Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 8 шт
7 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.42 грн
10+307.94 грн
100+234.49 грн
480+227.68 грн
1200+221.63 грн
2640+216.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+691.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+195.17 грн
200+159.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.87 грн
10+166.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+216.38 грн
150+177.29 грн
300+174.13 грн
600+170.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.62 грн
10+183.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2250.35 грн
2+2016.33 грн
3+1938.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2700.41 грн
2+2512.66 грн
3+2325.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.71 грн
10+316.64 грн
100+197.43 грн
500+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGB30N60H3-DS-v02_03-en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.62 грн
10+141.79 грн
100+90.77 грн
500+75.49 грн
1000+70.27 грн
5000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon-IGB30N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.09 грн
10+139.18 грн
100+83.21 грн
500+68.99 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.86 грн
10+159.19 грн
100+105.90 грн
500+88.50 грн
1000+76.40 грн
2500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.89 грн
10+98.49 грн
26+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.87 грн
10+122.74 грн
26+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 Infineon IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.27 грн
10+123.52 грн
100+90.01 грн
480+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.17 грн
3+174.92 грн
7+141.83 грн
18+133.95 грн
30+129.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.98 грн
7+170.19 грн
18+160.74 грн
30+155.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon-IGW30N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.46 грн
10+196.59 грн
100+125.57 грн
480+111.95 грн
1200+95.31 грн
2640+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.56 грн
3+216.68 грн
7+139.46 грн
19+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+305.48 грн
3+270.02 грн
7+167.36 грн
19+158.85 грн
120+156.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.26 грн
10+86.03 грн
100+62.03 грн
480+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.03 грн
10+120.04 грн
100+86.23 грн
480+65.73 грн
1200+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.69 грн
10+165.28 грн
100+109.68 грн
480+92.28 грн
1200+78.67 грн
2640+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.47 грн
4+157.59 грн
7+132.37 грн
20+122.92 грн
30+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.76 грн
4+196.38 грн
7+158.85 грн
20+147.50 грн
30+144.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.33 грн
10+138.31 грн
100+98.33 грн
480+74.81 грн
1200+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.29 грн
10+211.38 грн
100+137.67 грн
480+123.30 грн
1200+104.39 грн
2640+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+266.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.77 грн
10+552.37 грн
510+471.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.03 грн
2+589.38 грн
3+588.59 грн
5+556.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+961.23 грн
2+734.45 грн
3+706.31 грн
5+667.54 грн
30+642.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_30N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+783.65 грн
10+604.57 грн
120+437.97 грн
510+390.31 грн
1020+370.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1564.65 грн
10+1243.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.99 грн
2+517.67 грн
3+516.89 грн
5+489.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+859.54 грн
10+489.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.88 грн
10+1070.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.78 грн
10+633.27 грн
120+443.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1644.08 грн
10+1150.85 грн
120+979.56 грн
510+959.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.91 грн
3+384.51 грн
4+306.51 грн
9+289.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3_Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.13 грн
10+328.82 грн
120+230.71 грн
510+212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.91 грн
3+422.33 грн
5+398.70 грн
10+393.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+551.89 грн
3+526.29 грн
5+478.43 грн
10+472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.14 грн
10+333.16 грн
510+278.36 грн
1020+264.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.61 грн
10+376.66 грн
120+288.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.54 грн
10+272.27 грн
100+234.49 грн
500+188.35 грн
2000+183.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb30n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.96 грн
10+339.25 грн
100+217.09 грн
500+214.82 грн
800+183.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.78 грн
10+341.86 грн
100+218.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.08 грн
10+354.91 грн
100+262.48 грн
500+242.05 грн
1000+219.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.19 грн
10+361.87 грн
100+253.40 грн
500+225.41 грн
1000+195.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 8 шт
7 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.42 грн
10+307.94 грн
100+234.49 грн
480+227.68 грн
1200+221.63 грн
2640+216.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+195.17 грн
200+159.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.87 грн
10+166.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+216.38 грн
150+177.29 грн
300+174.13 грн
600+170.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.62 грн
10+183.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2250.35 грн
2+2016.33 грн
3+1938.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2700.41 грн
2+2512.66 грн
3+2325.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.71 грн
10+316.64 грн
100+197.43 грн
500+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 Infineon-IGB30N60H3-DS-v02_03-en.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.62 грн
10+141.79 грн
100+90.77 грн
500+75.49 грн
1000+70.27 грн
5000+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60T Infineon-IGB30N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf
IGB30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.09 грн
10+139.18 грн
100+83.21 грн
500+68.99 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IGP30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.86 грн
10+159.19 грн
100+105.90 грн
500+88.50 грн
1000+76.40 грн
2500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.89 грн
10+98.49 грн
26+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.87 грн
10+122.74 грн
26+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.27 грн
10+123.52 грн
100+90.01 грн
480+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.17 грн
3+174.92 грн
7+141.83 грн
18+133.95 грн
30+129.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.98 грн
7+170.19 грн
18+160.74 грн
30+155.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T Infineon-IGW30N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.46 грн
10+196.59 грн
100+125.57 грн
480+111.95 грн
1200+95.31 грн
2640+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.56 грн
3+216.68 грн
7+139.46 грн
19+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+305.48 грн
3+270.02 грн
7+167.36 грн
19+158.85 грн
120+156.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.26 грн
10+86.03 грн
100+62.03 грн
480+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.03 грн
10+120.04 грн
100+86.23 грн
480+65.73 грн
1200+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.69 грн
10+165.28 грн
100+109.68 грн
480+92.28 грн
1200+78.67 грн
2640+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.47 грн
4+157.59 грн
7+132.37 грн
20+122.92 грн
30+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.76 грн
4+196.38 грн
7+158.85 грн
20+147.50 грн
30+144.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.33 грн
10+138.31 грн
100+98.33 грн
480+74.81 грн
1200+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.29 грн
10+211.38 грн
100+137.67 грн
480+123.30 грн
1200+104.39 грн
2640+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+266.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+827.77 грн
10+552.37 грн
510+471.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.03 грн
2+589.38 грн
3+588.59 грн
5+556.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.23 грн
2+734.45 грн
3+706.31 грн
5+667.54 грн
30+642.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_30N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.65 грн
10+604.57 грн
120+437.97 грн
510+390.31 грн
1020+370.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1564.65 грн
10+1243.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.99 грн
2+517.67 грн
3+516.89 грн
5+489.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.54 грн
10+489.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1487.88 грн
10+1070.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.78 грн
10+633.27 грн
120+443.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1644.08 грн
10+1150.85 грн
120+979.56 грн
510+959.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.91 грн
3+384.51 грн
4+306.51 грн
9+289.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3_Datasheet.PDF
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.13 грн
10+328.82 грн
120+230.71 грн
510+212.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.91 грн
3+422.33 грн
5+398.70 грн
10+393.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.89 грн
3+526.29 грн
5+478.43 грн
10+472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.14 грн
10+333.16 грн
510+278.36 грн
1020+264.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60C3D1_Datasheet.PDF
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.61 грн
10+376.66 грн
120+288.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.54 грн
10+272.27 грн
100+234.49 грн
500+188.35 грн
2000+183.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.96 грн
10+339.25 грн
100+217.09 грн
500+214.82 грн
800+183.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.78 грн
10+341.86 грн
100+218.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 sihg30n60e.pdf
SIHG30N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.08 грн
10+354.91 грн
100+262.48 грн
500+242.05 грн
1000+219.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.19 грн
10+361.87 грн
100+253.40 грн
500+225.41 грн
1000+195.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]