Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 21 шт
20 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.48 грн
10+353.19 грн
25+279.96 грн
100+255.06 грн
240+231.66 грн
1200+225.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+691.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.35 грн
100+380.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+195.54 грн
200+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.09 грн
25+168.35 грн
100+144.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+216.71 грн
150+177.65 грн
300+174.50 грн
600+171.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.14 грн
25+183.97 грн
100+159.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2216.17 грн
2+2019.35 грн
3+1941.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2659.40 грн
2+2516.43 грн
3+2329.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.03 грн
10+324.56 грн
100+202.99 грн
500+176.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D Fairchaild hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+594.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.92 грн
10+176.16 грн
100+106.40 грн
500+86.78 грн
1000+79.99 грн
5000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+166.62 грн
100+104.89 грн
500+89.80 грн
1000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.68 грн
10+267.28 грн
25+119.23 грн
100+107.15 грн
500+86.78 грн
1000+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+135.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.80 грн
3+189.44 грн
8+130.48 грн
20+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+292.55 грн
3+236.07 грн
8+156.58 грн
20+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.69 грн
25+157.07 грн
100+113.95 грн
240+113.19 грн
480+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+206.55 грн
7+141.49 грн
19+133.63 грн
120+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+247.86 грн
7+176.32 грн
19+160.35 грн
120+154.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.28 грн
25+161.41 грн
100+115.45 грн
240+114.70 грн
480+89.04 грн
1200+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.55 грн
3+182.36 грн
7+139.13 грн
19+131.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.06 грн
3+227.25 грн
7+166.96 грн
19+157.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+150.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.29 грн
10+190.05 грн
25+98.85 грн
100+80.74 грн
240+79.99 грн
480+69.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.32 грн
10+228.23 грн
25+131.30 грн
100+107.91 грн
240+106.40 грн
480+83.76 грн
1200+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.87 грн
10+191.78 грн
100+134.32 грн
480+119.23 грн
1200+102.63 грн
2640+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.73 грн
6+155.64 грн
17+146.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.08 грн
6+193.95 грн
17+176.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.51 грн
25+160.54 грн
100+119.23 грн
480+97.34 грн
1200+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.46 грн
10+246.45 грн
100+173.56 грн
480+153.18 грн
1200+132.06 грн
2640+126.77 грн
5040+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.19 грн
10+339.31 грн
25+175.07 грн
100+144.13 грн
240+143.37 грн
480+116.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+258.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS media-3323679.pdf MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.72 грн
10+702.05 грн
30+505.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.11 грн
2+586.39 грн
5+554.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+958.93 грн
2+730.73 грн
5+665.94 грн
30+640.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS media-3322335.pdf IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.31 грн
10+448.65 грн
120+324.48 грн
510+286.75 грн
1020+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.07 грн
10+1545.54 грн
30+939.48 грн
120+920.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.40 грн
2+515.65 грн
3+514.86 грн
5+487.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.94 грн
10+871.27 грн
30+459.55 грн
120+424.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1550.34 грн
30+1199.29 грн
120+928.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+847.80 грн
30+582.29 грн
120+476.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1573.22 грн
10+1518.64 грн
30+977.21 грн
510+957.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.81 грн
3+383.59 грн
4+304.99 грн
9+288.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS media-3323096.pdf IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.97 грн
10+334.10 грн
120+234.68 грн
510+209.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.18 грн
3+422.89 грн
7+400.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+733.42 грн
3+526.99 грн
7+480.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS media-3321928.pdf IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.22 грн
10+437.37 грн
30+289.77 грн
510+283.73 грн
1020+273.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS media-3320805.pdf IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.49 грн
30+481.63 грн
120+353.15 грн
270+339.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.12 грн
10+422.62 грн
25+274.68 грн
100+259.58 грн
500+220.34 грн
1000+197.71 грн
2000+193.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb30n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.68 грн
10+354.93 грн
100+227.14 грн
500+192.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.16 грн
10+356.66 грн
100+225.63 грн
500+218.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 21 шт
20 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T
Код товару: 101922
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Транзистори > IGBT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.48 грн
10+353.19 грн
25+279.96 грн
100+255.06 грн
240+231.66 грн
1200+225.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT30N60BC6 APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.35 грн
100+380.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+195.54 грн
200+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3 Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.09 грн
25+168.35 грн
100+144.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
Виробник: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+216.71 грн
150+177.65 грн
300+174.50 грн
600+171.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.14 грн
25+183.97 грн
100+159.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2216.17 грн
2+2019.35 грн
3+1941.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2659.40 грн
2+2516.43 грн
3+2329.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP130N60 fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.03 грн
10+324.56 грн
100+202.99 грн
500+176.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.92 грн
10+176.16 грн
100+106.40 грн
500+86.78 грн
1000+79.99 грн
5000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf
IGB30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.09 грн
10+166.62 грн
100+104.89 грн
500+89.80 грн
1000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf
IGP30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.68 грн
10+267.28 грн
25+119.23 грн
100+107.15 грн
500+86.78 грн
1000+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+135.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.80 грн
3+189.44 грн
8+130.48 грн
20+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.55 грн
3+236.07 грн
8+156.58 грн
20+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3 Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.69 грн
25+157.07 грн
100+113.95 грн
240+113.19 грн
480+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.55 грн
7+141.49 грн
19+133.63 грн
120+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.86 грн
7+176.32 грн
19+160.35 грн
120+154.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.28 грн
25+161.41 грн
100+115.45 грн
240+114.70 грн
480+89.04 грн
1200+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.55 грн
3+182.36 грн
7+139.13 грн
19+131.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.06 грн
3+227.25 грн
7+166.96 грн
19+157.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+150.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TPXKSA1 Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.29 грн
10+190.05 грн
25+98.85 грн
100+80.74 грн
240+79.99 грн
480+69.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.32 грн
10+228.23 грн
25+131.30 грн
100+107.91 грн
240+106.40 грн
480+83.76 грн
1200+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.87 грн
10+191.78 грн
100+134.32 грн
480+119.23 грн
1200+102.63 грн
2640+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.73 грн
6+155.64 грн
17+146.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.08 грн
6+193.95 грн
17+176.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.51 грн
25+160.54 грн
100+119.23 грн
480+97.34 грн
1200+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.46 грн
10+246.45 грн
100+173.56 грн
480+153.18 грн
1200+132.06 грн
2640+126.77 грн
5040+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.19 грн
10+339.31 грн
25+175.07 грн
100+144.13 грн
240+143.37 грн
480+116.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+258.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P media-3323679.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 30A
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.72 грн
10+702.05 грн
30+505.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.11 грн
2+586.39 грн
5+554.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+958.93 грн
2+730.73 грн
5+665.94 грн
30+640.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3D1 media-3322335.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.31 грн
10+448.65 грн
120+324.48 грн
510+286.75 грн
1020+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 media-3323906.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.07 грн
10+1545.54 грн
30+939.48 грн
120+920.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.40 грн
2+515.65 грн
3+514.86 грн
5+487.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P media-3323016.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.94 грн
10+871.27 грн
30+459.55 грн
120+424.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 media-3323906.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1550.34 грн
30+1199.29 грн
120+928.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P media-3323016.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+847.80 грн
30+582.29 грн
120+476.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 media-3323906.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1573.22 грн
10+1518.64 грн
30+977.21 грн
510+957.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.81 грн
3+383.59 грн
4+304.99 грн
9+288.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 media-3323096.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.97 грн
10+334.10 грн
120+234.68 грн
510+209.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.18 грн
3+422.89 грн
7+400.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+733.42 грн
3+526.99 грн
7+480.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 media-3321928.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.22 грн
10+437.37 грн
30+289.77 грн
510+283.73 грн
1020+273.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 media-3320805.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.49 грн
30+481.63 грн
120+353.15 грн
270+339.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.12 грн
10+422.62 грн
25+274.68 грн
100+259.58 грн
500+220.34 грн
1000+197.71 грн
2000+193.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.68 грн
10+354.93 грн
100+227.14 грн
500+192.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.16 грн
10+356.66 грн
100+225.63 грн
500+218.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]