Результат пошуку "20N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+260.00 грн
10+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 221454
Додати до обраних Обраний товар
Vbsemi hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується 25.07.2026
1+240.00 грн
10+218.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 165 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/220
у наявності: 16 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 7 шт
  • 7 шт - очікується
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820
1 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 21 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 166 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/199
у наявності: 61 шт
  • 50 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
5 Додати до обраних Обраний товар
Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 20,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
  • 56 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 8 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.49 грн
10+209.61 грн
25+192.88 грн
100+163.68 грн
250+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.51 грн
3+257.03 грн
10+230.50 грн
50+214.74 грн
250+213.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
5+140.95 грн
25+126.03 грн
100+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA&OMEGA info-taotf20n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.49 грн
30+294.70 грн
120+247.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-D.PDF MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi FCA20N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F onsemi FCA20N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.06 грн
30+291.37 грн
120+244.78 грн
510+199.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI FCB20N60F-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+382.16 грн
3+315.07 грн
10+263.66 грн
25+228.01 грн
50+206.45 грн
100+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.39 грн
10+320.79 грн
100+233.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 9210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.82 грн
10+324.60 грн
100+235.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.20 грн
5000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.23 грн
10+130.44 грн
100+89.90 грн
500+68.11 грн
1000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH20N60 FCH20N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.98 грн
3+332.48 грн
10+258.69 грн
50+244.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.10 грн
50+233.65 грн
100+213.96 грн
500+168.43 грн
1000+166.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+380.37 грн
3+329.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.58 грн
10+225.06 грн
100+160.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU ON-Semiconductor info-tfgh20n60sfdtu.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+219.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60B3S HGT1S20N60B3S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+232.97 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3R HGT1S20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+150.10 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Harris Corporation ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+263.53 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3-FS HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 42154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+263.53 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3R HGTG20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+189.50 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Fairchild info-thgtp20n60a4.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.51 грн
10+239.08 грн
100+170.75 грн
500+144.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.00 грн
10+249.68 грн
100+178.76 грн
500+152.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.15 грн
2000+132.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T IKP20N60T Infineon info-tikp20n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
10+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7 Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.02 грн
30+519.71 грн
120+444.63 грн
510+375.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.44 грн
4+160.85 грн
10+139.29 грн
30+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар
HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Alfa@Omega
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+260.00 грн
10+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 221454
Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Vbsemi
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+218.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
1 Додати до обраних Обраний товар
hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 165 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/220
у наявності: 16 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 7 шт
  • 7 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
1 Додати до обраних Обраний товар
description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 70 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 15/73
у наявності: 21 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T
Код товару: 84958
Додати до обраних Обраний товар
ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 40 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 20 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 166 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 18/199
у наявності: 61 шт
  • 50 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+140.00 грн
10+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3
Код товару: 25463
5 Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 20,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
  • 56 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5
Код товару: 32013
1 Додати до обраних Обраний товар
description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 8 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
10+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+177.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.49 грн
10+209.61 грн
25+192.88 грн
100+163.68 грн
250+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.51 грн
3+257.03 грн
10+230.50 грн
50+214.74 грн
250+213.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.33 грн
5+140.95 грн
25+126.03 грн
100+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF20N60 info-taotf20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+528.49 грн
30+294.70 грн
120+247.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
FCA20N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH FRFET
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
FCA20N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.06 грн
30+291.37 грн
120+244.78 грн
510+199.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+382.16 грн
3+315.07 грн
10+263.66 грн
25+228.01 грн
50+206.45 грн
100+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+187.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.39 грн
10+320.79 грн
100+233.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH FRFET
на замовлення 9210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.82 грн
10+324.60 грн
100+235.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.20 грн
5000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.23 грн
10+130.44 грн
100+89.90 грн
500+68.11 грн
1000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH20N60 FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH20N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.98 грн
3+332.48 грн
10+258.69 грн
50+244.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60-D.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60-D.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+454.10 грн
50+233.65 грн
100+213.96 грн
500+168.43 грн
1000+166.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+380.37 грн
3+329.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60-D.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+352.58 грн
10+225.06 грн
100+160.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU info-tfgh20n60sfdtu.pdf
FGH20N60SFDTU
Виробник: ON-Semiconductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+219.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60B3S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60B3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+232.97 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+150.10 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3 ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+263.53 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3-FS ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60B3-FS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 42154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+263.53 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+189.50 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4 description info-thgtp20n60a4.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.51 грн
10+239.08 грн
100+170.75 грн
500+144.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12
IKB20N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.00 грн
10+249.68 грн
100+178.76 грн
500+152.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12
IKB20N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+144.15 грн
2000+132.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T info-tikp20n60t.pdf
IKP20N60T
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+112.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
10+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd
IKP20N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+895.02 грн
30+519.71 грн
120+444.63 грн
510+375.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.44 грн
4+160.85 грн
10+139.29 грн
30+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]