Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 162 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR2LE20,LM(CT TCR2LE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 7685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
14+23.32 грн
25+21.01 грн
100+13.63 грн
250+11.48 грн
500+9.33 грн
1000+7.06 грн
2500+6.35 грн
5000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285 Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
14+22.93 грн
25+20.09 грн
100+12.20 грн
250+10.09 грн
500+8.08 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.58 грн
12000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
16+20.34 грн
25+17.80 грн
100+10.81 грн
250+8.95 грн
500+7.16 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F) 4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F) 4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.35 грн
5000+9.03 грн
7500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT 74LCX04FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.43 грн
12+27.75 грн
25+22.90 грн
100+16.27 грн
250+13.70 грн
500+12.12 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.21 грн
50+138.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F) RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.49 грн
6000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.13 грн
10+38.45 грн
100+25.67 грн
500+19.09 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.18 грн
10+47.86 грн
100+31.37 грн
500+22.77 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
18+17.12 грн
100+8.68 грн
500+6.64 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.08 грн
25+76.51 грн
100+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.40 грн
10+79.28 грн
100+53.42 грн
500+39.70 грн
1000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.96 грн
10+108.40 грн
100+86.31 грн
500+68.54 грн
1000+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.88 грн
10+95.71 грн
100+76.19 грн
500+60.50 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
21+15.14 грн
100+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
12+26.37 грн
100+17.98 грн
500+12.66 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
16+19.49 грн
100+12.74 грн
500+9.17 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE20,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE20
TCR2LE20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 7685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31
TCR2LN31,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN31,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN31
TCR2LN31,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095
TCR2LN095,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN095,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN095
TCR2LN095,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
14+23.32 грн
25+21.01 грн
100+13.63 грн
250+11.48 грн
500+9.33 грн
1000+7.06 грн
2500+6.35 грн
5000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115
TCR2LN115,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN115
TCR2LN115,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF19,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27
TCR2LN27,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN27,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN27
TCR2LN27,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285
TCR2LE285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE285
TCR2LE285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285
TCR2LN285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN285
TCR2LN285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15
TCR2LE15,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE15,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE15
TCR2LE15,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
14+22.93 грн
25+20.09 грн
100+12.20 грн
250+10.09 грн
500+8.08 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19
TCR2LN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN19,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN19
TCR2LN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20
TCR2LN20,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN20,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN20
TCR2LN20,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09
TCR2LN09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN09,LF docget.jsp?did=15272&prodName=TCR2LN09
TCR2LN09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.58 грн
12000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE28,LM(CT TCR2LE28_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LE28
TCR2LE28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
16+20.34 грн
25+17.80 грн
100+10.81 грн
250+8.95 грн
500+7.16 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT,F)
4N37(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N37(SHORT-TP5,F)
4N37(SHORT-TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6631FNG,EL TB6631FNG_datasheet_en_20151008.pdf?did=30648&prodName=TB6631FNG
TB6631FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.35 грн
5000+9.03 грн
7500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT docget.jsp?did=15379&prodName=74LCX04FT
74LCX04FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
12+27.75 грн
25+22.90 грн
100+16.27 грн
250+13.70 грн
500+12.12 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM
TK2R4A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.21 грн
50+138.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN46A1(TE85L,F)
RN46A1(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02FU(TE85L,F) docget.jsp?did=21830&prodName=HN2S02FU
HN2S02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.49 грн
6000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU
SSM3K341TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.13 грн
10+38.45 грн
100+25.67 грн
500+19.09 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LXHF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.18 грн
10+47.86 грн
100+31.37 грн
500+22.77 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
18+17.12 грн
100+8.68 грн
500+6.64 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064APG,HZ TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064APG,HZ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.08 грн
25+76.51 грн
100+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LF docget.jsp?did=13806&prodName=SSM6J216FE
SSM6J216FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ TK560P65Y_datasheet_en_20161214.pdf?did=55408&prodName=TK560P65Y
TK560P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.40 грн
10+79.28 грн
100+53.42 грн
500+39.70 грн
1000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ TK290P65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55288&prodName=TK290P65Y
TK290P65Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.96 грн
10+108.40 грн
100+86.31 грн
500+68.54 грн
1000+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ TK290P60Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=55272&prodName=TK290P60Y
TK290P60Y,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.88 грн
10+95.71 грн
100+76.19 грн
500+60.50 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE
RN4901FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE,LF(CT docget.jsp?did=19018&prodName=RN4901FE
RN4901FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
21+15.14 грн
100+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU
SSM3J144TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF SSM3J144TU_datasheet_en_20210625.pdf?did=59193&prodName=SSM3J144TU
SSM3J144TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
12+26.37 грн
100+17.98 грн
500+12.66 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.54 грн
6000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF docget.jsp?did=59195&prodName=SSM3J145TU
SSM3J145TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
16+19.49 грн
100+12.74 грн
500+9.17 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]