Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 200 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TMPM3HQF10BFG TMPM3HQF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 134
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.10 грн
10+753.27 грн
60+663.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
49+6.21 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
6000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.75 грн
14+22.30 грн
25+20.38 грн
100+14.23 грн
250+12.89 грн
500+10.67 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
47+6.44 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.49 грн
10+115.53 грн
100+79.29 грн
500+59.86 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.90 грн
10+137.60 грн
100+95.38 грн
500+72.56 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.22 грн
10+151.15 грн
100+113.29 грн
500+86.68 грн
1000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.97 грн
10+92.56 грн
100+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.75 грн
10+158.33 грн
100+142.39 грн
500+124.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.99 грн
10+111.79 грн
100+89.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+130.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.51 грн
10+175.62 грн
100+156.37 грн
500+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.64 грн
10+127.88 грн
100+102.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.71 грн
10+160.88 грн
100+129.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.42 грн
50+117.48 грн
100+112.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.48 грн
50+153.26 грн
100+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.00 грн
50+175.20 грн
100+150.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.42 грн
15+20.95 грн
100+11.09 грн
500+6.85 грн
1000+4.66 грн
2000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.31 грн
20+15.64 грн
100+7.88 грн
500+6.03 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.21 грн
39+7.86 грн
100+4.85 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.87 грн
6000+14.00 грн
9000+13.35 грн
15000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.71 грн
10+41.23 грн
25+34.21 грн
100+24.61 грн
250+20.92 грн
500+18.65 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
46+6.51 грн
100+4.00 грн
500+2.72 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF SSM3J118TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.86 грн
16+18.71 грн
100+11.50 грн
500+8.32 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
6000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.08 грн
17+18.18 грн
100+11.51 грн
500+8.08 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.95 грн
10+114.48 грн
100+88.21 грн
500+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.68 грн
10+72.28 грн
100+54.42 грн
500+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5 Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5 Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.33 грн
10+146.51 грн
100+120.04 грн
500+88.80 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2710(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2910(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) TC74VHC373FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) TC74VHC373FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.62 грн
10+31.58 грн
25+28.37 грн
100+23.30 грн
250+21.71 грн
500+20.75 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT 74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.00 грн
5000+10.50 грн
7500+9.96 грн
12500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT 74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.17 грн
10+31.65 грн
25+26.10 грн
100+18.61 грн
250+15.72 грн
500+13.94 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TA58M09S,MATUDQ(J TA58M09S,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58MxxS_2009-09-30.pdf Description: IC REG LINEAR 9V 500MA TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220NIS
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HQF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 134
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.10 грн
10+753.27 грн
60+663.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E
TDTA114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E
TDTA114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
49+6.21 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.12 грн
6000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.75 грн
14+22.30 грн
25+20.38 грн
100+14.23 грн
250+12.89 грн
500+10.67 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
TDTA123J,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
TDTA123J,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
47+6.44 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H
TRS4V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H
TRS4V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.49 грн
10+115.53 грн
100+79.29 грн
500+59.86 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H
TRS6V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H
TRS6V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.90 грн
10+137.60 грн
100+95.38 грн
500+72.56 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.22 грн
10+151.15 грн
100+113.29 грн
500+86.68 грн
1000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65H,S1Q TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.97 грн
10+92.56 грн
100+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.75 грн
10+158.33 грн
100+142.39 грн
500+124.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.99 грн
10+111.79 грн
100+89.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+130.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.51 грн
10+175.62 грн
100+156.37 грн
500+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.64 грн
10+127.88 грн
100+102.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.71 грн
10+160.88 грн
100+129.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H
TRS8E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.42 грн
50+117.48 грн
100+112.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.48 грн
50+153.26 грн
100+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.00 грн
50+175.20 грн
100+150.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
15+20.95 грн
100+11.09 грн
500+6.85 грн
1000+4.66 грн
2000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.31 грн
20+15.64 грн
100+7.88 грн
500+6.03 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.21 грн
39+7.86 грн
100+4.85 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.87 грн
6000+14.00 грн
9000+13.35 грн
15000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.71 грн
10+41.23 грн
25+34.21 грн
100+24.61 грн
250+20.92 грн
500+18.65 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 15V DUAL S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E
TDTC143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC143E,LM docget.jsp?did=36371&prodName=TDTC143E
TDTC143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
46+6.51 грн
100+4.00 грн
500+2.72 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU
SSM3J118TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LF docget.jsp?did=7050&prodName=SSM3J118TU
SSM3J118TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
16+18.71 грн
100+11.50 грн
500+8.32 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
6000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF docget.jsp?did=6112&prodName=SSM3J112TU
SSM3J112TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.08 грн
17+18.18 грн
100+11.51 грн
500+8.08 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.95 грн
10+114.48 грн
100+88.21 грн
500+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710
TLP2710(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-TP,E docget.jsp?did=29698&prodName=TLP2710
TLP2710(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.68 грн
10+72.28 грн
100+54.42 грн
500+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5
TPH9R00CQ5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5
TPH9R00CQ5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.33 грн
10+146.51 грн
100+120.04 грн
500+88.80 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2710(FANUC,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2910(FANUC,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK
TC74VHC373FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK
TC74VHC373FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.62 грн
10+31.58 грн
25+28.37 грн
100+23.30 грн
250+21.71 грн
500+20.75 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5
TK22V65X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5
TK22V65X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-MBSTP,F TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(TP,F) TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(TP,F) TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(F) TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-TP,F) TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf
74VHC138FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.00 грн
5000+10.50 грн
7500+9.96 грн
12500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf
74VHC138FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.17 грн
10+31.65 грн
25+26.10 грн
100+18.61 грн
250+15.72 грн
500+13.94 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TA58M09S,MATUDQ(J TA58MxxS_2009-09-30.pdf
TA58M09S,MATUDQ(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 9V 500MA TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220NIS
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]