 грн
10+332.13 грн
100+249.91 грн
500+207.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+249.91 грн
500+207.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G MJB44H11G ONSEMI ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.20 грн
18+47.62 грн
100+44.77 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WV04P6X NC7WV04P6X ONSEMI 188039.pdf Description: ONSEMI - NC7WV04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 24 mA, 900mV bis 3.6V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.89 грн
500+9.37 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA141KT1G M1MA141KT1G ONSEMI m1ma141kt1-d.pdf Description: ONSEMI - M1MA141KT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 40 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M1MA1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+4.56 грн
264+3.09 грн
417+1.95 грн
500+1.51 грн
1000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575D2T-3.3R4G LM2575D2T-3.3R4G ONSEMI 695348.pdf Description: ONSEMI - LM2575D2T-3.3R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 3.3V/1Aout, 52kHz, TO-263-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Wirkungsgrad: 75%
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.31 грн
250+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1G NVMFS6H864NT1G ONSEMI 2711439.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.32 грн
20+40.78 грн
100+33.46 грн
500+26.83 грн
1000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.66 грн
10+227.12 грн
100+175.83 грн
500+130.01 грн
1000+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1G NVMFS6H864NT1G ONSEMI 2711439.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0269ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.95 грн
500+28.72 грн
1000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.83 грн
500+130.01 грн
1000+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08X NVMFS1D9N08X ONSEMI Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.22 грн
10+166.88 грн
100+118.85 грн
500+97.51 грн
1000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR1020MW2T1G nsr1020mw2t1-d.pdf
NSVR1020MW2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR1020MW2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 540 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 540mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 24380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.79 грн
60+13.68 грн
121+6.76 грн
500+5.74 грн
1000+4.81 грн
5000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1117DTARKG 2236912.pdf
NCV1117DTARKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1117DTARKG - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 20V in, 1.07V drop, 1.25V to 18.8V/1A out, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 18.8V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.41 грн
500+34.09 грн
1000+24.77 грн
2500+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB40T65SPD-F085 - IGBT, n-Kanal, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+146.64 грн
1000+127.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC 3409753.pdf
NTB011N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.87 грн
10+218.98 грн
100+169.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5D0N15MC 3191499.pdf
NTB5D0N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+285.73 грн
100+213.28 грн
500+189.73 грн
1000+167.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5D0N15MC 3191499.pdf
NTB5D0N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.95 грн
10+285.73 грн
100+213.28 грн
500+189.73 грн
1000+167.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTB011N15MC 3409753.pdf
NTB011N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.71 грн
10+85.47 грн
100+65.77 грн
500+57.98 грн
1000+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DR2G ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC33204DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33204DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 4 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 10mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.71 грн
250+49.05 грн
500+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70LT1G 1796157.pdf
BAS70LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS70LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+6.11 грн
176+4.64 грн
264+3.09 грн
500+2.65 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16HT1G 2299983.pdf
BAS16HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15C02CH-TL-E 2255212.pdf
15C02CH-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 15C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 1 A, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.32 грн
80+10.26 грн
164+4.97 грн
500+3.93 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SLT1G 2353871.pdf
BAT54SLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 400mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+12.13 грн
96+8.55 грн
177+4.61 грн
500+3.30 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SLT1G 2353871.pdf
BAT54SLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54SLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 400mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.30 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D 2277806.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG20N60A4D - IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 290W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+539.71 грн
10+441.21 грн
100+348.41 грн
500+275.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC546BTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC546BTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403LT1G 1571918.pdf
MMBT4403LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.40 грн
1500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.86 грн
1500+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSI45020AT1G 1840604.pdf
NSI45020AT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45020AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 20mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 20mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX373MTCX 2298512.pdf
74LCX373MTCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX373MTCX - Latch, 74LCX373, Typ D transparent, Tri-State, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Anzahl der Bits: 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D transparent
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX16373MTDX 1681794.pdf
74LCX16373MTDX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX16373MTDX - Latch, 74LCX16373, Typ D transparent, Tri-State, nicht invertiert, 5.4 ns, 24 mA, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7416373
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Anzahl der Bits: 16bit
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX16373
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 5.4ns
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Latchtyp: Typ D transparent
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.79 грн
250+62.59 грн
500+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADTR2G ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74HC14ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC14ADTR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.20 грн
500+16.18 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADG description ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74HC14ADG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - HEX INVERTER, SCHMITT TRIGGER SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Inverter
Logik-IC-Familie: 74HC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: With Schmitt Trigger Input
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Hex
directShipCharge: 25
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.62 грн
34+24.50 грн
110+23.36 грн
550+20.64 грн
1045+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1G nvmfs5c420nl-d.pdf
NVMFS5C420NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 146W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+104.31 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C420NLWFT1G nvmfs5c420nl-d.pdf
NVMFS5C420NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 277A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.69 грн
10+126.18 грн
100+118.85 грн
500+104.31 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1T1G ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5V1T1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
9000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD835LT4G 2353974.pdf
MBRD835LT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD660CTT4G 2353822.pdf
MBRD660CTT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.32 грн
50+47.87 грн
100+36.88 грн
500+28.35 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951CDR2G 2255355.pdf
LP2951CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.25V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.35 грн
500+22.90 грн
1000+17.79 грн
2500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC273WMX 2298195.pdf
MM74HC273WMX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC273WMX - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 18 ns, 78 MHz, WSOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz: 78MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 18ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G 3817110.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+8.08 грн
144+5.66 грн
252+3.23 грн
500+2.25 грн
1500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S 2304089.pdf
MB6S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 36055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.52 грн
50+30.93 грн
100+21.82 грн
500+16.40 грн
1500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S 2304089.pdf
MB6S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 36055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.82 грн
500+16.40 грн
1500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5231BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5231BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5231BT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 21000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5230BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5230BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 21000
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25640VI-GT3 ONSMS22355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT25640VI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25640VI-GT3 - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.15 грн
500+29.33 грн
1000+26.86 грн
2500+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 41017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.66 грн
1500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G 2353760.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.04 грн
1000+2.10 грн
15000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ108 ONSM-S-A0013296851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ108
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ108 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 80 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.17 грн
500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ108 ONSM-S-A0013296851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ108
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ108 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 80 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.00 грн
9000+13.84 грн
24000+13.76 грн
45000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20164DR2G NCS20161-D.PDF
NCS20164DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20164DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 8 MHz, 3.5 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: CMOS
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 3.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 8MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.42 грн
500+32.50 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20164DR2G NCS20161-D.PDF
NCS20164DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20164DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 8 MHz, 3.5 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: CMOS
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 3.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 8MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.03 грн
15+56.09 грн
100+38.42 грн
500+32.50 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20162DR2G
NCV20162DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20162DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 8 MHz, 3.5 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: CMOS
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 3.5V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 8MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.85 грн
20+41.52 грн
100+27.76 грн
500+23.36 грн
1000+19.61 грн
2500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
9000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T1G 4424024.pdf
TL331VSN4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL331VSN4T1G - Analoger Komparator, Geringe Leistungsaufnahme, 1 Kanäle, 700 ns, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, DTL, ECL, TTL, Open Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Geringe Leistungsaufnahme
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.00 грн
36+22.79 грн
100+14.08 грн
500+10.43 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G ONSM-S-A0013903253-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.39 грн
45+18.15 грн
100+8.79 грн
500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LM324DR2G description 2236828.pdf
LM324DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM324DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Niedriger Eingangsruhestrom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.21 грн
500+14.06 грн
1000+11.30 грн
5000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3F nvhl110n65s3f-d.pdf
NVHL110N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.50 грн
10+265.38 грн
100+227.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+470.52 грн
10+332.13 грн
100+249.91 грн
500+207.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+249.91 грн
500+207.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11G ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJB44H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.20 грн
18+47.62 грн
100+44.77 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2213LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WV04P6X 188039.pdf
NC7WV04P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 24 mA, 900mV bis 3.6V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.89 грн
500+9.37 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA141KT1G m1ma141kt1-d.pdf
M1MA141KT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA141KT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 40 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M1MA1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+4.56 грн
264+3.09 грн
417+1.95 грн
500+1.51 грн
1000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575D2T-3.3R4G 695348.pdf
LM2575D2T-3.3R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2575D2T-3.3R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 3.3V/1Aout, 52kHz, TO-263-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Wirkungsgrad: 75%
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.31 грн
250+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1G 2711439.pdf
NVMFS6H864NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.32 грн
20+40.78 грн
100+33.46 грн
500+26.83 грн
1000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.66 грн
10+227.12 грн
100+175.83 грн
500+130.01 грн
1000+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NT1G 2711439.pdf
NVMFS6H864NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0269ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.95 грн
500+28.72 грн
1000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.83 грн
500+130.01 грн
1000+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08X
NVMFS1D9N08X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+279.22 грн
10+166.88 грн
100+118.85 грн
500+97.51 грн
1000+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2352 2353 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]