Результат пошуку "7n80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPA17N80C3 SPA17N80C3
Код товару: 29151
Додати до обраних Обраний товар

Infineon datsdheet-spa17n80c3.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
42 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3
Код товару: 37324
Додати до обраних Обраний товар

Infineon spb17n80c3_rev25_ratio-48451.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
9 шт - склад
1+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.92 грн
6+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+416.30 грн
6+194.81 грн
17+177.18 грн
500+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.72 грн
8+128.70 грн
20+121.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.66 грн
8+160.38 грн
20+145.91 грн
500+144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.36 грн
10+260.63 грн
500+222.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1471.86 грн
2+1291.72 грн
30+1275.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1766.23 грн
2+1609.68 грн
30+1530.16 грн
120+1490.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 SIHA17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha17n80ae.pdf MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.15 грн
10+104.60 грн
100+89.44 грн
500+84.14 грн
1000+82.62 грн
2000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-GE3 SIHB17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb17n80ae.pdf MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.54 грн
10+129.01 грн
100+106.87 грн
500+87.17 грн
1000+81.86 грн
2000+81.10 грн
5000+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-T1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 51200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80E-GE3 SIHB17N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihb17n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.63 грн
10+244.94 грн
100+186.46 грн
500+184.19 грн
1000+182.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihg17n80ae.pdf MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.48 грн
10+156.03 грн
100+123.55 грн
500+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihg17n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.80 грн
10+328.62 грн
100+230.42 грн
500+205.41 грн
1000+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp17n80ae.pdf MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.38 грн
10+125.52 грн
100+104.60 грн
500+86.41 грн
2000+84.14 грн
5000+82.62 грн
10000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp17n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.42 грн
10+176.95 грн
100+107.63 грн
500+87.93 грн
1000+87.17 грн
2000+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-BE3 SIHP17N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp17n80e.pdf MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.80 грн
10+238.84 грн
100+189.49 грн
500+175.85 грн
1000+151.60 грн
2000+150.84 грн
5000+150.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-GE3 SIHP17N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp17n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.29 грн
10+285.04 грн
100+194.80 грн
500+191.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FFC5C5839651BF&compId=SPA17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=fe1ec0eca04326ebd576e6c1ab6064af6db530e3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.60 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 Infineon Technologies Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN.pdf description MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.29 грн
10+243.20 грн
100+168.27 грн
500+147.81 грн
1000+127.34 грн
2500+120.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3XK SPA17N80C3XK Infineon Technologies Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.62 грн
10+237.97 грн
100+167.51 грн
500+146.29 грн
1000+127.34 грн
2500+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.40 грн
25+174.33 грн
100+144.77 грн
500+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+399.64 грн
4+285.82 грн
5+285.03 грн
9+270.03 грн
250+258.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+479.57 грн
4+356.18 грн
5+342.04 грн
9+324.03 грн
250+310.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies Infineon-SPB17N80C3-DS-v02_05-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.42 грн
10+250.17 грн
100+175.85 грн
500+156.14 грн
1000+134.16 грн
2000+126.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+179.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPB17N80C3-DS-v02_05-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.89 грн
10+222.28 грн
25+192.53 грн
100+147.05 грн
500+141.74 грн
1000+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.65 грн
10+96.33 грн
27+90.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.58 грн
10+120.04 грн
27+108.96 грн
1000+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 Infineon Technologies description MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.68 грн
10+250.17 грн
100+178.88 грн
500+151.60 грн
1000+128.10 грн
2500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101 MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.19 грн
10+330.36 грн
25+137.95 грн
100+134.92 грн
250+132.65 грн
500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.30 грн
3+239.24 грн
5+190.28 грн
14+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+338.76 грн
3+298.13 грн
5+228.34 грн
14+216.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 Infineon Technologies Infineon-SPW17N80C3-DS-v02_92-en.pdf description MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.56 грн
10+312.93 грн
100+220.57 грн
240+219.81 грн
480+195.56 грн
1200+167.51 грн
2640+157.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPW17N80C3-DS-v02_92-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.72 грн
10+341.70 грн
25+151.60 грн
100+147.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.41 грн
10+124.65 грн
100+77.31 грн
500+62.68 грн
1000+61.24 грн
2500+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF17N80K5 STF17N80K5 STMicroelectronics en.DM00172907.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.59 грн
10+219.66 грн
100+181.16 грн
500+129.61 грн
1000+128.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5 STF7N80K5 STMicroelectronics stf7n80k5.pdf MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.50 грн
10+101.99 грн
100+86.41 грн
500+70.42 грн
1000+64.50 грн
2000+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL7N80K5 STL7N80K5 STMicroelectronics en.DM00100648.pdf MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.60 грн
10+117.68 грн
100+80.35 грн
500+68.45 грн
1000+66.47 грн
3000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+354.57 грн
5+227.39 грн
12+214.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+425.49 грн
5+283.37 грн
12+257.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N80K5 STP7N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E99CACD6E34745&compId=STD7N80K5.pdf?ci_sign=967092722ca672ffcfaa078bd835d441ce93c6ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.80 грн
9+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N80K5 STP7N80K5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E99CACD6E34745&compId=STD7N80K5.pdf?ci_sign=967092722ca672ffcfaa078bd835d441ce93c6ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.87 грн
3+169.23 грн
9+124.12 грн
25+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N80K5 ST en.DM00060222.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP7N80K5 TSTP7N80K5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N80K5 STU7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf MOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.75 грн
10+70.78 грн
100+61.17 грн
500+60.33 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор FQP7N80C ONS MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+346.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
17N80C3 INFINEON 09+ 3/TO220
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT17N80BC3 APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT17N80SC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA7N80 Fairchild FAIRS24241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80 FAIRC 09+ DIP16
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80 FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80 FSC FAIRS27698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80 FSC FQPF7N80.pdf 00+ TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80 Fairchild FQPF7N80.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80C FAIRCHILD fqpf7n80c-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3
Код товару: 29151
Додати до обраних Обраний товар

description datsdheet-spa17n80c3.pdf
SPA17N80C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
42 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3
Код товару: 37324
Додати до обраних Обраний товар

spb17n80c3_rev25_ratio-48451.pdf
SPB17N80C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
9 шт - склад
Кількість Ціна
1+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.92 грн
6+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.30 грн
6+194.81 грн
17+177.18 грн
500+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.72 грн
8+128.70 грн
20+121.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEBCFAAAAC138BF&compId=IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf?ci_sign=6abb9f9c357a935dbd0c4341d202268591747dda
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.66 грн
8+160.38 грн
20+145.91 грн
500+144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.36 грн
10+260.63 грн
500+222.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1471.86 грн
2+1291.72 грн
30+1275.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC5E93D821F820&compId=IXFK(X)27N80Q.pdf?ci_sign=8daef21b45c2446e7f867bb9111fde52758b8bbd
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1766.23 грн
2+1609.68 грн
30+1530.16 грн
120+1490.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 siha17n80ae.pdf
SIHA17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.15 грн
10+104.60 грн
100+89.44 грн
500+84.14 грн
1000+82.62 грн
2000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-GE3 sihb17n80ae.pdf
SIHB17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.54 грн
10+129.01 грн
100+106.87 грн
500+87.17 грн
1000+81.86 грн
2000+81.10 грн
5000+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80AE-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 51200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB17N80E-GE3 sihb17n80e.pdf
SIHB17N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.63 грн
10+244.94 грн
100+186.46 грн
500+184.19 грн
1000+182.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.48 грн
10+156.03 грн
100+123.55 грн
500+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
SIHG17N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.80 грн
10+328.62 грн
100+230.42 грн
500+205.41 грн
1000+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AE-GE3 sihp17n80ae.pdf
SIHP17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.38 грн
10+125.52 грн
100+104.60 грн
500+86.41 грн
2000+84.14 грн
5000+82.62 грн
10000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 sihp17n80aef.pdf
SIHP17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.42 грн
10+176.95 грн
100+107.63 грн
500+87.93 грн
1000+87.17 грн
2000+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-BE3 sihp17n80e.pdf
SIHP17N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.80 грн
10+238.84 грн
100+189.49 грн
500+175.85 грн
1000+151.60 грн
2000+150.84 грн
5000+150.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-GE3 sihp17n80e.pdf
SIHP17N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.29 грн
10+285.04 грн
100+194.80 грн
500+191.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FFC5C5839651BF&compId=SPA17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=fe1ec0eca04326ebd576e6c1ab6064af6db530e3
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.60 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN.pdf
SPA17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.29 грн
10+243.20 грн
100+168.27 грн
500+147.81 грн
1000+127.34 грн
2500+120.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3XK Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN.pdf
SPA17N80C3XK
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.62 грн
10+237.97 грн
100+167.51 грн
500+146.29 грн
1000+127.34 грн
2500+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3XKSA1 Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN.pdf
SPA17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.40 грн
25+174.33 грн
100+144.77 грн
500+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+399.64 грн
4+285.82 грн
5+285.03 грн
9+270.03 грн
250+258.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.57 грн
4+356.18 грн
5+342.04 грн
9+324.03 грн
250+310.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 Infineon-SPB17N80C3-DS-v02_05-en.pdf
SPB17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.42 грн
10+250.17 грн
100+175.85 грн
500+156.14 грн
1000+134.16 грн
2000+126.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 Infineon-SPB17N80C3-DS-v02_05-en.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.89 грн
10+222.28 грн
25+192.53 грн
100+147.05 грн
500+141.74 грн
1000+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.65 грн
10+96.33 грн
27+90.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.58 грн
10+120.04 грн
27+108.96 грн
1000+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.68 грн
10+250.17 грн
100+178.88 грн
500+151.60 грн
1000+128.10 грн
2500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3XKSA1 SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101
SPP17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+350.19 грн
10+330.36 грн
25+137.95 грн
100+134.92 грн
250+132.65 грн
500+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.30 грн
3+239.24 грн
5+190.28 грн
14+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.76 грн
3+298.13 грн
5+228.34 грн
14+216.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description Infineon-SPW17N80C3-DS-v02_92-en.pdf
SPW17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.56 грн
10+312.93 грн
100+220.57 грн
240+219.81 грн
480+195.56 грн
1200+167.51 грн
2640+157.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3FKSA1 Infineon-SPW17N80C3-DS-v02_92-en.pdf
SPW17N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.72 грн
10+341.70 грн
25+151.60 грн
100+147.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.41 грн
10+124.65 грн
100+77.31 грн
500+62.68 грн
1000+61.24 грн
2500+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF17N80K5 en.DM00172907.pdf
STF17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.59 грн
10+219.66 грн
100+181.16 грн
500+129.61 грн
1000+128.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF7N80K5 stf7n80k5.pdf
STF7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.50 грн
10+101.99 грн
100+86.41 грн
500+70.42 грн
1000+64.50 грн
2000+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL7N80K5 en.DM00100648.pdf
STL7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.60 грн
10+117.68 грн
100+80.35 грн
500+68.45 грн
1000+66.47 грн
3000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 en.DM00173138.pdf
STP17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+354.57 грн
5+227.39 грн
12+214.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 en.DM00173138.pdf
STP17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.49 грн
5+283.37 грн
12+257.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E99CACD6E34745&compId=STD7N80K5.pdf?ci_sign=967092722ca672ffcfaa078bd835d441ce93c6ec
STP7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.80 грн
9+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N80K5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E99CACD6E34745&compId=STD7N80K5.pdf?ci_sign=967092722ca672ffcfaa078bd835d441ce93c6ec
STP7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMESH5™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.87 грн
3+169.23 грн
9+124.12 грн
25+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP7N80K5 en.DM00060222.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP7N80K5 TSTP7N80K5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STU7N80K5 en.DM00060222.pdf
STU7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.75 грн
10+70.78 грн
100+61.17 грн
500+60.33 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор FQP7N80C
Виробник: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
17N80C3
Виробник: INFINEON
09+ 3/TO220
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT17N80BC3
Виробник: APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT17N80SC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA7N80 FAIRS24241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80
Виробник: FAIRC
09+ DIP16
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB7N80
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80 FAIRS27698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80 FQPF7N80.pdf
Виробник: FSC
00+ TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80 FQPF7N80.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80C fqpf7n80c-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]