Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 199 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+54.62 грн
25+51.85 грн
100+39.96 грн
250+37.35 грн
500+33.01 грн
1000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 2 x 1:2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 2 x 1:2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
10+37.83 грн
25+35.31 грн
100+26.51 грн
250+24.62 грн
500+20.83 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
38+7.98 грн
100+4.92 грн
500+3.36 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11241&prodName=TB6613FTG Description: 8 H-BRIDGE DRIVER, CAN BE CONFIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989 Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989 Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
16+19.03 грн
100+10.79 грн
500+6.71 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.68 грн
6000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.61 грн
10+71.49 грн
100+53.79 грн
500+43.14 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDADFG TMPM3HNFDADFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-QFP (14x20)
Number of I/O: 93
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.00 грн
10+335.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HLFDAUG TMPM3HLFDAUG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Number of I/O: 57
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.17 грн
10+395.56 грн
25+367.94 грн
160+303.87 грн
320+292.16 грн
640+282.28 грн
1120+270.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HPF10BFG TMPM3HPF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 19x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 128-LQFP (14x14)
Number of I/O: 118
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.56 грн
10+404.89 грн
25+376.72 грн
180+309.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HMFDAFG TMPM3HMFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 80-LQFP (12x12)
Number of I/O: 73
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.18 грн
10+463.77 грн
25+431.82 грн
119+364.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDAFG TMPM3HNFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Number of I/O: 93
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.25 грн
10+471.98 грн
90+401.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-LQFP
Packaging: Tray
Number of I/O: 135
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.49 грн
10+564.58 грн
60+495.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNF10BFG TMPM3HNF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Number of I/O: 92
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
RAM Size: 128K x 8
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.03 грн
10+639.95 грн
90+548.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG TMPM3HQF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 134
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.51 грн
10+751.21 грн
60+661.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 3
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Inputs: 3
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.10 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 3
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Inputs: 3
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
14+22.24 грн
25+20.33 грн
100+14.19 грн
250+12.86 грн
500+10.64 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
47+6.42 грн
100+3.98 грн
500+2.70 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.98 грн
10+115.21 грн
100+79.08 грн
500+59.70 грн
1000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.30 грн
10+137.23 грн
100+95.12 грн
500+72.36 грн
1000+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.57 грн
10+150.73 грн
100+112.98 грн
500+86.45 грн
1000+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.56 грн
10+92.31 грн
100+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.04 грн
10+157.90 грн
100+142.00 грн
500+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.63 грн
10+111.48 грн
100+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.01 грн
10+187.30 грн
100+131.73 грн
500+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
10+127.53 грн
100+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.20 грн
10+160.43 грн
100+128.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.72 грн
50+117.15 грн
100+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.93 грн
50+152.84 грн
100+131.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.37 грн
50+174.72 грн
100+149.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
15+20.89 грн
100+11.06 грн
500+6.83 грн
1000+4.64 грн
2000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
20+15.60 грн
100+7.86 грн
500+6.02 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.84 грн
100+4.84 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
6000+13.96 грн
9000+13.31 грн
15000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+41.12 грн
25+34.12 грн
100+24.54 грн
250+20.86 грн
500+18.60 грн
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
16+18.66 грн
100+11.47 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
16+19.55 грн
100+12.39 грн
500+8.70 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.51 грн
10+114.17 грн
100+87.97 грн
500+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK
TC7MPB9307FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK
TC7MPB9307FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.54 грн
10+54.62 грн
25+51.85 грн
100+39.96 грн
250+37.35 грн
500+33.01 грн
1000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf
TC7MPB9327FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 2 x 1:2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf
TC7MPB9327FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 2 x 1:2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.72 грн
10+37.83 грн
25+35.31 грн
100+26.51 грн
250+24.62 грн
500+20.83 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A
TBAT54A,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A
TBAT54A,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
38+7.98 грн
100+4.92 грн
500+3.36 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6613FTG,8,EL docget.jsp?did=11241&prodName=TB6613FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8 H-BRIDGE DRIVER, CAN BE CONFIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989
RN4989(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989
RN4989(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
16+19.03 грн
100+10.79 грн
500+6.71 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.68 грн
6000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.61 грн
10+71.49 грн
100+53.79 грн
500+43.14 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDADFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HNFDADFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-QFP (14x20)
Number of I/O: 93
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.00 грн
10+335.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HLFDAUG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HLFDAUG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Number of I/O: 57
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.17 грн
10+395.56 грн
25+367.94 грн
160+303.87 грн
320+292.16 грн
640+282.28 грн
1120+270.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HPF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HPF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 19x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 128-LQFP (14x14)
Number of I/O: 118
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+507.56 грн
10+404.89 грн
25+376.72 грн
180+309.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HMFDAFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HMFDAFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 80-LQFP (12x12)
Number of I/O: 73
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+581.18 грн
10+463.77 грн
25+431.82 грн
119+364.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDAFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HNFDAFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Number of I/O: 93
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+591.25 грн
10+471.98 грн
90+401.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQFDAFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-LQFP
Packaging: Tray
Number of I/O: 135
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+707.49 грн
10+564.58 грн
60+495.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HNF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Number of I/O: 92
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
RAM Size: 128K x 8
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+802.03 грн
10+639.95 грн
90+548.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HQF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 134
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+941.51 грн
10+751.21 грн
60+661.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E
TDTA114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E
TDTA114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 3
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Inputs: 3
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.10 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 3
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Inputs: 3
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
14+22.24 грн
25+20.33 грн
100+14.19 грн
250+12.86 грн
500+10.64 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
TDTA123J,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
TDTA123J,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
47+6.42 грн
100+3.98 грн
500+2.70 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H
TRS4V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H
TRS4V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.98 грн
10+115.21 грн
100+79.08 грн
500+59.70 грн
1000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H
TRS6V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H
TRS6V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.30 грн
10+137.23 грн
100+95.12 грн
500+72.36 грн
1000+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.57 грн
10+150.73 грн
100+112.98 грн
500+86.45 грн
1000+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65H,S1Q TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.56 грн
10+92.31 грн
100+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+112.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.04 грн
10+157.90 грн
100+142.00 грн
500+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.63 грн
10+111.48 грн
100+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.01 грн
10+187.30 грн
100+131.73 грн
500+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
10+127.53 грн
100+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.20 грн
10+160.43 грн
100+128.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H
TRS8E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.72 грн
50+117.15 грн
100+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.93 грн
50+152.84 грн
100+131.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.37 грн
50+174.72 грн
100+149.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
15+20.89 грн
100+11.06 грн
500+6.83 грн
1000+4.64 грн
2000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
20+15.60 грн
100+7.86 грн
500+6.02 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.84 грн
100+4.84 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.83 грн
6000+13.96 грн
9000+13.31 грн
15000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
10+41.12 грн
25+34.12 грн
100+24.54 грн
250+20.86 грн
500+18.60 грн
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E
TDTC143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E
TDTC143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
43+7.09 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU
SSM3J118TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU
SSM3J118TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
16+18.66 грн
100+11.47 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.25 грн
6000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
16+19.55 грн
100+12.39 грн
500+8.70 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.51 грн
10+114.17 грн
100+87.97 грн
500+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]