Результат пошуку "20N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 29 шт
18 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 22 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 61 шт
60 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
5 Додати до обраних Обраний товар
Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
57 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
8 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.98 грн
10+202.21 грн
100+150.91 грн
500+146.07 грн
1000+144.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.08 грн
3+258.32 грн
10+231.65 грн
50+215.82 грн
250+214.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.39 грн
10+334.37 грн
100+233.29 грн
480+188.99 грн
1200+183.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.20 грн
5+141.66 грн
25+126.66 грн
100+119.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA&OMEGA info-taotf20n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi fca20n60_f109-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.93 грн
10+296.15 грн
120+215.99 грн
510+214.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi fca20n60f-d.pdf MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.28 грн
10+293.76 грн
120+213.91 грн
510+211.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+384.08 грн
3+316.65 грн
10+264.98 грн
25+229.15 грн
50+207.49 грн
100+194.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 9258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.82 грн
10+323.22 грн
100+204.22 грн
500+182.07 грн
800+179.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi fcb20n60-d.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 7145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.66 грн
10+327.20 грн
100+206.30 грн
500+182.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.37 грн
10+132.95 грн
100+79.61 грн
500+64.31 грн
1000+60.16 грн
2500+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.24 грн
10+272.27 грн
100+208.37 грн
500+175.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+382.29 грн
3+330.81 грн
10+273.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.05 грн
10+235.65 грн
100+186.91 грн
500+179.99 грн
1000+176.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.02 грн
10+222.91 грн
100+138.45 грн
800+126.68 грн
2400+121.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU ON-Semiconductor info-tfgh20n60sfdtu.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+219.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Fairchild info-thgtp20n60a4.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+165.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGB20N60H3-DataSheet-v02_03-EN.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.37 грн
10+101.90 грн
100+61.33 грн
500+49.50 грн
1000+45.41 грн
2000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.27 грн
10+95.83 грн
25+80.00 грн
50+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+139.16 грн
10+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.30 грн
10+128.17 грн
100+76.84 грн
500+63.13 грн
1000+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.76 грн
10+145.69 грн
100+88.61 грн
500+73.38 грн
1000+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T Infineon info-tikp20n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.89 грн
10+134.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.83 грн
10+528.62 грн
100+402.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.76 грн
4+114.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW20N60H3_DS_v02_02_en.pdf IGBTs 600V 20A 170W
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.64 грн
10+138.52 грн
100+98.30 грн
480+88.61 грн
1200+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.83 грн
10+164.79 грн
100+112.84 грн
480+93.46 грн
1200+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.88 грн
5+184.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.91 грн
10+170.37 грн
100+121.15 грн
480+101.76 грн
1200+99.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 Infineon info-tikw20n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+197.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3 IXGK320N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_320N60B3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V IGBTs
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3638.44 грн
10+3058.65 грн
100+2231.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGN320N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 320 Amps 600V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4040.65 грн
10+3385.85 грн
100+2479.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_120N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 120 Amps 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2403.55 грн
10+1622.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Mounting: THT
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.7kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1.2kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2051.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC20N60C IXKC20N60C IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXKC20N60C_Datasheet.pdf MOSFETs 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1044.29 грн
10+784.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+498.95 грн
3+417.48 грн
10+369.15 грн
30+331.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JFAM20N60C JIAENSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C; JFAM20N60C JIAENSEMI TJFAM20n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+78.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5Z NTHL120N60S5Z onsemi nthl120n60s5z-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.32 грн
10+331.98 грн
120+210.45 грн
1020+202.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 Panjit PJMF120N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit PJMH120N60EC.pdf MOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.37 грн
10+183.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.88 грн
10+233.32 грн
50+195.82 грн
100+175.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 Panjit PJMP120N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.04 грн
10+296.15 грн
100+236.06 грн
500+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA120N60E-GE3 SIHA120N60E-GE3 Vishay Semiconductors siha120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.05 грн
10+296.15 грн
100+186.22 грн
500+163.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb120n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.24 грн
10+233.26 грн
100+185.53 грн
500+162.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.17 грн
10+241.22 грн
100+191.76 грн
500+168.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH120N60E-T1-GE3 SIHH120N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh120n60e.pdf MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.17 грн
10+270.68 грн
100+188.99 грн
3000+138.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.59 грн
10+230.87 грн
100+183.45 грн
500+178.60 грн
1000+159.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 29 шт
18 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
1 Додати до обраних Обраний товар
description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 22 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 61 шт
60 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3
Код товару: 25463
5 Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
57 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5
Код товару: 32013
1 Додати до обраних Обраний товар
description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
8 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.98 грн
10+202.21 грн
100+150.91 грн
500+146.07 грн
1000+144.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.08 грн
3+258.32 грн
10+231.65 грн
50+215.82 грн
250+214.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.39 грн
10+334.37 грн
100+233.29 грн
480+188.99 грн
1200+183.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.20 грн
5+141.66 грн
25+126.66 грн
100+119.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 info-taotf20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+114.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.93 грн
10+296.15 грн
120+215.99 грн
510+214.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.28 грн
10+293.76 грн
120+213.91 грн
510+211.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+384.08 грн
3+316.65 грн
10+264.98 грн
25+229.15 грн
50+207.49 грн
100+194.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 9258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.82 грн
10+323.22 грн
100+204.22 грн
500+182.07 грн
800+179.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 7145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.66 грн
10+327.20 грн
100+206.30 грн
500+182.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.37 грн
10+132.95 грн
100+79.61 грн
500+64.31 грн
1000+60.16 грн
2500+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.24 грн
10+272.27 грн
100+208.37 грн
500+175.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+382.29 грн
3+330.81 грн
10+273.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.05 грн
10+235.65 грн
100+186.91 грн
500+179.99 грн
1000+176.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.02 грн
10+222.91 грн
100+138.45 грн
800+126.68 грн
2400+121.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU info-tfgh20n60sfdtu.pdf
FGH20N60SFDTU
Виробник: ON-Semiconductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 description info-thgtp20n60a4.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3 Infineon-IGB20N60H3-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IGB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.37 грн
10+101.90 грн
100+61.33 грн
500+49.50 грн
1000+45.41 грн
2000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+146.27 грн
10+95.83 грн
25+80.00 грн
50+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.16 грн
10+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.30 грн
10+128.17 грн
100+76.84 грн
500+63.13 грн
1000+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.76 грн
10+145.69 грн
100+88.61 грн
500+73.38 грн
1000+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T info-tikp20n60t.pdf
IKP20N60T
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.89 грн
10+134.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.83 грн
10+528.62 грн
100+402.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.76 грн
4+114.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 Infineon_IKW20N60H3_DS_v02_02_en.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 20A 170W
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.64 грн
10+138.52 грн
100+98.30 грн
480+88.61 грн
1200+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.83 грн
10+164.79 грн
100+112.84 грн
480+93.46 грн
1200+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.88 грн
5+184.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.91 грн
10+170.37 грн
100+121.15 грн
480+101.76 грн
1200+99.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 info-tikw20n60t.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_320N60B3_Datasheet.PDF
IXGK320N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 600V IGBTs
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3638.44 грн
10+3058.65 грн
100+2231.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGN320N60A3_Datasheet.PDF
IXGN320N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 320 Amps 600V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4040.65 грн
10+3385.85 грн
100+2479.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_120N60A3_Datasheet.PDF
IXGX120N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 120 Amps 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2403.55 грн
10+1622.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Mounting: THT
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Power dissipation: 1.7kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1.2kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2051.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC20N60C Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXKC20N60C_Datasheet.pdf
IXKC20N60C
Виробник: IXYS
MOSFETs 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1044.29 грн
10+784.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.95 грн
3+417.48 грн
10+369.15 грн
30+331.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JFAM20N60C
Виробник: JIAENSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C; JFAM20N60C JIAENSEMI TJFAM20n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL120N60S5Z nthl120n60s5z-d.pdf
NTHL120N60S5Z
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.32 грн
10+331.98 грн
120+210.45 грн
1020+202.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC.pdf
PJMH120N60EC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.37 грн
10+183.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.88 грн
10+233.32 грн
50+195.82 грн
100+175.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.04 грн
10+296.15 грн
100+236.06 грн
500+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA120N60E-GE3 siha120n60e.pdf
SIHA120N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.05 грн
10+296.15 грн
100+186.22 грн
500+163.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB120N60E-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.24 грн
10+233.26 грн
100+185.53 грн
500+162.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG120N60E-GE3 sihg120n60e.pdf
SIHG120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.17 грн
10+241.22 грн
100+191.76 грн
500+168.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH120N60E-T1-GE3 sihh120n60e.pdf
SIHH120N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.17 грн
10+270.68 грн
100+188.99 грн
3000+138.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.59 грн
10+230.87 грн
100+183.45 грн
500+178.60 грн
1000+159.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]