Результат пошуку "30n60" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар
FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/150
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар
ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 24/180
у наявності: 19 шт
  • 4 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+194.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.96 грн
30+310.97 грн
120+261.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies infineon_aikw30n60ct_ds_en.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Turn-on time: 30ns
Turn-off switching energy: 0.45mJ
Turn-on switching energy: 1.85mJ
Gate charge: 76nC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+222.98 грн
350+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Inc. BIDW30N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.49 грн
30+208.14 грн
120+172.23 грн
510+136.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CT15Z-30N600-4 CT15Z-30N600-4 Challenge Electronics CT15Z-30N600-4.pdf Description: BUZZER ELEMENT 6KHZ 15MM
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.591" Dia (15.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Capacitance @ Frequency: 14000pF @ 100Hz
Voltage - Input (Max): 30V p-p
Termination: None
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.76 грн
10+70.32 грн
25+63.27 грн
50+54.88 грн
100+50.81 грн
250+45.98 грн
500+42.01 грн
1000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2328.88 грн
2+2045.04 грн
3+1966.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH130N60 FCH130N60 Fairchild Semiconductor FAIRS47137-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+183.42 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+239.30 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi FCP130N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.21 грн
10+298.23 грн
50+236.45 грн
100+203.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+206.42 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor FAIRS15402-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1474.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60B3S Harris Corporation Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+358.29 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60C3S Harris Corporation Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+383.92 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 Harris Corporation FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+265.23 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3 HGTG30N60C3 Harris Corporation HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+557.05 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGA30N60H3.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.40 грн
10+140.50 грн
25+115.85 грн
50+100.24 грн
100+87.91 грн
200+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.83 грн
2000+60.77 грн
3000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.50 грн
10+126.89 грн
100+87.54 грн
500+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Infineon info-tigp30n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.16 грн
9+110.10 грн
24+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.11 грн
30+156.10 грн
120+128.14 грн
510+101.00 грн
1020+93.97 грн
2010+88.18 грн
5010+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.61 грн
10+133.93 грн
30+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.68 грн
30+145.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon info-tigw30n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies infineon_igw30n60tp_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbb9952d7cae Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.23 грн
30+93.27 грн
120+75.20 грн
510+58.11 грн
1020+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon info-tikw30n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+140.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw30n60h3_datasheet_en.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0001300131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+345.08 грн
30+281.00 грн
50+272.78 грн
100+267.03 грн
200+237.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 0.3µs
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Kind of package: tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+334.47 грн
3+291.68 грн
10+248.95 грн
30+194.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.86 грн
30+186.32 грн
120+153.60 грн
510+121.62 грн
1020+113.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw30n60t_datasheet_en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon info-tikw30n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+142.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS 99316.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+891.54 грн
30+518.22 грн
60+477.72 грн
120+416.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+835.28 грн
3+703.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3 IXYS/Littelfuse IXGA-GP-GH30N60C3_IXYS.pdf Транзистор IGBT без зворотного діоду, Uceb, В = 600, Ic, А = 60, Pmax, Вт = 220, Uce(on), В = 3, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 26, td(off), нс = 42,... Транзистори Корпус: TO-247AD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
30+138.56 грн
120+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n60c3d1-datasheet?assetguid=a96721d6-ae1c-4f3a-b849-92678fa8ad20 Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.75 грн
30+470.10 грн
120+401.25 грн
510+335.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1626.43 грн
30+994.56 грн
60+926.65 грн
120+816.07 грн
510+802.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+828.20 грн
2+539.81 грн
3+538.99 грн
5+510.23 грн
60+492.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n60p-datasheet?assetguid=d66c982f-8d20-456b-b7b1-9481824597ab Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.20 грн
30+528.45 грн
60+487.09 грн
120+424.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1535.05 грн
30+935.94 грн
60+871.53 грн
120+767.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар
HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 25/150
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар
description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 75 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 60 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 463 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 24/180
у наявності: 19 шт
  • 4 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар
INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+194.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+555.96 грн
30+310.97 грн
120+261.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 infineon_aikw30n60ct_ds_en.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Turn-on time: 30ns
Turn-off switching energy: 0.45mJ
Turn-on switching energy: 1.85mJ
Gate charge: 76nC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+222.98 грн
350+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.49 грн
30+208.14 грн
120+172.23 грн
510+136.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CT15Z-30N600-4 CT15Z-30N600-4.pdf
CT15Z-30N600-4
Виробник: Challenge Electronics
Description: BUZZER ELEMENT 6KHZ 15MM
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.591" Dia (15.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Capacitance @ Frequency: 14000pF @ 100Hz
Voltage - Input (Max): 30V p-p
Termination: None
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.76 грн
10+70.32 грн
25+63.27 грн
50+54.88 грн
100+50.81 грн
250+45.98 грн
500+42.01 грн
1000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2328.88 грн
2+2045.04 грн
3+1966.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH130N60 FAIRS47137-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH130N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+183.42 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+239.30 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.21 грн
10+298.23 грн
50+236.45 грн
100+203.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTU FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGA30N60LSDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+206.42 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1N30N60A4D description FAIRS15402-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1474.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60B3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+358.29 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60C3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+383.92 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+265.23 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60C3D
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+557.05 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3.pdf
IGA30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.40 грн
10+140.50 грн
25+115.85 грн
50+100.24 грн
100+87.91 грн
200+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.83 грн
2000+60.77 грн
3000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.50 грн
10+126.89 грн
100+87.54 грн
500+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 info-tigp30n60h3.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.16 грн
9+110.10 грн
24+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.11 грн
30+156.10 грн
120+128.14 грн
510+101.00 грн
1020+93.97 грн
2010+88.18 грн
5010+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.61 грн
10+133.93 грн
30+132.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.68 грн
30+145.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 info-tigw30n60t.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 infineon_igw30n60tp_datasheet_en.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbb9952d7cae
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.23 грн
30+93.27 грн
120+75.20 грн
510+58.11 грн
1020+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 info-tikw30n60h3.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+140.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 infineon_ikw30n60h3_datasheet_en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T INFN-S-A0001300131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+345.08 грн
30+281.00 грн
50+272.78 грн
100+267.03 грн
200+237.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 0.3µs
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Kind of package: tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+334.47 грн
3+291.68 грн
10+248.95 грн
30+194.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.86 грн
30+186.32 грн
120+153.60 грн
510+121.62 грн
1020+113.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 infineon_ikw30n60t_datasheet_en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 info-tikw30n60t.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+142.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P 99316.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+891.54 грн
30+518.22 грн
60+477.72 грн
120+416.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+835.28 грн
3+703.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3 IXGA-GP-GH30N60C3_IXYS.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT без зворотного діоду, Uceb, В = 600, Ic, А = 60, Pmax, Вт = 220, Uce(on), В = 3, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 26, td(off), нс = 42,... Транзистори Корпус: TO-247AD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+138.56 грн
120+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n60c3d1-datasheet?assetguid=a96721d6-ae1c-4f3a-b849-92678fa8ad20
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+814.75 грн
30+470.10 грн
120+401.25 грн
510+335.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1626.43 грн
30+994.56 грн
60+926.65 грн
120+816.07 грн
510+802.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+828.20 грн
2+539.81 грн
3+538.99 грн
5+510.23 грн
60+492.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n60p-datasheet?assetguid=d66c982f-8d20-456b-b7b1-9481824597ab
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+909.20 грн
30+528.45 грн
60+487.09 грн
120+424.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1535.05 грн
30+935.94 грн
60+871.53 грн
120+767.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.