Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > Всі товари виробника SMC DIODE SOLUTIONS (9741) > Сторінка 125 з 163
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1JBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S1JBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1KBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S1KBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1M1000170D | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170D-SMC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1M1000170J | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170J-SMC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1M1000170J | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170JTR-SMC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1M1000170K | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170K-SMC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1MBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S1MBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S1MTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2303TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2305TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2312TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2315TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2324TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2336TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23C03TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23C05TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23C12TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23C15TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23C24TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23C36TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23LC03TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: TVS array; 4V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 4V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 3.3V Leakage current: 0.2mA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Manufacturer series: S23LCxx Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23LC05TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: TVS array; 6V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 5V Leakage current: 20µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Manufacturer series: S23LCxx Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23LC12TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: TVS array; 13.3V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 13.3V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 12V Leakage current: 1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Manufacturer series: S23LCxx Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23LC15TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: TVS array; 16.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 16.7V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 15V Leakage current: 1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Manufacturer series: S23LCxx Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23LC24TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: TVS array; 26.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.7V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Leakage current: 1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Manufacturer series: S23LCxx Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S23LC36TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: TVS array; 40V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 40V Peak pulse power dissipation: 0.3kW Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 36V Leakage current: 1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Manufacturer series: S23LCxx Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2ATR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2ATR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2BTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2BTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2DTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2DTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2GTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2JTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2KTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 2A; SMB; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 5µA Capacitance: 30pF кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
S2M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0016120D-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
S2M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Pulsed drain current: 314A Power dissipation: 714W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 224nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S2M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2M0025120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 250A; 311W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 311W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 177nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 250A Mounting: SMD Case: TO263-7 кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2M0025120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 130nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 250A Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 39A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2M0040120K-1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
S2M0080120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
S2M0080120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2M0080120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S2M0080120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 137mΩ Pulsed drain current: 82A Power dissipation: 176W Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
S2M0080120T | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S2M0120120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 212mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 153W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 29.6nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 66A Mounting: SMD Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S2M0120120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 212mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 153W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 29.6nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 66A Mounting: SMD Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S2M0120120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2M0120120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S2M0160120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 11A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 122W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
S2M0160120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 11A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 122W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
S2M0160120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 40A Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S2M0160120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 121W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: TOLL кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
S2MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2MTR-SMC SMD universal diodes |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
S3ABTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3ABTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3ATR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3ATR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3BBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3BTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3BTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3D03065A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3D03065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D03065ETR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S3D03065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 3A; ITO220AC; Ufmax: 2V Power dissipation: 39W Case: ITO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. load current: 14A Max. forward voltage: 2V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 25A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
S1GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1GTR-SMC SMD universal diodes
S1GTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1JBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1JBTR-SMC SMD universal diodes
S1JBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1KBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1KBTR-SMC SMD universal diodes
S1KBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1M1000170D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1M1000170J |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170J-SMC THT N channel transistors
S1M1000170J-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1M1000170J |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170JTR-SMC SMD N channel transistors
S1M1000170JTR-SMC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1M1000170K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170K-SMC THT N channel transistors
S1M1000170K-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1MBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1MBTR-SMC SMD universal diodes
S1MBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1MTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S1MTR-SMC SMD universal diodes
S1MTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2303TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2303TR-SMC Protection diodes - arrays
S2303TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2305TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2305TR-SMC Protection diodes - arrays
S2305TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2312TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2312TR-SMC Protection diodes - arrays
S2312TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2315TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2315TR-SMC Protection diodes - arrays
S2315TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2324TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2324TR-SMC Protection diodes - arrays
S2324TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2336TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2336TR-SMC Protection diodes - arrays
S2336TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23C03TR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23C05TR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23C12TR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23C15TR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23C24TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C24TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C24TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23C36TR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23LC03TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23LC05TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 20µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 20µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23LC12TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23LC15TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 16.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 16.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23LC24TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S23LC36TR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 40V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 40V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2ATR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2ATR-SMC SMD universal diodes
S2ATR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2BTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2BTR-SMC SMD universal diodes
S2BTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2DTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2DTR-SMC SMD universal diodes
S2DTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2GTR-SMC SMD universal diodes
S2GTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2JTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2JTR-SMC SMD universal diodes
S2JTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2KTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 2A; SMB; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Capacitance: 30pF
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 2A; SMB; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Capacitance: 30pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 13.00 грн |
35+ | 8.52 грн |
100+ | 7.26 грн |
165+ | 6.79 грн |
450+ | 6.41 грн |
3000+ | 6.23 грн |
S2M0016120D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0016120D-SMC THT N channel transistors
S2M0016120D-SMC THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1270.57 грн |
3+ | 1201.71 грн |
S2M0016120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2812.79 грн |
2+ | 2564.42 грн |
120+ | 2375.12 грн |
S2M0025120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120D-SMC THT N channel transistors
S2M0025120D-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0025120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 250A; 311W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 311W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 177nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 250A; 311W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 311W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 177nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0025120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 130nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 130nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0040120K-1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1135.68 грн |
3+ | 1073.43 грн |
S2M0080120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1336.81 грн |
2+ | 850.82 грн |
4+ | 804.60 грн |
S2M0080120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120J-SMC SMD N channel transistors
S2M0080120J-SMC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0080120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120K-SMC THT N channel transistors
S2M0080120K-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0080120N |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0080120T |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors
S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0120120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 212mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 153W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 29.6nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 212mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 153W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 29.6nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 470.32 грн |
5+ | 274.27 грн |
12+ | 249.96 грн |
250+ | 244.30 грн |
500+ | 240.53 грн |
S2M0120120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 212mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 153W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 29.6nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
On-state resistance: 212mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 153W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 29.6nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 470.32 грн |
5+ | 274.27 грн |
12+ | 249.96 грн |
250+ | 244.30 грн |
500+ | 240.53 грн |
S2M0120120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0120120K-SMC THT N channel transistors
S2M0120120K-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0120120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0120120T-SMC SMD N channel transistors
S2M0120120T-SMC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S2M0160120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 434.77 грн |
5+ | 267.41 грн |
12+ | 243.36 грн |
50+ | 242.42 грн |
100+ | 237.70 грн |
250+ | 233.93 грн |
S2M0160120J |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 434.77 грн |
5+ | 267.41 грн |
12+ | 243.36 грн |
50+ | 242.42 грн |
100+ | 237.70 грн |
250+ | 233.93 грн |
S2M0160120K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 319.98 грн |
6+ | 193.95 грн |
17+ | 176.39 грн |
300+ | 173.56 грн |
600+ | 169.79 грн |
S2M0160120T |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 121W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: TOLL
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 121W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: TOLL
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 272.24 грн |
9+ | 138.11 грн |
23+ | 126.40 грн |
600+ | 124.51 грн |
900+ | 122.62 грн |
S2MTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S2MTR-SMC SMD universal diodes
S2MTR-SMC SMD universal diodes
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.42 грн |
165+ | 6.79 грн |
450+ | 6.41 грн |
S3ABTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3ABTR-SMC SMD universal diodes
S3ABTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3ATR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3ATR-SMC SMD universal diodes
S3ATR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3BBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3BBTR-SMC SMD universal diodes
S3BBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3BTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3BTR-SMC SMD universal diodes
S3BTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D03065A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D03065A-SMC THT Schottky diodes
S3D03065A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D03065ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D03065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D03065ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D03065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 3A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Power dissipation: 39W
Case: ITO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 3A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Power dissipation: 39W
Case: ITO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.