Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > Всі товари виробника SMC DIODE SOLUTIONS (9741) > Сторінка 127 з 163
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S3D50065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2,TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2; TO247AC Max. forward voltage: 2.4V Max. load current: 112A Max. forward impulse current: 0.3kA Leakage current: 40µA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Max. load current: 128A Max. forward voltage: 2V Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA Power dissipation: 484W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
S3DBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3DTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3GBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3JBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JBTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3JTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3KBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3KTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3KTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 75A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 576W Polarisation: unipolar Gate charge: 287nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 732W Polarisation: unipolar Gate charge: 287nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 732W Polarisation: unipolar Gate charge: 287nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 52A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 394W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S3M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
S3M0025120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S3M0025120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TOLL Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
S3M0040120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Gate charge: 143nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S3M0040120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Gate charge: 143nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 223A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S3M0040120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Gate charge: 143nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 223A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S3M0040120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 483W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S3M0040120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TOLL Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Gate charge: 143nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 223A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S3MBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.2V Kind of package: reel; tape Capacitance: 60pF Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S3MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3MTR-SMC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D02120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D02120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S4D02120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 14A Max. forward impulse current: 25A Power dissipation: 26W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S4D02120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D02120T | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D04120A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120A-SMC THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D04120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D05120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D05120E1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D05120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D05120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S4D05120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 3V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 46A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S4D08120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D08120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D08120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D10120L1TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D10120L1TR-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D15120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D15120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D15120G | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D15120G-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
S4D15120H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S4D20120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 3V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 162A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
S4D20120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; Ufmax: 3V; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 105A Kind of package: tube Max. load current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
S4D20120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
S4D20120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 162A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
S4D20120H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2,TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2; TO247AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 162A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
S4D30120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
S4D30120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 246A Kind of package: tube Max. load current: 68A Power dissipation: 191W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
S4D30120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D30120G0-SMC SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
S3D50065GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D50065H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. load current: 112A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. load current: 112A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3D60065H2 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Max. load current: 128A
Max. forward voltage: 2V
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Max. load current: 128A
Max. forward voltage: 2V
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3DBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3DTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DTR-SMC SMD universal diodes
S3DTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3GBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3GTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GTR-SMC SMD universal diodes
S3GTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3JBTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3JTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JTR-SMC SMD universal diodes
S3JTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3KBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3KTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KTR-SMC SMD universal diodes
S3KTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3M0016120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 576W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 576W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1014.80 грн |
2+ | 836.52 грн |
4+ | 762.15 грн |
10+ | 751.77 грн |
35+ | 731.97 грн |
S3M0016120D |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 732W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 732W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1040.19 грн |
2+ | 804.20 грн |
4+ | 731.97 грн |
30+ | 703.67 грн |
S3M0016120K |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 732W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 732W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1073.72 грн |
2+ | 833.58 грн |
3+ | 801.77 грн |
4+ | 758.38 грн |
30+ | 729.14 грн |
S3M0025120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 394W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 394W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1234.21 грн |
2+ | 837.50 грн |
4+ | 763.09 грн |
S3M0025120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 699.90 грн |
3+ | 542.66 грн |
6+ | 494.27 грн |
30+ | 475.40 грн |
S3M0025120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 735.45 грн |
2+ | 571.07 грн |
6+ | 519.73 грн |
30+ | 499.93 грн |
S3M0025120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 655.20 грн |
3+ | 509.36 грн |
7+ | 463.14 грн |
250+ | 446.16 грн |
S3M0040120B |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 467.27 грн |
3+ | 405.53 грн |
4+ | 349.00 грн |
9+ | 330.14 грн |
35+ | 316.93 грн |
S3M0040120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 484.54 грн |
3+ | 421.20 грн |
4+ | 363.15 грн |
9+ | 343.35 грн |
30+ | 330.14 грн |
S3M0040120J-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3M0040120J-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3M0040120K |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 522.13 грн |
3+ | 404.55 грн |
8+ | 368.81 грн |
30+ | 354.66 грн |
S3M0040120N |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1818.31 грн |
2+ | 1658.35 грн |
36+ | 1535.62 грн |
S3M0040120T |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.88 грн |
4+ | 342.84 грн |
10+ | 312.22 грн |
250+ | 299.96 грн |
S3MBTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S3MTR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S3MTR-SMC SMD universal diodes
S3MTR-SMC SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 14A
Max. forward impulse current: 25A
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 14A
Max. forward impulse current: 25A
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.92 грн |
10+ | 36.63 грн |
47+ | 23.96 грн |
128+ | 22.64 грн |
S4D02120G0 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D02120T |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D04120A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D04120ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D05120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D05120E1 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D05120ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D05120G-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D05120GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 46A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 46A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 62.98 грн |
6+ | 54.85 грн |
25+ | 46.22 грн |
26+ | 43.39 грн |
71+ | 41.50 грн |
800+ | 38.67 грн |
S4D08120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D08120A-SMC THT Schottky diodes
S4D08120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D08120ETR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D08120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D08120ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120A-SMC THT Schottky diodes
S4D10120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120D-SMC THT Schottky diodes
S4D10120D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120ETR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D10120ETR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120F-SMC THT Schottky diodes
S4D10120F-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120G0 |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D10120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120H-SMC THT Schottky diodes
S4D10120H-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D10120L1TR |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D10120L1TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D10120L1TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D15120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D15120A-SMC THT Schottky diodes
S4D15120A-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D15120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D15120D-SMC THT Schottky diodes
S4D15120D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D15120G |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D15120G-SMC SMD Schottky diodes
S4D15120G-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D15120H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D15120H-SMC THT Schottky diodes
S4D15120H-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D20120A |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D20120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; Ufmax: 3V; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 105A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; Ufmax: 3V; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 105A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D20120G-A |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.29 грн |
7+ | 177.30 грн |
18+ | 161.30 грн |
50+ | 155.64 грн |
S4D20120GTR |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D20120H |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D30120D |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D30120D-SMC THT Schottky diodes
S4D30120D-SMC THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S4D30120F |
![]() |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 246A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 246A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 298.65 грн |
3+ | 258.60 грн |
5+ | 223.55 грн |
10+ | 216.01 грн |
14+ | 211.29 грн |
50+ | 202.80 грн |
S4D30120G0 |
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D30120G0-SMC SMD Schottky diodes
S4D30120G0-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.