Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 197 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+129.37 грн
100+99.96 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+111.10 грн
100+81.12 грн
500+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
14+22.57 грн
100+15.36 грн
500+10.81 грн
1000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E TLP5752(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E TLP5752(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+117.82 грн
100+90.91 грн
500+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
39+7.77 грн
45+6.85 грн
100+5.47 грн
250+5.00 грн
500+4.72 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.85 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+72.31 грн
100+54.41 грн
500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W_datasheet_en_20161008.pdf?did=55442&prodName=TK7E80W Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.15 грн
100+18.08 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+17.96 грн
100+9.07 грн
500+7.54 грн
1000+5.87 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.57 грн
100+4.06 грн
500+2.77 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GR-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL TC74VCX574FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL TC74VCX574FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 18601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+166.81 грн
50+128.80 грн
100+109.37 грн
500+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.38 грн
100+56.87 грн
500+42.29 грн
1000+38.73 грн
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
6000+3.34 грн
9000+3.15 грн
15000+2.77 грн
21000+2.66 грн
30000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 56169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
26+11.93 грн
31+9.75 грн
100+6.79 грн
250+5.63 грн
500+4.91 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.63 грн
100+33.89 грн
500+24.67 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+90.95 грн
50+68.64 грн
100+57.66 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4CT,L3F DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56015&prodName=DF2S6M4CT Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.84 грн
20000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4CT,L3F DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56015&prodName=DF2S6M4CT Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 35274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.96 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55434&prodName=TPH7R204PL Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.38 грн
100+24.24 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143E,LM TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36366&prodName=TDTA143E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143E,LM TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36366&prodName=TDTA143E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA144E,LM TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36370&prodName=TDTA144E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 88 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA144E,LM TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36370&prodName=TDTA144E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 88 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.86 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S60,H3F CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70195&prodName=CUHS15S60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S60,H3F CUHS15S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70195&prodName=CUHS15S60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
26+12.00 грн
100+7.68 грн
500+6.49 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ6V8,H3F CUHZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V8 Description: TVS DIODE 6.8VWM 7.2VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 585pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 73A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ6V8,H3F CUHZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V8 Description: TVS DIODE 6.8VWM 7.2VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 585pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 73A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.74 грн
50+15.73 грн
100+12.93 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988 Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988 Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+15.02 грн
100+9.46 грн
500+6.60 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LXHF(CT RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.79 грн
8000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LXHF(CT RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+17.96 грн
100+9.04 грн
500+7.52 грн
1000+5.85 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004FTG,EL TC78B004FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004FTG_datasheet_en_20171025.pdf Description: SENSORED BRUSHLESS MOTOR CONTROL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004FTG,EL TC78B004FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004FTG_datasheet_en_20171025.pdf Description: SENSORED BRUSHLESS MOTOR CONTROL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+125.29 грн
25+114.43 грн
100+96.22 грн
250+90.90 грн
500+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.76 грн
10+129.37 грн
100+99.96 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.36 грн
10+111.10 грн
100+81.12 грн
500+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU
SSM6K405TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU
SSM6K405TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.00 грн
14+22.57 грн
100+15.36 грн
500+10.81 грн
1000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.30 грн
10+117.82 грн
100+90.91 грн
500+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
39+7.77 грн
45+6.85 грн
100+5.47 грн
250+5.00 грн
500+4.72 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E
TDTA124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E
TDTA124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.85 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.81 грн
10+72.31 грн
100+54.41 грн
500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X TK7E80W_datasheet_en_20161008.pdf?did=55442&prodName=TK7E80W
TK7E80W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.36 грн
10+166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.03 грн
11+28.15 грн
100+18.08 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
17+17.96 грн
100+9.07 грн
500+7.54 грн
1000+5.87 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E
TDTC144E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E
TDTC144E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
46+6.57 грн
100+4.06 грн
500+2.77 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GR-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(Y,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL
TC74VCX574FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL
TC74VCX574FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 18601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.93 грн
10+166.81 грн
50+128.80 грн
100+109.37 грн
500+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL
TPH5R60APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL
TPH5R60APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.95 грн
10+84.38 грн
100+56.87 грн
500+42.29 грн
1000+38.73 грн
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F
TC7SZ14FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.83 грн
6000+3.34 грн
9000+3.15 грн
15000+2.77 грн
21000+2.66 грн
30000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F
TC7SZ14FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 56169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
26+11.93 грн
31+9.75 грн
100+6.79 грн
250+5.63 грн
500+4.91 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL
TPH4R803PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL
TPH4R803PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.44 грн
10+51.63 грн
100+33.89 грн
500+24.67 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM
TPH4R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM
TPH4R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.14 грн
10+90.95 грн
50+68.64 грн
100+57.66 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4CT,L3F docget.jsp?did=56015&prodName=DF2S6M4CT
DF2S6M4CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.84 грн
20000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4CT,L3F docget.jsp?did=56015&prodName=DF2S6M4CT
DF2S6M4CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 35274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
31+9.96 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R204PL,LQ docget.jsp?did=55434&prodName=TPH7R204PL
TPH7R204PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.68 грн
10+44.38 грн
100+24.24 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143E,LM docget.jsp?did=36366&prodName=TDTA143E
TDTA143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143E,LM docget.jsp?did=36366&prodName=TDTA143E
TDTA143E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA144E,LM docget.jsp?did=36370&prodName=TDTA144E
TDTA144E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 88 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA144E,LM docget.jsp?did=36370&prodName=TDTA144E
TDTA144E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 88 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.86 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S60,H3F docget.jsp?did=70195&prodName=CUHS15S60
CUHS15S60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S60,H3F docget.jsp?did=70195&prodName=CUHS15S60
CUHS15S60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: US2H
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
26+12.00 грн
100+7.68 грн
500+6.49 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ6V8,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V8
CUHZ6V8,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.8VWM 7.2VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 585pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 73A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ6V8,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V8
CUHZ6V8,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.8VWM 7.2VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 585pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 73A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
14+21.74 грн
50+15.73 грн
100+12.93 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988
RN4988,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988
RN4988,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
21+15.02 грн
100+9.46 грн
500+6.60 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LXHF(CT RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE
RN4988FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.79 грн
8000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LXHF(CT RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE
RN4988FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
17+17.96 грн
100+9.04 грн
500+7.52 грн
1000+5.85 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004FTG,EL TC78B004FTG_datasheet_en_20171025.pdf
TC78B004FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SENSORED BRUSHLESS MOTOR CONTROL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004FTG,EL TC78B004FTG_datasheet_en_20171025.pdf
TC78B004FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SENSORED BRUSHLESS MOTOR CONTROL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.79 грн
10+125.29 грн
25+114.43 грн
100+96.22 грн
250+90.90 грн
500+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]