Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > Всі товари виробника SMC DIODE SOLUTIONS (9741) > Сторінка 127 з 163
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S3D15065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC Mounting: THT Case: TO247-2; TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 15A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3D15065I | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V Mounting: THT Case: TO220ISO Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 15µA Load current: 15A Power dissipation: 116W Max. forward impulse current: 102A Max. forward voltage: 2V Max. load current: 42A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S3D16065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065C | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065E | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S3D20065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D20065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D30065A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D30065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D30065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D30065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D30065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D30065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D35065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D40065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D40065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S3D40065D-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Application: automotive industry Max. load current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3D40065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2,TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S3D40065H2-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S3D50065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3D50065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube Max. load current: 68A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S3D50065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 50µA Power dissipation: 484W Max. forward voltage: 2V Max. load current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S3DBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3DTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3GBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3JBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3JTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3KBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3KTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3KTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() +1 |
S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 576W Drain current: 75A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 732W Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 732W Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 394W Drain current: 52A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 517W Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0025120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 517W Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0025120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TOLL Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 517W Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0040120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 143nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 333W Drain current: 40A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0040120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 143nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 130W Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S3M0040120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 143nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 130W Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0040120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 483W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3M0040120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TOLL Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 143nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 130W Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S3MBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.2V Kind of package: reel; tape Capacitance: 60pF Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S3MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3MTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S4D02120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S4D02120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S4D02120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: tube Max. load current: 14A Power dissipation: 26W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S4D02120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S4D02120T | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S4D04120A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120A-SMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
S4D04120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Load current: 4A Max. forward impulse current: 46A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S4D05120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S4D05120E1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
S3D15065H |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO247-2,TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247-2; TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.37 грн |
10+ | 99.73 грн |
25+ | 94.98 грн |
S3D15065I |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 15µA
Load current: 15A
Power dissipation: 116W
Max. forward impulse current: 102A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220ISO; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 15µA
Load current: 15A
Power dissipation: 116W
Max. forward impulse current: 102A
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 419.36 грн |
6+ | 196.27 грн |
17+ | 178.56 грн |
250+ | 173.81 грн |
500+ | 171.91 грн |
S3D16065D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D16065D-SMC THT Schottky diodes
S3D16065D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065A-SMC THT Schottky diodes
S3D20065A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065C |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065C-SMC THT Schottky diodes
S3D20065C-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065E |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 391.74 грн |
5+ | 239.34 грн |
13+ | 226.04 грн |
S3D20065GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D20065GTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D20065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D30065A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065A-SMC THT Schottky diodes
S3D30065A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D30065D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D-SMC THT Schottky diodes
S3D30065D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D30065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D30065GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D30065GTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D30065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D35065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D35065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D35065D1-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D40065D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D-SMC THT Schottky diodes
S3D40065D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D40065D1 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D40065D-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 304.80 грн |
3+ | 265.31 грн |
5+ | 226.04 грн |
14+ | 212.75 грн |
25+ | 205.15 грн |
S3D40065H2 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 370.26 грн |
3+ | 321.53 грн |
5+ | 244.09 грн |
13+ | 230.79 грн |
100+ | 228.89 грн |
S3D40065H2-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D50065D1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 339.58 грн |
5+ | 251.50 грн |
13+ | 228.89 грн |
100+ | 226.04 грн |
300+ | 219.40 грн |
S3D50065F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.28 грн |
3+ | 244.60 грн |
6+ | 205.15 грн |
10+ | 204.20 грн |
15+ | 193.75 грн |
50+ | 187.10 грн |
250+ | 186.15 грн |
S3D50065GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D50065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 900.08 грн |
3+ | 552.76 грн |
6+ | 522.37 грн |
S3D60065H2 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 954.29 грн |
2+ | 713.09 грн |
5+ | 649.64 грн |
100+ | 636.34 грн |
300+ | 624.95 грн |
S3DBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3DTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DTR-SMC SMD universal diodes
S3DTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3GBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GTR-SMC SMD universal diodes
S3GTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3JBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3JTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JTR-SMC SMD universal diodes
S3JTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3KBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3KTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KTR-SMC SMD universal diodes
S3KTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3M0016120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1223.30 грн |
2+ | 849.20 грн |
4+ | 773.11 грн |
105+ | 761.71 грн |
S3M0016120D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1016.69 грн |
2+ | 816.65 грн |
3+ | 785.46 грн |
4+ | 742.72 грн |
30+ | 715.17 грн |
S3M0016120K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1049.42 грн |
2+ | 845.25 грн |
4+ | 769.31 грн |
30+ | 739.87 грн |
S3M0025120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1206.93 грн |
2+ | 819.61 грн |
4+ | 745.57 грн |
S3M0025120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 684.27 грн |
3+ | 550.35 грн |
6+ | 501.48 грн |
30+ | 482.48 грн |
S3M0025120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 718.02 грн |
2+ | 579.94 грн |
3+ | 557.51 грн |
6+ | 527.12 грн |
30+ | 507.17 грн |
S3M0025120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 640.29 грн |
3+ | 515.83 грн |
7+ | 470.13 грн |
250+ | 452.09 грн |
S3M0040120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 333W
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 333W
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 456.18 грн |
3+ | 396.49 грн |
4+ | 354.26 грн |
9+ | 334.32 грн |
35+ | 321.97 грн |
S3M0040120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 614.72 грн |
3+ | 472.43 грн |
7+ | 430.24 грн |
30+ | 413.15 грн |
S3M0040120J-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3M0040120J-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3M0040120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 510.39 грн |
3+ | 410.30 грн |
8+ | 374.21 грн |
30+ | 359.96 грн |
S3M0040120N |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1827.79 грн |
2+ | 1666.84 грн |
3+ | 1604.15 грн |
10+ | 1601.30 грн |
36+ | 1543.37 грн |
S3M0040120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 432.65 грн |
4+ | 348.16 грн |
10+ | 316.27 грн |
250+ | 303.92 грн |
S3MBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3MTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3MTR-SMC SMD universal diodes
S3MTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120ETR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.73 грн |
11+ | 29.19 грн |
48+ | 23.36 грн |
132+ | 22.03 грн |
500+ | 21.65 грн |
1000+ | 21.27 грн |
S4D02120F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Power dissipation: 26W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Power dissipation: 26W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.28 грн |
10+ | 35.80 грн |
43+ | 26.31 грн |
117+ | 24.88 грн |
2000+ | 24.12 грн |
5000+ | 24.03 грн |
S4D02120G0 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120T |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D04120A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D04120ETR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.19 грн |
10+ | 47.54 грн |
30+ | 37.71 грн |
82+ | 35.71 грн |
500+ | 34.86 грн |
1000+ | 34.29 грн |
S4D05120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D05120E1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.