Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13491) > Сторінка 155 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.68 грн
10+90.90 грн
100+61.17 грн
500+45.44 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3052A(F TLP3052A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052AF_datasheet_en_20201022.pdf?did=30349&prodName=TLP3052AF Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-DIP
Packaging: Box
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.63 грн
10+110.85 грн
100+75.39 грн
500+56.49 грн
1000+51.91 грн
2000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.73 грн
22+15.80 грн
100+8.37 грн
500+5.16 грн
1000+3.51 грн
2000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 13537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.08 грн
10+187.95 грн
100+132.08 грн
500+111.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(TP1,J,F) TLP759(TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4-TP1,J,F) TLP759(D4-TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(J,F) TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(LF1,J,F) TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4,J,F) TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4-LF1,J,F) TLP759(D4-LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4DFN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4DFN
на замовлення 59582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H400ANG TB67H400ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400ANG_datasheet_en_20161222.pdf?did=56940&prodName=TB67H400ANG Description: IC MOTOR DRIVER 24SDIP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 6A
Interface: Parallel, PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 24-SDIP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.67 грн
10+304.95 грн
25+281.52 грн
100+239.96 грн
250+228.43 грн
500+221.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF18A,LM(CT TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF18A,LM(CT TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SMV
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9291A(GBTPL,F TLX9291A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291A_datasheet_en_20190628.pdf?did=53137&prodName=TLX9291A Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 5µs
Rise / Fall Time (Typ): 3µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.43 грн
5000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9291A(GBTPL,F TLX9291A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291A_datasheet_en_20190628.pdf?did=53137&prodName=TLX9291A Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 5µs
Rise / Fall Time (Typ): 3µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.72 грн
10+185.53 грн
100+139.07 грн
500+113.34 грн
1000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LF SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F_datasheet_en_20161219.pdf?did=35740&prodName=SSM3J353F Description: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
6000+6.17 грн
9000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R Description: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R Description: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.32 грн
14+25.36 грн
100+16.20 грн
500+11.47 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59201&prodName=SSM3J375F Description: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.36 грн
6000+6.60 грн
9000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59201&prodName=SSM3J375F Description: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.54 грн
16+21.87 грн
100+13.85 грн
500+9.73 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30110&prodName=TK40S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721OTE85LF 2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721_datasheet_en_20140301.pdf?did=19183&prodName=2SA1721 Description: TRANS PNP 300V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721RTE85LF 2SA1721RTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19183&prodName=2SA1721 Description: TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721RTE85LF 2SA1721RTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19183&prodName=2SA1721 Description: TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1457(T6CANO,F,M 2SB1457(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457_2009-12-21.pdf Description: TRANS PNP 2A 100V TO226-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CANO,A,F 2SD2695(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 2A 60V TO226-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962_2009-09-29.pdf Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962_2009-09-29.pdf Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989.pdf Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989.pdf Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4TP4,E TLP5752H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66190&prodName=TLP5754H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4TP4,E TLP5752H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66190&prodName=TLP5754H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.81 грн
10+100.79 грн
100+76.87 грн
500+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(TP4,E TLP5752H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(TP4,E TLP5752H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.81 грн
10+100.79 грн
100+76.87 грн
500+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30650&prodName=TK1R4S04PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30650&prodName=TK1R4S04PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.17 грн
10+133.14 грн
100+91.40 грн
500+69.04 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TD62308APG,J,S TD62308APG,J,S Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC DRIVER 4/0 16DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62308AFG,S,EL TD62308AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21665&prodName=TD62308APG Description: IC DRIVER 4/0 16HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1_datasheet_en_20201109.pdf?did=69034&prodName=TPH2R306NH1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1_datasheet_en_20201109.pdf?did=69034&prodName=TPH2R306NH1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+170.99 грн
10+105.45 грн
100+71.78 грн
500+53.82 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-GR,LF 2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.27 грн
34+9.90 грн
100+6.13 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FTG,EL TC78H660FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68604&prodName=TC78H660FTG Description: 2-CH BRUSHED MOTOR DRIVERS AT 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FTG,EL TC78H660FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68604&prodName=TC78H660FTG Description: 2-CH BRUSHED MOTOR DRIVERS AT 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.72 грн
10+53.64 грн
25+48.43 грн
100+40.08 грн
250+37.52 грн
500+35.98 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2200(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S23P2CTC,L3F DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC_datasheet_en_20180509.pdf?did=58600&prodName=DF2S23P2CTC Description: TVS DIODE 21VWM 35.7VC CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 160pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 21V (Max)
Supplier Device Package: CST2C
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 21.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.7V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S23P2CTC,L3F DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC_datasheet_en_20180509.pdf?did=58600&prodName=DF2S23P2CTC Description: TVS DIODE 21VWM 35.7VC CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 160pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 21V (Max)
Supplier Device Package: CST2C
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 21.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.7V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 25934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+24.18 грн
22+15.72 грн
100+6.59 грн
500+5.98 грн
1000+5.76 грн
2000+5.69 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(D4-TP,E TLP2768A(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR SO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(D4,E TLP2768A(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR SO6
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF24,LM(CT TCR3DF24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF24 Description: IC REG LINEAR 2.4V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L
TK33S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L
TK33S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.68 грн
10+90.90 грн
100+61.17 грн
500+45.44 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3052A(F TLP3052AF_datasheet_en_20201022.pdf?did=30349&prodName=TLP3052AF
TLP3052A(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-DIP
Packaging: Box
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1
TPHR9003NL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1
TPHR9003NL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1
TPHR9203PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1
TPHR9203PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.63 грн
10+110.85 грн
100+75.39 грн
500+56.49 грн
1000+51.91 грн
2000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
RN4985FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
RN4985FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.73 грн
22+15.80 грн
100+8.37 грн
500+5.16 грн
1000+3.51 грн
2000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL
TPW1R005PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL
TPW1R005PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 13537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.08 грн
10+187.95 грн
100+132.08 грн
500+111.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(TP1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(TP1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4-TP1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(D4-TP1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(LF1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(LF1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(D4,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4-LF1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(D4-LF1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A
TCR3UM18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4DFN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A
TCR3UM18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4DFN
на замовлення 59582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H400ANG TB67H400ANG_datasheet_en_20161222.pdf?did=56940&prodName=TB67H400ANG
TB67H400ANG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 24SDIP
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 6A
Interface: Parallel, PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 24-SDIP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.67 грн
10+304.95 грн
25+281.52 грн
100+239.96 грн
250+228.43 грн
500+221.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF18A,LM(CT
TCR3UF18A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF18A,LM(CT
TCR3UF18A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA SMV
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9291A(GBTPL,F TLX9291A_datasheet_en_20190628.pdf?did=53137&prodName=TLX9291A
TLX9291A(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 5µs
Rise / Fall Time (Typ): 3µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+113.43 грн
5000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9291A(GBTPL,F TLX9291A_datasheet_en_20190628.pdf?did=53137&prodName=TLX9291A
TLX9291A(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 5µs, 5µs
Rise / Fall Time (Typ): 3µs, 5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.72 грн
10+185.53 грн
100+139.07 грн
500+113.34 грн
1000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LF SSM3J353F_datasheet_en_20161219.pdf?did=35740&prodName=SSM3J353F
SSM3J353F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.70 грн
6000+6.17 грн
9000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.32 грн
14+25.36 грн
100+16.20 грн
500+11.47 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF docget.jsp?did=59201&prodName=SSM3J375F
SSM3J375F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.36 грн
6000+6.60 грн
9000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF docget.jsp?did=59201&prodName=SSM3J375F
SSM3J375F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
16+21.87 грн
100+13.85 грн
500+9.73 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ docget.jsp?did=30110&prodName=TK40S06N1L
TK40S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721OTE85LF 2SA1721_datasheet_en_20140301.pdf?did=19183&prodName=2SA1721
2SA1721OTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 300V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721RTE85LF docget.jsp?did=19183&prodName=2SA1721
2SA1721RTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1721RTE85LF docget.jsp?did=19183&prodName=2SA1721
2SA1721RTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 300V 100MA TO236-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1457(T6CANO,F,M 2SB1457_2009-12-21.pdf
2SB1457(T6CANO,F,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 2A 100V TO226-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CANO,A,F 2SD2695_2009-12-21.pdf
2SD2695(T6CANO,A,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695_2009-12-21.pdf
2SD2695(T6CANO,F,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 2A 60V TO226-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962_2009-09-29.pdf
2SK2962(T6CANO,A,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962_2009-09-29.pdf
2SK2962(T6CANO,F,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989.pdf
2SK2989(T6CANO,A,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989.pdf
2SK2989(T6CANO,F,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-92MOD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4TP4,E TLP5754H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66190&prodName=TLP5754H
TLP5752H(D4TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4TP4,E TLP5754H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66190&prodName=TLP5754H
TLP5752H(D4TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.81 грн
10+100.79 грн
100+76.87 грн
500+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(TP4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(TP4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.81 грн
10+100.79 грн
100+76.87 грн
500+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30650&prodName=TK1R4S04PB
TK1R4S04PB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30650&prodName=TK1R4S04PB
TK1R4S04PB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.17 грн
10+133.14 грн
100+91.40 грн
500+69.04 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TD62308APG,J,S
TD62308APG,J,S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DRIVER 4/0 16DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62308AFG,S,EL docget.jsp?did=21665&prodName=TD62308APG
TD62308AFG,S,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DRIVER 4/0 16HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ TPH2R306NH1_datasheet_en_20201109.pdf?did=69034&prodName=TPH2R306NH1
TPH2R306NH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH1,LQ TPH2R306NH1_datasheet_en_20201109.pdf?did=69034&prodName=TPH2R306NH1
TPH2R306NH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.99 грн
10+105.45 грн
100+71.78 грн
500+53.82 грн
1000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-GR,LF docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588
2SA1588-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.27 грн
34+9.90 грн
100+6.13 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FTG,EL docget.jsp?did=68604&prodName=TC78H660FTG
TC78H660FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2-CH BRUSHED MOTOR DRIVERS AT 20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FTG,EL docget.jsp?did=68604&prodName=TC78H660FTG
TC78H660FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2-CH BRUSHED MOTOR DRIVERS AT 20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.72 грн
10+53.64 грн
25+48.43 грн
100+40.08 грн
250+37.52 грн
500+35.98 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2200(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2200(LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S23P2CTC,L3F DF2S23P2CTC_datasheet_en_20180509.pdf?did=58600&prodName=DF2S23P2CTC
DF2S23P2CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 21VWM 35.7VC CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 160pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 21V (Max)
Supplier Device Package: CST2C
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 21.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.7V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S23P2CTC,L3F DF2S23P2CTC_datasheet_en_20180509.pdf?did=58600&prodName=DF2S23P2CTC
DF2S23P2CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 21VWM 35.7VC CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 160pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 21V (Max)
Supplier Device Package: CST2C
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 21.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.7V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 25934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.18 грн
22+15.72 грн
100+6.59 грн
500+5.98 грн
1000+5.76 грн
2000+5.69 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(D4-TP,E
TLP2768A(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR SO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(D4,E
TLP2768A(D4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR SO6
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF24,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF24
TCR3DF24,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.4V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]