Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 203 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP2366(TPR,E TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8527&prodName=TLP2366 Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.97 грн
10+71.94 грн
100+50.49 грн
500+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.31 грн
10+38.61 грн
100+25.06 грн
500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
13+23.70 грн
25+21.34 грн
100+13.84 грн
250+11.66 грн
500+9.47 грн
1000+7.17 грн
2500+6.45 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.79 грн
30+566.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149839&prodName=TW140Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.29 грн
10+612.43 грн
100+510.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149831&prodName=TW083Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.64 грн
10+644.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F TW048Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149823&prodName=TW048Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.17 грн
30+696.91 грн
120+618.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151451&prodName=TW027Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1523.48 грн
10+1303.45 грн
100+1140.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F TW045Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151459&prodName=TW045Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1693.37 грн
30+1036.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F TW015Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151443&prodName=TW015Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4453.73 грн
10+3899.04 грн
100+3509.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358H(F) TLP358H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358H(F).pdf Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Current - Peak Output: 6A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.11 грн
45+6.80 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF) 2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714_datasheet_en_20131101.pdf?did=20744&prodName=2SC5714 Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
38+8.18 грн
43+7.22 грн
100+5.75 грн
250+5.26 грн
500+4.97 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.63 грн
10000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.46 грн
13+25.15 грн
25+20.64 грн
100+14.61 грн
250+12.26 грн
500+10.81 грн
1000+9.44 грн
2500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.85 грн
10+125.22 грн
100+86.10 грн
500+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) TC7MBL3126CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3125CFT Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) TC7MBL3126CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3125CFT Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
12+26.07 грн
25+24.31 грн
100+18.26 грн
250+16.95 грн
500+14.35 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.76 грн
10+132.79 грн
100+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL_datasheet_en_20180627.pdf?did=55023&prodName=DF2B7ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.52 грн
20000+1.31 грн
30000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL_datasheet_en_20180627.pdf?did=55023&prodName=DF2B7ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 33891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.11 грн
50+6.12 грн
114+2.69 грн
500+2.27 грн
1000+2.02 грн
2000+1.91 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TB6819AFG,C,EL TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12875&prodName=TB6819AFG Description: IC PFC CTRLR CRM 150KHZ 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Frequency - Switching: 20kHz ~ 150kHz
Mode: Critical Conduction (CRM)
Supplier Device Package: 8-SOP
Current - Startup: 72.5 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.66 грн
12+25.69 грн
100+16.38 грн
500+11.61 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM105A Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM105A Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
12+27.22 грн
25+24.86 грн
100+17.38 грн
250+15.75 грн
500+13.03 грн
1000+9.62 грн
2500+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
10+31.57 грн
25+29.45 грн
100+22.12 грн
250+20.54 грн
500+17.38 грн
1000+13.21 грн
2500+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT 74VHC32FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.02 грн
5000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT 74VHC32FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
24+13.15 грн
27+11.68 грн
100+9.41 грн
250+8.68 грн
500+8.23 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF TC7W04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF TC7W04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
27+11.54 грн
30+10.21 грн
100+8.21 грн
250+7.55 грн
500+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CMS07(TE12L,Q,M) CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07_datasheet_en_20131101.pdf?did=3140&prodName=CMS07 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
14+22.55 грн
100+14.32 грн
500+10.10 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT_datasheet_en_20221102.pdf?did=61850&prodName=DF2S6P1CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT_datasheet_en_20221102.pdf?did=61850&prodName=DF2S6P1CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
18+17.81 грн
100+11.22 грн
500+7.84 грн
1000+6.98 грн
2000+6.24 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG_datasheet_en_20160222.pdf?did=36043&prodName=TB6584AFNG Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER IC, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2366(TPR,E docget.jsp?did=8527&prodName=TLP2366
TLP2366(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L
SSM14N956L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L
SSM14N956L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
10+71.94 грн
100+50.49 грн
500+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971
2SA1971(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971
2SA1971(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.31 грн
10+38.61 грн
100+25.06 грн
500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS
7UL1G02FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS
7UL1G02FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
13+23.70 грн
25+21.34 грн
100+13.84 грн
250+11.66 грн
500+9.47 грн
1000+7.17 грн
2500+6.45 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C
TW107Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.79 грн
30+566.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140Z120C,S1F docget.jsp?did=149839&prodName=TW140Z120C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+742.29 грн
10+612.43 грн
100+510.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F TW083Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149831&prodName=TW083Z65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+956.64 грн
10+644.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F TW048Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149823&prodName=TW048Z65C
TW048Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1174.17 грн
30+696.91 грн
120+618.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F TW027Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151451&prodName=TW027Z65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1523.48 грн
10+1303.45 грн
100+1140.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F TW045Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151459&prodName=TW045Z120C
TW045Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1693.37 грн
30+1036.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F TW015Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151443&prodName=TW015Z120C
TW015Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4453.73 грн
10+3899.04 грн
100+3509.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358H(F) TLP358H(F).pdf
TLP358H(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Current - Peak Output: 6A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1117MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1117MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
45+6.80 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
2000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF) 2SC5714_datasheet_en_20131101.pdf?did=20744&prodName=2SC5714
2SC5714(TE12L,ZF)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU
TC7WH34FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU
TC7WH34FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
38+8.18 грн
43+7.22 грн
100+5.75 грн
250+5.26 грн
500+4.97 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.63 грн
10000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
13+25.15 грн
25+20.64 грн
100+14.61 грн
250+12.26 грн
500+10.81 грн
1000+9.44 грн
2500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W
TK6P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W
TK6P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.85 грн
10+125.22 грн
100+86.10 грн
500+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3125CFT
TC7MBL3126CFT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3125CFT
TC7MBL3126CFT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
12+26.07 грн
25+24.31 грн
100+18.26 грн
250+16.95 грн
500+14.35 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB
XPW4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB
XPW4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.76 грн
10+132.79 грн
100+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F DF2B7ASL_datasheet_en_20180627.pdf?did=55023&prodName=DF2B7ASL
DF2B7ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.52 грн
20000+1.31 грн
30000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F DF2B7ASL_datasheet_en_20180627.pdf?did=55023&prodName=DF2B7ASL
DF2B7ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 33891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
50+6.12 грн
114+2.69 грн
500+2.27 грн
1000+2.02 грн
2000+1.91 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TB6819AFG,C,EL docget.jsp?did=12875&prodName=TB6819AFG
TB6819AFG,C,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PFC CTRLR CRM 150KHZ 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Frequency - Switching: 20kHz ~ 150kHz
Mode: Critical Conduction (CRM)
Supplier Device Package: 8-SOP
Current - Startup: 72.5 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B
CRS15I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A
CRS15I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A
CRS15I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
12+25.69 грн
100+16.38 грн
500+11.61 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15
CRS15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F TCR5BM105A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM105A
TCR5BM105A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F TCR5BM105A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM105A
TCR5BM105A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A
TCR5BM18A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A
TCR5BM18A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+27.22 грн
25+24.86 грн
100+17.38 грн
250+15.75 грн
500+13.03 грн
1000+9.62 грн
2500+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A
TCR8BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A
TCR8BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
10+31.57 грн
25+29.45 грн
100+22.12 грн
250+20.54 грн
500+17.38 грн
1000+13.21 грн
2500+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A
TCR5BM10A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A
TCR5BM10A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A
TCR5BM12A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A
TCR5BM12A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A
TCR5BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A
TCR5BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+29.74 грн
25+27.22 грн
100+19.01 грн
250+17.23 грн
500+14.26 грн
1000+10.52 грн
2500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT
74VHC32FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.02 грн
5000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT
74VHC32FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
24+13.15 грн
27+11.68 грн
100+9.41 грн
250+8.68 грн
500+8.23 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU
TC7W04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU
TC7W04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
27+11.54 грн
30+10.21 грн
100+8.21 грн
250+7.55 грн
500+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CMS07(TE12L,Q,M) CMS07_datasheet_en_20131101.pdf?did=3140&prodName=CMS07
CMS07(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
14+22.55 грн
100+14.32 грн
500+10.10 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F DF2S6P1CT_datasheet_en_20221102.pdf?did=61850&prodName=DF2S6P1CT
DF2S6P1CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F DF2S6P1CT_datasheet_en_20221102.pdf?did=61850&prodName=DF2S6P1CT
DF2S6P1CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
18+17.81 грн
100+11.22 грн
500+7.84 грн
1000+6.98 грн
2000+6.24 грн
5000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TB6584AFNG,C8,EL TB6584AFNG_datasheet_en_20160222.pdf?did=36043&prodName=TB6584AFNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER IC, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]