Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 158 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CUZ12V,H3F CUZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ12V Description: TVS DIODE 12VWM 26VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
47+6.57 грн
100+3.97 грн
500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ12V,L3F CEZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 12VWM 26VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ12V,L3F CEZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 12VWM 26VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 22862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
38+8.26 грн
100+3.88 грн
500+3.20 грн
1000+2.75 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ12V,LF MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ12V Description: TVS DIODE 12VWM 26VC SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ12V,LF MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ12V Description: TVS DIODE 12VWM 26VC SMINI
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
15+21.25 грн
100+11.25 грн
500+6.94 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63639&prodName=XPH3R114MC Description: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63639&prodName=XPH3R114MC Description: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.88 грн
10+86.39 грн
100+64.38 грн
500+48.21 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.82 грн
10+144.95 грн
100+100.47 грн
500+76.43 грн
1000+70.69 грн
2000+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG30A,LF TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A Description: IC REG LINEAR 3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.75 грн
10000+8.57 грн
15000+8.16 грн
25000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG30A,LF TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A Description: IC REG LINEAR 3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 32407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.81 грн
11+28.90 грн
25+23.79 грн
100+16.90 грн
250+14.23 грн
500+12.59 грн
1000+11.02 грн
2500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT573AFT 74VHCT573AFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14041&prodName=74VHCT573AFT Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 8.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT573AFT 74VHCT573AFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14041&prodName=74VHCT573AFT Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 8.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
17+18.65 грн
25+16.67 грн
100+13.52 грн
250+12.50 грн
500+11.89 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG29A,LF TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A_datasheet_en_20240308.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A Description: IC REG LINEAR 2.9V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.65 грн
10000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG29A,LF TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A_datasheet_en_20240308.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A Description: IC REG LINEAR 2.9V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 14598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.78 грн
10+31.19 грн
25+25.75 грн
100+18.31 грн
250+15.45 грн
500+13.68 грн
1000+12.00 грн
2500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG28A,LF TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG28A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 2.8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG28A,LF TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG28A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 2.8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
10+32.57 грн
25+29.78 грн
100+20.81 грн
250+18.86 грн
500+15.61 грн
1000+11.51 грн
2500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF11,LM(CT TCR3DF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF11,LM(CT TCR3DF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 300MA SMV
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL_datasheet_en_20160617.pdf?did=53315&prodName=TPH2R104PL Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL_datasheet_en_20160617.pdf?did=53315&prodName=TPH2R104PL Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 11371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.87 грн
10+90.21 грн
100+60.95 грн
500+45.42 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11195&prodName=SSM6P40TU Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
6000+8.87 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11195&prodName=SSM6P40TU Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.46 грн
12+26.45 грн
100+16.87 грн
500+11.96 грн
1000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(TP1,F TLP4590A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_AF_Mar2021.pdf Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(TP1,F TLP4590A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_AF_Mar2021.pdf Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.08 грн
10+214.52 грн
25+204.82 грн
50+185.66 грн
100+179.29 грн
250+171.20 грн
500+162.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8701.pdf Description: TRANS 2NPN 80V 3A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.77W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PS-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4538BP(N,F) TC4538BP(N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4538BP_datasheet_en_20140301.pdf?did=20678&prodName=TC4538BP Description: IC MULTIVIBRATOR 100NS 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 100 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 9mA, 15mA
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Supply: 3 V ~ 18 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3480(TP,E TLP3480(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3480_datasheet_en_20230523.pdf?did=69121&prodName=TLP3480 Description: SSR RELAY SPST-NO 4.5A 0-30V T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.083", 2.10mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 4.5 A
Supplier Device Package: P-SON4
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3480(TP,E TLP3480(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3480_datasheet_en_20230523.pdf?did=69121&prodName=TLP3480 Description: SSR RELAY SPST-NO 4.5A 0-30V T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.083", 2.10mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 4.5 A
Supplier Device Package: P-SON4
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.27 грн
10+253.96 грн
100+196.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3JE,LM DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22254&prodName=DF5A3.3JE Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3JE,LM DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22254&prodName=DF5A3.3JE Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ6V8,LF MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V8_datasheet_en_20201026.pdf?did=69487&prodName=MUZ6V8 Description: TVS DIODE 6.8VWM 13VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ6V8,LF MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V8_datasheet_en_20201026.pdf?did=69487&prodName=MUZ6V8 Description: TVS DIODE 6.8VWM 13VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
14+22.02 грн
100+11.67 грн
500+7.20 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ14FU,LJ(CT TC7PZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ14FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14431&prodName=TC7PZ14FU Description: IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP US6
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: US6
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.57 грн
6000+3.93 грн
9000+3.70 грн
15000+3.22 грн
21000+3.07 грн
30000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ14FU,LJ(CT TC7PZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ14FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14431&prodName=TC7PZ14FU Description: IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP US6
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: US6
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 47448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.61 грн
23+13.76 грн
28+11.19 грн
100+7.83 грн
250+6.51 грн
500+5.69 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHF RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHF RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF RN1405,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF RN1405,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.29 грн
37+8.33 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.91 грн
43+7.19 грн
100+4.43 грн
500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
23+13.84 грн
100+8.62 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LXHF RN1403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LXHF RN1403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHF RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHF RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LXHF RN1404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1404 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+3.98 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
21000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LXHF RN1404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1404 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.23 грн
24+13.00 грн
100+8.10 грн
500+5.62 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHF RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHF RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.46 грн
100+8.41 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.91 грн
43+7.19 грн
100+4.43 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE,LXHF(CT RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19022&prodName=RN4903FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ12V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ12V
CUZ12V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
47+6.57 грн
100+3.97 грн
500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ12V,L3F
CEZ12V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ12V,L3F
CEZ12V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 22862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
38+8.26 грн
100+3.88 грн
500+3.20 грн
1000+2.75 грн
2000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ12V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ12V
MSZ12V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ12V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ12V
MSZ12V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC SMINI
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
15+21.25 грн
100+11.25 грн
500+6.94 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ docget.jsp?did=63639&prodName=XPH3R114MC
XPH3R114MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R114MC,L1XHQ docget.jsp?did=63639&prodName=XPH3R114MC
XPH3R114MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.88 грн
10+86.39 грн
100+64.38 грн
500+48.21 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1
TPH1R306PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1
TPH1R306PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.82 грн
10+144.95 грн
100+100.47 грн
500+76.43 грн
1000+70.69 грн
2000+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG30A,LF TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A
TCR3UG30A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.75 грн
10000+8.57 грн
15000+8.16 грн
25000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG30A,LF TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A
TCR3UG30A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 32407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.81 грн
11+28.90 грн
25+23.79 грн
100+16.90 грн
250+14.23 грн
500+12.59 грн
1000+11.02 грн
2500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT573AFT docget.jsp?did=14041&prodName=74VHCT573AFT
74VHCT573AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 8.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT573AFT docget.jsp?did=14041&prodName=74VHCT573AFT
74VHCT573AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 8.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
17+18.65 грн
25+16.67 грн
100+13.52 грн
250+12.50 грн
500+11.89 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG29A,LF TCR5RG09A_datasheet_en_20240308.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A
TCR5RG29A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.9V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.65 грн
10000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG29A,LF TCR5RG09A_datasheet_en_20240308.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A
TCR5RG29A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.9V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 14598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+31.19 грн
25+25.75 грн
100+18.31 грн
250+15.45 грн
500+13.68 грн
1000+12.00 грн
2500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG28A,LF TCR5RG28A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG28A
TCR5RG28A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 2.8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG28A,LF TCR5RG28A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG28A
TCR5RG28A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 2.8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
10+32.57 грн
25+29.78 грн
100+20.81 грн
250+18.86 грн
500+15.61 грн
1000+11.51 грн
2500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF11,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF11
TCR3DF11,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF11,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF11
TCR3DF11,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 300MA SMV
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL_datasheet_en_20160617.pdf?did=53315&prodName=TPH2R104PL
TPH2R104PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL_datasheet_en_20160617.pdf?did=53315&prodName=TPH2R104PL
TPH2R104PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 11371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.87 грн
10+90.21 грн
100+60.95 грн
500+45.42 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF SSM6P40TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11195&prodName=SSM6P40TU
SSM6P40TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.09 грн
6000+8.87 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF SSM6P40TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11195&prodName=SSM6P40TU
SSM6P40TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
12+26.45 грн
100+16.87 грн
500+11.96 грн
1000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(TP1,F TLP4590A_AF_Mar2021.pdf
TLP4590A(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(TP1,F TLP4590A_AF_Mar2021.pdf
TLP4590A(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.08 грн
10+214.52 грн
25+204.82 грн
50+185.66 грн
100+179.29 грн
250+171.20 грн
500+162.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8701(TE85L,F,M TPCP8701.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 80V 3A PS8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.77W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PS-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4538BP(N,F) TC4538BP_datasheet_en_20140301.pdf?did=20678&prodName=TC4538BP
TC4538BP(N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIVIBRATOR 100NS 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 100 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 9mA, 15mA
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Supply: 3 V ~ 18 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3480(TP,E TLP3480_datasheet_en_20230523.pdf?did=69121&prodName=TLP3480
TLP3480(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 4.5A 0-30V T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.083", 2.10mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 4.5 A
Supplier Device Package: P-SON4
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3480(TP,E TLP3480_datasheet_en_20230523.pdf?did=69121&prodName=TLP3480
TLP3480(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 4.5A 0-30V T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.083", 2.10mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 4.5 A
Supplier Device Package: P-SON4
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.27 грн
10+253.96 грн
100+196.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3JE,LM docget.jsp?did=22254&prodName=DF5A3.3JE
DF5A3.3JE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A3.3JE,LM docget.jsp?did=22254&prodName=DF5A3.3JE
DF5A3.3JE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ6V8,LF MUZ6V8_datasheet_en_20201026.pdf?did=69487&prodName=MUZ6V8
MUZ6V8,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.8VWM 13VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ6V8,LF MUZ6V8_datasheet_en_20201026.pdf?did=69487&prodName=MUZ6V8
MUZ6V8,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.8VWM 13VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
14+22.02 грн
100+11.67 грн
500+7.20 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ14FU,LJ(CT TC7PZ14FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14431&prodName=TC7PZ14FU
TC7PZ14FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP US6
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: US6
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.57 грн
6000+3.93 грн
9000+3.70 грн
15000+3.22 грн
21000+3.07 грн
30000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ14FU,LJ(CT TC7PZ14FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14431&prodName=TC7PZ14FU
TC7PZ14FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP US6
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: US6
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 47448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
23+13.76 грн
28+11.19 грн
100+7.83 грн
250+6.51 грн
500+5.69 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402
RN1405,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402
RN1405,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1405,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1405,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
37+8.33 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
43+7.19 грн
100+4.43 грн
500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1407,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1407,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
23+13.84 грн
100+8.62 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LXHF
RN1403,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LXHF
RN1403,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHF
RN1409,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHF
RN1409,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1404
RN1404,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.59 грн
6000+3.98 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
21000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1404
RN1404,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
24+13.00 грн
100+8.10 грн
500+5.62 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHF
RN1406,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHF
RN1406,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1401,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1401,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402
RN1402,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1402,LXHF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1402
RN1402,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.46 грн
100+8.41 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
43+7.19 грн
100+4.43 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE,LXHF(CT RN4903FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19022&prodName=RN4903FE
RN4903FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]