Результат пошуку "20N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар

FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар

Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 20 шт
19 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 97 шт
92 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар

ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 32 шт
20 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
Додати до обраних Обраний товар

Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 193 шт
171 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
Додати до обраних Обраний товар

Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 Infineon 09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.52 грн
10+202.68 грн
100+151.28 грн
500+145.99 грн
1000+130.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.96 грн
3+257.66 грн
5+222.99 грн
12+211.17 грн
250+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+376.75 грн
3+321.08 грн
5+267.58 грн
12+253.40 грн
250+243.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1117.23 грн
10+846.39 грн
25+670.19 грн
50+669.43 грн
100+658.08 грн
240+590.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.14 грн
10+380.14 грн
100+267.02 грн
480+209.53 грн
1200+204.23 грн
2640+198.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.50 грн
5+144.19 грн
8+124.49 грн
21+117.40 грн
500+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.80 грн
5+179.69 грн
8+149.39 грн
21+140.88 грн
500+136.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.16 грн
10+263.57 грн
100+189.10 грн
600+177.76 грн
1200+129.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_D-3538078.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.85 грн
10+316.64 грн
100+230.71 грн
450+229.95 грн
900+224.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild fca20n60_f109-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.96 грн
10+309.68 грн
100+234.49 грн
450+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild fca20n60f-d.pdf MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.44 грн
10+299.24 грн
120+242.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+392.88 грн
3+336.45 грн
5+202.50 грн
13+191.47 грн
500+189.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild fcb20n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.19 грн
10+320.99 грн
100+220.12 грн
500+208.02 грн
800+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild fcb20n60-d.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.48 грн
10+333.16 грн
100+212.55 грн
500+198.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild fcd620n60zf-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.20 грн
10+81.42 грн
100+59.38 грн
500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.36 грн
3+276.57 грн
4+256.08 грн
10+241.90 грн
50+241.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.83 грн
3+344.64 грн
4+307.30 грн
10+290.28 грн
50+289.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.18 грн
10+258.35 грн
100+204.99 грн
500+191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+397.97 грн
3+338.81 грн
4+237.17 грн
11+224.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.56 грн
3+422.21 грн
4+284.60 грн
11+269.47 грн
50+259.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.72 грн
10+255.75 грн
100+202.72 грн
500+195.91 грн
1000+192.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.18 грн
10+254.88 грн
100+158.09 грн
500+125.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+201.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+259.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+151.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.59 грн
5+117.40 грн
10+104.01 грн
13+74.85 грн
35+70.91 грн
100+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf IGBTs IGBT 600V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+96.56 грн
100+68.76 грн
500+57.49 грн
1000+48.49 грн
2500+46.52 грн
5000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.95 грн
10+137.89 грн
11+89.82 грн
29+85.10 грн
50+82.73 грн
100+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.74 грн
10+171.83 грн
11+107.79 грн
29+102.12 грн
50+99.28 грн
100+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3 IGW20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en-3360249.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.10 грн
10+232.26 грн
25+124.81 грн
100+101.36 грн
240+100.60 грн
480+93.04 грн
1200+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.02 грн
3+165.47 грн
8+124.49 грн
21+117.40 грн
30+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.03 грн
10+144.40 грн
100+90.01 грн
500+74.89 грн
1000+67.02 грн
2000+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.91 грн
10+143.53 грн
100+93.04 грн
500+78.67 грн
1000+71.48 грн
2000+63.61 грн
5000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+236.61 грн
100+165.66 грн
500+136.16 грн
1000+118.76 грн
2500+56.28 грн
5000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.57 грн
10+235.74 грн
25+110.44 грн
100+99.09 грн
500+80.18 грн
1000+69.44 грн
5000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+121.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.47 грн
8+123.71 грн
21+116.61 грн
50+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.76 грн
8+154.16 грн
21+139.94 грн
50+135.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.02 грн
10+596.74 грн
100+444.77 грн
480+424.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.38 грн
3+213.53 грн
5+191.47 грн
10+180.44 грн
30+174.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+293.26 грн
3+266.09 грн
5+229.76 грн
10+216.52 грн
30+208.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.87 грн
10+188.76 грн
100+128.59 грн
480+106.66 грн
1200+92.28 грн
2640+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.51 грн
6+167.83 грн
16+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+346.21 грн
6+209.14 грн
16+191.00 грн
30+184.38 грн
60+183.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.99 грн
10+325.34 грн
25+162.63 грн
100+133.13 грн
480+104.39 грн
1200+102.87 грн
2640+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар

HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар

hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар

hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 20 шт
19 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Додати до обраних Обраний товар

hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Додати до обраних Обраний товар

description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 97 шт
92 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар

ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 32 шт
20 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3
Код товару: 25463
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 193 шт
171 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5
Код товару: 32013
Додати до обраних Обраний товар

description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.52 грн
10+202.68 грн
100+151.28 грн
500+145.99 грн
1000+130.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.96 грн
3+257.66 грн
5+222.99 грн
12+211.17 грн
250+203.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.75 грн
3+321.08 грн
5+267.58 грн
12+253.40 грн
250+243.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1117.23 грн
10+846.39 грн
25+670.19 грн
50+669.43 грн
100+658.08 грн
240+590.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.14 грн
10+380.14 грн
100+267.02 грн
480+209.53 грн
1200+204.23 грн
2640+198.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.50 грн
5+144.19 грн
8+124.49 грн
21+117.40 грн
500+113.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.80 грн
5+179.69 грн
8+149.39 грн
21+140.88 грн
500+136.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+101.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.16 грн
10+263.57 грн
100+189.10 грн
600+177.76 грн
1200+129.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60_D-3538078.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.85 грн
10+316.64 грн
100+230.71 грн
450+229.95 грн
900+224.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.96 грн
10+309.68 грн
100+234.49 грн
450+233.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.44 грн
10+299.24 грн
120+242.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+392.88 грн
3+336.45 грн
5+202.50 грн
13+191.47 грн
500+189.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.19 грн
10+320.99 грн
100+220.12 грн
500+208.02 грн
800+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.48 грн
10+333.16 грн
100+212.55 грн
500+198.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.20 грн
10+81.42 грн
100+59.38 грн
500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.36 грн
3+276.57 грн
4+256.08 грн
10+241.90 грн
50+241.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.83 грн
3+344.64 грн
4+307.30 грн
10+290.28 грн
50+289.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.18 грн
10+258.35 грн
100+204.99 грн
500+191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+397.97 грн
3+338.81 грн
4+237.17 грн
11+224.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.56 грн
3+422.21 грн
4+284.60 грн
11+269.47 грн
50+259.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.72 грн
10+255.75 грн
100+202.72 грн
500+195.91 грн
1000+192.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085_D-1809311.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.18 грн
10+254.88 грн
100+158.09 грн
500+125.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+201.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+151.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
5+117.40 грн
10+104.01 грн
13+74.85 грн
35+70.91 грн
100+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3 Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf
IGP20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.44 грн
10+96.56 грн
100+68.76 грн
500+57.49 грн
1000+48.49 грн
2500+46.52 грн
5000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.95 грн
10+137.89 грн
11+89.82 грн
29+85.10 грн
50+82.73 грн
100+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.74 грн
10+171.83 грн
11+107.79 грн
29+102.12 грн
50+99.28 грн
100+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3 Infineon_IGW20N60H3_DS_v02_02_en-3360249.pdf
IGW20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.10 грн
10+232.26 грн
25+124.81 грн
100+101.36 грн
240+100.60 грн
480+93.04 грн
1200+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
3+165.47 грн
8+124.49 грн
21+117.40 грн
30+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.03 грн
10+144.40 грн
100+90.01 грн
500+74.89 грн
1000+67.02 грн
2000+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.91 грн
10+143.53 грн
100+93.04 грн
500+78.67 грн
1000+71.48 грн
2000+63.61 грн
5000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf
IKP20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
10+236.61 грн
100+165.66 грн
500+136.16 грн
1000+118.76 грн
2500+56.28 грн
5000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf
IKP20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.57 грн
10+235.74 грн
25+110.44 грн
100+99.09 грн
500+80.18 грн
1000+69.44 грн
5000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+121.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.47 грн
8+123.71 грн
21+116.61 грн
50+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.76 грн
8+154.16 грн
21+139.94 грн
50+135.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+886.02 грн
10+596.74 грн
100+444.77 грн
480+424.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.38 грн
3+213.53 грн
5+191.47 грн
10+180.44 грн
30+174.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.26 грн
3+266.09 грн
5+229.76 грн
10+216.52 грн
30+208.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.87 грн
10+188.76 грн
100+128.59 грн
480+106.66 грн
1200+92.28 грн
2640+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.51 грн
6+167.83 грн
16+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.21 грн
6+209.14 грн
16+191.00 грн
30+184.38 грн
60+183.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.99 грн
10+325.34 грн
25+162.63 грн
100+133.13 грн
480+104.39 грн
1200+102.87 грн
2640+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]