Результат пошуку "20N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HGTG20N60A4 Код товару: 32885
Додати до обраних
Обраний товар
|
FAIR |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
|
|
||||||||||||||
![]() |
HGTG20N60A4D Код товару: 206983
Додати до обраних
Обраний товар
|
Alfa@Omega |
![]() Корпус: PG-TO247-3 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 20 шт
19 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||
![]() |
HGTG20N60A4D Код товару: 29312
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||
![]() |
HGTG20N60B3D Код товару: 28558
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 165 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220 |
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||
![]() |
HGTP20N60A4 Код товару: 61820
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 97 шт
92 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60T Код товару: 84958
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 166 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199 |
у наявності: 37 шт
25 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPP20N60C3 Код товару: 25463
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 650 V Idd,A: 20,7 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11 Монтаж: THT |
у наявності: 200 шт
178 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 4 шт - РАДІОМАГ-Львів 6 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5 Код товару: 32013
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79 Монтаж: THT |
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
20N60A4D |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
20N60C3 | FAIRCHILD | TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
20N60C3 | Infineon | 09+ |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
20N60C3 | INFINION |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
20N60S5 | SIEMENS | 2004 TO220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
20N60S5 | HARRIS | 09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF20N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF20N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 657 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AOTF20N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BIDW20N60T | Bourns |
![]() |
на замовлення 7016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA20N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA20N60-F109 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA20N60F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCB20N60FTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCB20N60FTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 10586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCB20N60TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCD620N60ZF | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP20N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGB20N60SFD-F085 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG20N60A4 | Fairchaild | IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 | Fairchild |
![]() ![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB20N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
HGTG20N60A4 Код товару: 32885
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 230.00 грн |
10+ | 215.00 грн |
HGTG20N60A4D Код товару: 206983
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 20 шт
19 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 240.00 грн |
10+ | 220.00 грн |
HGTG20N60A4D Код товару: 29312
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 240.00 грн |
10+ | 220.00 грн |
HGTG20N60B3D Код товару: 28558
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 195.00 грн |
10+ | 184.00 грн |
HGTP20N60A4 Код товару: 61820
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 97 шт
92 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 102.00 грн |
10+ | 91.40 грн |
IKP20N60T Код товару: 84958
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 37 шт
25 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 140.00 грн |
10+ | 128.00 грн |
SPP20N60C3 Код товару: 25463
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 200 шт
178 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 125.00 грн |
10+ | 114.00 грн |
SPP20N60S5 Код товару: 32013
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 240.00 грн |
10+ | 226.00 грн |
20N60C3 |
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60C3 |
Виробник: Infineon
09+
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60C3 |
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60S5 |
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60S5 |
Виробник: HARRIS
09+
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AIKB20N60CTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 300.00 грн |
10+ | 205.07 грн |
100+ | 153.06 грн |
500+ | 147.71 грн |
1000+ | 132.40 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 317.66 грн |
3+ | 260.69 грн |
5+ | 225.61 грн |
12+ | 212.85 грн |
250+ | 205.68 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 381.19 грн |
3+ | 324.86 грн |
5+ | 270.73 грн |
12+ | 255.42 грн |
250+ | 246.81 грн |
AIKQ120N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1130.37 грн |
10+ | 856.35 грн |
25+ | 678.07 грн |
50+ | 677.31 грн |
100+ | 665.83 грн |
240+ | 597.71 грн |
AIKW20N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 508.04 грн |
10+ | 384.61 грн |
100+ | 270.16 грн |
480+ | 211.99 грн |
1200+ | 206.64 грн |
2640+ | 200.51 грн |
AOTF20N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 178.57 грн |
5+ | 145.89 грн |
8+ | 125.96 грн |
21+ | 118.78 грн |
500+ | 114.80 грн |
AOTF20N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 214.29 грн |
5+ | 181.80 грн |
8+ | 151.15 грн |
21+ | 142.54 грн |
500+ | 137.76 грн |
AOTF20N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 101.00 грн |
BIDW20N60T |
![]() |
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 302.68 грн |
10+ | 266.67 грн |
100+ | 191.33 грн |
600+ | 179.85 грн |
1200+ | 130.87 грн |
FCA20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 563.40 грн |
10+ | 320.36 грн |
100+ | 233.42 грн |
450+ | 232.66 грн |
900+ | 227.30 грн |
FCA20N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 532.15 грн |
10+ | 313.32 грн |
120+ | 237.25 грн |
510+ | 236.48 грн |
FCA20N60F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 543.76 грн |
10+ | 302.76 грн |
120+ | 244.90 грн |
FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 318.51 грн |
3+ | 266.27 грн |
5+ | 204.88 грн |
13+ | 194.52 грн |
FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 469.65 грн |
10+ | 324.76 грн |
100+ | 222.71 грн |
500+ | 210.46 грн |
800+ | 207.40 грн |
FCB20N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 459.83 грн |
10+ | 337.08 грн |
100+ | 215.05 грн |
500+ | 200.51 грн |
FCD620N60ZF |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.68 грн |
10+ | 82.38 грн |
100+ | 60.08 грн |
500+ | 56.25 грн |
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 465.32 грн |
3+ | 371.50 грн |
4+ | 258.29 грн |
10+ | 243.94 грн |
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 558.39 грн |
3+ | 462.94 грн |
4+ | 309.95 грн |
10+ | 292.73 грн |
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 439.29 грн |
10+ | 261.39 грн |
100+ | 207.40 грн |
500+ | 193.63 грн |
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 375.18 грн |
3+ | 313.30 грн |
4+ | 239.96 грн |
11+ | 226.41 грн |
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 450.21 грн |
3+ | 390.42 грн |
4+ | 287.95 грн |
11+ | 271.69 грн |
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 473.22 грн |
10+ | 258.75 грн |
100+ | 205.11 грн |
500+ | 198.22 грн |
1000+ | 194.39 грн |
FGB20N60SFD-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.76 грн |
10+ | 257.87 грн |
100+ | 159.95 грн |
500+ | 127.04 грн |
FGH20N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 201.02 грн |
HGTG20N60A4 |
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.79 грн |
HGTP20N60A4 | ![]() |
![]() |
Виробник: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 151.59 грн |
IGB20N60H3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 118.48 грн |
5+ | 98.06 грн |
13+ | 75.73 грн |
35+ | 71.75 грн |
IGP20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
IGBTs IGBT 600V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.61 грн |
10+ | 97.69 грн |
100+ | 70.94 грн |
500+ | 58.16 грн |
1000+ | 49.06 грн |
2500+ | 47.07 грн |
5000+ | 44.62 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 105.23 грн |
10+ | 94.87 грн |
11+ | 90.88 грн |
29+ | 86.10 грн |
250+ | 82.91 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 131.13 грн |
10+ | 113.84 грн |
11+ | 109.06 грн |
29+ | 103.32 грн |
250+ | 99.49 грн |
IGW20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.18 грн |
10+ | 234.99 грн |
25+ | 126.28 грн |
100+ | 102.55 грн |
240+ | 101.79 грн |
480+ | 94.13 грн |
1200+ | 73.01 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 167.41 грн |
8+ | 125.96 грн |
21+ | 118.78 грн |
IKB20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 212.50 грн |
10+ | 146.10 грн |
100+ | 91.07 грн |
500+ | 75.77 грн |
1000+ | 67.81 грн |
2000+ | 61.61 грн |
IKB20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.50 грн |
10+ | 168.98 грн |
100+ | 103.32 грн |
500+ | 85.72 грн |
1000+ | 78.06 грн |
2000+ | 70.94 грн |
IKP20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 270.54 грн |
10+ | 239.39 грн |
100+ | 167.60 грн |
500+ | 137.76 грн |
1000+ | 120.15 грн |
2500+ | 56.94 грн |
5000+ | 55.79 грн |
IKP20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.83 грн |
25+ | 128.50 грн |
100+ | 100.26 грн |
500+ | 81.12 грн |
1000+ | 70.26 грн |
5000+ | 68.34 грн |
IKP20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 121.04 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 182.01 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 218.41 грн |
8+ | 154.98 грн |
21+ | 141.58 грн |
100+ | 136.80 грн |
IKQ120N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 896.44 грн |
10+ | 603.76 грн |
100+ | 450.01 грн |
480+ | 429.34 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 303.06 грн |
3+ | 253.51 грн |
5+ | 193.72 грн |
14+ | 183.36 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 363.67 грн |
3+ | 315.91 грн |
5+ | 232.47 грн |
14+ | 220.03 грн |
IKW20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 297.33 грн |
10+ | 190.99 грн |
100+ | 130.10 грн |
480+ | 107.91 грн |
1200+ | 93.37 грн |
2640+ | 88.01 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 337.40 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 404.88 грн |
6+ | 211.60 грн |
16+ | 192.29 грн |
60+ | 191.33 грн |
120+ | 185.59 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 341.97 грн |
10+ | 329.16 грн |
25+ | 164.54 грн |
100+ | 134.70 грн |
480+ | 105.61 грн |
1200+ | 104.08 грн |
2640+ | 102.55 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]