Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+734.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2669.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+215.90 грн
10+160.55 грн
50+136.65 грн
100+122.68 грн
500+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 Infineon IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+208.19 грн
10+139.64 грн
30+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+251.35 грн
4+206.12 грн
10+166.57 грн
20+152.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+294.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1114.96 грн
3+975.70 грн
10+829.85 грн
30+745.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+893.68 грн
3+800.65 грн
10+641.34 грн
30+595.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+552.11 грн
3+479.56 грн
10+407.94 грн
30+366.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+566.07 грн
5+502.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+205.16 грн
3+157.44 грн
10+113.71 грн
30+102.73 грн
120+94.75 грн
300+90.76 грн
900+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CT Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 ONN fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTU ON Semiconductor fgh30n60lsd-d.pdf
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60A4D FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60B3D FSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60C3 FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60C3D harris TO-3P 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FSC 06+ TO-3P
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP30N60C3D FAIRCHILD TO-220
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 Infineon IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TP Infineon technologies INFN-S-A0002837998-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N60T INFNS30094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTP Infineon INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3 IXYS/Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n60c3-datasheet?assetguid=1c2e09fe-9002-469e-a60b-7957698727f8 Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60 IXYS MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1 IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGW30N60 MOTOS02348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGY30N60D ROCELEC_mgy30n60d.rev0.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTAJ30N60ELK
на замовлення 11167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTP30N60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWG ON Semiconductor NGTB30N60FLW-D.PDF
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWG ON Semiconductor NGTB30N60FWG.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWG ON Semiconductor NGTB30N60SWG.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWG ON Semiconductor ngtg30n60fw.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB30N60 INFINEON
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60RUF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60RUFD FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL30N60RUFD
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP30N60 INFINEON INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP30N60HS INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60 XI.M.Z INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60 INF INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-247 10+PBF
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60 INFINEON INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MODULE
на замовлення 200087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI30N60B3 IXYS 09+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKW30N60 FAIRCHILD 04+ TO247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2669.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.90 грн
10+160.55 грн
50+136.65 грн
100+122.68 грн
500+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.19 грн
10+139.64 грн
30+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.35 грн
4+206.12 грн
10+166.57 грн
20+152.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+294.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1114.96 грн
3+975.70 грн
10+829.85 грн
30+745.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+893.68 грн
3+800.65 грн
10+641.34 грн
30+595.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.11 грн
3+479.56 грн
10+407.94 грн
30+366.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.07 грн
5+502.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.16 грн
3+157.44 грн
10+113.71 грн
30+102.73 грн
120+94.75 грн
300+90.76 грн
900+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CT
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONN
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTU fgh30n60lsd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60A4D
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60B3D
Виробник: FSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60C3
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G30N60C3D
Виробник: harris
TO-3P 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSC 06+ TO-3P
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP30N60C3D
Виробник: FAIRCHILD
TO-220
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TP INFN-S-A0002837998-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N60T INFNS30094-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTP INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n60c3-datasheet?assetguid=1c2e09fe-9002-469e-a60b-7957698727f8
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH30N60
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGW30N60 MOTOS02348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGY30N60D ROCELEC_mgy30n60d.rev0.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTAJ30N60ELK
на замовлення 11167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTP30N60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWG NGTB30N60FLW-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWG NGTB30N60FWG.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWG NGTB30N60SWG.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWG ngtg30n60fw.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB30N60
Виробник: INFINEON
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60RUF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH30N60RUFD
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL30N60RUFD
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP30N60 description INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP30N60HS
Виробник: INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60 INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: XI.M.Z
2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60 INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
TO-247 10+PBF
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW30N60 INFNS14175-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 200087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI30N60B3
Виробник: IXYS
09+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKW30N60
Виробник: FAIRCHILD
04+ TO247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]