Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 155 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1T126FU_datasheet_en_20220913.pdf?did=68932&prodName=7UL1T126FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1T126FU_datasheet_en_20220913.pdf?did=68932&prodName=7UL1T126FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
18+17.09 грн
25+13.98 грн
100+9.80 грн
250+8.17 грн
500+7.16 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF 7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.29 грн
6000+3.99 грн
9000+3.92 грн
15000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF 7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 22387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.14 грн
43+7.20 грн
49+6.38 грн
100+5.05 грн
250+4.62 грн
500+4.36 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF 7UL2G125FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF 7UL2G125FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
16+20.15 грн
25+18.42 грн
100+12.87 грн
250+11.67 грн
500+9.66 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
12+26.06 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.67 грн
6000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
12+26.06 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
11+28.97 грн
100+18.55 грн
500+13.20 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 23988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+96.18 грн
25+81.69 грн
100+61.25 грн
250+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.76 грн
10+144.07 грн
25+122.49 грн
100+92.00 грн
250+80.71 грн
500+73.75 грн
1000+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT TC7WPN3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT TC7WPN3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+27.20 грн
25+24.52 грн
100+15.91 грн
250+13.39 грн
500+10.88 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
20+15.79 грн
100+7.27 грн
500+6.51 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TOCP155K Toshiba Semiconductor and Storage Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TOCP155K(SUMID) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSCEIVING MODULE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3547(TP1,F TLP3547(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3547_datasheet_en_20200325.pdf?did=36853&prodName=TLP3547 Description: SSR RELAY SPST-NO 5A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 5 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3547(TP1,F TLP3547(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3547_datasheet_en_20200325.pdf?did=36853&prodName=TLP3547 Description: SSR RELAY SPST-NO 5A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 5 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.94 грн
10+498.35 грн
25+475.96 грн
50+431.33 грн
100+416.55 грн
250+397.74 грн
500+377.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F TLP3556A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3556A_datasheet_en_20200325.pdf?did=60315&prodName=TLP3556A Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F TLP3556A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3556A_datasheet_en_20200325.pdf?did=60315&prodName=TLP3556A Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.80 грн
10+223.46 грн
25+211.82 грн
50+190.84 грн
100+183.23 грн
250+173.63 грн
500+163.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556(TP1,F) TLP3556(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3556_datasheet_en_20200325.pdf?did=11952&prodName=TLP3556 Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 700 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 5817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.32 грн
35+8.81 грн
100+5.46 грн
500+3.74 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=55699&prodName=TPH7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.98 грн
10000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=55699&prodName=TPH7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 24886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.87 грн
10+46.52 грн
100+30.83 грн
500+24.97 грн
1000+21.57 грн
2000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TB9057FG TB9057FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9057FG_datasheet_en_20210118.pdf?did=65112&prodName=TB9057FG Description: AUTOMOTIVE MOTOR H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Pre-Driver
Voltage - Supply: 5V ~ 21V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.85 грн
10+685.03 грн
25+653.16 грн
80+532.25 грн
250+508.33 грн
500+463.48 грн
1000+397.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.81 грн
10+216.26 грн
100+153.32 грн
500+118.67 грн
1000+112.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 6972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.67 грн
10+126.14 грн
100+96.29 грн
500+73.63 грн
1000+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4X TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67746&prodName=TK190A65Z Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z_datasheet_en_20181120.pdf?did=63648&prodName=TK090A65Z Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231_Prelim_DS.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+195.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231_Prelim_DS.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.13 грн
10+282.24 грн
100+225.39 грн
500+188.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(SHRP-MA,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(ADCHI-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000 Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000 Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.21 грн
10+170.97 грн
100+128.15 грн
500+104.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU_datasheet_en_20220913.pdf?did=68932&prodName=7UL1T126FU
7UL1T126FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU_datasheet_en_20220913.pdf?did=68932&prodName=7UL1T126FU
7UL1T126FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
18+17.09 грн
25+13.98 грн
100+9.80 грн
250+8.17 грн
500+7.16 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU
7UL1T125FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.29 грн
6000+3.99 грн
9000+3.92 грн
15000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU
7UL1T125FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 22387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.14 грн
43+7.20 грн
49+6.38 грн
100+5.05 грн
250+4.62 грн
500+4.36 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK
7UL2G125FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK
7UL2G125FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
16+20.15 грн
25+18.42 грн
100+12.87 грн
250+11.67 грн
500+9.66 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF
SSM6K516NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF
SSM6K516NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
12+26.06 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF
SSM6K518NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.67 грн
6000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF
SSM6K518NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
12+26.06 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU
SSM6K517NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU
SSM6K517NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
11+28.97 грн
100+18.55 грн
500+13.20 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 23988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.57 грн
10+96.18 грн
25+81.69 грн
100+61.25 грн
250+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.76 грн
10+144.07 грн
25+122.49 грн
100+92.00 грн
250+80.71 грн
500+73.75 грн
1000+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT
TC7WPN3125FK,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT
TC7WPN3125FK,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+27.20 грн
25+24.52 грн
100+15.91 грн
250+13.39 грн
500+10.88 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU
SSM6N7002KFU,LXH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.32 грн
6000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU
SSM6N7002KFU,LXH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
20+15.79 грн
100+7.27 грн
500+6.51 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ
TK155U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ
TK155U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV
RN2112MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV
RN2112MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TOCP155K
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TOCP155K(SUMID)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVING MODULE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3547(TP1,F TLP3547_datasheet_en_20200325.pdf?did=36853&prodName=TLP3547
TLP3547(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 5A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 5 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3547(TP1,F TLP3547_datasheet_en_20200325.pdf?did=36853&prodName=TLP3547
TLP3547(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 5A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 5 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.94 грн
10+498.35 грн
25+475.96 грн
50+431.33 грн
100+416.55 грн
250+397.74 грн
500+377.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F TLP3556A_datasheet_en_20200325.pdf?did=60315&prodName=TLP3556A
TLP3556A(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F TLP3556A_datasheet_en_20200325.pdf?did=60315&prodName=TLP3556A
TLP3556A(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.80 грн
10+223.46 грн
25+211.82 грн
50+190.84 грн
100+183.23 грн
250+173.63 грн
500+163.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556(TP1,F) TLP3556_datasheet_en_20200325.pdf?did=11952&prodName=TLP3556
TLP3556(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 700 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS
SSM3J15FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS
SSM3J15FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 5817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
35+8.81 грн
100+5.46 грн
500+3.74 грн
1000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=55699&prodName=TPH7R006PL
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.98 грн
10000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=55699&prodName=TPH7R006PL
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 24886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.87 грн
10+46.52 грн
100+30.83 грн
500+24.97 грн
1000+21.57 грн
2000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TB9057FG TB9057FG_datasheet_en_20210118.pdf?did=65112&prodName=TB9057FG
TB9057FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE MOTOR H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Pre-Driver
Voltage - Supply: 5V ~ 21V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.85 грн
10+685.03 грн
25+653.16 грн
80+532.25 грн
250+508.33 грн
500+463.48 грн
1000+397.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z
TK190U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.81 грн
10+216.26 грн
100+153.32 грн
500+118.67 грн
1000+112.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1
TPHR6503PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1
TPHR6503PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 6972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.67 грн
10+126.14 грн
100+96.29 грн
500+73.63 грн
1000+72.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4X docget.jsp?did=67746&prodName=TK190A65Z
TK190A65Z,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X TK090A65Z_datasheet_en_20181120.pdf?did=63648&prodName=TK090A65Z
TK090A65Z,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231_Prelim_DS.pdf
TLP5231(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+195.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231_Prelim_DS.pdf
TLP5231(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.13 грн
10+282.24 грн
100+225.39 грн
500+188.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(YASK,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(SHRP-MA,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(ADCHI-PP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TOJS,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(PP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(MBS,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303
RN1303,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303
RN1303,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000
TLX9000(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000
TLX9000(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
10+170.97 грн
100+128.15 грн
500+104.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]