Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 202 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.63 грн
30+590.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149839&prodName=TW140Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.23 грн
10+638.78 грн
100+532.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149831&prodName=TW083Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.80 грн
10+672.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F TW048Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149823&prodName=TW048Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.69 грн
30+726.90 грн
120+645.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151451&prodName=TW027Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1589.03 грн
10+1359.54 грн
100+1189.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F TW045Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151459&prodName=TW045Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1766.24 грн
30+1081.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F TW015Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151443&prodName=TW015Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5113.22 грн
30+3943.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358H(F) TLP358H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358H(F).pdf Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Current - Peak Output: 6A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
45+7.10 грн
100+4.37 грн
500+2.98 грн
1000+2.61 грн
2000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF) 2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714_datasheet_en_20131101.pdf?did=20744&prodName=2SC5714 Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
39+8.37 грн
44+7.37 грн
100+5.89 грн
250+5.39 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.92 грн
10000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.37 грн
13+26.23 грн
25+21.53 грн
100+15.24 грн
250+12.78 грн
500+11.28 грн
1000+9.85 грн
2500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.50 грн
10+130.61 грн
100+89.80 грн
500+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) TC7MBL3126CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3126CFT Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.13 грн
4000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) TC7MBL3126CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3126CFT Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
20+16.27 грн
25+14.45 грн
100+11.67 грн
250+10.78 грн
500+10.25 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.92 грн
10+138.51 грн
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55023&prodName=DF2B7ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.76 грн
20000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55023&prodName=DF2B7ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 22720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
49+6.62 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
2000+2.15 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TB6819AFG,C,EL TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12875&prodName=TB6819AFG Description: IC PFC CTRLR CRM 150KHZ 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Frequency - Switching: 20kHz ~ 150kHz
Mode: Critical Conduction (CRM)
Supplier Device Package: 8-SOP
Current - Startup: 72.5 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.54 грн
12+26.79 грн
100+17.09 грн
500+12.10 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM105A Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5-DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.41 грн
10000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM105A Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5-DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.70 грн
24+13.79 грн
27+12.22 грн
100+9.87 грн
250+9.10 грн
500+8.63 грн
1000+8.11 грн
2500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.43 грн
12+28.39 грн
25+25.93 грн
100+18.12 грн
250+16.43 грн
500+13.59 грн
1000+10.03 грн
2500+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.75 грн
10+32.93 грн
25+30.72 грн
100+23.07 грн
250+21.42 грн
500+18.12 грн
1000+13.78 грн
2500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.75 грн
11+31.02 грн
25+28.39 грн
100+19.83 грн
250+17.97 грн
500+14.87 грн
1000+10.97 грн
2500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.75 грн
11+31.02 грн
25+28.39 грн
100+19.83 грн
250+17.97 грн
500+14.87 грн
1000+10.97 грн
2500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.75 грн
11+31.02 грн
25+28.39 грн
100+19.83 грн
250+17.97 грн
500+14.87 грн
1000+10.97 грн
2500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT 74VHC32FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.37 грн
5000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT 74VHC32FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.70 грн
24+13.72 грн
27+12.18 грн
100+9.82 грн
250+9.05 грн
500+8.58 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF TC7W04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF TC7W04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.39 грн
28+11.72 грн
31+10.40 грн
100+8.34 грн
250+7.67 грн
500+7.27 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CMS07(TE12L,Q,M) CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07_datasheet_en_20131101.pdf?did=3140&prodName=CMS07 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.75 грн
14+23.52 грн
100+14.93 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61850&prodName=DF2S6P1CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61850&prodName=DF2S6P1CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
19+17.22 грн
100+10.84 грн
500+7.58 грн
1000+6.74 грн
2000+6.04 грн
5000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG_datasheet_en_20160222.pdf?did=36043&prodName=TB6584AFNG Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER IC, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6585FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11075&prodName=TB6585FG Description: BRUSHLESS MOTOR DRIVER IC, SENSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS13(TE85L,Q,M) CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS13_datasheet_en_20201014.pdf?did=56762&prodName=CRS13 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS13(TE85L,Q,M) CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS13_datasheet_en_20201014.pdf?did=56762&prodName=CRS13 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.65 грн
10+32.53 грн
100+20.94 грн
500+14.94 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP360JF(D4-MUR) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 1mA
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113MFV,L3F RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5886&prodName=RN2113MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113MFV,L3F RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5886&prodName=RN2113MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.08 грн
33+9.89 грн
100+5.32 грн
500+3.92 грн
1000+2.72 грн
2000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LXHF(CT RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18854&prodName=RN2113 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C
TW107Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.63 грн
30+590.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140Z120C,S1F docget.jsp?did=149839&prodName=TW140Z120C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+774.23 грн
10+638.78 грн
100+532.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F TW083Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149831&prodName=TW083Z65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+997.80 грн
10+672.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F TW048Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149823&prodName=TW048Z65C
TW048Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.69 грн
30+726.90 грн
120+645.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F TW027Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151451&prodName=TW027Z65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.03 грн
10+1359.54 грн
100+1189.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F TW045Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151459&prodName=TW045Z120C
TW045Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1766.24 грн
30+1081.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F TW015Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151443&prodName=TW015Z120C
TW015Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5113.22 грн
30+3943.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358H(F) TLP358H(F).pdf
TLP358H(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Current - Peak Output: 6A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1117MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1117MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
45+7.10 грн
100+4.37 грн
500+2.98 грн
1000+2.61 грн
2000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF) 2SC5714_datasheet_en_20131101.pdf?did=20744&prodName=2SC5714
2SC5714(TE12L,ZF)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU
TC7WH34FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU
TC7WH34FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
39+8.37 грн
44+7.37 грн
100+5.89 грн
250+5.39 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.92 грн
10000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.37 грн
13+26.23 грн
25+21.53 грн
100+15.24 грн
250+12.78 грн
500+11.28 грн
1000+9.85 грн
2500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W
TK6P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W
TK6P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.50 грн
10+130.61 грн
100+89.80 грн
500+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3126CFT
TC7MBL3126CFT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+10.13 грн
4000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3126CFT(EL) docget.jsp?did=12250&prodName=TC7MBL3126CFT
TC7MBL3126CFT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
20+16.27 грн
25+14.45 грн
100+11.67 грн
250+10.78 грн
500+10.25 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB
XPW4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=69940&prodName=XPW4R10ANB
XPW4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.92 грн
10+138.51 грн
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F docget.jsp?did=55023&prodName=DF2B7ASL
DF2B7ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.76 грн
20000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ASL,L3F docget.jsp?did=55023&prodName=DF2B7ASL
DF2B7ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 22720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
49+6.62 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
2000+2.15 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TB6819AFG,C,EL docget.jsp?did=12875&prodName=TB6819AFG
TB6819AFG,C,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PFC CTRLR CRM 150KHZ 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 10V ~ 25V
Frequency - Switching: 20kHz ~ 150kHz
Mode: Critical Conduction (CRM)
Supplier Device Package: 8-SOP
Current - Startup: 72.5 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B
CRS15I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A
CRS15I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30A(TE85L,QM CRS15I30A_datasheet_en_20131101.pdf?did=2130&prodName=CRS15I30A
CRS15I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.54 грн
12+26.79 грн
100+17.09 грн
500+12.10 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15
CRS15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM105A
TCR5BM105A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5-DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.41 грн
10000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM105A,L3F docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM105A
TCR5BM105A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5-DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
24+13.79 грн
27+12.22 грн
100+9.87 грн
250+9.10 грн
500+8.63 грн
1000+8.11 грн
2500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A
TCR5BM18A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM18A,L3F TCR5BM18A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM18A
TCR5BM18A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.43 грн
12+28.39 грн
25+25.93 грн
100+18.12 грн
250+16.43 грн
500+13.59 грн
1000+10.03 грн
2500+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A
TCR8BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11A,L3F TCR8BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM11A
TCR8BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.245V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.75 грн
10+32.93 грн
25+30.72 грн
100+23.07 грн
250+21.42 грн
500+18.12 грн
1000+13.78 грн
2500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A
TCR5BM10A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10A,L3F TCR5BM10A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10A
TCR5BM10A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.75 грн
11+31.02 грн
25+28.39 грн
100+19.83 грн
250+17.97 грн
500+14.87 грн
1000+10.97 грн
2500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A
TCR5BM12A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM12A,L3F TCR5BM12A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM12A
TCR5BM12A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.75 грн
11+31.02 грн
25+28.39 грн
100+19.83 грн
250+17.97 грн
500+14.87 грн
1000+10.97 грн
2500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A
TCR5BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11A,L3F TCR5BM11A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM11A
TCR5BM11A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.14V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.75 грн
11+31.02 грн
25+28.39 грн
100+19.83 грн
250+17.97 грн
500+14.87 грн
1000+10.97 грн
2500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT
74VHC32FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.37 грн
5000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32FT docget.jsp?did=14136&prodName=74VHC32FT
74VHC32FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
24+13.72 грн
27+12.18 грн
100+9.82 грн
250+9.05 грн
500+8.58 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU
TC7W04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W04FU,LF docget.jsp?did=20206&prodName=TC7W04FU
TC7W04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.39 грн
28+11.72 грн
31+10.40 грн
100+8.34 грн
250+7.67 грн
500+7.27 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CMS07(TE12L,Q,M) CMS07_datasheet_en_20131101.pdf?did=3140&prodName=CMS07
CMS07(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1427TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1427TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.75 грн
14+23.52 грн
100+14.93 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F docget.jsp?did=61850&prodName=DF2S6P1CT
DF2S6P1CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6P1CT,L3F docget.jsp?did=61850&prodName=DF2S6P1CT
DF2S6P1CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM=5.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 90pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 160W
Power Line Protection: No
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
19+17.22 грн
100+10.84 грн
500+7.58 грн
1000+6.74 грн
2000+6.04 грн
5000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TB6584AFNG,C8,EL TB6584AFNG_datasheet_en_20160222.pdf?did=36043&prodName=TB6584AFNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER IC, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6585FG,8,EL docget.jsp?did=11075&prodName=TB6585FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR DRIVER IC, SENSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS13(TE85L,Q,M) CRS13_datasheet_en_20201014.pdf?did=56762&prodName=CRS13
CRS13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS13(TE85L,Q,M) CRS13_datasheet_en_20201014.pdf?did=56762&prodName=CRS13
CRS13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.65 грн
10+32.53 грн
100+20.94 грн
500+14.94 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP360JF(D4-MUR)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 1mA
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113MFV,L3F docget.jsp?did=5886&prodName=RN2113MFV
RN2113MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113MFV,L3F docget.jsp?did=5886&prodName=RN2113MFV
RN2113MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.08 грн
33+9.89 грн
100+5.32 грн
500+3.92 грн
1000+2.72 грн
2000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LXHF(CT docget.jsp?did=18854&prodName=RN2113
RN2113,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]