Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 159 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1401,LXHF RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.43 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.94 грн
43+7.20 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE,LXHF(CT RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19022&prodName=RN4903FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE,LXHF(CT RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19022&prodName=RN4903FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
17+18.09 грн
100+11.38 грн
500+7.96 грн
1000+7.07 грн
2000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM09A,LF TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA 4-DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM09A,LF TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA 4-DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHF 2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHF 2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHF 2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+4.40 грн
9000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHF 2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LXHF RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.78 грн
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LXHF RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.43 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LXHF RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LXHF RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240D(F TLP240D(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240D_datasheet_en_20230525.pdf?did=13993&prodName=TLP240D Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 250 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.86 грн
10+87.29 грн
100+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240D(LF1,F TLP240D(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240D_datasheet_en_20230525.pdf?did=13993&prodName=TLP240D Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 250 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.86 грн
10+87.29 грн
100+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX245FK(EL) TC74VCX245FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX245FK_datasheet_en_20210518.pdf?did=69961&prodName=TC74VCX245FK Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX245FK(EL) TC74VCX245FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX245FK_datasheet_en_20210518.pdf?did=69961&prodName=TC74VCX245FK Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-GR,LXHF 2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-GR,LXHF 2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
24+13.18 грн
100+8.20 грн
500+5.68 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y,LXHF 2SA1586-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y,LXHF 2SA1586-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586 Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
24+13.18 грн
100+8.20 грн
500+5.68 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-O,LF 2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y(T5LND,F) 2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586_20210706.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 35350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
21+14.79 грн
100+7.23 грн
500+5.66 грн
1000+3.93 грн
2000+3.41 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R_datasheet_en_20160930.pdf?did=37095&prodName=SSM3K347R Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+6.67 грн
9000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R_datasheet_en_20160930.pdf?did=37095&prodName=SSM3K347R Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
14+21.92 грн
100+11.06 грн
500+9.20 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LF SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21131&prodName=SSM6J50TU Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LF SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21131&prodName=SSM6J50TU Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL_datasheet_en_20170412.pdf?did=55434&prodName=TPH7R204PL Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6584AFNG TB6584AFNG Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36043&prodName=TB6584AFNG Description: IC MOTOR DRIVER 6V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6586BFG,EL,DRY TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36848&prodName=TB6586BFG Description: IC MOTOR DRVR 6.5V-16.5V 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LF SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55608&prodName=SSM6J801R Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LF SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55608&prodName=SSM6J801R Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20248&prodName=CMH07 Description: DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF HN1C01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
6000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF HN1C01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHF HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHF HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
16+19.77 грн
100+12.68 грн
500+9.02 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z800FTG,EL TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG_datasheet_en_20180316.pdf?did=15381&prodName=TB67Z800FTG Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 36VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 3A
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 36-VQFN (5x5)
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z800FTG,EL TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG_datasheet_en_20180316.pdf?did=15381&prodName=TB67Z800FTG Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 36VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 3A
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 36-VQFN (5x5)
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 10873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.78 грн
10+166.45 грн
25+141.99 грн
100+107.27 грн
250+94.47 грн
500+86.59 грн
1000+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF HN1B04FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
20+15.86 грн
100+9.49 грн
500+8.25 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
20+15.86 грн
100+9.49 грн
500+8.25 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHF HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE_datasheet_en_20220118.pdf?did=22308&prodName=HN1B04FE Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHF HN1B04FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE_datasheet_en_20220118.pdf?did=22308&prodName=HN1B04FE Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
12+25.98 грн
100+18.02 грн
500+13.21 грн
1000+10.74 грн
2000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHF HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1401,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1401,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402
RN1402,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402
RN1402,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.43 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
43+7.20 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE,LXHF(CT RN4903FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19022&prodName=RN4903FE
RN4903FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE,LXHF(CT RN4903FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19022&prodName=RN4903FE
RN4903FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
17+18.09 грн
100+11.38 грн
500+7.96 грн
1000+7.07 грн
2000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM09A,LF docget.jsp?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM09A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA 4-DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM09A,LF docget.jsp?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM09A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA 4-DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHF docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHF docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHF docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.07 грн
6000+4.40 грн
9000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHF docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(BV,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(BV-TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(BV-TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP137(TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRAN BASE 6MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 1200% @ 1mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 8µs
Rise / Fall Time (Typ): 8µs, 8µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LXHF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
RN2402,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.78 грн
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LXHF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
RN2402,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.49 грн
100+8.43 грн
500+5.84 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2302,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2302,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240D(F TLP240D_datasheet_en_20230525.pdf?did=13993&prodName=TLP240D
TLP240D(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 250 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
10+87.29 грн
100+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240D(LF1,F TLP240D_datasheet_en_20230525.pdf?did=13993&prodName=TLP240D
TLP240D(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 250 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
10+87.29 грн
100+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX245FK(EL) TC74VCX245FK_datasheet_en_20210518.pdf?did=69961&prodName=TC74VCX245FK
TC74VCX245FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX245FK(EL) TC74VCX245FK_datasheet_en_20210518.pdf?did=69961&prodName=TC74VCX245FK
TC74VCX245FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TXRX NON-INVERT 3.6V 20VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-GR,LXHF docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.64 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-GR,LXHF docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
24+13.18 грн
100+8.20 грн
500+5.68 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y,LXHF docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y,LXHF docget.jsp?did=19170&prodName=2SA1586
2SA1586-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
24+13.18 грн
100+8.20 грн
500+5.68 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-O,LF docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588
2SA1588-O,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1586-Y(T5LND,F) 2SA1586_20210706.pdf
2SA1586-Y(T5LND,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT
SSM3K16CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT
SSM3K16CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 35350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
21+14.79 грн
100+7.23 грн
500+5.66 грн
1000+3.93 грн
2000+3.41 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LF SSM3K347R_datasheet_en_20160930.pdf?did=37095&prodName=SSM3K347R
SSM3K347R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.09 грн
6000+6.67 грн
9000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LF SSM3K347R_datasheet_en_20160930.pdf?did=37095&prodName=SSM3K347R
SSM3K347R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
14+21.92 грн
100+11.06 грн
500+9.20 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LF docget.jsp?did=21131&prodName=SSM6J50TU
SSM6J50TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J50TU,LF docget.jsp?did=21131&prodName=SSM6J50TU
SSM6J50TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ TPH7R204PL_datasheet_en_20170412.pdf?did=55434&prodName=TPH7R204PL
TPH7R204PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6584AFNG docget.jsp?did=36043&prodName=TB6584AFNG
TB6584AFNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 6V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6586BFG,EL,DRY docget.jsp?did=36848&prodName=TB6586BFG
TB6586BFG,EL,DRY
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRVR 6.5V-16.5V 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LF docget.jsp?did=55608&prodName=SSM6J801R
SSM6J801R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J801R,LF docget.jsp?did=55608&prodName=SSM6J801R
SSM6J801R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMH07(TE12L,Q,M) docget.jsp?did=20248&prodName=CMH07
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.93 грн
6000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHF HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHF HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
16+19.77 грн
100+12.68 грн
500+9.02 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z800FTG,EL TB67Z800FTG_datasheet_en_20180316.pdf?did=15381&prodName=TB67Z800FTG
TB67Z800FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 36VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 3A
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 36-VQFN (5x5)
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z800FTG,EL TB67Z800FTG_datasheet_en_20180316.pdf?did=15381&prodName=TB67Z800FTG
TB67Z800FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 36VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 3A
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 36-VQFN (5x5)
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 10873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.78 грн
10+166.45 грн
25+141.99 грн
100+107.27 грн
250+94.47 грн
500+86.59 грн
1000+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
20+15.86 грн
100+9.49 грн
500+8.25 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF HN1B04FU_datasheet_en_20220304.pdf?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
20+15.86 грн
100+9.49 грн
500+8.25 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHF HN1B04FE_datasheet_en_20220118.pdf?did=22308&prodName=HN1B04FE
HN1B04FE-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHF HN1B04FE_datasheet_en_20220118.pdf?did=22308&prodName=HN1B04FE
HN1B04FE-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
12+25.98 грн
100+18.02 грн
500+13.21 грн
1000+10.74 грн
2000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHF docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE
HN1B04FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]