Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 161 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
74VHC4020FT 74VHC4020FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15762&prodName=74VHC4020FT Description: IC BINARY COUNTER 14-BIT 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Direction: Up
Trigger Type: Negative Edge
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
Voltage - Supply: 2 V ~ 5.5 V
Count Rate: 210 MHz
Number of Bits per Element: 14
на замовлення 6404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
12+27.92 грн
25+22.99 грн
100+16.32 грн
250+13.73 грн
500+12.14 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN085,LF TCR2LN085,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN085 Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN085,LF TCR2LN085,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN085 Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE19,LM(CT TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE19,LM(CT TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
15+22.41 грн
25+19.60 грн
100+11.90 грн
250+9.85 грн
500+7.88 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN105,LF TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN105 Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN105,LF TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN105 Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE20,LM(CT TCR2LE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE20,LM(CT TCR2LE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 7685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
14+23.98 грн
25+21.61 грн
100+14.02 грн
250+11.81 грн
500+9.59 грн
1000+7.26 грн
2500+6.53 грн
5000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
14+23.59 грн
25+20.67 грн
100+12.55 грн
250+10.38 грн
500+8.31 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.43 грн
8000+4.71 грн
12000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
16+20.92 грн
25+18.31 грн
100+11.12 грн
250+9.21 грн
500+7.36 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F) 4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F) 4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.65 грн
5000+9.29 грн
7500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
12+28.54 грн
25+23.56 грн
100+16.74 грн
250+14.10 грн
500+12.47 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.34 грн
50+142.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.96 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.88 грн
10+39.55 грн
100+26.41 грн
500+19.64 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+49.23 грн
100+32.26 грн
500+23.42 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
18+17.61 грн
100+8.93 грн
500+6.83 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.25 грн
25+78.70 грн
100+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.10 грн
10+81.54 грн
100+54.95 грн
500+40.83 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.82 грн
10+111.50 грн
100+88.78 грн
500+70.50 грн
1000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.31 грн
10+98.45 грн
100+78.37 грн
500+62.23 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC4020FT docget.jsp?did=15762&prodName=74VHC4020FT
74VHC4020FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BINARY COUNTER 14-BIT 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Direction: Up
Trigger Type: Negative Edge
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
Voltage - Supply: 2 V ~ 5.5 V
Count Rate: 210 MHz
Number of Bits per Element: 14
на замовлення 6404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.18 грн
12+27.92 грн
25+22.99 грн
100+16.32 грн
250+13.73 грн
500+12.14 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN085,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN085
TCR2LN085,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN085,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN085
TCR2LN085,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE19
TCR2LE19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE19
TCR2LE19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
15+22.41 грн
25+19.60 грн
100+11.90 грн
250+9.85 грн
500+7.88 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN105,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN105
TCR2LN105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN105,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN105
TCR2LN105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE20,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE20
TCR2LE20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE20,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE20
TCR2LE20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 7685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31
TCR2LN31,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31
TCR2LN31,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095
TCR2LN095,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095
TCR2LN095,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
14+23.98 грн
25+21.61 грн
100+14.02 грн
250+11.81 грн
500+9.59 грн
1000+7.26 грн
2500+6.53 грн
5000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115
TCR2LN115,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115
TCR2LN115,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27
TCR2LN27,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27
TCR2LN27,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285
TCR2LE285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285
TCR2LE285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285
TCR2LN285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285
TCR2LN285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15
TCR2LE15,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15
TCR2LE15,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.48 грн
14+23.59 грн
25+20.67 грн
100+12.55 грн
250+10.38 грн
500+8.31 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19
TCR2LN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19
TCR2LN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20
TCR2LN20,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20
TCR2LN20,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09
TCR2LN09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09
TCR2LN09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.43 грн
8000+4.71 грн
12000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
16+20.92 грн
25+18.31 грн
100+11.12 грн
250+9.21 грн
500+7.36 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F)
4N37(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F)
4N37(SHORT-TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG
TB6631FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.65 грн
5000+9.29 грн
7500+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
12+28.54 грн
25+23.56 грн
100+16.74 грн
250+14.10 грн
500+12.47 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM
TK2R4A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.34 грн
50+142.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.96 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.88 грн
10+39.55 грн
100+26.41 грн
500+19.64 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+49.23 грн
100+32.26 грн
500+23.42 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
18+17.61 грн
100+8.93 грн
500+6.83 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064APG,HZ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.25 грн
25+78.70 грн
100+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.10 грн
10+81.54 грн
100+54.95 грн
500+40.83 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.82 грн
10+111.50 грн
100+88.78 грн
500+70.50 грн
1000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.31 грн
10+98.45 грн
100+78.37 грн
500+62.23 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]