Результат пошуку "20N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HGTG20N60A4 Код товару: 32885
Додати до обраних
Обраний товар
|
FAIR |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
|
|
||||||||||||||
![]() |
HGTG20N60A4D Код товару: 29312
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||||||
![]() |
HGTG20N60A4D Код товару: 206983
Додати до обраних
Обраний товар
|
Alfa@Omega |
![]() Корпус: PG-TO247-3 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 20 шт
19 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||
![]() |
HGTG20N60B3D Код товару: 28558
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 165 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220 |
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
||||||||||||||
![]() |
HGTP20N60A4 Код товару: 61820
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73 |
у наявності: 97 шт
92 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60T Код товару: 84958
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 166 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199 |
у наявності: 32 шт
20 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPP20N60C3 Код товару: 25463
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 650 V Idd,A: 20,7 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11 Монтаж: THT |
у наявності: 193 шт
171 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 4 шт - РАДІОМАГ-Львів 6 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5 Код товару: 32013
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79 Монтаж: THT |
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||
20N60A4D |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
20N60C3 | FAIRCHILD | TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
20N60C3 | Infineon | 09+ |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
20N60C3 | INFINION |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
20N60S5 | HARRIS | 09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
20N60S5 | SIEMENS | 2004 TO220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF20N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF20N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 637 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AOTF20N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BIDW20N60T | Bourns |
![]() |
на замовлення 7016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA20N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA20N60-F109 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA20N60F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCB20N60FTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCB20N60FTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 10586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCB20N60TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCD620N60ZF | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP20N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGB20N60SFD-F085 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG20N60A4 | Fairchaild | IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTP20N60A4 | Fairchild |
![]() ![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB20N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
HGTG20N60A4 Код товару: 32885
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 230.00 грн |
10+ | 215.00 грн |
HGTG20N60A4D Код товару: 29312
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 240.00 грн |
10+ | 220.00 грн |
HGTG20N60A4D Код товару: 206983
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 20 шт
19 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 240.00 грн |
10+ | 220.00 грн |
HGTG20N60B3D Код товару: 28558
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 28 шт
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 195.00 грн |
10+ | 184.00 грн |
HGTP20N60A4 Код товару: 61820
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 97 шт
92 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 102.00 грн |
10+ | 91.40 грн |
IKP20N60T Код товару: 84958
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 32 шт
20 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 140.00 грн |
10+ | 128.00 грн |
SPP20N60C3 Код товару: 25463
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 193 шт
171 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 125.00 грн |
10+ | 114.00 грн |
SPP20N60S5 Код товару: 32013
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
12 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 240.00 грн |
10+ | 226.00 грн |
20N60C3 |
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60C3 |
Виробник: Infineon
09+
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60C3 |
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60S5 |
Виробник: HARRIS
09+
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
20N60S5 |
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AIKB20N60CTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 296.52 грн |
10+ | 202.68 грн |
100+ | 151.28 грн |
500+ | 145.99 грн |
1000+ | 130.86 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.96 грн |
3+ | 257.66 грн |
5+ | 222.99 грн |
12+ | 211.17 грн |
250+ | 203.29 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 376.75 грн |
3+ | 321.08 грн |
5+ | 267.58 грн |
12+ | 253.40 грн |
250+ | 243.94 грн |
AIKQ120N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1117.23 грн |
10+ | 846.39 грн |
25+ | 670.19 грн |
50+ | 669.43 грн |
100+ | 658.08 грн |
240+ | 590.76 грн |
AIKW20N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 502.14 грн |
10+ | 380.14 грн |
100+ | 267.02 грн |
480+ | 209.53 грн |
1200+ | 204.23 грн |
2640+ | 198.18 грн |
AOTF20N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 176.50 грн |
5+ | 144.19 грн |
8+ | 124.49 грн |
21+ | 117.40 грн |
500+ | 113.46 грн |
AOTF20N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.80 грн |
5+ | 179.69 грн |
8+ | 149.39 грн |
21+ | 140.88 грн |
500+ | 136.16 грн |
AOTF20N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 101.00 грн |
BIDW20N60T |
![]() |
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 299.16 грн |
10+ | 263.57 грн |
100+ | 189.10 грн |
600+ | 177.76 грн |
1200+ | 129.35 грн |
FCA20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 556.85 грн |
10+ | 316.64 грн |
100+ | 230.71 грн |
450+ | 229.95 грн |
900+ | 224.66 грн |
FCA20N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 525.96 грн |
10+ | 309.68 грн |
100+ | 234.49 грн |
450+ | 233.73 грн |
FCA20N60F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 537.44 грн |
10+ | 299.24 грн |
120+ | 242.05 грн |
FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 392.88 грн |
3+ | 336.45 грн |
5+ | 202.50 грн |
13+ | 191.47 грн |
500+ | 189.10 грн |
FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 464.19 грн |
10+ | 320.99 грн |
100+ | 220.12 грн |
500+ | 208.02 грн |
800+ | 204.99 грн |
FCB20N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 8541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 454.48 грн |
10+ | 333.16 грн |
100+ | 212.55 грн |
500+ | 198.18 грн |
FCD620N60ZF |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.20 грн |
10+ | 81.42 грн |
100+ | 59.38 грн |
500+ | 55.60 грн |
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 317.36 грн |
3+ | 276.57 грн |
4+ | 256.08 грн |
10+ | 241.90 грн |
50+ | 241.11 грн |
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 380.83 грн |
3+ | 344.64 грн |
4+ | 307.30 грн |
10+ | 290.28 грн |
50+ | 289.33 грн |
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 434.18 грн |
10+ | 258.35 грн |
100+ | 204.99 грн |
500+ | 191.37 грн |
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 397.97 грн |
3+ | 338.81 грн |
4+ | 237.17 грн |
11+ | 224.56 грн |
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 477.56 грн |
3+ | 422.21 грн |
4+ | 284.60 грн |
11+ | 269.47 грн |
50+ | 259.07 грн |
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 467.72 грн |
10+ | 255.75 грн |
100+ | 202.72 грн |
500+ | 195.91 грн |
1000+ | 192.13 грн |
FGB20N60SFD-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 389.18 грн |
10+ | 254.88 грн |
100+ | 158.09 грн |
500+ | 125.57 грн |
FGH20N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 201.02 грн |
HGTG20N60A4 |
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.79 грн |
HGTP20N60A4 | ![]() |
![]() |
Виробник: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 151.59 грн |
IGB20N60H3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 153.59 грн |
5+ | 117.40 грн |
10+ | 104.01 грн |
13+ | 74.85 грн |
35+ | 70.91 грн |
100+ | 67.76 грн |
IGP20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
IGBTs IGBT 600V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.44 грн |
10+ | 96.56 грн |
100+ | 68.76 грн |
500+ | 57.49 грн |
1000+ | 48.49 грн |
2500+ | 46.52 грн |
5000+ | 44.10 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 173.95 грн |
10+ | 137.89 грн |
11+ | 89.82 грн |
29+ | 85.10 грн |
50+ | 82.73 грн |
100+ | 81.95 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.74 грн |
10+ | 171.83 грн |
11+ | 107.79 грн |
29+ | 102.12 грн |
50+ | 99.28 грн |
100+ | 98.33 грн |
IGW20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.10 грн |
10+ | 232.26 грн |
25+ | 124.81 грн |
100+ | 101.36 грн |
240+ | 100.60 грн |
480+ | 93.04 грн |
1200+ | 72.16 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.02 грн |
3+ | 165.47 грн |
8+ | 124.49 грн |
21+ | 117.40 грн |
30+ | 115.83 грн |
IKB20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.03 грн |
10+ | 144.40 грн |
100+ | 90.01 грн |
500+ | 74.89 грн |
1000+ | 67.02 грн |
2000+ | 60.89 грн |
IKB20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.91 грн |
10+ | 143.53 грн |
100+ | 93.04 грн |
500+ | 78.67 грн |
1000+ | 71.48 грн |
2000+ | 63.61 грн |
5000+ | 61.57 грн |
IKP20N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.39 грн |
10+ | 236.61 грн |
100+ | 165.66 грн |
500+ | 136.16 грн |
1000+ | 118.76 грн |
2500+ | 56.28 грн |
5000+ | 55.14 грн |
IKP20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.57 грн |
10+ | 235.74 грн |
25+ | 110.44 грн |
100+ | 99.09 грн |
500+ | 80.18 грн |
1000+ | 69.44 грн |
5000+ | 68.76 грн |
IKP20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 121.04 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.47 грн |
8+ | 123.71 грн |
21+ | 116.61 грн |
50+ | 112.67 грн |
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.76 грн |
8+ | 154.16 грн |
21+ | 139.94 грн |
50+ | 135.21 грн |
IKQ120N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 886.02 грн |
10+ | 596.74 грн |
100+ | 444.77 грн |
480+ | 424.35 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 244.38 грн |
3+ | 213.53 грн |
5+ | 191.47 грн |
10+ | 180.44 грн |
30+ | 174.13 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.26 грн |
3+ | 266.09 грн |
5+ | 229.76 грн |
10+ | 216.52 грн |
30+ | 208.96 грн |
IKW20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.87 грн |
10+ | 188.76 грн |
100+ | 128.59 грн |
480+ | 106.66 грн |
1200+ | 92.28 грн |
2640+ | 86.99 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 288.51 грн |
6+ | 167.83 грн |
16+ | 159.16 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.21 грн |
6+ | 209.14 грн |
16+ | 191.00 грн |
30+ | 184.38 грн |
60+ | 183.43 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 337.99 грн |
10+ | 325.34 грн |
25+ | 162.63 грн |
100+ | 133.13 грн |
480+ | 104.39 грн |
1200+ | 102.87 грн |
2640+ | 101.36 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]