Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 163 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.25 грн
11+28.52 грн
100+18.88 грн
500+13.69 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 33552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
18+17.89 грн
100+11.29 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
2000+6.28 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
6000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
14+22.78 грн
100+14.48 грн
500+10.21 грн
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R_datasheet_en_20210528.pdf?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
6000+7.55 грн
9000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R_datasheet_en_20210528.pdf?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
14+22.93 грн
100+14.57 грн
500+10.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F_datasheet_en_20220422.pdf?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.71 грн
6000+6.89 грн
9000+6.35 грн
15000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+7.33 грн
9000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
14+22.25 грн
100+15.03 грн
500+10.98 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
22+14.14 грн
100+8.86 грн
500+6.16 грн
1000+5.46 грн
2000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
13+25.23 грн
100+15.18 грн
500+9.66 грн
1000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
12+26.45 грн
100+17.29 грн
500+12.00 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.75 грн
6000+13.95 грн
9000+13.34 грн
15000+11.86 грн
21000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+37.00 грн
100+24.73 грн
500+18.07 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.76 грн
10+93.50 грн
25+88.71 грн
100+68.38 грн
250+63.92 грн
500+56.48 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.41 грн
10+178.58 грн
25+168.49 грн
100+134.73 грн
250+126.50 грн
500+110.69 грн
1000+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT20N135SRA_datasheet_en_20190905.pdf?did=67767&prodName=GT20N135SRA Description: IGBT 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 700µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 312 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.78 грн
10+190.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 5598000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.50 грн
9000+3.30 грн
15000+2.89 грн
21000+2.77 грн
30000+2.65 грн
75000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 5598334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
28+11.24 грн
100+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.39 грн
10+47.93 грн
100+31.40 грн
500+22.79 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.98 грн
10+49.23 грн
100+32.37 грн
500+23.57 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
14+22.09 грн
25+19.91 грн
100+12.91 грн
250+10.88 грн
500+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
16+19.88 грн
25+16.27 грн
100+11.43 грн
250+9.54 грн
500+8.38 грн
1000+7.29 грн
2500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
10+30.58 грн
25+27.95 грн
100+19.53 грн
250+17.70 грн
500+14.65 грн
1000+10.81 грн
2500+9.90 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
27+11.54 грн
30+10.21 грн
100+8.21 грн
250+7.55 грн
500+7.15 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1205DG(8Z,W) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1205DG_Prelim_02-02-04.pdf Description: CCD IMAGE SENSOR INTEGRATED CIRC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70607&prodName=DF2B5M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70607&prodName=DF2B5M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
19+16.44 грн
100+10.36 грн
500+7.24 грн
1000+6.43 грн
2000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF 7UL1T04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: LOGIC, INVERTER WITH LEVEL SHIFT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF 7UL1T04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: LOGIC, INVERTER WITH LEVEL SHIFT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
15+21.71 грн
25+18.96 грн
100+11.52 грн
250+9.54 грн
500+7.63 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF 7UL1G14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF 7UL1G14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 11367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
21+14.60 грн
26+11.90 грн
100+8.29 грн
250+6.89 грн
500+6.03 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
28+11.09 грн
100+7.48 грн
500+5.39 грн
1000+4.84 грн
2000+4.37 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+854.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1426.62 грн
10+1050.56 грн
100+883.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+856.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4 Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.80 грн
10+1052.85 грн
100+885.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1E GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70993&prodName=GT30N135SRA Description: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.79 грн
10+228.12 грн
30+206.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
10+31.42 грн
25+28.78 грн
100+20.10 грн
250+18.21 грн
500+15.07 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHF docget.jsp?did=59191&prodName=SSM3J143TU
SSM3J143TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
11+28.52 грн
100+18.88 грн
500+13.69 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHF SSM3J140TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=59188&prodName=SSM3J140TU
SSM3J140TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT
SSM3J56ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT
SSM3J56ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 33552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
18+17.89 грн
100+11.29 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
2000+6.28 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.30 грн
6000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
14+22.78 грн
100+14.48 грн
500+10.21 грн
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF SSM3J371R_datasheet_en_20210528.pdf?did=59197&prodName=SSM3J371R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.62 грн
6000+7.55 грн
9000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF SSM3J371R_datasheet_en_20210528.pdf?did=59197&prodName=SSM3J371R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
14+22.93 грн
100+14.57 грн
500+10.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF SSM3J168F_datasheet_en_20220422.pdf?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.71 грн
6000+6.89 грн
9000+6.35 грн
15000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.84 грн
6000+7.33 грн
9000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF docget.jsp?did=59205&prodName=SSM3J378R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
14+22.25 грн
100+15.03 грн
500+10.98 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
22+14.14 грн
100+8.86 грн
500+6.16 грн
1000+5.46 грн
2000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHF docget.jsp?did=55835&prodName=SSM3J168F
SSM3J168F,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
13+25.23 грн
100+15.18 грн
500+9.66 грн
1000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+26.45 грн
100+17.29 грн
500+12.00 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.75 грн
6000+13.95 грн
9000+13.34 грн
15000+11.86 грн
21000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+37.00 грн
100+24.73 грн
500+18.07 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG
TC78H651FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651FNG(O,EL) TC78H651FNG_datasheet_en_20180418.pdf?did=61125&prodName=TC78H651FNG
TC78H651FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
10+93.50 грн
25+88.71 грн
100+68.38 грн
250+63.92 грн
500+56.48 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG
TB62269FTAG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TB62269FTAG,EL docget.jsp?did=55078&prodName=TB62269FTAG
TB62269FTAG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 32VQFN
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.41 грн
10+178.58 грн
25+168.49 грн
100+134.73 грн
250+126.50 грн
500+110.69 грн
1000+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT20N135SRA,S1E GT20N135SRA_datasheet_en_20190905.pdf?did=67767&prodName=GT20N135SRA
GT20N135SRA,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 700µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 312 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.78 грн
10+190.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS
SSM3K56FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 5598000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
6000+3.50 грн
9000+3.30 грн
15000+2.89 грн
21000+2.77 грн
30000+2.65 грн
75000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF docget.jsp?did=13419&prodName=SSM3K56FS
SSM3K56FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 5598334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
28+11.24 грн
100+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LXHF SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.39 грн
10+47.93 грн
100+31.40 грн
500+22.79 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+49.23 грн
100+32.37 грн
500+23.57 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN33,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.3V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
14+22.09 грн
25+19.91 грн
100+12.91 грн
250+10.88 грн
500+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN33,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN33,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
16+19.88 грн
25+16.27 грн
100+11.43 грн
250+9.54 грн
500+8.38 грн
1000+7.29 грн
2500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE
TCR3RM33A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM33A,LF(SE
TCR3RM33A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 33V 300MA 4DFNC
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
10+30.58 грн
25+27.95 грн
100+19.53 грн
250+17.70 грн
500+14.65 грн
1000+10.81 грн
2500+9.90 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT
TCR3UF33A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.11 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF33A,LM(CT
TCR3UF33A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
27+11.54 грн
30+10.21 грн
100+8.21 грн
250+7.55 грн
500+7.15 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU
SSM6G18NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LF docget.jsp?did=6351&prodName=SSM6G18NU
SSM6G18NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU
SSM5H08TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H08TU,LF SSM5H08TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21119&prodName=SSM5H08TU
SSM5H08TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 750mA, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1205DG(8Z,W) TCD1205DG_Prelim_02-02-04.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CCD IMAGE SENSOR INTEGRATED CIRC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M5CT,L3F DF2B5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70607&prodName=DF2B5M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M5CT,L3F DF2B5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70607&prodName=DF2B5M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
19+16.44 грн
100+10.36 грн
500+7.24 грн
1000+6.43 грн
2000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF
7UL1T04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LOGIC, INVERTER WITH LEVEL SHIFT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T04FU,LF
7UL1T04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LOGIC, INVERTER WITH LEVEL SHIFT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
15+21.71 грн
25+18.96 грн
100+11.52 грн
250+9.54 грн
500+7.63 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU
7UL1G14FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G14FU,LF docget.jsp?did=70741&prodName=7UL1G14FU
7UL1G14FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.73V ~ 2.14V
Input Logic Level - Low: 0.18V ~ 0.96V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 11367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
21+14.60 грн
26+11.90 грн
100+8.29 грн
250+6.89 грн
500+6.03 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT
DF2S6M5CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT
DF2S6M5CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
28+11.09 грн
100+7.48 грн
500+5.39 грн
1000+4.84 грн
2000+4.37 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4
TLP3475SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+854.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3475SRHA4(TPE TLP3475SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139684&prodName=TLP3475SRHA4
TLP3475SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1426.62 грн
10+1050.56 грн
100+883.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4
TLP3412SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+856.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRHA4(TPE TLP3412SRHA4_datasheet_en_20210910.pdf?did=139693&prodName=TLP3412SRHA4
TLP3412SRHA4(TPE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.5VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 250 mA
Supplier Device Package: S-VSON16T (2x6.25)
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1429.80 грн
10+1052.85 грн
100+885.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT30N135SRA,S1E docget.jsp?did=70993&prodName=GT30N135SRA
GT30N135SRA,S1E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.79 грн
10+228.12 грн
30+206.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT
74VHC9273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9273FT 74VHC9273FT_datasheet_en_20180618.pdf?did=15529&prodName=74VHC9273FT
74VHC9273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 100 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 12.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+31.42 грн
25+28.78 грн
100+20.10 грн
250+18.21 грн
500+15.07 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]