Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 161 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.26 грн
8000+4.56 грн
12000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
16+20.27 грн
25+17.74 грн
100+10.77 грн
250+8.92 грн
500+7.13 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F) 4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F) 4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.32 грн
5000+9.00 грн
7500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
12+27.66 грн
25+22.83 грн
100+16.22 грн
250+13.66 грн
500+12.08 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.24 грн
50+138.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
6000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+38.32 грн
100+25.58 грн
500+19.03 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.91 грн
10+47.69 грн
100+31.26 грн
500+22.69 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
25+12.65 грн
100+7.92 грн
500+5.50 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.87 грн
25+112.05 грн
100+90.66 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.96 грн
10+79.00 грн
100+53.24 грн
500+39.56 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.50 грн
10+108.03 грн
100+86.01 грн
500+68.30 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.47 грн
10+95.38 грн
100+75.93 грн
500+60.29 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.99 грн
21+15.08 грн
100+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
12+26.28 грн
100+17.92 грн
500+12.61 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.51 грн
6000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
16+19.43 грн
100+12.69 грн
500+9.14 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.10 грн
11+28.42 грн
100+18.82 грн
500+13.64 грн
1000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 12139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.45 грн
100+10.99 грн
500+7.69 грн
1000+6.84 грн
2000+6.12 грн
5000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
14+22.70 грн
100+14.43 грн
500+10.17 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
15+20.95 грн
100+13.33 грн
500+9.40 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.19 грн
6000+6.29 грн
9000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.82 грн
6000+7.31 грн
9000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
14+22.17 грн
100+14.98 грн
500+10.94 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.33 грн
100+8.33 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+24.15 грн
100+15.43 грн
500+10.94 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.09 грн
6000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
13+24.46 грн
100+15.65 грн
500+11.10 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
6000+12.85 грн
9000+12.28 грн
15000+10.92 грн
21000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.71 грн
10+37.10 грн
100+24.07 грн
500+17.35 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.39 грн
10+93.18 грн
25+88.41 грн
100+68.14 грн
250+63.70 грн
500+56.29 грн
1000+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.26 грн
8000+4.56 грн
12000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.48 грн
16+20.27 грн
25+17.74 грн
100+10.77 грн
250+8.92 грн
500+7.13 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F)
4N37(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F)
4N37(SHORT-TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG
TB6631FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+10.32 грн
5000+9.00 грн
7500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.26 грн
12+27.66 грн
25+22.83 грн
100+16.22 грн
250+13.66 грн
500+12.08 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM
TK2R4A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+283.24 грн
50+138.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.43 грн
6000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.92 грн
10+38.32 грн
100+25.58 грн
500+19.03 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.91 грн
10+47.69 грн
100+31.26 грн
500+22.69 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.36 грн
25+12.65 грн
100+7.92 грн
500+5.50 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064APG,HZ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.87 грн
25+112.05 грн
100+90.66 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.96 грн
10+79.00 грн
100+53.24 грн
500+39.56 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.50 грн
10+108.03 грн
100+86.01 грн
500+68.30 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.47 грн
10+95.38 грн
100+75.93 грн
500+60.29 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE
RN4901FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE
RN4901FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.99 грн
21+15.08 грн
100+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.02 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU
SSM3J144TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU
SSM3J144TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.02 грн
12+26.28 грн
100+17.92 грн
500+12.61 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.51 грн
6000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.65 грн
16+19.43 грн
100+12.69 грн
500+9.14 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.10 грн
11+28.42 грн
100+18.82 грн
500+13.64 грн
1000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT
SSM3J56ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F docget.jsp?did=30735&prodName=SSM3J56ACT
SSM3J56ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 12139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.27 грн
18+17.45 грн
100+10.99 грн
500+7.69 грн
1000+6.84 грн
2000+6.12 грн
5000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.28 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.02 грн
14+22.70 грн
100+14.43 грн
500+10.17 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF docget.jsp?did=59197&prodName=SSM3J371R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.81 грн
15+20.95 грн
100+13.33 грн
500+9.40 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.19 грн
6000+6.29 грн
9000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.82 грн
6000+7.31 грн
9000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.02 грн
14+22.17 грн
100+14.98 грн
500+10.94 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
23+13.33 грн
100+8.33 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.35 грн
13+24.15 грн
100+15.43 грн
500+10.94 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
SSM3J356R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.09 грн
6000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
SSM3J356R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.14 грн
13+24.46 грн
100+15.65 грн
500+11.10 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.51 грн
6000+12.85 грн
9000+12.28 грн
15000+10.92 грн
21000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.71 грн
10+37.10 грн
100+24.07 грн
500+17.35 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG
TC78H651FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG
TC78H651FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.39 грн
10+93.18 грн
25+88.41 грн
100+68.14 грн
250+63.70 грн
500+56.29 грн
1000+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]