Результат пошуку "30n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 144
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 127
Мінімальне замовлення: 104
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 59
Мінімальне замовлення: 95
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 51
Мінімальне замовлення: 124
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 169
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGTG30N60A4 Код товару: 42509 |
FAIR/ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 75 A Ic 100: 60 A Pd 25: 463 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150 |
у наявності: 7 шт
|
|
|||||||||||||||
HGTG30N60A4D Код товару: 31842 |
ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 75 A Ic 100: 60 A Pd 25: 463 W td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180 |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
30N60A |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
30N60C3 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETES |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT30N60BC6 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 89A Power dissipation: 219W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT30N60BC6 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 89A Power dissipation: 219W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT30N60BC6 | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDNW30N60H3 | Bourns Inc. |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247NL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N-3L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDNW30N60H3 | Bourns | IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns Inc. |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI330N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Case: SOT227B On-state resistance: 1.5mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DAMI330N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Case: SOT227B On-state resistance: 1.5mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH130N60 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP130N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP130N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP130N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V |
на замовлення 15731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP130N60 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA30N60LSDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 480 W |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGT1N30N60A4D | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 255 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGT4E30N60B3S | Harris Corporation |
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGT4E30N60C3S | Harris Corporation |
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG30N60A4D | Fairchaild | IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG30N60B3 | Harris Corporation |
Description: 600 V, NPT IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
на замовлення 16153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG30N60B3D | ON-Semicoductor |
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG30N60B3_NL | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG30N60C3 | Harris Corporation |
Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG30N60C3D | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT 600V 63A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Gate Charge: 162 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W |
на замовлення 7113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGA30N60H3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 43 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB30N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB30N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30A 187W |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP30N60H3 | Infineon |
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP30N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP30N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP30N60H3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns Switching Energy: 1.17mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP30N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon |
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 389 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30A 187W |
на замовлення 3689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW30N60H3 | Infineon |
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
HGTG30N60A4 Код товару: 42509 |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 7 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 540 грн |
HGTG30N60A4D Код товару: 31842 |
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 320 грн |
AIKW30N60CTXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 452.32 грн |
10+ | 391.22 грн |
30+ | 369.88 грн |
120+ | 300.81 грн |
AIKW30N60CTXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 491.85 грн |
10+ | 419.97 грн |
25+ | 344.56 грн |
100+ | 297.1 грн |
240+ | 222.14 грн |
1200+ | 211.14 грн |
APT30N60BC6 |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 550.08 грн |
3+ | 496.46 грн |
5+ | 494.31 грн |
10+ | 490.73 грн |
APT30N60BC6 |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 660.1 грн |
3+ | 618.67 грн |
5+ | 593.18 грн |
10+ | 588.88 грн |
APT30N60BC6 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 420.44 грн |
100+ | 358.28 грн |
BIDNW30N60H3 |
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247NL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247NL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257.41 грн |
30+ | 196.39 грн |
120+ | 168.33 грн |
510+ | 140.42 грн |
1020+ | 120.24 грн |
2010+ | 113.22 грн |
BIDNW30N60H3 |
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 280.03 грн |
10+ | 231.73 грн |
25+ | 200.13 грн |
100+ | 162.99 грн |
250+ | 145.11 грн |
600+ | 136.86 грн |
BIDW30N60T |
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 309.71 грн |
10+ | 298.17 грн |
25+ | 210.45 грн |
100+ | 180.19 грн |
250+ | 160.24 грн |
600+ | 136.86 грн |
1200+ | 132.05 грн |
BIDW30N60T |
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 284.93 грн |
30+ | 217.45 грн |
120+ | 186.37 грн |
510+ | 155.47 грн |
1020+ | 133.12 грн |
2010+ | 125.35 грн |
DAMI330N60 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2040.63 грн |
2+ | 1791.71 грн |
3+ | 1790.99 грн |
DAMI330N60 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2448.76 грн |
2+ | 2232.75 грн |
3+ | 2149.19 грн |
FCH130N60 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
144+ | 176.51 грн |
FCP130N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 399.58 грн |
10+ | 347.21 грн |
50+ | 255.84 грн |
100+ | 215.95 грн |
250+ | 198.07 грн |
500+ | 192.57 грн |
800+ | 166.43 грн |
FCP130N60 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 188.56 грн |
FCP130N60 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 15731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 368.26 грн |
10+ | 297.73 грн |
100+ | 240.89 грн |
800+ | 200.94 грн |
1600+ | 172.06 грн |
2400+ | 162.01 грн |
FCP130N60 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 198.49 грн |
FGA30N60LSDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
104+ | 199.18 грн |
HGT1N30N60A4D |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 1356.46 грн |
HGT4E30N60B3S |
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 329.68 грн |
HGT4E30N60C3S |
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
59+ | 353.02 грн |
HGTG30N60A4D |
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 585.72 грн |
10+ | 479.7 грн |
HGTG30N60B3 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 600 V, NPT IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
Description: 600 V, NPT IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 217.03 грн |
HGTG30N60B3D |
Виробник: ON-Semicoductor
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 242.14 грн |
HGTG30N60B3_NL |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 414.83 грн |
HGTG30N60C3 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
124+ | 166.21 грн |
HGTG30N60C3D |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 63A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
Description: IGBT 600V 63A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 478.02 грн |
IGA30N60H3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
169+ | 122.25 грн |
IGB30N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 219.85 грн |
10+ | 176.37 грн |
100+ | 125.17 грн |
250+ | 122.42 грн |
500+ | 105.22 грн |
1000+ | 89.41 грн |
2000+ | 85.28 грн |
IGB30N60H3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.35 грн |
10+ | 162.12 грн |
100+ | 129.04 грн |
500+ | 102.46 грн |
IGB30N60H3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 96.2 грн |
IGB30N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.81 грн |
10+ | 171.63 грн |
25+ | 140.99 грн |
100+ | 121.04 грн |
250+ | 114.17 грн |
500+ | 107.29 грн |
1000+ | 91.47 грн |
IGB30N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 98.54 грн |
IGB30N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.2 грн |
10+ | 154.1 грн |
100+ | 124.67 грн |
500+ | 104 грн |
IGP30N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.26 грн |
10+ | 176.37 грн |
100+ | 125.86 грн |
250+ | 125.17 грн |
500+ | 105.22 грн |
1000+ | 85.97 грн |
5000+ | 83.22 грн |
IGP30N60H3 |
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 126.99 грн |
IGP30N60H3XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.8 грн |
3+ | 189.85 грн |
7+ | 128.95 грн |
18+ | 121.79 грн |
IGP30N60H3XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 292.55 грн |
3+ | 236.58 грн |
7+ | 154.74 грн |
18+ | 146.15 грн |
IGP30N60H3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.59 грн |
50+ | 158.24 грн |
100+ | 130.19 грн |
500+ | 103.38 грн |
1000+ | 87.72 грн |
IGP30N60H3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.47 грн |
IGW30N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 218.24 грн |
10+ | 210.38 грн |
25+ | 147.86 грн |
100+ | 127.23 грн |
240+ | 125.17 грн |
480+ | 96.28 грн |
1200+ | 91.47 грн |
IGW30N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.87 грн |
30+ | 153.57 грн |
120+ | 131.63 грн |
510+ | 109.8 грн |
1020+ | 94.02 грн |
IGW30N60H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.3 грн |
IGW30N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.21 грн |
10+ | 199.31 грн |
25+ | 143.05 грн |
100+ | 129.3 грн |
480+ | 97.66 грн |
1200+ | 92.16 грн |
IGW30N60TFKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 297.03 грн |
3+ | 248.59 грн |
5+ | 186.98 грн |
13+ | 176.95 грн |
IGW30N60TFKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.84 грн |
30+ | 155.91 грн |
IGW30N60TFKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.9 грн |
IGW30N60TFKSA1 |
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 141.11 грн |
IGW30N60TPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.95 грн |
10+ | 131.29 грн |
100+ | 105.91 грн |
240+ | 105.22 грн |
480+ | 76.34 грн |
1200+ | 72.21 грн |
2640+ | 70.15 грн |
IGW30N60TPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 172.6 грн |
30+ | 133.3 грн |
120+ | 109.66 грн |
510+ | 87.08 грн |
1020+ | 73.89 грн |
2010+ | 70.19 грн |
IGW30N60TPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 61.46 грн |
IKW30N60DTPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.76 грн |
30+ | 140.39 грн |
120+ | 120.33 грн |
510+ | 100.38 грн |
IKW30N60DTPXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.74 грн |
25+ | 153.44 грн |
100+ | 114.85 грн |
240+ | 114.17 грн |
480+ | 88.03 грн |
1200+ | 83.22 грн |
IKW30N60H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 246.33 грн |
10+ | 204.05 грн |
25+ | 167.81 грн |
100+ | 143.05 грн |
240+ | 131.36 грн |
480+ | 126.54 грн |
1200+ | 108.66 грн |
IKW30N60H3 |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 123.45 грн |
IKW30N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 275.43 грн |
5+ | 173.37 грн |
14+ | 164.06 грн |
IKW30N60H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 330.51 грн |
5+ | 216.04 грн |
14+ | 196.87 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]