Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 164 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
20+15.62 грн
25+12.71 грн
100+8.89 грн
250+7.39 грн
500+6.46 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bipolar
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Grade: Automotive
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage Supply Source: Dual Supply
Resolution (Bits): 16 b
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Data Interface: Serial
Type: Isolated Module
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage Supply Source: Dual Supply
Resolution (Bits): 16 b
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Data Interface: Serial
Type: Isolated Module
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+22.42 грн
100+12.68 грн
500+7.88 грн
1000+6.04 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
50+122.83 грн
100+101.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+19.55 грн
100+11.09 грн
500+6.89 грн
1000+5.28 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
28+10.79 грн
100+6.69 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155145&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 155W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155145&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 155W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 10851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.23 грн
50+8.77 грн
100+7.16 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
6000+7.11 грн
9000+6.75 грн
15000+5.95 грн
21000+5.72 грн
30000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 76819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.74 грн
100+13.81 грн
500+9.72 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.99 грн
10+288.33 грн
100+208.28 грн
500+163.33 грн
1000+163.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D] 1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Current - Max: 30 mA
Supplier Device Package: USC
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+29.13 грн
100+21.77 грн
500+16.05 грн
1000+12.40 грн
2000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.63 грн
100+79.21 грн
500+59.73 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.20 грн
100+52.43 грн
500+38.85 грн
1000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
27+11.32 грн
100+5.50 грн
500+4.31 грн
1000+2.99 грн
2000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+26.42 грн
25+24.15 грн
100+16.87 грн
250+15.29 грн
500+12.65 грн
1000+9.33 грн
2500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
34+8.91 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+2.44 грн
2000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF 7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: NAND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF 7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: NAND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
48+6.42 грн
54+5.65 грн
100+4.47 грн
250+4.08 грн
500+3.85 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP598GAF TLP598GAF Toshiba Semiconductor and Storage TLP598GA_datasheet_en_20190624.pdf?did=605&prodName=TLP598GA Description: SSR RELAY SPST-NO 150MA 0-400V
Approval Agency: UL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Packaging: Tube
On-State Resistance (Max): 12 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
Supplier Device Package: 6-DIP
Load Current: 150 mA
Termination Style: PC Pin
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.33VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: AC, DC
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F TLP223GA(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 120 mA
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F TLP223GA(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 120 mA
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+117.67 грн
25+104.61 грн
50+93.27 грн
100+88.36 грн
250+78.54 грн
500+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 90 mA
Termination Style: Gull Wing
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 90 mA
Termination Style: Gull Wing
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+106.20 грн
25+101.44 грн
50+91.94 грн
100+88.79 грн
250+84.79 грн
500+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.21 грн
100+8.39 грн
500+6.56 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
6000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
57+5.36 грн
100+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
20+15.77 грн
100+7.71 грн
500+6.04 грн
1000+4.20 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+17.89 грн
100+8.72 грн
500+6.83 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
6000+6.90 грн
9000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.13 грн
100+13.40 грн
500+9.43 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8109(TE12L1,V TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GB,E TLP293(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293_datasheet_en_20191129.pdf?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-MFSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+27.85 грн
175+18.68 грн
525+15.45 грн
1050+14.38 грн
2100+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN30,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN30,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
38+8.15 грн
43+7.16 грн
100+5.70 грн
250+5.22 грн
500+4.93 грн
1000+4.61 грн
2500+4.36 грн
5000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39
TCR2EE39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
20+15.62 грн
25+12.71 грн
100+8.89 грн
250+7.39 грн
500+6.46 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9080FG TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bipolar
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Grade: Automotive
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage Supply Source: Dual Supply
Resolution (Bits): 16 b
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Data Interface: Serial
Type: Isolated Module
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage Supply Source: Dual Supply
Resolution (Bits): 16 b
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Data Interface: Serial
Type: Isolated Module
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
14+22.42 грн
100+12.68 грн
500+7.88 грн
1000+6.04 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X
TK3R3E08QM,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.33 грн
50+122.83 грн
100+101.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
16+19.55 грн
100+11.09 грн
500+6.89 грн
1000+5.28 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.03 грн
28+10.79 грн
100+6.69 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
2000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=155145&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 155W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=155145&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 155W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 10851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.38 грн
25+12.23 грн
50+8.77 грн
100+7.16 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.13 грн
6000+7.11 грн
9000+6.75 грн
15000+5.95 грн
21000+5.72 грн
30000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 76819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
14+21.74 грн
100+13.81 грн
500+9.72 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.99 грн
10+288.33 грн
100+208.28 грн
500+163.33 грн
1000+163.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D]
1SS315[U/D]
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Current - Max: 30 mA
Supplier Device Package: USC
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
11+29.13 грн
100+21.77 грн
500+16.05 грн
1000+12.40 грн
2000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 8864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.76 грн
10+115.63 грн
100+79.21 грн
500+59.73 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.76 грн
10+78.20 грн
100+52.43 грн
500+38.85 грн
1000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
27+11.32 грн
100+5.50 грн
500+4.31 грн
1000+2.99 грн
2000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
12+26.42 грн
25+24.15 грн
100+16.87 грн
250+15.29 грн
500+12.65 грн
1000+9.33 грн
2500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
34+8.91 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+2.44 грн
2000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV
RN2132MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV
RN2132MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU
7UL1T00FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: NAND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU
7UL1T00FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Supplier Device Package: USV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: NAND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.19 грн
48+6.42 грн
54+5.65 грн
100+4.47 грн
250+4.08 грн
500+3.85 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP598GAF TLP598GA_datasheet_en_20190624.pdf?did=605&prodName=TLP598GA
TLP598GAF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 150MA 0-400V
Approval Agency: UL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Packaging: Tube
On-State Resistance (Max): 12 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
Supplier Device Package: 6-DIP
Load Current: 150 mA
Termination Style: PC Pin
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.33VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: AC, DC
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F
TLP223GA(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 120 mA
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F
TLP223GA(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 120 mA
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.11 грн
10+117.67 грн
25+104.61 грн
50+93.27 грн
100+88.36 грн
250+78.54 грн
500+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 90 mA
Termination Style: Gull Wing
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SMD
Load Current: 90 mA
Termination Style: Gull Wing
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.27VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.84 грн
10+106.20 грн
25+101.44 грн
50+91.94 грн
100+88.79 грн
250+84.79 грн
500+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V
MSZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V
MSZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
18+17.21 грн
100+8.39 грн
500+6.56 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V
CUZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.89 грн
6000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V
CUZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+7.05 грн
57+5.36 грн
100+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V
CEZ24V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V
CEZ24V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
20+15.77 грн
100+7.71 грн
500+6.04 грн
1000+4.20 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V
MUZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.55 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V
MUZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
17+17.89 грн
100+8.72 грн
500+6.83 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V
CUHZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.88 грн
6000+6.90 грн
9000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V
CUHZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
15+21.13 грн
100+13.40 грн
500+9.43 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8109(TE12L1,V
TPCA8109(TE12L1,V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GB,E TLP293_datasheet_en_20191129.pdf?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(GB,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-MFSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
11+27.85 грн
175+18.68 грн
525+15.45 грн
1050+14.38 грн
2100+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
38+8.15 грн
43+7.16 грн
100+5.70 грн
250+5.22 грн
500+4.93 грн
1000+4.61 грн
2500+4.36 грн
5000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]