Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 18 шт
17 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.34 грн
10+308.57 грн
100+234.97 грн
480+228.15 грн
1200+222.09 грн
2640+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+691.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+195.57 грн
200+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.47 грн
10+166.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+216.82 грн
150+177.65 грн
300+174.49 грн
600+171.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.17 грн
10+183.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2226.07 грн
2+2020.48 грн
3+1942.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2671.28 грн
2+2517.83 грн
3+2330.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.62 грн
10+317.29 грн
100+197.83 грн
500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGB30N60H3-DS-v02_03-en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.08 грн
10+142.08 грн
100+90.96 грн
500+75.65 грн
1000+70.42 грн
5000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon-IGB30N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.54 грн
10+139.47 грн
100+83.38 грн
500+69.13 грн
1000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGP30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.73 грн
10+142.08 грн
100+90.96 грн
500+76.56 грн
1000+65.19 грн
2500+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+138.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.26 грн
10+98.69 грн
26+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.31 грн
10+122.99 грн
26+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.95 грн
10+156.03 грн
100+100.05 грн
480+83.38 грн
1200+71.70 грн
2640+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.69 грн
3+175.28 грн
7+142.12 грн
18+134.22 грн
30+129.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.43 грн
7+170.54 грн
18+161.07 грн
30+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon-IGW30N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.49 грн
10+158.64 грн
100+100.81 грн
480+84.89 грн
1200+72.39 грн
2640+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.09 грн
3+217.13 грн
7+139.75 грн
19+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.11 грн
3+270.58 грн
7+167.70 грн
19+159.18 грн
120+156.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+153.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.10 грн
10+86.99 грн
100+62.15 грн
480+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.50 грн
10+120.29 грн
100+84.14 грн
480+64.20 грн
1200+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.22 грн
10+165.62 грн
100+109.91 грн
480+92.47 грн
1200+78.83 грн
2640+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+211.72 грн
7+132.65 грн
20+125.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.07 грн
7+165.30 грн
20+150.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.87 грн
10+165.62 грн
100+109.91 грн
480+90.20 грн
1200+78.83 грн
2640+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon-IKW30N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.96 грн
10+211.82 грн
100+137.95 грн
480+123.55 грн
1200+104.60 грн
2640+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-30N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.74 грн
10+553.51 грн
510+472.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.68 грн
2+590.59 грн
3+589.80 грн
5+557.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+963.21 грн
2+735.97 грн
3+707.76 грн
5+668.91 грн
30+643.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-30N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+785.26 грн
10+605.81 грн
120+438.87 грн
510+391.12 грн
1020+371.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1567.87 грн
10+1235.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.56 грн
2+518.74 грн
3+517.95 грн
5+490.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.31 грн
10+508.19 грн
120+426.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.40 грн
10+1073.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.51 грн
10+634.58 грн
120+444.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.86 грн
3+385.30 грн
4+307.14 грн
9+290.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3-Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.04 грн
10+329.49 грн
120+231.18 грн
510+212.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.86 грн
3+423.20 грн
5+399.52 грн
10+394.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+553.03 грн
3+527.38 грн
5+479.42 грн
10+473.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.73 грн
10+339.95 грн
510+284.24 грн
1020+278.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.73 грн
10+377.43 грн
120+281.97 грн
510+266.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.10 грн
10+272.83 грн
100+234.97 грн
500+186.46 грн
1000+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb30n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.10 грн
10+339.95 грн
100+217.54 грн
500+212.23 грн
800+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.76 грн
10+342.57 грн
100+219.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.13 грн
10+355.64 грн
100+263.02 грн
500+242.55 грн
1000+219.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.18 грн
10+362.62 грн
100+253.92 грн
500+225.88 грн
1000+193.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW30N60E-GE3 SIHW30N60E-GE3 Vishay / Siliconix SiHW30N60E.pdf MOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.05 грн
10+355.64 грн
100+254.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.01 грн
4+130.28 грн
10+97.91 грн
14+71.06 грн
36+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 18 шт
17 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.34 грн
10+308.57 грн
100+234.97 грн
480+228.15 грн
1200+222.09 грн
2640+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+195.57 грн
200+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.47 грн
10+166.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+216.82 грн
150+177.65 грн
300+174.49 грн
600+171.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.17 грн
10+183.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2226.07 грн
2+2020.48 грн
3+1942.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2671.28 грн
2+2517.83 грн
3+2330.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.62 грн
10+317.29 грн
100+197.83 грн
500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 Infineon-IGB30N60H3-DS-v02_03-en.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.08 грн
10+142.08 грн
100+90.96 грн
500+75.65 грн
1000+70.42 грн
5000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60T Infineon-IGB30N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf
IGB30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.54 грн
10+139.47 грн
100+83.38 грн
500+69.13 грн
1000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon-IGP30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGP30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.73 грн
10+142.08 грн
100+90.96 грн
500+76.56 грн
1000+65.19 грн
2500+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+138.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.26 грн
10+98.69 грн
26+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.31 грн
10+122.99 грн
26+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.95 грн
10+156.03 грн
100+100.05 грн
480+83.38 грн
1200+71.70 грн
2640+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.69 грн
3+175.28 грн
7+142.12 грн
18+134.22 грн
30+129.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.43 грн
7+170.54 грн
18+161.07 грн
30+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T Infineon-IGW30N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.49 грн
10+158.64 грн
100+100.81 грн
480+84.89 грн
1200+72.39 грн
2640+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.09 грн
3+217.13 грн
7+139.75 грн
19+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.11 грн
3+270.58 грн
7+167.70 грн
19+159.18 грн
120+156.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.10 грн
10+86.99 грн
100+62.15 грн
480+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon-IKW30N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.50 грн
10+120.29 грн
100+84.14 грн
480+64.20 грн
1200+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.22 грн
10+165.62 грн
100+109.91 грн
480+92.47 грн
1200+78.83 грн
2640+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.72 грн
7+132.65 грн
20+125.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.07 грн
7+165.30 грн
20+150.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.87 грн
10+165.62 грн
100+109.91 грн
480+90.20 грн
1200+78.83 грн
2640+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T Infineon-IKW30N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.96 грн
10+211.82 грн
100+137.95 грн
480+123.55 грн
1200+104.60 грн
2640+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-30N60P-Datasheet.PDF
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.74 грн
10+553.51 грн
510+472.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.68 грн
2+590.59 грн
3+589.80 грн
5+557.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.21 грн
2+735.97 грн
3+707.76 грн
5+668.91 грн
30+643.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-30N60C3D1-Datasheet.PDF
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+785.26 грн
10+605.81 грн
120+438.87 грн
510+391.12 грн
1020+371.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1567.87 грн
10+1235.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+763.56 грн
2+518.74 грн
3+517.95 грн
5+490.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.31 грн
10+508.19 грн
120+426.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1487.40 грн
10+1073.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.51 грн
10+634.58 грн
120+444.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.86 грн
3+385.30 грн
4+307.14 грн
9+290.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3-Datasheet.PDF
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.04 грн
10+329.49 грн
120+231.18 грн
510+212.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.86 грн
3+423.20 грн
5+399.52 грн
10+394.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.03 грн
3+527.38 грн
5+479.42 грн
10+473.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3D1-Datasheet.PDF
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.73 грн
10+339.95 грн
510+284.24 грн
1020+278.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60C3D1-Datasheet.PDF
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.73 грн
10+377.43 грн
120+281.97 грн
510+266.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.10 грн
10+272.83 грн
100+234.97 грн
500+186.46 грн
1000+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.10 грн
10+339.95 грн
100+217.54 грн
500+212.23 грн
800+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.76 грн
10+342.57 грн
100+219.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 sihg30n60e.pdf
SIHG30N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.13 грн
10+355.64 грн
100+263.02 грн
500+242.55 грн
1000+219.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.18 грн
10+362.62 грн
100+253.92 грн
500+225.88 грн
1000+193.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW30N60E-GE3 SiHW30N60E.pdf
SIHW30N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.05 грн
10+355.64 грн
100+254.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.01 грн
4+130.28 грн
10+97.91 грн
14+71.06 грн
36+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]