Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 199 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+159.71 грн
100+143.63 грн
500+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+112.76 грн
100+90.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+189.45 грн
100+133.24 грн
500+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+128.99 грн
100+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+162.28 грн
100+130.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
50+118.50 грн
100+113.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
50+154.59 грн
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
50+176.73 грн
100+151.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
15+21.13 грн
100+11.19 грн
500+6.91 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.77 грн
100+7.95 грн
500+6.09 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
6000+14.12 грн
9000+13.46 грн
15000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+41.59 грн
25+34.51 грн
100+24.82 грн
250+21.10 грн
500+18.81 грн
1000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.41 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.45 грн
50+14.81 грн
100+12.17 грн
500+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.93 грн
50+14.43 грн
100+11.84 грн
500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+115.48 грн
100+88.98 грн
500+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+72.01 грн
100+54.22 грн
500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5 Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5 Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+147.79 грн
100+121.08 грн
500+89.58 грн
1000+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2710(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2910(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) TC74VHC373FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) TC74VHC373FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+37.36 грн
25+33.54 грн
100+27.59 грн
250+25.72 грн
500+24.60 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT 74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.10 грн
5000+10.59 грн
7500+10.05 грн
12500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT 74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+31.93 грн
25+26.33 грн
100+18.77 грн
250+15.86 грн
500+14.06 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA58M09S,MATUDQ(J TA58M09S,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58MxxS_2009-09-30.pdf Description: IC REG LINEAR 9V 500MA TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220NIS
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.88 грн
10000+6.94 грн
15000+6.61 грн
25000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 29480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.49 грн
100+14.30 грн
500+10.09 грн
1000+9.01 грн
2000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F) TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F) TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.80 грн
10+206.51 грн
100+162.91 грн
500+134.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
2000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1209DG(8Z,K) TCD1209DG(8Z,K) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1209DG_Web_Datasheet_en_20190108.pdf?did=13707&prodName=TCD1209DG Description: CCD IMAGE SENSOR - INTEGRATED CI
Packaging: Tray
Package / Case: 22-CDIP (0.400", 10.16mm)
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 11.4V ~ 13V
Pixel Size: 14µm x 14µm
Supplier Device Package: 22-CERDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFNG,EL TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.81 грн
4000+51.54 грн
6000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.01 грн
10+159.71 грн
100+143.63 грн
500+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.11 грн
10+112.76 грн
100+90.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+96.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.42 грн
10+189.45 грн
100+133.24 грн
500+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.92 грн
10+128.99 грн
100+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.33 грн
10+162.28 грн
100+130.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H
TRS8E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.66 грн
50+118.50 грн
100+113.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.22 грн
50+154.59 грн
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.01 грн
50+176.73 грн
100+151.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
15+21.13 грн
100+11.19 грн
500+6.91 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
20+15.77 грн
100+7.95 грн
500+6.09 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.01 грн
6000+14.12 грн
9000+13.46 грн
15000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Number of Channels: 2
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
-3db Bandwidth: 1.5GHz
On-State Resistance (Max): 14Ohm
Applications: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.33 грн
10+41.59 грн
25+34.51 грн
100+24.82 грн
250+21.10 грн
500+18.81 грн
1000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E
TDTC143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E
TDTC143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.41 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU
SSM3J118TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU
SSM3J118TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
15+20.45 грн
50+14.81 грн
100+12.17 грн
500+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
16+19.93 грн
50+14.43 грн
100+11.84 грн
500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.38 грн
10+115.48 грн
100+88.98 грн
500+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710
TLP2710(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710
TLP2710(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.03 грн
10+72.01 грн
100+54.22 грн
500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5
TPH9R00CQ5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5
TPH9R00CQ5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.36 грн
10+147.79 грн
100+121.08 грн
500+89.58 грн
1000+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2710(FANUC,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2910(FANUC,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK
TC74VHC373FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK
TC74VHC373FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+37.36 грн
25+33.54 грн
100+27.59 грн
250+25.72 грн
500+24.60 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5
TK22V65X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5
TK22V65X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-MBSTP,F TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(TP,F) TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(TP,F) TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(F) TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-TP,F) TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Supplier Device Package: 6-SDIP
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf
74VHC138FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.10 грн
5000+10.59 грн
7500+10.05 грн
12500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf
74VHC138FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.65 грн
10+31.93 грн
25+26.33 грн
100+18.77 грн
250+15.86 грн
500+14.06 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA58M09S,MATUDQ(J TA58MxxS_2009-09-30.pdf
TA58M09S,MATUDQ(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 9V 500MA TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220NIS
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N
DF5G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.88 грн
10000+6.94 грн
15000+6.61 грн
25000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N
DF5G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 29480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.41 грн
14+22.49 грн
100+14.30 грн
500+10.09 грн
1000+9.01 грн
2000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F
TC74LCX14FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F
TC74LCX14FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F)
TLP3924(TP15,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F)
TLP3924(TP15,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.80 грн
10+206.51 грн
100+162.91 грн
500+134.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV
RN1110MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV
RN1110MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE
SSM6P36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE
SSM6P36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
2000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F
TC74AC541F(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F
TC74AC541F(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1209DG(8Z,K) TCD1209DG_Web_Datasheet_en_20190108.pdf?did=13707&prodName=TCD1209DG
TCD1209DG(8Z,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CCD IMAGE SENSOR - INTEGRATED CI
Packaging: Tray
Package / Case: 22-CDIP (0.400", 10.16mm)
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 11.4V ~ 13V
Pixel Size: 14µm x 14µm
Supplier Device Package: 22-CERDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFNG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.81 грн
4000+51.54 грн
6000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]