Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 200 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
74LCX574FT 74LCX574FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15180&prodName=74LCX574FT Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX574FT 74LCX574FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15180&prodName=74LCX574FT Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
17+19.30 грн
25+17.13 грн
100+13.90 грн
250+12.86 грн
500+12.23 грн
1000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG_Series.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA 4-WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 75dB ~ 50dB (1kHz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(D4-TP4,E TLP5754(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(D4-TP4,E TLP5754(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.04 грн
10+141.54 грн
100+109.71 грн
500+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(TP4,E TLP5754(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(TP4,E TLP5754(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.73 грн
10+138.98 грн
100+107.64 грн
500+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9306TU,LF(CT TC7SPB9306TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9306TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9306TU Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9306TU,LF(CT TC7SPB9306TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9306TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9306TU Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.29 грн
13+24.80 грн
25+22.71 грн
100+15.86 грн
250+14.37 грн
500+11.89 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.90 грн
10+58.37 грн
25+55.40 грн
100+42.70 грн
250+39.91 грн
500+35.27 грн
1000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:2
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:2
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.86 грн
10+40.43 грн
25+37.73 грн
100+28.33 грн
250+26.30 грн
500+22.26 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.45 грн
53+6.06 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11241&prodName=TB6613FTG Description: 8 H-BRIDGE DRIVER, CAN BE CONFIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989 Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989 Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
16+20.33 грн
100+11.53 грн
500+7.17 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.41 грн
6000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 7831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.82 грн
10+72.72 грн
100+54.74 грн
500+43.90 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDADFG TMPM3HNFDADFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-QFP (14x20)
Number of I/O: 93
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.80 грн
10+358.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HLFDAUG TMPM3HLFDAUG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Number of I/O: 57
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.13 грн
10+422.69 грн
25+393.17 грн
160+324.71 грн
320+312.19 грн
640+301.64 грн
1120+289.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HPF10BFG TMPM3HPF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 19x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 128-LQFP (14x14)
Number of I/O: 118
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.37 грн
10+432.66 грн
25+402.55 грн
180+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HMFDAFG TMPM3HMFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 80-LQFP (12x12)
Number of I/O: 73
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.04 грн
10+495.57 грн
25+461.43 грн
119+389.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDAFG TMPM3HNFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 93
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.80 грн
10+504.35 грн
90+429.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 135
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+756.01 грн
10+603.30 грн
60+529.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNF10BFG TMPM3HNF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 92
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.03 грн
10+683.84 грн
90+585.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG TMPM3HQF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 134
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.93 грн
10+780.40 грн
60+687.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
48+6.70 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
6000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
14+23.76 грн
25+21.72 грн
100+15.16 грн
250+13.74 грн
500+11.37 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
47+6.86 грн
100+4.25 грн
500+2.89 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.73 грн
10+123.12 грн
100+84.50 грн
500+63.79 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.34 грн
10+146.64 грн
100+101.64 грн
500+77.32 грн
1000+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.73 грн
10+161.07 грн
100+120.72 грн
500+92.37 грн
1000+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.81 грн
10+98.64 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+120.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.74 грн
10+168.73 грн
100+151.73 грн
500+132.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+119.13 грн
100+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+138.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.93 грн
10+187.15 грн
100+166.64 грн
500+153.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.33 грн
10+136.27 грн
100+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.90 грн
10+171.44 грн
100+137.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.26 грн
50+125.19 грн
100+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.64 грн
50+163.32 грн
100+139.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.10 грн
50+186.70 грн
100+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
15+22.33 грн
100+11.82 грн
500+7.30 грн
1000+4.96 грн
2000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
20+16.67 грн
100+8.40 грн
500+6.43 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.65 грн
20000+1.45 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 33139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.28 грн
58+5.58 грн
133+2.41 грн
500+2.13 грн
1000+1.94 грн
2000+1.91 грн
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.91 грн
6000+14.92 грн
9000+14.22 грн
15000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E TC7USB42MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.35 грн
10+43.94 грн
25+36.46 грн
100+26.22 грн
250+22.29 грн
500+19.87 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228 Description: DIODE VARACTOR DUAL 15V SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX574FT docget.jsp?did=15180&prodName=74LCX574FT
74LCX574FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX574FT docget.jsp?did=15180&prodName=74LCX574FT
74LCX574FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
17+19.30 грн
25+17.13 грн
100+13.90 грн
250+12.86 грн
500+12.23 грн
1000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2DG25,LF TCR2DG_Series.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 200MA 4-WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 75dB ~ 50dB (1kHz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(D4-TP4,E TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754
TLP5754(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(D4-TP4,E TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754
TLP5754(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.04 грн
10+141.54 грн
100+109.71 грн
500+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(TP4,E TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754
TLP5754(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5754(TP4,E TLP5754_datasheet_en_20191222.pdf?did=15356&prodName=TLP5754
TLP5754(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 4A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 3A, 3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.73 грн
10+138.98 грн
100+107.64 грн
500+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9306TU,LF(CT TC7SPB9306TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9306TU
TC7SPB9306TU,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9306TU,LF(CT TC7SPB9306TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9306TU
TC7SPB9306TU,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.29 грн
13+24.80 грн
25+22.71 грн
100+15.86 грн
250+14.37 грн
500+11.89 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK
TC7MPB9307FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FK(EL) TC7MPB9307FK_datasheet_en_20220824.pdf?did=61841&prodName=TC7MPB9307FK
TC7MPB9307FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.90 грн
10+58.37 грн
25+55.40 грн
100+42.70 грн
250+39.91 грн
500+35.27 грн
1000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf
TC7MPB9327FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:2
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9327FT(EL) TC7MPB9327FT_datasheet_en_20170223.pdf
TC7MPB9327FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:2 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 1:2
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.86 грн
10+40.43 грн
25+37.73 грн
100+28.33 грн
250+26.30 грн
500+22.26 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A
TBAT54A,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBAT54A,LM docget.jsp?did=37137&prodName=TBAT54A
TBAT54A,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 100MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.45 грн
53+6.06 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TB6613FTG,8,EL docget.jsp?did=11241&prodName=TB6613FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8 H-BRIDGE DRIVER, CAN BE CONFIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989
RN4989(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(TE85L,F) docget.jsp?did=18989&prodName=RN4989
RN4989(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
16+20.33 грн
100+11.53 грн
500+7.17 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.41 грн
6000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 7831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.82 грн
10+72.72 грн
100+54.74 грн
500+43.90 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDADFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HNFDADFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-QFP (14x20)
Number of I/O: 93
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.80 грн
10+358.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HLFDAUG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HLFDAUG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Number of I/O: 57
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.13 грн
10+422.69 грн
25+393.17 грн
160+324.71 грн
320+312.19 грн
640+301.64 грн
1120+289.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HPF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HPF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 19x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 128-LQFP (14x14)
Number of I/O: 118
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.37 грн
10+432.66 грн
25+402.55 грн
180+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HMFDAFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HMFDAFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 80-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 80-LQFP (12x12)
Number of I/O: 73
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.04 грн
10+495.57 грн
25+461.43 грн
119+389.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNFDAFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HNFDAFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 93
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.80 грн
10+504.35 грн
90+429.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQFDAFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,512KBMEM/66KBRAM,Q
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 135
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+756.01 грн
10+603.30 грн
60+529.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HNF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HNF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 92
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.03 грн
10+683.84 грн
90+585.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG TMPM3HMFDAFG_datasheet_en_20250221.pdf
TMPM3HQF10BFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU,M3,120MHZ,1MBMEM/130KBRAM,QF
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 21x12b SAR; D/A 2x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, Motor Control PWM, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 134
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+977.93 грн
10+780.40 грн
60+687.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E
TDTA114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114E,LM docget.jsp?did=36696&prodName=TDTA114E
TDTA114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
48+6.70 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.65 грн
6000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FU,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.64 грн
14+23.76 грн
25+21.72 грн
100+15.16 грн
250+13.74 грн
500+11.37 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
TDTA123J,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA123J,LM TDTA123J_datasheet_en_20201113.pdf?did=36689&prodName=TDTA123J
TDTA123J,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
47+6.86 грн
100+4.25 грн
500+2.89 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H
TRS4V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4V65H,LQ TRS4V65H_datasheet_en_20230621.pdf?did=152109&prodName=TRS4V65H
TRS4V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.73 грн
10+123.12 грн
100+84.50 грн
500+63.79 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H
TRS6V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6V65H,LQ TRS6V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152117&prodName=TRS6V65H
TRS6V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.34 грн
10+146.64 грн
100+101.64 грн
500+77.32 грн
1000+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8V65H,LQ TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
TRS8V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.73 грн
10+161.07 грн
100+120.72 грн
500+92.37 грн
1000+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65H,S1Q TRS2E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152099&prodName=TRS2E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.81 грн
10+98.64 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+120.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10V65H,LQ TRS10V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152085&prodName=TRS10V65H
TRS10V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.74 грн
10+168.73 грн
100+151.73 грн
500+132.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 199pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.46 грн
10+119.13 грн
100+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+138.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ TRS12V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152095&prodName=TRS12V65H
TRS12V65H,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.93 грн
10+187.15 грн
100+166.64 грн
500+153.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.33 грн
10+136.27 грн
100+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.90 грн
10+171.44 грн
100+137.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65H,S1Q TRS8E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152121&prodName=TRS8E65H
TRS8E65H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.26 грн
50+125.19 грн
100+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65H,S1Q TRS10E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152083&prodName=TRS10E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 649pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.64 грн
50+163.32 грн
100+139.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65H,S1Q TRS12E65H_datasheet_en_20230411.pdf?did=152091&prodName=TRS12E65H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.10 грн
50+186.70 грн
100+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
15+22.33 грн
100+11.82 грн
500+7.30 грн
1000+4.96 грн
2000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
20+16.67 грн
100+8.40 грн
500+6.43 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.65 грн
20000+1.45 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7ACT,L3F docget.jsp?did=55582&prodName=DF2B7ACT
DF2B7ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 33139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
58+5.58 грн
133+2.41 грн
500+2.13 грн
1000+1.94 грн
2000+1.91 грн
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.91 грн
6000+14.92 грн
9000+14.22 грн
15000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB42MU,LF(S2E docget.jsp?did=13905&prodName=TC7USB42MU
TC7USB42MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 18951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.35 грн
10+43.94 грн
25+36.46 грн
100+26.22 грн
250+22.29 грн
500+19.87 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1SV228TPH3F 1SV228_datasheet_en_20161219.pdf?did=2756&prodName=1SV228
1SV228TPH3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR DUAL 15V SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 13.7pF @ 8V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C3/C8
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Capacitance Ratio: 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]