Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 204 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCR3UG12A,LF TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.857V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG12A,LF TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.857V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+25.82 грн
25+23.64 грн
100+16.51 грн
250+14.96 грн
500+12.38 грн
1000+9.13 грн
2500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
19+16.27 грн
100+7.94 грн
500+6.22 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270 Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270 Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.40 грн
10+142.23 грн
100+105.45 грн
500+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-LF4,E TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270 Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.13 грн
10+128.80 грн
100+88.84 грн
500+67.34 грн
1000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E TLP5231(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231 Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 16-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1A, 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E TLP5231(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231 Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 16-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.23 грн
10+259.53 грн
100+200.77 грн
500+166.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+18.51 грн
100+9.33 грн
500+7.76 грн
1000+6.04 грн
2000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 26.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 250mW
Gain: 16.9dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 26.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 250mW
Gain: 16.9dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
10+35.22 грн
25+33.19 грн
100+28.52 грн
250+26.93 грн
500+25.81 грн
1000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.83 грн
10+102.23 грн
100+69.61 грн
500+52.22 грн
1000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
11+27.83 грн
100+19.33 грн
500+14.16 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
11+28.58 грн
100+19.48 грн
500+14.38 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(F TLP7930(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATION AMP DIGITAL OUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.27 грн
50+290.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.63 грн
10+118.72 грн
100+81.62 грн
500+61.70 грн
1000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180709.pdf?did=19429 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180709.pdf?did=19429 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.02 грн
10+32.98 грн
100+21.27 грн
500+15.20 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152489&prodName=TPD4163F Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.84 грн
2000+181.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152489&prodName=TPD4163F Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.86 грн
10+247.74 грн
25+228.34 грн
100+194.29 грн
250+185.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.63 грн
10+352.58 грн
25+306.57 грн
100+238.90 грн
250+214.95 грн
500+204.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
14+22.39 грн
25+20.51 грн
100+14.33 грн
250+12.99 грн
500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.46 грн
4000+19.92 грн
6000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+51.04 грн
100+33.58 грн
500+24.47 грн
1000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) 2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142 Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) 2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142 Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.69 грн
10+36.04 грн
25+32.42 грн
100+26.67 грн
250+24.88 грн
500+23.80 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(TP,E TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+110.51 грн
100+85.07 грн
500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+110.51 грн
100+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
19+16.12 грн
100+7.87 грн
500+6.15 грн
1000+4.28 грн
2000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADP400E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.66 грн
10+74.47 грн
100+52.50 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG21CXZSTA Toshiba Semiconductor and Storage TAEC393_Toshiba_Product_Sheet_N300_LowRes.pdf Description: N300 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22406.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51CXZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26456.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC04ACA200E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MC04ACAxxE-product-overview_EOL.pdf Description: TOMCAT CLOUD 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200E Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200A Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EA Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG04SCAxxEx-product-overview.pdf Description: HDD 2TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.78 грн
100+80.02 грн
500+60.34 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf Description: N300 4TB
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 4TB
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11763.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
10+118.87 грн
100+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG12A,LF TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A
TCR3UG12A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.857V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG12A,LF TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A
TCR3UG12A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 300MA 4WCSP-F
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
Voltage Dropout (Max): 0.857V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
12+25.82 грн
25+23.64 грн
100+16.51 грн
250+14.96 грн
500+12.38 грн
1000+9.13 грн
2500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V
MUZ30V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V
MUZ30V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
19+16.27 грн
100+7.94 грн
500+6.22 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270
TLP2270(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270
TLP2270(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.40 грн
10+142.23 грн
100+105.45 грн
500+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-LF4,E TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270
TLP2270(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH
TPH1500CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH
TPH1500CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.13 грн
10+128.80 грн
100+88.84 грн
500+67.34 грн
1000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231
TLP5231(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 16-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1A, 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231
TLP5231(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 16-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+388.23 грн
10+259.53 грн
100+200.77 грн
500+166.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE
RN4984FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE
RN4984FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
17+18.51 грн
100+9.33 грн
500+7.76 грн
1000+6.04 грн
2000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U
MT4S300U(TE85L,O,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 26.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 250mW
Gain: 16.9dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U
MT4S300U(TE85L,O,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 26.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 250mW
Gain: 16.9dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.62 грн
10+35.22 грн
25+33.19 грн
100+28.52 грн
250+26.93 грн
500+25.81 грн
1000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D
TK7P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D
TK7P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.83 грн
10+102.23 грн
100+69.61 грн
500+52.22 грн
1000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
11+27.83 грн
100+19.33 грн
500+14.16 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.17 грн
11+28.58 грн
100+19.48 грн
500+14.38 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATION AMP DIGITAL OUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+467.27 грн
50+290.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W
TK12P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W
TK12P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.63 грн
10+118.72 грн
100+81.62 грн
500+61.70 грн
1000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) datasheet_en_20180709.pdf?did=19429
CRS12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) datasheet_en_20180709.pdf?did=19429
CRS12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.02 грн
10+32.98 грн
100+21.27 грн
500+15.20 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF docget.jsp?did=152489&prodName=TPD4163F
TPD4163F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+192.84 грн
2000+181.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF docget.jsp?did=152489&prodName=TPD4163F
TPD4163F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.86 грн
10+247.74 грн
25+228.34 грн
100+194.29 грн
250+185.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+226.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.63 грн
10+352.58 грн
25+306.57 грн
100+238.90 грн
250+214.95 грн
500+204.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK
TC7W66FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK
TC7W66FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
14+22.39 грн
25+20.51 грн
100+14.33 грн
250+12.99 грн
500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
2SA2097(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.46 грн
4000+19.92 грн
6000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
2SA2097(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.46 грн
10+51.04 грн
100+33.58 грн
500+24.47 грн
1000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142
2SA2142(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142
2SA2142(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.69 грн
10+36.04 грн
25+32.42 грн
100+26.67 грн
250+24.88 грн
500+23.80 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.63 грн
10+110.51 грн
100+85.07 грн
500+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.63 грн
10+110.51 грн
100+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
19+16.12 грн
100+7.87 грн
500+6.15 грн
1000+4.28 грн
2000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADP400E eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137
TLPN137(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137
TLPN137(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.66 грн
10+74.47 грн
100+52.50 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG21CXZSTA TAEC393_Toshiba_Product_Sheet_N300_LowRes.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22406.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51CXZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26456.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC04ACA200E eHDD-MC04ACAxxE-product-overview_EOL.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT CLOUD 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EA eHDD-MG04SCAxxEx-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 2TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+116.78 грн
100+80.02 грн
500+60.34 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 4TB
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 4TB
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11763.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.48 грн
10+118.87 грн
100+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]