Результат пошуку "8n60" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STI28N60M2 STI28N60M2 STMicroelectronics stb28n60m2-1850199.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.08 грн
10+ 154.32 грн
25+ 116.16 грн
100+ 107.49 грн
250+ 105.48 грн
500+ 98.81 грн
1000+ 92.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL28N60DM2 STL28N60DM2 STMicroelectronics stl28n60dm2-1851219.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+311.55 грн
10+ 257.97 грн
25+ 211.63 грн
100+ 181.59 грн
250+ 171.58 грн
500+ 161.56 грн
1000+ 138.2 грн
STP18N60DM2 STP18N60DM2 STMicroelectronics stp18n60dm2-1851506.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.27 грн
10+ 149.71 грн
100+ 107.49 грн
250+ 99.47 грн
500+ 90.13 грн
1000+ 76.11 грн
2000+ 72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.31 грн
4+ 108.49 грн
10+ 83.45 грн
27+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics stb18n60m2-1850104.pdf MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.11 грн
10+ 109.79 грн
100+ 82.78 грн
500+ 77.44 грн
1000+ 61.35 грн
2000+ 59.88 грн
5000+ 59.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60DM2 STP28N60DM2 STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.05 грн
10+ 224.18 грн
25+ 183.59 грн
100+ 157.56 грн
250+ 148.88 грн
500+ 140.2 грн
1000+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.92 грн
3+ 191.94 грн
6+ 154.39 грн
15+ 145.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+275.9 грн
3+ 239.19 грн
6+ 185.26 грн
15+ 174.41 грн
250+ 171.08 грн
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics stb28n60m2-1850199.pdf MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.73 грн
10+ 172.74 грн
25+ 137.53 грн
100+ 118.17 грн
250+ 114.16 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60M2 ST en.DM00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+145.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics stw18n60dm2-1852158.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.62 грн
10+ 170.44 грн
25+ 116.16 грн
100+ 99.47 грн
250+ 94.13 грн
600+ 93.47 грн
3000+ 85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics stb18n60m2-1850104.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.06 грн
25+ 154.32 грн
100+ 114.83 грн
250+ 106.15 грн
600+ 93.47 грн
1200+ 82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60DM2 STW28N60DM2 STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.65 грн
25+ 248.75 грн
100+ 174.91 грн
600+ 129.52 грн
1200+ 122.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2 STW28N60M2 STMicroelectronics stb28n60m2-1850199.pdf MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.15 грн
10+ 250.29 грн
25+ 172.91 грн
100+ 148.21 грн
250+ 132.19 грн
600+ 112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW48N60DM2 STW48N60DM2 STMicroelectronics stw48n60dm2-1852161.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.04 грн
10+ 484.45 грн
25+ 382.54 грн
100+ 351.16 грн
250+ 310.44 грн
600+ 279.06 грн
1200+ 266.38 грн
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.78 грн
3+ 388.75 грн
6+ 367.19 грн
30+ 353.28 грн
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2-1851955.pdf MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ 42 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.27 грн
10+ 395.39 грн
25+ 291.08 грн
100+ 259.7 грн
250+ 221.65 грн
600+ 208.3 грн
1200+ 202.29 грн
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 STMicroelectronics stw48n60m6-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.7 грн
3+ 356.06 грн
7+ 336.59 грн
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 STMicroelectronics stw48n60m6-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+666.84 грн
3+ 443.71 грн
7+ 403.91 грн
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 STMicroelectronics stw48n60m6_4-1588893.pdf MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.14 грн
10+ 544.34 грн
25+ 429.28 грн
100+ 394.56 грн
250+ 371.19 грн
600+ 347.83 грн
1200+ 313.11 грн
STW58N60DM2AG STW58N60DM2AG STMicroelectronics stw58n60dm2ag-1852284.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.03 грн
10+ 616.51 грн
25+ 486.02 грн
100+ 446.63 грн
250+ 407.24 грн
600+ 353.83 грн
3000+ 337.81 грн
WMM38N60C2 WMM38N60C2 WAYON WMx38N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.47 грн
5+ 166.21 грн
7+ 128.65 грн
18+ 121.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMM38N60C2 WMM38N60C2 WAYON WMx38N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+238.16 грн
5+ 207.12 грн
7+ 154.39 грн
18+ 146.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
BF98N60 BYD
на замовлення 54080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60CTM ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD8N60CF fairchild to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD8N60CF fairchild 07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP8N60C FAIRCHILD FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf 06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP8N60CLF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF8N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220F FSC 09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF8N60C/FSC FSC 08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFPS38N60L IR sihfps38n60l.pdf SUPER247
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFPS38N60LPBF VISHAY sihfps38n60l.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
300+1050.59 грн
Мінімальне замовлення: 300
LH5P8128N-60T
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF8N60TH
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF8N60TH=FQPF8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP8N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP8N60TH=FQP8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MF8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD8N60ET4G
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTH8N60
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM8N60 MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTW8N60E MOTOROLA TO220-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTW8N60E/D
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDF08N60ZH
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PQP8N60C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PTF8N60
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PTP8N60
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SM8N60F
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA8N60C3
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH8N60
на замовлення 24305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSP8N60
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STI28N60M2 stb28n60m2-1850199.pdf
STI28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.08 грн
10+ 154.32 грн
25+ 116.16 грн
100+ 107.49 грн
250+ 105.48 грн
500+ 98.81 грн
1000+ 92.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL28N60DM2 stl28n60dm2-1851219.pdf
STL28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.55 грн
10+ 257.97 грн
25+ 211.63 грн
100+ 181.59 грн
250+ 171.58 грн
500+ 161.56 грн
1000+ 138.2 грн
STP18N60DM2 stp18n60dm2-1851506.pdf
STP18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.27 грн
10+ 149.71 грн
100+ 107.49 грн
250+ 99.47 грн
500+ 90.13 грн
1000+ 76.11 грн
2000+ 72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP18N60M2 stp18n60m2.pdf
STP18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.31 грн
4+ 108.49 грн
10+ 83.45 грн
27+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP18N60M2 stb18n60m2-1850104.pdf
STP18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.11 грн
10+ 109.79 грн
100+ 82.78 грн
500+ 77.44 грн
1000+ 61.35 грн
2000+ 59.88 грн
5000+ 59.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60DM2 stb28n60dm2-1850279.pdf
STP28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.05 грн
10+ 224.18 грн
25+ 183.59 грн
100+ 157.56 грн
250+ 148.88 грн
500+ 140.2 грн
1000+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STP28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.92 грн
3+ 191.94 грн
6+ 154.39 грн
15+ 145.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STP28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+275.9 грн
3+ 239.19 грн
6+ 185.26 грн
15+ 174.41 грн
250+ 171.08 грн
STP28N60M2 stb28n60m2-1850199.pdf
STP28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.73 грн
10+ 172.74 грн
25+ 137.53 грн
100+ 118.17 грн
250+ 114.16 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP28N60M2 en.DM00095328.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+145.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW18N60DM2 stw18n60dm2-1852158.pdf
STW18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.62 грн
10+ 170.44 грн
25+ 116.16 грн
100+ 99.47 грн
250+ 94.13 грн
600+ 93.47 грн
3000+ 85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW18N60M2 stb18n60m2-1850104.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.06 грн
25+ 154.32 грн
100+ 114.83 грн
250+ 106.15 грн
600+ 93.47 грн
1200+ 82.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60DM2 stb28n60dm2-1850279.pdf
STW28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.65 грн
25+ 248.75 грн
100+ 174.91 грн
600+ 129.52 грн
1200+ 122.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N60M2 stb28n60m2-1850199.pdf
STW28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.15 грн
10+ 250.29 грн
25+ 172.91 грн
100+ 148.21 грн
250+ 132.19 грн
600+ 112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW48N60DM2 stw48n60dm2-1852161.pdf
STW48N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+574.04 грн
10+ 484.45 грн
25+ 382.54 грн
100+ 351.16 грн
250+ 310.44 грн
600+ 279.06 грн
1200+ 266.38 грн
STW48N60M2 stw48n60m2.pdf
STW48N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.78 грн
3+ 388.75 грн
6+ 367.19 грн
30+ 353.28 грн
STW48N60M2 stw48n60m2-1851955.pdf
STW48N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ 42 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+425.27 грн
10+ 395.39 грн
25+ 291.08 грн
100+ 259.7 грн
250+ 221.65 грн
600+ 208.3 грн
1200+ 202.29 грн
STW48N60M6-4 stw48n60m6-4.pdf
STW48N60M6-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+555.7 грн
3+ 356.06 грн
7+ 336.59 грн
STW48N60M6-4 stw48n60m6-4.pdf
STW48N60M6-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+666.84 грн
3+ 443.71 грн
7+ 403.91 грн
STW48N60M6-4 stw48n60m6_4-1588893.pdf
STW48N60M6-4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+644.14 грн
10+ 544.34 грн
25+ 429.28 грн
100+ 394.56 грн
250+ 371.19 грн
600+ 347.83 грн
1200+ 313.11 грн
STW58N60DM2AG stw58n60dm2ag-1852284.pdf
STW58N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+729.03 грн
10+ 616.51 грн
25+ 486.02 грн
100+ 446.63 грн
250+ 407.24 грн
600+ 353.83 грн
3000+ 337.81 грн
WMM38N60C2 WMx38N60C2.pdf
WMM38N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.47 грн
5+ 166.21 грн
7+ 128.65 грн
18+ 121.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMM38N60C2 WMx38N60C2.pdf
WMM38N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.16 грн
5+ 207.12 грн
7+ 154.39 грн
18+ 146.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
BF98N60
Виробник: BYD
на замовлення 54080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60C
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD8N60CF
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD8N60CF
Виробник: fairchild
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP8N60C FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP8N60CLF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF8N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220F
Виробник: FSC
09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF8N60C/FSC
Виробник: FSC
08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFPS38N60L sihfps38n60l.pdf
Виробник: IR
SUPER247
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFPS38N60LPBF sihfps38n60l.pdf
Виробник: VISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+1050.59 грн
Мінімальне замовлення: 300
LH5P8128N-60T
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF8N60TH
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF8N60TH=FQPF8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP8N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP8N60TH=FQP8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MF8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD8N60ET4G
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTH8N60
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTM8N60
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTW8N60E
Виробник: MOTOROLA
TO220-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTW8N60E/D
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDF08N60ZH
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PQP8N60C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PTF8N60
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PTP8N60
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SM8N60F
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA8N60C3
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSH8N60
на замовлення 24305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSP8N60
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]