Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13496) > Сторінка 201 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC74VHC373FK(EL,K) TC74VHC373FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.46 грн
10+34.85 грн
25+31.32 грн
100+25.72 грн
250+23.96 грн
500+22.90 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT 74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.24 грн
5000+11.59 грн
7500+11.00 грн
12500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT 74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.89 грн
10+34.93 грн
25+28.81 грн
100+20.54 грн
250+17.35 грн
500+15.38 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TA58M09S,MATUDQ(J TA58M09S,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58MxxS_2009-09-30.pdf Description: IC REG LINEAR 9V 500MA TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220NIS
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.62 грн
10000+7.59 грн
15000+7.23 грн
25000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 29480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.02 грн
14+24.61 грн
100+15.65 грн
500+11.04 грн
1000+9.86 грн
2000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F) TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F) TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+318.19 грн
10+225.96 грн
100+178.26 грн
500+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.01 грн
50+6.69 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.16 грн
19+17.51 грн
100+10.97 грн
500+7.64 грн
1000+6.79 грн
2000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1209DG(8Z,K) TCD1209DG(8Z,K) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1209DG_Web_Datasheet_en_20190108.pdf?did=13707&prodName=TCD1209DG Description: CCD IMAGE SENSOR - INTEGRATED CI
Packaging: Tray
Package / Case: 22-CDIP (0.400", 10.16mm)
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 11.4V ~ 13V
Pixel Size: 14µm x 14µm
Supplier Device Package: 22-CERDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFNG,EL TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.70 грн
4000+55.19 грн
6000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFNG,EL TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.64 грн
10+82.42 грн
25+74.82 грн
100+62.39 грн
250+58.67 грн
500+56.42 грн
1000+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM08A,L3F TCR8BM08A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=0.8V, DROPOUT=17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.52 грн
10000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM08A,L3F TCR8BM08A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=0.8V, DROPOUT=17
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.61 грн
10+36.09 грн
25+29.80 грн
100+21.29 грн
250+18.00 грн
500+15.98 грн
1000+14.04 грн
2500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM115A,L3F TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=1.15V, DROPOUT=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.15V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.42 грн
10000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM115A,L3F TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=1.15V, DROPOUT=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.15V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.75 грн
10+35.76 грн
25+29.57 грн
100+21.14 грн
250+17.87 грн
500+15.86 грн
1000+13.94 грн
2500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM18A,L3F TCR8BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.305V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM18A,L3F TCR8BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=17
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.305V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.61 грн
10+36.09 грн
25+29.80 грн
100+21.29 грн
250+18.00 грн
500+15.98 грн
1000+14.04 грн
2500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM085A,L3F TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=0.85V, DROPOUT=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.85V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM085A,L3F TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=0.85V, DROPOUT=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.85V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.61 грн
10+36.09 грн
25+29.80 грн
100+21.29 грн
250+18.00 грн
500+15.98 грн
1000+14.04 грн
2500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC124E,LM TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36706&prodName=TDTC124E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 49 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC124E,LM TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36706&prodName=TDTC124E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 49 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.01 грн
45+7.35 грн
100+4.53 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,LF1,F TLP241A(D4,LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14237&prodName=TLP241A Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.52 грн
10+110.17 грн
100+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2366(TPR,E TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8527&prodName=TLP2366 Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.64 грн
10+77.72 грн
100+54.54 грн
500+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) 2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971 Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.75 грн
10+40.63 грн
100+26.40 грн
500+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.16 грн
13+25.60 грн
25+23.06 грн
100+14.95 грн
250+12.59 грн
500+10.23 грн
1000+7.74 грн
2500+6.97 грн
5000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.67 грн
30+611.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149839&prodName=TW140Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.90 грн
10+661.61 грн
100+551.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149831&prodName=TW083Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.46 грн
10+696.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F TW048Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149823&prodName=TW048Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1365.37 грн
30+822.25 грн
120+754.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151451&prodName=TW027Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1645.82 грн
10+1408.13 грн
100+1231.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F TW045Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW045Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151459&prodName=TW045Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1829.36 грн
30+1119.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F TW015Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151443&prodName=TW015Z120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5295.97 грн
30+4084.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358H(F) TLP358H(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1115&prodName=TLP358H Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Current - Peak Output: 6A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.42 грн
50+135.91 грн
100+127.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.01 грн
45+7.35 грн
100+4.53 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
2000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF) 2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714_datasheet_en_20131101.pdf?did=20744&prodName=2SC5714 Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 4021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.86 грн
39+8.51 грн
45+7.47 грн
100+5.96 грн
250+5.46 грн
500+5.16 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC373FK(EL,K) docget.jsp?did=18015&prodName=TC74VHC373FK
TC74VHC373FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-VSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.46 грн
10+34.85 грн
25+31.32 грн
100+25.72 грн
250+23.96 грн
500+22.90 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5
TK22V65X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ docget.jsp?did=54459&prodName=TK22V65X5
TK22V65X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-MBSTP,F TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(TP,F) TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(TP,F) TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700HF(F) TLP700HF_Rev6.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700H(D4-TP,F) TLP700H_Rev7.0_2-17-20.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15µs, 8µs
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf
74VHC138FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.24 грн
5000+11.59 грн
7500+11.00 грн
12500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC138FT TC74VHC138F%2CFN%2CFT%2CFK.pdf
74VHC138FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.89 грн
10+34.93 грн
25+28.81 грн
100+20.54 грн
250+17.35 грн
500+15.38 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TA58M09S,MATUDQ(J TA58MxxS_2009-09-30.pdf
TA58M09S,MATUDQ(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 9V 500MA TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220NIS
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N
DF5G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.62 грн
10000+7.59 грн
15000+7.23 грн
25000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G5M4N,LF DF5G5M4N_datasheet_en_20220125.pdf?did=57532&prodName=DF5G5M4N
DF5G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 29480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.02 грн
14+24.61 грн
100+15.65 грн
500+11.04 грн
1000+9.86 грн
2000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F
TC74LCX14FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74LCX14FK(EL,K) TC74LCX14F_datasheet_en_20210326.pdf?did=63362&prodName=TC74LCX14F
TC74LCX14FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14VSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F)
TLP3924(TP15,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3924(TP15,F)
TLP3924(TP15,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 4µA
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Supplier Device Package: 4-SSOP
Voltage - Output (Max): 30V
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.19 грн
10+225.96 грн
100+178.26 грн
500+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV
RN1110MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV
RN1110MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.01 грн
50+6.69 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE
SSM6P36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE
SSM6P36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.16 грн
19+17.51 грн
100+10.97 грн
500+7.64 грн
1000+6.79 грн
2000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F
TC74AC541F(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC541F(EL,F) TC74AC541F_datasheet_en_20140301.pdf?did=3090&prodName=TC74AC541F
TC74AC541F(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1209DG(8Z,K) TCD1209DG_Web_Datasheet_en_20190108.pdf?did=13707&prodName=TCD1209DG
TCD1209DG(8Z,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CCD IMAGE SENSOR - INTEGRATED CI
Packaging: Tray
Package / Case: 22-CDIP (0.400", 10.16mm)
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 11.4V ~ 13V
Pixel Size: 14µm x 14µm
Supplier Device Package: 22-CERDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFNG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+58.70 грн
4000+55.19 грн
6000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62503AFNG,EL TBD62502AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29878&prodName=TBD62502AFG
TBD62503AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 300mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
10+82.42 грн
25+74.82 грн
100+62.39 грн
250+58.67 грн
500+56.42 грн
1000+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM08A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM08A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=0.8V, DROPOUT=17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.52 грн
10000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM08A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM08A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=0.8V, DROPOUT=17
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.21V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.61 грн
10+36.09 грн
25+29.80 грн
100+21.29 грн
250+18.00 грн
500+15.98 грн
1000+14.04 грн
2500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM115A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM115A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=1.15V, DROPOUT=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.15V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.42 грн
10000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM115A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM115A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=1.15V, DROPOUT=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.15V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.75 грн
10+35.76 грн
25+29.57 грн
100+21.14 грн
250+17.87 грн
500+15.86 грн
1000+13.94 грн
2500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM18A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM18A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.305V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM18A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM18A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=1.8V, DROPOUT=17
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.305V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.61 грн
10+36.09 грн
25+29.80 грн
100+21.29 грн
250+18.00 грн
500+15.98 грн
1000+14.04 грн
2500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM085A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM085A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=0.85V, DROPOUT=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.85V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM085A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM085A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=0.85V, DROPOUT=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.85V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.61 грн
10+36.09 грн
25+29.80 грн
100+21.29 грн
250+18.00 грн
500+15.98 грн
1000+14.04 грн
2500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC124E,LM TDTC124E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36706&prodName=TDTC124E
TDTC124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 49 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC124E,LM TDTC124E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36706&prodName=TDTC124E
TDTC124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 49 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.01 грн
45+7.35 грн
100+4.53 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,LF1,F docget.jsp?did=14237&prodName=TLP241A
TLP241A(D4,LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.52 грн
10+110.17 грн
100+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2366(TPR,E docget.jsp?did=8527&prodName=TLP2366
TLP2366(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 40ns, 40ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L
SSM14N956L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM14N956L,EFF SSM14N956L_datasheet_en_20231010.pdf?did=151761&prodName=SSM14N956L
SSM14N956L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.33W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.57mA
Supplier Device Package: TCSPED-302701
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
10+77.72 грн
100+54.54 грн
500+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971
2SA1971(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F) docget.jsp?did=20431&prodName=2SA1971
2SA1971(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.75 грн
10+40.63 грн
100+26.40 грн
500+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS
7UL1G02FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G02FS,LF 7UL1G02FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=60331&prodName=7UL1G02FS
7UL1G02FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.6V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.16 грн
13+25.60 грн
25+23.06 грн
100+14.95 грн
250+12.59 грн
500+10.23 грн
1000+7.74 грн
2500+6.97 грн
5000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TW107Z65C,S1F docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C
TW107Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+899.67 грн
30+611.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW140Z120C,S1F docget.jsp?did=149839&prodName=TW140Z120C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.90 грн
10+661.61 грн
100+551.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F TW083Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149831&prodName=TW083Z65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1033.46 грн
10+696.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F TW048Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=149823&prodName=TW048Z65C
TW048Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1365.37 грн
30+822.25 грн
120+754.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F TW027Z65C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151451&prodName=TW027Z65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1645.82 грн
10+1408.13 грн
100+1231.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F TW045Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151459&prodName=TW045Z120C
TW045Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1829.36 грн
30+1119.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F TW015Z120C_datasheet_en_20230616.pdf?did=151443&prodName=TW015Z120C
TW015Z120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5295.97 грн
30+4084.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358H(F) docget.jsp?did=1115&prodName=TLP358H
TLP358H(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Current - Peak Output: 6A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 250ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.42 грн
50+135.91 грн
100+127.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1117MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1117MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.01 грн
45+7.35 грн
100+4.53 грн
500+3.08 грн
1000+2.70 грн
2000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF) 2SC5714_datasheet_en_20131101.pdf?did=20744&prodName=2SC5714
2SC5714(TE12L,ZF)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU
TC7WH34FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH34FU,LJ(CT TC7WH34FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20130&prodName=TC7WH34FU
TC7WH34FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 4021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.86 грн
39+8.51 грн
45+7.47 грн
100+5.96 грн
250+5.46 грн
500+5.16 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]