Результат пошуку "4n04" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
70N4N040S101W HONEYWELL Category: Unclassified
Description: 70N4N040S101W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2935.78 грн
A850491714N04A A850491714N04A Amphenol Interconnect India QPL_October_3.pdf Description: CONN BACKSHELL W/CLMP SZ14 15
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Backshell, Cable Clamp
Shell Size - Insert: 14, 15
Cable Exit: 180°
Ingress Protection: Environment Resistant
Plating: Electroless Nickel
Cable Opening: 0.380" ~ 0.500" (9.65mm ~ 12.70mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3758.21 грн
10+ 3320.89 грн
25+ 3193.16 грн
BSC014N04LS BSC014N04LS Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.62 грн
10+ 102.11 грн
100+ 70.77 грн
250+ 65.23 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 52.67 грн
5000+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.35 грн
10000+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.84 грн
10+ 101.34 грн
100+ 70.1 грн
250+ 64.56 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 50.54 грн
2500+ 48 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.27 грн
10+ 92.77 грн
100+ 73.86 грн
500+ 58.66 грн
1000+ 49.77 грн
2000+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies 1030431697957763bsc014n04ls_rev11.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSI Infineon Technologies N-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
14+44.99 грн
15+ 42 грн
100+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC014N04LSI BSC014N04LSI Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 30506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.19 грн
10+ 178.12 грн
25+ 146.21 грн
100+ 124.84 грн
250+ 118.17 грн
500+ 110.82 грн
1000+ 94.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 100122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.86 грн
10+ 175.05 грн
25+ 150.21 грн
100+ 122.17 грн
250+ 120.17 грн
500+ 106.82 грн
1000+ 89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 72053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.04 грн
10+ 161.62 грн
100+ 130.76 грн
500+ 109.08 грн
1000+ 93.4 грн
2000+ 87.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN-3360601.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.84 грн
10+ 102.88 грн
100+ 72.77 грн
250+ 72.1 грн
500+ 61.49 грн
1000+ 50.47 грн
2500+ 50.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.77 грн
10+ 98.61 грн
100+ 78.48 грн
500+ 62.32 грн
1000+ 52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC054N04NS G BSC054N04NS G Infineon Technologies Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 134231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.55 грн
10+ 55.89 грн
100+ 37.79 грн
500+ 32.05 грн
1000+ 26.17 грн
2500+ 25.44 грн
10000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.48 грн
10000+ 23.4 грн
25000+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 56788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.34 грн
10+ 38.62 грн
100+ 28.17 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 30299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65 грн
10+ 50.98 грн
100+ 39.63 грн
500+ 31.53 грн
1000+ 25.68 грн
2000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 89266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.55 грн
10+ 100.84 грн
25+ 90.04 грн
100+ 76.05 грн
250+ 67.61 грн
500+ 59.15 грн
1000+ 48.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN-3360757.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 9175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.61 грн
10+ 92.9 грн
100+ 66.43 грн
250+ 61.75 грн
500+ 56.08 грн
1000+ 48.07 грн
2500+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.63 грн
10000+ 45.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LS BSZ034N04LS Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.22 грн
10+ 65.57 грн
100+ 44.33 грн
500+ 37.59 грн
1000+ 30.58 грн
2500+ 28.84 грн
5000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.83 грн
10+ 59.81 грн
100+ 46.56 грн
500+ 37.03 грн
1000+ 30.17 грн
2000+ 28.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies 646217493920001bsz034n04ls_rev2.0.pdffileiddb3a304342371bb001424c3fe5bc7083folde.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.1 грн
10+ 62.03 грн
100+ 42.26 грн
500+ 36.25 грн
1000+ 28.84 грн
5000+ 27.44 грн
10000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.93 грн
10000+ 27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
CS1000M-24N-04A CS1000M-24N-04A EXCELSYS / Advanced Energy en-lv-cs1000-data-sheet.pdf Description: AC/DC CONVERTER 24V 1000W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1000W
Features: Adjustable Output, PFC, PMBus™, Remote Sense, Universal Input
Size / Dimension: 10.30" L x 5.00" W x 1.54" H (261.6mm x 127.0mm x 39.1mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial), Medical
Approval Agency: CSA, EN, IEC, UL
Efficiency: 94%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1; 62368-1
Current - Output 1: 41.6 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48759.97 грн
10+ 43924.82 грн
DCP4N047006ID2KSC9 WIMA e_WIMA_DC_Link_MKP_4.pdf Description: CAP FILM 7UF 10% 900VDC RAD
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive; DC Link, DC Filtering
Lead Spacing: 1.083" (27.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - DC: 900V
Height - Seated (Max): 1.358" (34.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 7 µF
ESR (Equivalent Series Resistance): 13 mOhms
Size / Dimension: 1.240" L x 0.669" W (31.50mm x 17.00mm)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.04 грн
10+ 196.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
DCP4N047006ID2KSC9 DCP4N047006ID2KSC9 WIMA e_WIMA_DC_Link_MKP_4-1139924.pdf Film Capacitors DC-LINK MKP 4 7.0 F 900 VDC 17x34.5x31.5 PCM27.5
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.88 грн
10+ 233.4 грн
100+ 189.6 грн
198+ 156.89 грн
594+ 122.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB024N04AL7 FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor FAIRS47112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 33049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB014N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083395.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.07 грн
10+ 107.49 грн
100+ 74.11 грн
250+ 68.1 грн
500+ 61.82 грн
800+ 52.87 грн
2400+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.05 грн
10+ 97.15 грн
100+ 77.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
M85049/1714N04 M85049/1714N04 Glenair glenair_glens10041-1.pdf Circular MIL Spec Backshells STRAIGHT BACKSHELL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46196.25 грн
2+ 39709.05 грн
5+ 33185.03 грн
10+ 23777.7 грн
25+ 21430.37 грн
M85049/1714N04A M85049/1714N04A Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells 17 Backshell Env-EMI/RFI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4025.26 грн
10+ 3641.46 грн
25+ 3044.98 грн
50+ 2942.84 грн
100+ 2780.61 грн
250+ 2699.83 грн
500+ 2638.41 грн
M85049/2914N04 M85049/2914N04 Glenair as85049_29-608197.pdf Circular MIL Spec Backshells NON ENV STRN RLF BS SH SZ 14 CLMP SZ 04
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+38386.41 грн
2+ 32997.34 грн
5+ 27576.42 грн
10+ 19758.67 грн
25+ 17807.24 грн
M85049/2914N04 M85049/2914N04 Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells 29 Backshell Non Env
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2479.96 грн
10+ 2141.27 грн
25+ 1780.52 грн
50+ 1749.81 грн
100+ 1717.1 грн
250+ 1666.36 грн
500+ 1640.99 грн
M85049/3614N04 M85049/3614N04 Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells 36 Backshell Non Env-EMI/RFI
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2666.11 грн
M85049/3614N04 M85049/3614N04 Glenair as85049_36_and_m38999_7-608224.pdf Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36506.19 грн
2+ 29991.58 грн
5+ 26032.9 грн
10+ 19239.27 грн
25+ 19237.93 грн
M85049/3614N04A M85049/3614N04A Glenair as85049_36_and_m38999_7-2302863.pdf Circular MIL Spec Backshells EMI/RFI NON ENV SHLL SZ14 CLMP SZ04 NI
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41470 грн
2+ 35647.62 грн
5+ 29790.89 грн
10+ 21345.59 грн
25+ 19237.93 грн
NP74N04YUG-E1-AY NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np74n04yug-data-sheet Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP74N04YUG-E1-AY NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np74n04yug-data-sheet Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G onsemi NTMFS0D4N04XM_D-3388359.pdf MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
2+201.73 грн
10+ 167.37 грн
25+ 136.86 грн
100+ 117.5 грн
250+ 110.82 грн
500+ 104.15 грн
1000+ 84.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMTS0D4N04CLTXG NTMTS0D4N04CLTXG onsemi ntmts0d4n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 341 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.75 грн
10+ 330.89 грн
100+ 267.72 грн
500+ 223.33 грн
1000+ 191.22 грн
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG onsemi ntmts0d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG onsemi ntmts0d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.08 грн
10+ 344.17 грн
100+ 278.42 грн
500+ 232.25 грн
1000+ 198.87 грн
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG onsemi NTMYS2D4N04C_D-2318869.pdf MOSFET 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.68 грн
10+ 136.66 грн
100+ 94.8 грн
250+ 94.13 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 68.1 грн
3000+ 63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG onsemi ntmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.27 грн
10+ 124.34 грн
100+ 99 грн
500+ 78.62 грн
1000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS004N04CTAG NTTFS004N04CTAG onsemi NTTFS004N04C_D-2319075.pdf MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+83.34 грн
10+ 68.87 грн
100+ 44.73 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 27.97 грн
1500+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi nvmfws0d4n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.54 грн
10+ 261.48 грн
100+ 211.53 грн
500+ 176.45 грн
NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi NVMFWS0D4N04XM_D-3150358.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 509 A, 0.42mohm DFNW6 (Pb-Free)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.6 грн
10+ 287.14 грн
25+ 235 грн
100+ 201.62 грн
250+ 190.94 грн
500+ 179.59 грн
1000+ 146.21 грн
NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG onsemi nvmts0d4n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.46 грн
10+ 573.94 грн
100+ 478.25 грн
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG onsemi NVMYS2D4N04C_D-2319618.pdf MOSFET Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.38 грн
10+ 89.83 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 41.93 грн
3000+ 39.46 грн
6000+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG onsemi nvmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.99 грн
10+ 81.85 грн
100+ 63.64 грн
500+ 50.62 грн
1000+ 41.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS004N04CTAG NVTFS004N04CTAG onsemi NVTFS004N04C_D-2319840.pdf MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+102.03 грн
10+ 82.92 грн
100+ 56.21 грн
500+ 47.6 грн
1000+ 38.72 грн
1500+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS004N04CLTWG NVTYS004N04CLTWG onsemi nvtys004n04cl-d.pdf Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.77 грн
10+ 55.98 грн
100+ 43.53 грн
500+ 34.63 грн
1000+ 28.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
WA 14N0470k MYG Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
WA 14N0470k BOCHEN Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
70N4N040S101W
Виробник: HONEYWELL
Category: Unclassified
Description: 70N4N040S101W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2935.78 грн
A850491714N04A QPL_October_3.pdf
A850491714N04A
Виробник: Amphenol Interconnect India
Description: CONN BACKSHELL W/CLMP SZ14 15
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Backshell, Cable Clamp
Shell Size - Insert: 14, 15
Cable Exit: 180°
Ingress Protection: Environment Resistant
Plating: Electroless Nickel
Cable Opening: 0.380" ~ 0.500" (9.65mm ~ 12.70mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3758.21 грн
10+ 3320.89 грн
25+ 3193.16 грн
BSC014N04LS Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf
BSC014N04LS
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.62 грн
10+ 102.11 грн
100+ 70.77 грн
250+ 65.23 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 52.67 грн
5000+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.35 грн
10000+ 46.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.84 грн
10+ 101.34 грн
100+ 70.1 грн
250+ 64.56 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 50.54 грн
2500+ 48 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.27 грн
10+ 92.77 грн
100+ 73.86 грн
500+ 58.66 грн
1000+ 49.77 грн
2000+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 1030431697957763bsc014n04ls_rev11.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSI
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.99 грн
15+ 42 грн
100+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC014N04LSI Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf
BSC014N04LSI
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 30506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.19 грн
10+ 178.12 грн
25+ 146.21 грн
100+ 124.84 грн
250+ 118.17 грн
500+ 110.82 грн
1000+ 94.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 100122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.86 грн
10+ 175.05 грн
25+ 150.21 грн
100+ 122.17 грн
250+ 120.17 грн
500+ 106.82 грн
1000+ 89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 72053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.04 грн
10+ 161.62 грн
100+ 130.76 грн
500+ 109.08 грн
1000+ 93.4 грн
2000+ 87.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN-3360601.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.84 грн
10+ 102.88 грн
100+ 72.77 грн
250+ 72.1 грн
500+ 61.49 грн
1000+ 50.47 грн
2500+ 50.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1 infineon-bsc014n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.77 грн
10+ 98.61 грн
100+ 78.48 грн
500+ 62.32 грн
1000+ 52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC054N04NS G Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf
BSC054N04NS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 134231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.55 грн
10+ 55.89 грн
100+ 37.79 грн
500+ 32.05 грн
1000+ 26.17 грн
2500+ 25.44 грн
10000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+25.48 грн
10000+ 23.4 грн
25000+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC054N04NSGATMA1 5115bsc054n04nsg_rev1.04.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cf.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC054N04NSGATMA1 Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 56788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.34 грн
10+ 38.62 грн
100+ 28.17 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 30299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65 грн
10+ 50.98 грн
100+ 39.63 грн
500+ 31.53 грн
1000+ 25.68 грн
2000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 89266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.55 грн
10+ 100.84 грн
25+ 90.04 грн
100+ 76.05 грн
250+ 67.61 грн
500+ 59.15 грн
1000+ 48.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN-3360757.pdf
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 9175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.61 грн
10+ 92.9 грн
100+ 66.43 грн
250+ 61.75 грн
500+ 56.08 грн
1000+ 48.07 грн
2500+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.63 грн
10000+ 45.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LS Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf
BSZ034N04LS
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.22 грн
10+ 65.57 грн
100+ 44.33 грн
500+ 37.59 грн
1000+ 30.58 грн
2500+ 28.84 грн
5000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.83 грн
10+ 59.81 грн
100+ 46.56 грн
500+ 37.03 грн
1000+ 30.17 грн
2000+ 28.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 646217493920001bsz034n04ls_rev2.0.pdffileiddb3a304342371bb001424c3fe5bc7083folde.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LSATMA1 Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.1 грн
10+ 62.03 грн
100+ 42.26 грн
500+ 36.25 грн
1000+ 28.84 грн
5000+ 27.44 грн
10000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ034N04LSATMA1 Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.93 грн
10000+ 27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
CS1000M-24N-04A en-lv-cs1000-data-sheet.pdf
CS1000M-24N-04A
Виробник: EXCELSYS / Advanced Energy
Description: AC/DC CONVERTER 24V 1000W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1000W
Features: Adjustable Output, PFC, PMBus™, Remote Sense, Universal Input
Size / Dimension: 10.30" L x 5.00" W x 1.54" H (261.6mm x 127.0mm x 39.1mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial), Medical
Approval Agency: CSA, EN, IEC, UL
Efficiency: 94%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1; 62368-1
Current - Output 1: 41.6 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+48759.97 грн
10+ 43924.82 грн
DCP4N047006ID2KSC9 e_WIMA_DC_Link_MKP_4.pdf
Виробник: WIMA
Description: CAP FILM 7UF 10% 900VDC RAD
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive; DC Link, DC Filtering
Lead Spacing: 1.083" (27.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - DC: 900V
Height - Seated (Max): 1.358" (34.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 7 µF
ESR (Equivalent Series Resistance): 13 mOhms
Size / Dimension: 1.240" L x 0.669" W (31.50mm x 17.00mm)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.04 грн
10+ 196.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
DCP4N047006ID2KSC9 e_WIMA_DC_Link_MKP_4-1139924.pdf
DCP4N047006ID2KSC9
Виробник: WIMA
Film Capacitors DC-LINK MKP 4 7.0 F 900 VDC 17x34.5x31.5 PCM27.5
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.88 грн
10+ 233.4 грн
100+ 189.6 грн
198+ 156.89 грн
594+ 122.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB024N04AL7 FAIRS47112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB024N04AL7
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 33049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPB014N04NF2SATMA1 Infineon_IPB014N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083395.pdf
IPB014N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.07 грн
10+ 107.49 грн
100+ 74.11 грн
250+ 68.1 грн
500+ 61.82 грн
800+ 52.87 грн
2400+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB014N04NF2SATMA1 Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7
IPB014N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.05 грн
10+ 97.15 грн
100+ 77.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
M85049/1714N04 glenair_glens10041-1.pdf
M85049/1714N04
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells STRAIGHT BACKSHELL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+46196.25 грн
2+ 39709.05 грн
5+ 33185.03 грн
10+ 23777.7 грн
25+ 21430.37 грн
M85049/1714N04A Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/1714N04A
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 17 Backshell Env-EMI/RFI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4025.26 грн
10+ 3641.46 грн
25+ 3044.98 грн
50+ 2942.84 грн
100+ 2780.61 грн
250+ 2699.83 грн
500+ 2638.41 грн
M85049/2914N04 as85049_29-608197.pdf
M85049/2914N04
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells NON ENV STRN RLF BS SH SZ 14 CLMP SZ 04
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+38386.41 грн
2+ 32997.34 грн
5+ 27576.42 грн
10+ 19758.67 грн
25+ 17807.24 грн
M85049/2914N04 Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/2914N04
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 29 Backshell Non Env
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2479.96 грн
10+ 2141.27 грн
25+ 1780.52 грн
50+ 1749.81 грн
100+ 1717.1 грн
250+ 1666.36 грн
500+ 1640.99 грн
M85049/3614N04 Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/3614N04
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 36 Backshell Non Env-EMI/RFI
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2666.11 грн
M85049/3614N04 as85049_36_and_m38999_7-608224.pdf
M85049/3614N04
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+36506.19 грн
2+ 29991.58 грн
5+ 26032.9 грн
10+ 19239.27 грн
25+ 19237.93 грн
M85049/3614N04A as85049_36_and_m38999_7-2302863.pdf
M85049/3614N04A
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells EMI/RFI NON ENV SHLL SZ14 CLMP SZ04 NI
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+41470 грн
2+ 35647.62 грн
5+ 29790.89 грн
10+ 21345.59 грн
25+ 19237.93 грн
NP74N04YUG-E1-AY np74n04yug-data-sheet
NP74N04YUG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP74N04YUG-E1-AY np74n04yug-data-sheet
NP74N04YUG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XM_D-3388359.pdf
NTMFS0D4N04XMT1G
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.73 грн
10+ 167.37 грн
25+ 136.86 грн
100+ 117.5 грн
250+ 110.82 грн
500+ 104.15 грн
1000+ 84.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMTS0D4N04CLTXG ntmts0d4n04cl-d.pdf
NTMTS0D4N04CLTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 341 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.75 грн
10+ 330.89 грн
100+ 267.72 грн
500+ 223.33 грн
1000+ 191.22 грн
NTMTS0D4N04CTXG ntmts0d4n04c-d.pdf
NTMTS0D4N04CTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMTS0D4N04CTXG ntmts0d4n04c-d.pdf
NTMTS0D4N04CTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.08 грн
10+ 344.17 грн
100+ 278.42 грн
500+ 232.25 грн
1000+ 198.87 грн
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04C_D-2318869.pdf
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFET 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.68 грн
10+ 136.66 грн
100+ 94.8 грн
250+ 94.13 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 68.1 грн
3000+ 63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMYS2D4N04CTWG ntmys2d4n04c-d.pdf
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.27 грн
10+ 124.34 грн
100+ 99 грн
500+ 78.62 грн
1000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS004N04CTAG NTTFS004N04C_D-2319075.pdf
NTTFS004N04CTAG
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.34 грн
10+ 68.87 грн
100+ 44.73 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 27.97 грн
1500+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFWS0D4N04XMT1G nvmfws0d4n04xm-d.pdf
NVMFWS0D4N04XMT1G
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.54 грн
10+ 261.48 грн
100+ 211.53 грн
500+ 176.45 грн
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XM_D-3150358.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 509 A, 0.42mohm DFNW6 (Pb-Free)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.6 грн
10+ 287.14 грн
25+ 235 грн
100+ 201.62 грн
250+ 190.94 грн
500+ 179.59 грн
1000+ 146.21 грн
NVMTS0D4N04CLTXG nvmts0d4n04cl-d.pdf
NVMTS0D4N04CLTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+695.46 грн
10+ 573.94 грн
100+ 478.25 грн
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04C_D-2319618.pdf
NVMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFET Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.38 грн
10+ 89.83 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 41.93 грн
3000+ 39.46 грн
6000+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMYS2D4N04CTWG nvmys2d4n04c-d.pdf
NVMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.99 грн
10+ 81.85 грн
100+ 63.64 грн
500+ 50.62 грн
1000+ 41.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS004N04CTAG NVTFS004N04C_D-2319840.pdf
NVTFS004N04CTAG
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.03 грн
10+ 82.92 грн
100+ 56.21 грн
500+ 47.6 грн
1000+ 38.72 грн
1500+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS004N04CLTWG nvtys004n04cl-d.pdf
NVTYS004N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.77 грн
10+ 55.98 грн
100+ 43.53 грн
500+ 34.63 грн
1000+ 28.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
WA 14N0470k
Виробник: MYG
Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
WA 14N0470k
Виробник: BOCHEN
Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]