Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141182) > Сторінка 442 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 437 438 439 440 441 442 443 444 445 446 447 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDD02N60ZT4G NDD02N60ZT4G onsemi NDx02N60Z.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6412ANT4G NTB6412ANT4G onsemi ntb6412an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6413ANT4G NTB6413ANT4G onsemi ntb6413an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 31592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.60 грн
10+146.09 грн
100+100.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4G NTD5865NLT4G onsemi NTD5865NL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.92 грн
10+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NT4G NTD5865NT4G onsemi ntd5865n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G onsemi ntd6414an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+72.43 грн
100+48.36 грн
500+35.69 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4G NTD6416ANLT4G onsemi ntd6416anl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.62 грн
10+84.95 грн
100+57.22 грн
500+42.52 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G onsemi ntd6416an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.69 грн
10+66.41 грн
100+49.54 грн
500+41.60 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5658RM3T5G 2SC5658RM3T5G onsemi 2sc5658m3-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 37540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.39 грн
28+12.19 грн
100+7.61 грн
500+5.25 грн
1000+4.65 грн
2000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9P5.0ST5G ESD9P5.0ST5G onsemi esd9p5.0s-d.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 1.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.8V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.70 грн
66+5.03 грн
100+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1529ASNT1G NCP1529ASNT1G onsemi ncp1529-d.pdf description Description: IC REG BUCK ADJ 1A 5TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.7MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 5-TSOP
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.9V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP2811AMTTXG NCP2811AMTTXG onsemi ncp2811-d.pdf Description: IC AMP STEREO HEADPHONE 12WQFN
Features: Depop, Short-Circuit and Thermal Protection, Shutdown
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Headphones, 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5V
Max Output Power x Channels @ Load: 110mW x 2 @ 16Ohm
Supplier Device Package: 12-WQFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G NCP51460SN33T1G onsemi ncp51460-d.pdf Description: IC VREF SERIES 1% SOT23-3
Tolerance: ±1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 18ppm/°C Typical
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 4.2V ~ 28V
Reference Type: Series
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C (TA)
Current - Supply: 220µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 12µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 18µVrms
Part Status: Active
Current - Output: 20 mA
на замовлення 16512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.86 грн
11+32.67 грн
25+29.31 грн
100+24.03 грн
250+22.38 грн
500+21.38 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571MN10TBG NCP571MN10TBG onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1V 150MA 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571MN12TBG NCP571MN12TBG onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.2V 150MA 6DFN
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN08T1G NCP571SN08T1G onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 0.8V 150MA 5TSOP
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.77 грн
10+40.21 грн
25+37.51 грн
100+28.15 грн
250+26.14 грн
500+22.12 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN09T1G NCP571SN09T1G onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 0.9V 150MA 5TSOP
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.77 грн
10+40.21 грн
25+37.51 грн
100+28.15 грн
250+26.14 грн
500+22.12 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN10T1G NCP571SN10T1G onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1V 150MA 5TSOP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.77 грн
10+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN12T1G NCP571SN12T1G onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.2V 150MA 5TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV571SN10T1G NCV571SN10T1G onsemi ncp571-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1V 150MA 5TSOP
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8605MN28T2G NCV8605MN28T2G onsemi ncv8605-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.24V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.10 грн
10+114.45 грн
25+96.80 грн
100+72.15 грн
250+62.96 грн
500+57.31 грн
1000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8605MNADJT2G NCV8605MNADJT2G onsemi ncv8605-d.pdf Description: IC REG LINEAR POS ADJ 500MA 6DFN
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8606MN15T2G NCV8606MN15T2G onsemi ncv8605-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.5V 500MA 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.20 грн
10+111.98 грн
25+105.57 грн
100+79.27 грн
250+69.36 грн
500+67.38 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSI45015WT1G NSI45015WT1G onsemi nsi45015w-d.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR 20% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 15mA
Accuracy: ±20%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 102324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.97 грн
28+11.95 грн
32+10.61 грн
100+8.52 грн
250+7.84 грн
500+7.43 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSI50010YT1G NSI50010YT1G onsemi nsi50010y-d.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 73041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.96 грн
21+15.90 грн
25+14.11 грн
100+11.40 грн
250+10.52 грн
500+9.99 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F20NXT5G NSR05F20NXT5G onsemi nsr05f20-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
на замовлення 31263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.53 грн
20+17.14 грн
100+11.29 грн
500+8.94 грн
1000+7.72 грн
2000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F30NXT5G NSR05F30NXT5G onsemi nsr05f30.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 30 V
на замовлення 46793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.95 грн
19+18.13 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.34 грн
2000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F40NXT5G NSR05F40NXT5G onsemi nsr05f40-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 40 V
на замовлення 99739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.53 грн
34+9.97 грн
100+9.76 грн
500+8.58 грн
2000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSR10F20NXT5G NSR10F20NXT5G onsemi nsr10f20-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.4x0.6)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 21211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.12 грн
39+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSR10F30NXT5G NSR10F30NXT5G onsemi nsr10f30-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.4x0.6)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.23 грн
15+22.08 грн
100+16.27 грн
500+11.52 грн
1000+10.03 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSR10F40NXT5G NSR10F40NXT5G onsemi nsr10f40-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.4x0.6)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 46196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.80 грн
19+18.04 грн
100+16.27 грн
500+11.52 грн
1000+9.89 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F20NXT5G NSR20F20NXT5G onsemi nsr20f20-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x.80)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
на замовлення 14542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.21 грн
11+32.30 грн
100+23.21 грн
500+16.64 грн
1000+14.54 грн
2000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G onsemi nsr20f30-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x.80)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K BSS138K onsemi bss138k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 25 V
на замовлення 136420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.08 грн
9000+3.85 грн
15000+3.37 грн
21000+3.23 грн
30000+3.09 грн
75000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601 FDC8601 onsemi fdc8601-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.93 грн
6000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326 onsemi fdd86326-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240 FDMC86240 onsemi fdmc86240-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324 FDMC86324 onsemi fdmc86324-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 onsemi fdms7682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106 FDS86106 onsemi fds86106-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.05 грн
5000+34.12 грн
7500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 FDS86240 onsemi fds86240-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242 FDS86242 onsemi fds86242-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.84 грн
5000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K BSS138K onsemi bss138k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 25 V
на замовлення 136420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.25 грн
25+13.27 грн
100+8.30 грн
500+5.75 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601 FDC8601 onsemi fdc8601-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.75 грн
10+88.49 грн
100+58.16 грн
500+44.52 грн
1000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326 onsemi fdd86326-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.48 грн
10+135.13 грн
100+93.22 грн
500+70.61 грн
1000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240 FDMC86240 onsemi fdmc86240-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.87 грн
10+148.97 грн
100+103.35 грн
500+82.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 onsemi fdms7682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.85 грн
10+50.43 грн
100+33.08 грн
500+24.05 грн
1000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.73 грн
10+149.30 грн
100+103.63 грн
500+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.61 грн
10+142.22 грн
100+98.42 грн
500+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106 FDS86106 onsemi fds86106-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 9549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.05 грн
10+83.47 грн
100+56.15 грн
500+41.73 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.04 грн
10+140.57 грн
100+97.19 грн
500+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 FDS86240 onsemi fds86240-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 14802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.03 грн
10+173.03 грн
100+125.80 грн
500+101.61 грн
1000+96.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242 FDS86242 onsemi fds86242-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.84 грн
10+54.05 грн
100+35.62 грн
500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.84 грн
10+77.04 грн
100+62.25 грн
500+54.52 грн
1000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3661HV3-GT2 CAT3661HV3-GT2 onsemi Description: IC LED DRIVER RGLTR 5MA 16TQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 7V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz, 130kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 5mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Voltage - Supply (Min): 2V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMV982MUTAG LMV982MUTAG onsemi lmv981-d.pdf Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10UQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 75µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.48V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.5 MHz
Current - Input Bias: 1 nA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.4x1.8)
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 65 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD02N60ZT4G NDx02N60Z.pdf
NDD02N60ZT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6412ANT4G ntb6412an-d.pdf
NTB6412ANT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB6413ANT4G ntb6413an-d.pdf
NTB6413ANT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 31592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.60 грн
10+146.09 грн
100+100.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4G NTD5865NL-D.PDF
NTD5865NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.92 грн
10+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NT4G ntd5865n-d.pdf
NTD5865NT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G ntd6414an-d.pdf
NTD6414ANT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.94 грн
10+72.43 грн
100+48.36 грн
500+35.69 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4G ntd6416anl-d.pdf
NTD6416ANLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.62 грн
10+84.95 грн
100+57.22 грн
500+42.52 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.69 грн
10+66.41 грн
100+49.54 грн
500+41.60 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5658RM3T5G 2sc5658m3-d.pdf
2SC5658RM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
на замовлення 37540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.39 грн
28+12.19 грн
100+7.61 грн
500+5.25 грн
1000+4.65 грн
2000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9P5.0ST5G esd9p5.0s-d.pdf
ESD9P5.0ST5G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 1.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.8V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.70 грн
66+5.03 грн
100+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1529ASNT1G description ncp1529-d.pdf
NCP1529ASNT1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 1A 5TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1.7MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 5-TSOP
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.9V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP2811AMTTXG ncp2811-d.pdf
NCP2811AMTTXG
Виробник: onsemi
Description: IC AMP STEREO HEADPHONE 12WQFN
Features: Depop, Short-Circuit and Thermal Protection, Shutdown
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Headphones, 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5V
Max Output Power x Channels @ Load: 110mW x 2 @ 16Ohm
Supplier Device Package: 12-WQFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G ncp51460-d.pdf
NCP51460SN33T1G
Виробник: onsemi
Description: IC VREF SERIES 1% SOT23-3
Tolerance: ±1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperature Coefficient: 18ppm/°C Typical
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 4.2V ~ 28V
Reference Type: Series
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C (TA)
Current - Supply: 220µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Noise - 0.1Hz to 10Hz: 12µVp-p
Noise - 10Hz to 10kHz: 18µVrms
Part Status: Active
Current - Output: 20 mA
на замовлення 16512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.86 грн
11+32.67 грн
25+29.31 грн
100+24.03 грн
250+22.38 грн
500+21.38 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571MN10TBG ncp571-d.pdf
NCP571MN10TBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1V 150MA 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571MN12TBG ncp571-d.pdf
NCP571MN12TBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.2V 150MA 6DFN
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN08T1G ncp571-d.pdf
NCP571SN08T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 0.8V 150MA 5TSOP
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.77 грн
10+40.21 грн
25+37.51 грн
100+28.15 грн
250+26.14 грн
500+22.12 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN09T1G ncp571-d.pdf
NCP571SN09T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 0.9V 150MA 5TSOP
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.77 грн
10+40.21 грн
25+37.51 грн
100+28.15 грн
250+26.14 грн
500+22.12 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN10T1G ncp571-d.pdf
NCP571SN10T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1V 150MA 5TSOP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.77 грн
10+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP571SN12T1G ncp571-d.pdf
NCP571SN12T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.2V 150MA 5TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV571SN10T1G ncp571-d.pdf
NCV571SN10T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1V 150MA 5TSOP
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8605MN28T2G ncv8605-d.pdf
NCV8605MN28T2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.24V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.10 грн
10+114.45 грн
25+96.80 грн
100+72.15 грн
250+62.96 грн
500+57.31 грн
1000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8605MNADJT2G ncv8605-d.pdf
NCV8605MNADJT2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 500MA 6DFN
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8606MN15T2G ncv8605-d.pdf
NCV8606MN15T2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.5V 500MA 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.20 грн
10+111.98 грн
25+105.57 грн
100+79.27 грн
250+69.36 грн
500+67.38 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSI45015WT1G nsi45015w-d.pdf
NSI45015WT1G
Виробник: onsemi
Description: IC CURRENT REGULATOR 20% SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 45V
Current - Output: 15mA
Accuracy: ±20%
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 102324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.97 грн
28+11.95 грн
32+10.61 грн
100+8.52 грн
250+7.84 грн
500+7.43 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSI50010YT1G nsi50010y-d.pdf
NSI50010YT1G
Виробник: onsemi
Description: IC CURRENT REGULATOR SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
на замовлення 73041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.96 грн
21+15.90 грн
25+14.11 грн
100+11.40 грн
250+10.52 грн
500+9.99 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F20NXT5G nsr05f20-d.pdf
NSR05F20NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
на замовлення 31263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.53 грн
20+17.14 грн
100+11.29 грн
500+8.94 грн
1000+7.72 грн
2000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F30NXT5G nsr05f30.pdf
NSR05F30NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 30 V
на замовлення 46793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.95 грн
19+18.13 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.34 грн
2000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F40NXT5G nsr05f40-d.pdf
NSR05F40NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 40 V
на замовлення 99739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.53 грн
34+9.97 грн
100+9.76 грн
500+8.58 грн
2000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSR10F20NXT5G nsr10f20-d.pdf
NSR10F20NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.4x0.6)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 21211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.12 грн
39+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSR10F30NXT5G nsr10f30-d.pdf
NSR10F30NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.4x0.6)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.23 грн
15+22.08 грн
100+16.27 грн
500+11.52 грн
1000+10.03 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSR10F40NXT5G nsr10f40-d.pdf
NSR10F40NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.4x0.6)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 46196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.80 грн
19+18.04 грн
100+16.27 грн
500+11.52 грн
1000+9.89 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F20NXT5G nsr20f20-d.pdf
NSR20F20NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x.80)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
на замовлення 14542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.21 грн
11+32.30 грн
100+23.21 грн
500+16.64 грн
1000+14.54 грн
2000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F30NXT5G nsr20f30-d.pdf
NSR20F30NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: 2-DSN (1.6x.80)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K bss138k-d.pdf
BSS138K
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 25 V
на замовлення 136420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.71 грн
6000+4.08 грн
9000+3.85 грн
15000+3.37 грн
21000+3.23 грн
30000+3.09 грн
75000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601 fdc8601-d.pdf
FDC8601
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.93 грн
6000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 fdd86326-d.pdf
FDD86326
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240 fdmc86240-d.pdf
FDMC86240
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324 fdmc86324-d.pdf
FDMC86324
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 fdms7682-d.pdf
FDMS7682
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
FDMS86252
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106 fds86106-d.pdf
FDS86106
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.05 грн
5000+34.12 грн
7500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
FDS86141
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 fds86240-d.pdf
FDS86240
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242 fds86242-d.pdf
FDS86242
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.84 грн
5000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K bss138k-d.pdf
BSS138K
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 25 V
на замовлення 136420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.25 грн
25+13.27 грн
100+8.30 грн
500+5.75 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8601 fdc8601-d.pdf
FDC8601
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.75 грн
10+88.49 грн
100+58.16 грн
500+44.52 грн
1000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 fdd86326-d.pdf
FDD86326
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.48 грн
10+135.13 грн
100+93.22 грн
500+70.61 грн
1000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86240 fdmc86240-d.pdf
FDMC86240
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.87 грн
10+148.97 грн
100+103.35 грн
500+82.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 fdms7682-d.pdf
FDMS7682
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.85 грн
10+50.43 грн
100+33.08 грн
500+24.05 грн
1000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.73 грн
10+149.30 грн
100+103.63 грн
500+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
FDMS86252
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.61 грн
10+142.22 грн
100+98.42 грн
500+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86106 fds86106-d.pdf
FDS86106
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 9549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.05 грн
10+83.47 грн
100+56.15 грн
500+41.73 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
FDS86141
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.04 грн
10+140.57 грн
100+97.19 грн
500+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 fds86240-d.pdf
FDS86240
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 14802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
10+173.03 грн
100+125.80 грн
500+101.61 грн
1000+96.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86242 fds86242-d.pdf
FDS86242
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.84 грн
10+54.05 грн
100+35.62 грн
500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.84 грн
10+77.04 грн
100+62.25 грн
500+54.52 грн
1000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3661HV3-GT2
CAT3661HV3-GT2
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRIVER RGLTR 5MA 16TQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 7V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz, 130kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 5mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 16-TQFN (3x3)
Voltage - Supply (Min): 2V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMV982MUTAG lmv981-d.pdf
LMV982MUTAG
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10UQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 75µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.48V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.5 MHz
Current - Input Bias: 1 nA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.4x1.8)
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 65 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 437 438 439 440 441 442 443 444 445 446 447 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]