Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 161 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR2LN095,LF TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
14+24.32 грн
25+21.91 грн
100+14.22 грн
250+11.97 грн
500+9.73 грн
1000+7.36 грн
2500+6.62 грн
5000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.95 грн
14+23.92 грн
25+20.96 грн
100+12.72 грн
250+10.53 грн
500+8.42 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.51 грн
8000+4.77 грн
12000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
16+21.21 грн
25+18.56 грн
100+11.28 грн
250+9.34 грн
500+7.47 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F) 4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F) 4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.80 грн
5000+9.42 грн
7500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.51 грн
12+28.95 грн
25+23.89 грн
100+16.97 грн
250+14.29 грн
500+12.64 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.44 грн
50+144.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.20 грн
6000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.76 грн
10+40.11 грн
100+26.78 грн
500+19.91 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.63 грн
10+49.92 грн
100+32.72 грн
500+23.75 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
25+13.24 грн
100+8.28 грн
500+5.75 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.36 грн
25+79.80 грн
100+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.97 грн
10+82.69 грн
100+55.72 грн
500+41.41 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.77 грн
10+113.07 грн
100+90.02 грн
500+71.49 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+99.83 грн
100+79.47 грн
500+63.10 грн
1000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
21+15.79 грн
100+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.61 грн
12+27.51 грн
100+18.75 грн
500+13.20 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
16+20.33 грн
100+13.28 грн
500+9.57 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.20 грн
11+29.74 грн
100+19.70 грн
500+14.28 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095
TCR2LN095,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
14+24.32 грн
25+21.91 грн
100+14.22 грн
250+11.97 грн
500+9.73 грн
1000+7.36 грн
2500+6.62 грн
5000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115
TCR2LN115,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115
TCR2LN115,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27
TCR2LN27,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27
TCR2LN27,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285
TCR2LE285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285
TCR2LE285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285
TCR2LN285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285
TCR2LN285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15
TCR2LE15,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15
TCR2LE15,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.95 грн
14+23.92 грн
25+20.96 грн
100+12.72 грн
250+10.53 грн
500+8.42 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19
TCR2LN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19
TCR2LN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20
TCR2LN20,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20
TCR2LN20,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09
TCR2LN09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09
TCR2LN09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.51 грн
8000+4.77 грн
12000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
16+21.21 грн
25+18.56 грн
100+11.28 грн
250+9.34 грн
500+7.47 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F)
4N37(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F)
4N37(SHORT-TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG
TB6631FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.80 грн
5000+9.42 грн
7500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.51 грн
12+28.95 грн
25+23.89 грн
100+16.97 грн
250+14.29 грн
500+12.64 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM
TK2R4A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.44 грн
50+144.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.20 грн
6000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.76 грн
10+40.11 грн
100+26.78 грн
500+19.91 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.63 грн
10+49.92 грн
100+32.72 грн
500+23.75 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
25+13.24 грн
100+8.28 грн
500+5.75 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064APG,HZ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.36 грн
25+79.80 грн
100+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.97 грн
10+82.69 грн
100+55.72 грн
500+41.41 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.77 грн
10+113.07 грн
100+90.02 грн
500+71.49 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.04 грн
10+99.83 грн
100+79.47 грн
500+63.10 грн
1000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE
RN4901FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE
RN4901FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.87 грн
21+15.79 грн
100+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.21 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU
SSM3J144TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU
SSM3J144TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.61 грн
12+27.51 грн
100+18.75 грн
500+13.20 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.82 грн
6000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
16+20.33 грн
100+13.28 грн
500+9.57 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.20 грн
11+29.74 грн
100+19.70 грн
500+14.28 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]