Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 161 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
14+21.34 грн
100+13.53 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
11+27.83 грн
100+18.43 грн
500+13.36 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
16+18.73 грн
100+11.81 грн
500+8.28 грн
1000+7.37 грн
2000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+22.24 грн
100+14.13 грн
500+9.97 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.52 грн
100+13.06 грн
500+9.21 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
6000+6.16 грн
9000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+9.01 грн
9000+8.57 грн
15000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
12+26.71 грн
100+17.10 грн
500+12.14 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.03 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
13+23.65 грн
100+15.11 грн
500+10.72 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+23.95 грн
100+15.33 грн
500+10.87 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.21 грн
6000+12.59 грн
9000+12.03 грн
15000+10.70 грн
21000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+36.34 грн
100+23.58 грн
500+17.00 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.16 грн
10+91.26 грн
25+86.59 грн
100+66.74 грн
250+62.39 грн
500+55.13 грн
1000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.48 грн
10+174.31 грн
25+164.46 грн
100+131.51 грн
250+123.48 грн
500+108.04 грн
1000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage Description: IGBT 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 700µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 312 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.87 грн
10+177.45 грн
30+160.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 3971590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
6000+4.60 грн
9000+4.34 грн
15000+3.81 грн
21000+3.65 грн
30000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 3974517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
21+14.77 грн
100+9.25 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+46.79 грн
100+30.65 грн
500+22.24 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+48.06 грн
100+31.59 грн
500+23.00 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
14+21.57 грн
25+19.43 грн
100+12.61 грн
250+10.62 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
16+19.40 грн
25+15.88 грн
100+11.16 грн
250+9.32 грн
500+8.18 грн
1000+7.12 грн
2500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
10+29.85 грн
25+27.28 грн
100+19.06 грн
250+17.27 грн
500+14.30 грн
1000+10.55 грн
2500+9.67 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
6000+6.22 грн
9000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 14644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
28+10.82 грн
32+9.58 грн
100+7.69 грн
250+7.07 грн
500+6.70 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1205DG(8Z,W) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1205DG_Prelim_02-02-04.pdf Description: CCD IMAGE SENSOR INTEGRATED CIRC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF 7UL1T04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70733&prodName=7UL1T04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF 7UL1T04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70733&prodName=7UL1T04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
48+6.34 грн
54+5.58 грн
100+4.42 грн
250+4.04 грн
500+3.80 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF 7UL1G14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF 7UL1G14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.52 грн
55+5.45 грн
63+4.75 грн
100+3.75 грн
250+3.42 грн
500+3.22 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 37W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
28+10.82 грн
100+7.30 грн
500+5.26 грн
1000+4.72 грн
2000+4.27 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+824.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1329.74 грн
10+1014.84 грн
100+887.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+836.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.61 грн
10+1027.68 грн
100+864.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1E GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70993&prodName=GT30N135SRA Description: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
10+206.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
10+30.67 грн
25+28.09 грн
100+19.62 грн
250+17.78 грн
500+14.71 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
14+21.34 грн
100+13.53 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.17 грн
11+27.83 грн
100+18.43 грн
500+13.36 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT
SSM3J56ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT
SSM3J56ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
16+18.73 грн
100+11.81 грн
500+8.28 грн
1000+7.37 грн
2000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.13 грн
6000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+22.24 грн
100+14.13 грн
500+9.97 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
15+20.52 грн
100+13.06 грн
500+9.21 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.04 грн
6000+6.16 грн
9000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R
SSM3J378R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.26 грн
6000+9.01 грн
9000+8.57 грн
15000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R
SSM3J378R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.94 грн
12+26.71 грн
100+17.10 грн
500+12.14 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.03 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
13+23.65 грн
100+15.11 грн
500+10.72 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
SSM3J356R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.90 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
SSM3J356R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.30 грн
13+23.95 грн
100+15.33 грн
500+10.87 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.21 грн
6000+12.59 грн
9000+12.03 грн
15000+10.70 грн
21000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.44 грн
10+36.34 грн
100+23.58 грн
500+17.00 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG
TC78H651FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG
TC78H651FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.16 грн
10+91.26 грн
25+86.59 грн
100+66.74 грн
250+62.39 грн
500+55.13 грн
1000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG
TB62269FTAG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG
TB62269FTAG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.48 грн
10+174.31 грн
25+164.46 грн
100+131.51 грн
250+123.48 грн
500+108.04 грн
1000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 700µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 312 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.87 грн
10+177.45 грн
30+160.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS
SSM3K56FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 3971590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.29 грн
6000+4.60 грн
9000+4.34 грн
15000+3.81 грн
21000+3.65 грн
30000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS
SSM3K56FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 3974517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
21+14.77 грн
100+9.25 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+46.79 грн
100+30.65 грн
500+22.24 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.04 грн
10+48.06 грн
100+31.59 грн
500+23.00 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
14+21.57 грн
25+19.43 грн
100+12.61 грн
250+10.62 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
16+19.40 грн
25+15.88 грн
100+11.16 грн
250+9.32 грн
500+8.18 грн
1000+7.12 грн
2500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE
TCR3RM33A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE
TCR3RM33A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.97 грн
10+29.85 грн
25+27.28 грн
100+19.06 грн
250+17.27 грн
500+14.30 грн
1000+10.55 грн
2500+9.67 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A
TCR3UF33A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.66 грн
6000+6.22 грн
9000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A
TCR3UF33A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 14644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
28+10.82 грн
32+9.58 грн
100+7.69 грн
250+7.07 грн
500+6.70 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU
SSM6G18NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU
SSM6G18NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU
SSM5H08TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU
SSM5H08TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1205DG(8Z,W) TCD1205DG_Prelim_02-02-04.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CCD IMAGE SENSOR INTEGRATED CIRC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF docget.jsp?did=70733&prodName=7UL1T04FU
7UL1T04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.63 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF docget.jsp?did=70733&prodName=7UL1T04FU
7UL1T04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
48+6.34 грн
54+5.58 грн
100+4.42 грн
250+4.04 грн
500+3.80 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU
7UL1G14FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU
7UL1G14FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.52 грн
55+5.45 грн
63+4.75 грн
100+3.75 грн
250+3.42 грн
500+3.22 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT
DF2S6M5CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT
DF2S6M5CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 37W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
28+10.82 грн
100+7.30 грн
500+5.26 грн
1000+4.72 грн
2000+4.27 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4
TLP3475SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+824.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4
TLP3475SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1329.74 грн
10+1014.84 грн
100+887.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4
TLP3412SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+836.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4
TLP3412SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1395.61 грн
10+1027.68 грн
100+864.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1E docget.jsp?did=70993&prodName=GT30N135SRA
GT30N135SRA,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
10+206.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT
74VHC9273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT
74VHC9273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
10+30.67 грн
25+28.09 грн
100+19.62 грн
250+17.78 грн
500+14.71 грн
1000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]