Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13063) > Сторінка 164 з 218
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TCR2LN085,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE19,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LE19,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV |
на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LN105,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN105,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE20,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE20,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV |
на замовлення 7685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN31,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TCR2LN31,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN |
на замовлення 6225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN095,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LN095,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LN115,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN115,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LF19,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LF19,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV |
на замовлення 5972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN27,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TCR2LN27,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN |
на замовлення 9450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE285,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE285,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV |
на замовлення 7983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN285,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN285,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE15,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LE15,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV |
на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LN19,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TCR2LN19,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN20,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TCR2LN20,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN |
на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN09,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LN09,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TCR2LE28,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ) Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 2 µA Voltage - Input (Max): 5.5V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: ESV Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V Control Features: Enable Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA Protection Features: Over Current |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LE28,LM(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ) Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 2 µA Voltage - Input (Max): 5.5V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: ESV Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V Control Features: Enable Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA Protection Features: Over Current |
на замовлення 22606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TCR2LN285,LF(SE | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TCR2LN285,LF(SE | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
4N37(SHORT,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOCOUPLER TRANS Packaging: Bulk Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Transistor with Base Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V Input Type: DC Current - Output / Channel: 100mA Voltage - Isolation: 2500Vrms Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA Vce Saturation (Max): 300mV Supplier Device Package: 6-DIP Voltage - Output (Max): 30V Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
4N37(SHORT-TP5,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOCOUPLER TRANS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Gull Wing Output Type: Transistor with Base Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V Input Type: DC Current - Output / Channel: 100mA Voltage - Isolation: 2500Vrms Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA Vce Saturation (Max): 300mV Supplier Device Package: 6-SMD Voltage - Output (Max): 30V Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TB6631FNG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
74LCX04FT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Current - Output High, Low: 24mA, 24mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 14-TSSOP Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF Part Status: Active Number of Circuits: 6 Current - Quiescent (Max): 10 µA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
74LCX04FT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Current - Output High, Low: 24mA, 24mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 14-TSSOP Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF Part Status: Active Number of Circuits: 6 Current - Quiescent (Max): 10 µA |
на замовлення 8820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK2R4A08QM,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
RN46A1(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
RN46A1(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
HN2S02FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
HN2S02FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SSM3K341TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SSM3K341TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SSM6K809R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 6-TSOP-F Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SSM6K809R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 6-TSOP-F Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
HN1A01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
HN1A01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TBD62064APG,HZ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP Packaging: Tube Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: N-Channel Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 4 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 430mOhm Input Type: Inverting Voltage - Load: 50V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 1.25A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 16-DIP Part Status: Active |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |
на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
TK560P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK560P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V |
на замовлення 3891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK290P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK290P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TK290P60Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TK290P60Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
RN4901FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
RN4901FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
TCR2LN085,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE19,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 5.12 грн |
TCR2LE19,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA ESV
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.3 грн |
15+ | 19.72 грн |
25+ | 17.24 грн |
100+ | 10.47 грн |
250+ | 8.67 грн |
500+ | 6.93 грн |
1000+ | 5.23 грн |
TCR2LN105,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN105,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE20,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE20,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
на замовлення 7685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN31,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
товар відсутній
TCR2LN31,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA 4SDFN
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN095,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.57 грн |
TCR2LN095,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.74 грн |
14+ | 21.1 грн |
25+ | 19.01 грн |
100+ | 12.34 грн |
250+ | 10.39 грн |
500+ | 8.44 грн |
1000+ | 6.39 грн |
2500+ | 5.75 грн |
5000+ | 5.43 грн |
TCR2LN115,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN115,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LF19,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LF19,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN27,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
товар відсутній
TCR2LN27,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA 4SDFN
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE285,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE285,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA ESV
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN285,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN285,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 2.85V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE15,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 5.72 грн |
TCR2LE15,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA ESV
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.46 грн |
14+ | 20.76 грн |
25+ | 18.18 грн |
100+ | 11.04 грн |
250+ | 9.14 грн |
500+ | 7.31 грн |
1000+ | 5.51 грн |
TCR2LN19,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
товар відсутній
TCR2LN19,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN20,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
товар відсутній
TCR2LN20,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA 4SDFN
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN09,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LN09,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA 4SDFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TCR2LE28,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.78 грн |
8000+ | 4.14 грн |
12000+ | 3.68 грн |
TCR2LE28,LM(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.38V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 22606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.87 грн |
16+ | 18.41 грн |
25+ | 16.11 грн |
100+ | 9.79 грн |
250+ | 8.1 грн |
500+ | 6.48 грн |
1000+ | 4.89 грн |
TCR2LN285,LF(SE |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN285,LF(SE |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
Description: LDO REG VOUT=2.85V I=200MA
товар відсутній
4N37(SHORT,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
4N37(SHORT-TP5,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TB6631FNG,EL |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
Description: IC MOTOR DRIVER 7V-16.5V 30SSOP
товар відсутній
74LCX04FT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 8.76 грн |
5000+ | 7.93 грн |
74LCX04FT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.9 грн |
12+ | 24.08 грн |
25+ | 22 грн |
100+ | 15.36 грн |
250+ | 13.92 грн |
500+ | 11.52 грн |
1000+ | 8.5 грн |
TK2R4A08QM,S4X |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.26 грн |
10+ | 151.95 грн |
RN46A1(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER
Description: PNP + NPN BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN46A1(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER
Description: PNP + NPN BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)HN2S02FU(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
товар відсутній
HN2S02FU(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
Description: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SSM3K341TU,LXHF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
товар відсутній
SSM3K341TU,LXHF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.68 грн |
10+ | 35.08 грн |
SSM6K809R,LXHF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 17.03 грн |
SSM6K809R,LXHF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.55 грн |
10+ | 37.43 грн |
100+ | 25.89 грн |
500+ | 20.3 грн |
1000+ | 17.28 грн |
HN1A01FU-Y,LXHF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.24 грн |
HN1A01FU-Y,LXHF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
18+ | 15.85 грн |
100+ | 8.01 грн |
500+ | 6.13 грн |
1000+ | 4.55 грн |
TBD62064APG,HZ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.57 грн |
25+ | 74.15 грн |
100+ | 58.75 грн |
500+ | 46.74 грн |
SSM6J216FE,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SSM6J216FE,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TK560P65Y,RQ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 40.67 грн |
TK560P65Y,RQ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.57 грн |
10+ | 82.55 грн |
100+ | 64.34 грн |
500+ | 49.88 грн |
1000+ | 39.38 грн |
TK290P65Y,RQ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 61.99 грн |
TK290P65Y,RQ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.09 грн |
10+ | 117.21 грн |
100+ | 94.18 грн |
500+ | 72.62 грн |
1000+ | 60.17 грн |
TK290P60Y,RQ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
товар відсутній
TK290P60Y,RQ |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
товар відсутній
RN4901FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
товар відсутній
RN4901FE,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 17.25 грн |
21+ | 13.7 грн |
100+ | 7.26 грн |