Результат пошуку "20N60" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+260.00 грн
10+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 221454
Додати до обраних Обраний товар
Vbsemi HGTG20N60A4DVbsemi.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 248 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 56/176
у наявності: 20 шт
  • 10 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+218.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 165 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/220
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 14 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 47 шт
  • 47 шт - очікується 23.10.2026
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 166 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/199
у наявності: 61 шт
  • 40 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
5 Додати до обраних Обраний товар
Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 20,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
  • 106 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 8 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.09 грн
10+257.81 грн
100+184.95 грн
500+160.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies infineon_aikb20n60ct_datasheet_en.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+427.46 грн
10+286.79 грн
100+178.44 грн
500+164.55 грн
1000+159.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.18 грн
3+260.79 грн
5+233.55 грн
12+221.18 грн
50+218.70 грн
250+212.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies infineon_aikw20n60ct_datasheet_en.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 126 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+534.96 грн
10+358.28 грн
100+246.46 грн
480+208.43 грн
1200+201.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 370mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.64 грн
5+146.90 грн
8+130.39 грн
20+123.79 грн
100+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA&OMEGA info-taotf20n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.96 грн
30+291.98 грн
60+266.78 грн
120+230.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-D.PDF MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+636.50 грн
10+441.54 грн
120+310.81 грн
510+276.44 грн
1020+244.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi FCA20N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.56 грн
30+288.71 грн
60+263.74 грн
120+227.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi FCA20N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 323 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+628.82 грн
10+410.42 грн
120+302.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI FCB20N60F-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+397.28 грн
3+327.64 грн
5+211.27 грн
13+199.72 грн
100+197.24 грн
500+192.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.67 грн
10+327.41 грн
50+259.89 грн
100+223.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+192.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+564.83 грн
10+372.57 грн
100+260.35 грн
500+231.10 грн
800+206.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.39 грн
10+332.53 грн
50+264.08 грн
100+227.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+572.51 грн
10+377.62 грн
100+264.01 грн
500+234.76 грн
800+208.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH20N60 FCH20N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+242.04 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+432.83 грн
3+359.00 грн
4+267.39 грн
10+253.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.68 грн
10+291.98 грн
50+231.55 грн
100+199.06 грн
500+170.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 959 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+552.88 грн
10+364.16 грн
100+254.50 грн
500+226.71 грн
1000+200.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+395.50 грн
3+342.49 грн
4+248.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.45 грн
10+292.64 грн
50+232.10 грн
100+199.55 грн
500+171.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 788 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+553.74 грн
10+365.00 грн
100+255.23 грн
500+226.71 грн
1000+201.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.72 грн
10+224.39 грн
100+159.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+380.53 грн
10+249.78 грн
100+154.31 грн
500+147.73 грн
800+136.76 грн
2400+129.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 ON-Semiconductor Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+220.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60B3S HGT1S20N60B3S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+254.52 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3R HGT1S20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+164.05 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Harris Corporation ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+288.17 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3-FS HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 42154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+288.17 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3R HGTG20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+207.06 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3 IGB20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGB20N60H3-DataSheet-v02_03-EN.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+379.68 грн
10+245.58 грн
100+159.43 грн
500+133.10 грн
1000+116.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3 IGW20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+430.87 грн
10+277.54 грн
100+179.91 грн
480+150.65 грн
1200+140.41 грн
2640+131.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+144.42 грн
4+135.35 грн
8+130.39 грн
10+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw20n60h3-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.89 грн
30+192.50 грн
120+159.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+403.57 грн
10+264.92 грн
100+164.55 грн
500+148.46 грн
1000+138.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb20n60h3-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.93 грн
2000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb20n60h3-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.55 грн
10+238.42 грн
100+170.25 грн
500+144.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T Infineon info-tikp20n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+113.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.64 грн
8+129.57 грн
21+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq120n60t-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.41 грн
30+549.27 грн
120+469.93 грн
510+397.02 грн
1020+374.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+395.50 грн
4+269.87 грн
5+213.75 грн
13+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw20n60h3-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.08 грн
30+232.48 грн
120+192.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60TFKSA1 TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+198.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+497.42 грн
10+321.27 грн
100+205.50 грн
480+165.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TAFKSA1 IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies IGBT%20Selection%20Guide.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+193.09 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+260.00 грн
10+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 221454
Додати до обраних Обраний товар
HGTG20N60A4DVbsemi.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Vbsemi
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 248 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 56/176
у наявності: 20 шт
  • 10 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+218.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 165 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/220
у наявності: 15 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
1 Додати до обраних Обраний товар
description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 14 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 47 шт
  • 47 шт - очікується 23.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 166 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/199
у наявності: 61 шт
  • 40 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3
Код товару: 25463
5 Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 20,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
  • 106 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5
Код товару: 32013
1 Додати до обраних Обраний товар
description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 8 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.09 грн
10+257.81 грн
100+184.95 грн
500+160.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 infineon_aikb20n60ct_datasheet_en.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+427.46 грн
10+286.79 грн
100+178.44 грн
500+164.55 грн
1000+159.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.18 грн
3+260.79 грн
5+233.55 грн
12+221.18 грн
50+218.70 грн
250+212.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 infineon_aikw20n60ct_datasheet_en.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 126 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.96 грн
10+358.28 грн
100+246.46 грн
480+208.43 грн
1200+201.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 370mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.64 грн
5+146.90 грн
8+130.39 грн
20+123.79 грн
100+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 info-taotf20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.96 грн
30+291.98 грн
60+266.78 грн
120+230.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+636.50 грн
10+441.54 грн
120+310.81 грн
510+276.44 грн
1020+244.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
FCA20N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+517.56 грн
30+288.71 грн
60+263.74 грн
120+227.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
FCA20N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 323 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+628.82 грн
10+410.42 грн
120+302.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+397.28 грн
3+327.64 грн
5+211.27 грн
13+199.72 грн
100+197.24 грн
500+192.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.67 грн
10+327.41 грн
50+259.89 грн
100+223.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+192.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.83 грн
10+372.57 грн
100+260.35 грн
500+231.10 грн
800+206.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+511.39 грн
10+332.53 грн
50+264.08 грн
100+227.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+196.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+572.51 грн
10+377.62 грн
100+264.01 грн
500+234.76 грн
800+208.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH20N60 FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH20N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+242.04 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+432.83 грн
3+359.00 грн
4+267.39 грн
10+253.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60-D.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+449.68 грн
10+291.98 грн
50+231.55 грн
100+199.06 грн
500+170.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60-D.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 959 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.88 грн
10+364.16 грн
100+254.50 грн
500+226.71 грн
1000+200.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+395.50 грн
3+342.49 грн
4+248.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60-D.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.45 грн
10+292.64 грн
50+232.10 грн
100+199.55 грн
500+171.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60-D.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 788 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+553.74 грн
10+365.00 грн
100+255.23 грн
500+226.71 грн
1000+201.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.72 грн
10+224.39 грн
100+159.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.53 грн
10+249.78 грн
100+154.31 грн
500+147.73 грн
800+136.76 грн
2400+129.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3
Виробник: ON-Semiconductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+220.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60B3S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60B3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+254.52 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+164.05 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3 ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-247
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+288.17 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3-FS ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60B3-FS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 42154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+288.17 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+207.06 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3 Infineon-IGB20N60H3-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IGB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.68 грн
10+245.58 грн
100+159.43 грн
500+133.10 грн
1000+116.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3 Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en.pdf
IGW20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+430.87 грн
10+277.54 грн
100+179.91 грн
480+150.65 грн
1200+140.41 грн
2640+131.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.42 грн
4+135.35 грн
8+130.39 грн
10+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 infineon-igw20n60h3-datasheet-en.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+357.89 грн
30+192.50 грн
120+159.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.57 грн
10+264.92 грн
100+164.55 грн
500+148.46 грн
1000+138.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 infineon-ikb20n60h3-datasheet-en.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+136.93 грн
2000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 infineon-ikb20n60h3-datasheet-en.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.55 грн
10+238.42 грн
100+170.25 грн
500+144.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T info-tikp20n60t.pdf
IKP20N60T
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+113.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.64 грн
8+129.57 грн
21+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 infineon-ikq120n60t-datasheet-cn.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+946.41 грн
30+549.27 грн
120+469.93 грн
510+397.02 грн
1020+374.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+395.50 грн
4+269.87 грн
5+213.75 грн
13+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 infineon-ikw20n60h3-datasheet-en.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+428.08 грн
30+232.48 грн
120+192.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60TFKSA1 TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+198.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+497.42 грн
10+321.27 грн
100+205.50 грн
480+165.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TAFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
IKW20N60TAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+193.09 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.