Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 9 шт
1+540 грн
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 5 шт
1+220 грн
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f Description: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.95 грн
10+ 370.47 грн
30+ 350.25 грн
120+ 284.86 грн
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.67 грн
10+ 397.61 грн
25+ 326.22 грн
100+ 281.29 грн
240+ 256.55 грн
480+ 243.52 грн
1200+ 210.32 грн
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.71 грн
3+ 489.03 грн
5+ 478.17 грн
10+ 466.64 грн
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+651.26 грн
3+ 609.4 грн
5+ 573.81 грн
10+ 559.97 грн
APT30N60BC6 Microchip Technology APT30N60B_SC6_A-1593879.pdf MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.06 грн
100+ 339.21 грн
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.12 грн
10+ 219.4 грн
25+ 189.48 грн
100+ 154.32 грн
250+ 137.39 грн
600+ 129.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Inc. BIDNW30N60H3.pdf Description: IGBT 600V 60A TRENCH TO-247N-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.7 грн
30+ 185.98 грн
120+ 159.4 грн
510+ 132.98 грн
1020+ 113.86 грн
2010+ 107.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.23 грн
10+ 243.36 грн
25+ 204.45 грн
100+ 170.6 грн
250+ 151.71 грн
600+ 130.23 грн
1200+ 125.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Inc. BIDW30N60T.pdf Description: IGBT 600V 60A TRENCH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.77 грн
30+ 205.9 грн
120+ 176.49 грн
510+ 147.22 грн
1020+ 126.06 грн
2010+ 118.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1952.45 грн
2+ 1714.64 грн
3+ 1713.97 грн
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2342.94 грн
2+ 2136.71 грн
3+ 2056.76 грн
FCH130N60 FCH130N60 Fairchild Semiconductor FAIRS47137-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+167.15 грн
Мінімальне замовлення: 144
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60_D-2312110.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.31 грн
10+ 328.72 грн
50+ 242.22 грн
100+ 204.45 грн
250+ 187.53 грн
500+ 176.46 грн
1000+ 162.78 грн
FCP130N60 FCP130N60 ON Semiconductor 3650094738295768fcp130n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCP130N60 FCP130N60 onsemi fcp130n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 10136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.65 грн
10+ 281.95 грн
100+ 228.11 грн
800+ 190.29 грн
1600+ 162.93 грн
2400+ 153.42 грн
FCP130N60 FCP130N60 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+187.97 грн
Мінімальне замовлення: 127
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+188.62 грн
Мінімальне замовлення: 104
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor FAIRS15402-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1284.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
HGT4E30N60B3S Harris Corporation Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+312.19 грн
Мінімальне замовлення: 63
HGT4E30N60C3S Harris Corporation Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+334.3 грн
Мінімальне замовлення: 59
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 Harris Corporation FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600 V, NPT IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+205.52 грн
Мінімальне замовлення: 95
HGTG30N60B3D ON-Semicoductor hgtg30n60b3d-d.pdf 60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTG30N60B3_NL HGTG30N60B3_NL Fairchild Semiconductor FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+392.83 грн
Мінімальне замовлення: 51
HGTG30N60C3 HGTG30N60C3 Harris Corporation HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+157.39 грн
Мінімальне замовлення: 124
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+452.67 грн
Мінімальне замовлення: 44
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGA30N60H3.pdf Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+115.77 грн
Мінімальне замовлення: 169
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.95 грн
10+ 159.49 грн
25+ 130.88 грн
100+ 111.99 грн
250+ 106.13 грн
500+ 99.62 грн
1000+ 85.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.5 грн
10+ 143.72 грн
100+ 116.27 грн
500+ 97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.31 грн
10+ 166.98 грн
25+ 136.74 грн
100+ 117.2 грн
250+ 110.69 грн
500+ 104.18 грн
1000+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 Infineon Technologies IGB30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4280cd93d4a Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 Infineon Technologies IGB30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4280cd93d4a Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.95 грн
10+ 150.44 грн
100+ 121.71 грн
500+ 101.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.23 грн
10+ 161.74 грн
25+ 132.83 грн
100+ 113.95 грн
250+ 111.34 грн
500+ 97.02 грн
1000+ 81.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
3+ 189.23 грн
7+ 124.12 грн
18+ 117.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6 Description: IGBT 600V 60A 187W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.61 грн
50+ 136.87 грн
100+ 117.33 грн
500+ 97.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.46 грн
10+ 176.72 грн
25+ 143.25 грн
100+ 125.02 грн
240+ 110.69 грн
480+ 94.41 грн
1200+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.51 грн
30+ 149.92 грн
120+ 128.51 грн
510+ 107.2 грн
1020+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.66 грн
10+ 189.45 грн
25+ 145.85 грн
100+ 125.67 грн
240+ 120.46 грн
480+ 111.99 грн
1200+ 90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.83 грн
3+ 247.57 грн
5+ 179.74 грн
13+ 170.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+354.99 грн
3+ 308.5 грн
5+ 215.69 грн
13+ 204.29 грн
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.33 грн
30+ 152.22 грн
120+ 130.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+132.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbb9952d7cae Description: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.41 грн
30+ 126.22 грн
120+ 103.85 грн
510+ 82.46 грн
1020+ 69.97 грн
2010+ 66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177 грн
10+ 129.54 грн
100+ 100.27 грн
240+ 97.67 грн
480+ 72.28 грн
1200+ 68.37 грн
2640+ 66.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies 12671infineon-ikw30n60dtp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 187-196 дні (днів)
2+180.04 грн
10+ 156.5 грн
100+ 110.04 грн
240+ 109.39 грн
480+ 83.34 грн
1200+ 78.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.29 грн
10+ 198.43 грн
25+ 162.78 грн
100+ 139.34 грн
240+ 130.23 грн
480+ 124.37 грн
1200+ 106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
5+ 166.85 грн
13+ 158.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+329.57 грн
5+ 207.92 грн
13+ 189.64 грн
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+540 грн
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 5 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+220 грн
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.95 грн
10+ 370.47 грн
30+ 350.25 грн
120+ 284.86 грн
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+465.67 грн
10+ 397.61 грн
25+ 326.22 грн
100+ 281.29 грн
240+ 256.55 грн
480+ 243.52 грн
1200+ 210.32 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+542.71 грн
3+ 489.03 грн
5+ 478.17 грн
10+ 466.64 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+651.26 грн
3+ 609.4 грн
5+ 573.81 грн
10+ 559.97 грн
APT30N60BC6 APT30N60B_SC6_A-1593879.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.06 грн
100+ 339.21 грн
BIDNW30N60H3 Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.12 грн
10+ 219.4 грн
25+ 189.48 грн
100+ 154.32 грн
250+ 137.39 грн
600+ 129.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT 600V 60A TRENCH TO-247N-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.7 грн
30+ 185.98 грн
120+ 159.4 грн
510+ 132.98 грн
1020+ 113.86 грн
2010+ 107.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.23 грн
10+ 243.36 грн
25+ 204.45 грн
100+ 170.6 грн
250+ 151.71 грн
600+ 130.23 грн
1200+ 125.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT 600V 60A TRENCH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.77 грн
30+ 205.9 грн
120+ 176.49 грн
510+ 147.22 грн
1020+ 126.06 грн
2010+ 118.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1952.45 грн
2+ 1714.64 грн
3+ 1713.97 грн
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2342.94 грн
2+ 2136.71 грн
3+ 2056.76 грн
FCH130N60 FAIRS47137-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH130N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+167.15 грн
Мінімальне замовлення: 144
FCP130N60 FCP130N60_D-2312110.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.31 грн
10+ 328.72 грн
50+ 242.22 грн
100+ 204.45 грн
250+ 187.53 грн
500+ 176.46 грн
1000+ 162.78 грн
FCP130N60 3650094738295768fcp130n60.pdf
FCP130N60
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+178.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCP130N60 fcp130n60-d.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 10136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.65 грн
10+ 281.95 грн
100+ 228.11 грн
800+ 190.29 грн
1600+ 162.93 грн
2400+ 153.42 грн
FCP130N60 ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+187.97 грн
Мінімальне замовлення: 127
FGA30N60LSDTU FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGA30N60LSDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
104+188.62 грн
Мінімальне замовлення: 104
HGT1N30N60A4D description FAIRS15402-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+1284.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
HGT4E30N60B3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+312.19 грн
Мінімальне замовлення: 63
HGT4E30N60C3S
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+334.3 грн
Мінімальне замовлення: 59
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: 600 V, NPT IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+205.52 грн
Мінімальне замовлення: 95
HGTG30N60B3D hgtg30n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTG30N60B3_NL FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60B3_NL
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+392.83 грн
Мінімальне замовлення: 51
HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+157.39 грн
Мінімальне замовлення: 124
HGTG30N60C3D FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60C3D
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+452.67 грн
Мінімальне замовлення: 44
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3.pdf
IGA30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+115.77 грн
Мінімальне замовлення: 169
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.95 грн
10+ 159.49 грн
25+ 130.88 грн
100+ 111.99 грн
250+ 106.13 грн
500+ 99.62 грн
1000+ 85.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.5 грн
10+ 143.72 грн
100+ 116.27 грн
500+ 97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+91.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf
IGB30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.31 грн
10+ 166.98 грн
25+ 136.74 грн
100+ 117.2 грн
250+ 110.69 грн
500+ 104.18 грн
1000+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4280cd93d4a
IGB30N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+96.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4280cd93d4a
IGB30N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.95 грн
10+ 150.44 грн
100+ 121.71 грн
500+ 101.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf
IGP30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.23 грн
10+ 161.74 грн
25+ 132.83 грн
100+ 113.95 грн
250+ 111.34 грн
500+ 97.02 грн
1000+ 81.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.23 грн
3+ 189.23 грн
7+ 124.12 грн
18+ 117.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3XKSA1 infineon-igp30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.61 грн
50+ 136.87 грн
100+ 117.33 грн
500+ 97.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3 Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.46 грн
10+ 176.72 грн
25+ 143.25 грн
100+ 125.02 грн
240+ 110.69 грн
480+ 94.41 грн
1200+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3FKSA1 infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60H3FKSA1 INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.51 грн
30+ 149.92 грн
120+ 128.51 грн
510+ 107.2 грн
1020+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.66 грн
10+ 189.45 грн
25+ 145.85 грн
100+ 125.67 грн
240+ 120.46 грн
480+ 111.99 грн
1200+ 90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+295.83 грн
3+ 247.57 грн
5+ 179.74 грн
13+ 170.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+354.99 грн
3+ 308.5 грн
5+ 215.69 грн
13+ 204.29 грн
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.33 грн
30+ 152.22 грн
120+ 130.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+132.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW30N60TPXKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbb9952d7cae
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.41 грн
30+ 126.22 грн
120+ 103.85 грн
510+ 82.46 грн
1020+ 69.97 грн
2010+ 66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TPXKSA1 Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177 грн
10+ 129.54 грн
100+ 100.27 грн
240+ 97.67 грн
480+ 72.28 грн
1200+ 68.37 грн
2640+ 66.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1 12671infineon-ikw30n60dtp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 187-196 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.04 грн
10+ 156.5 грн
100+ 110.04 грн
240+ 109.39 грн
480+ 83.34 грн
1200+ 78.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.29 грн
10+ 198.43 грн
25+ 162.78 грн
100+ 139.34 грн
240+ 130.23 грн
480+ 124.37 грн
1200+ 106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+274.64 грн
5+ 166.85 грн
13+ 158.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.57 грн
5+ 207.92 грн
13+ 189.64 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]