Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6492) > Сторінка 96 з 109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTA312B-600B,118 BTA312B-600B,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2893352.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 12A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 BTA204S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2724526.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.47 грн
19+46.71 грн
100+32.05 грн
500+23.90 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.57 грн
17+52.42 грн
100+34.69 грн
500+23.19 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ WNC3060D45160WQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204975.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.51 грн
10+200.30 грн
100+161.95 грн
500+142.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WEEN SEMICONDUCTORS 3672592.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.17 грн
500+81.52 грн
1000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ BTA440Z-1200ATQ WEEN SEMICONDUCTORS 4553164.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.29 грн
10+357.14 грн
100+283.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WEEN SEMICONDUCTORS 4553165.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.39 грн
10+140.64 грн
100+127.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q WNSC5D20650W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.45 грн
10+166.21 грн
100+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q WNSC5D206506Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928021.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.14 грн
10+149.16 грн
100+118.48 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T WMSC006H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7860.40 грн
5+7415.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.57 грн
17+52.42 грн
100+34.69 грн
500+23.19 грн
1000+20.89 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.69 грн
500+23.19 грн
1000+20.89 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q WNSC2D501200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928023.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.35 грн
5+743.25 грн
10+600.91 грн
50+535.03 грн
100+483.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q WNSC2D201200W-B6Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928024.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.57 грн
10+243.77 грн
100+196.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS 3672595.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.71 грн
10+171.32 грн
100+104.84 грн
500+83.90 грн
1000+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q WG30R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553155.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.85 грн
10+153.42 грн
100+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q WG25R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553158.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.80 грн
10+144.90 грн
100+121.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553157.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.98 грн
10+136.38 грн
100+113.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q WG40N120MFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.28 грн
10+271.05 грн
100+215.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q WG40N120HFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.37 грн
10+276.16 грн
100+228.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553156.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.96 грн
10+155.98 грн
100+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q WG40N120UFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.16 грн
10+302.59 грн
100+240.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T WMSC006H12B2S6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553147.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8237.14 грн
5+7604.69 грн
10+6845.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF947543473E143&compId=BTA16-600B.pdf?ci_sign=bab4264cd3ee4e64cc318f8cba6359ae0bc77aa8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.64 грн
10+73.21 грн
28+33.72 грн
76+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF93546E1E76143&compId=BTA16-800B.pdf?ci_sign=5b2d91d3caf329e0f34d317c2e5b68991880ed21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.64 грн
10+58.09 грн
26+35.93 грн
72+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BD979DEEF89F80C4&compId=bta408x-1000c0t.pdf?ci_sign=7ccfb90366096a2bf2d68bf4e4840f57e352d5f0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.26 грн
11+36.88 грн
25+32.29 грн
31+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors bt152-800r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7829252BF63ADA259&compId=BT169D.pdf?ci_sign=d7beb69c9b24b361ce7cc40b43467e3610086383 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50mA
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.01 грн
26+15.67 грн
50+13.06 грн
100+12.03 грн
206+4.51 грн
566+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.37 грн
10+51.84 грн
33+28.41 грн
90+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.87 грн
23+17.25 грн
30+13.61 грн
100+9.02 грн
158+5.94 грн
434+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225-800B,127 BTA225-800B,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3630A7D5E2259&compId=BTA225-800B.pdf?ci_sign=ede26d34fecd57b49c511c8ba7a0e033d417a336 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.77 грн
10+107.64 грн
21+44.32 грн
58+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors BTA204-800B__127.pdf bta204-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.72 грн
20+20.74 грн
22+18.68 грн
30+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA987E481E47100CE&compId=BT151-500R.pdf?ci_sign=53021a41efe6df2cfd78be5ab8da85cc9e781cfc Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.40 грн
13+32.37 грн
25+24.61 грн
46+20.34 грн
100+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3EC9B411DA259&compId=BT151-500RT.pdf?ci_sign=646a0c0eae3651e074fdbcf9a817b3e0865eac19 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+47.73 грн
14+28.97 грн
25+23.27 грн
41+23.03 грн
100+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800BQ BTA41-800BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C995B4B2C5580C8&compId=BTA41-800B.pdf?ci_sign=5b68d00c911742f8412fe3a949d74be2e53ddac5 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.59 грн
3+220.82 грн
7+138.51 грн
19+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600,127 BT137-600,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E30FF706BEA259&compId=BT137-600.pdf?ci_sign=038fc1e9dc47e88aa947ca30a5c472badcf7b645 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.75 грн
10+54.69 грн
25+44.64 грн
42+22.32 грн
115+21.13 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600D,127 BT137-600D,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E313107E7EC259&compId=BT137-600D.pdf?ci_sign=572e45dc75af42ffdf75903f8d4c5daf80dc62d4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.86 грн
10+51.76 грн
25+41.63 грн
43+22.08 грн
116+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E,127 BT137-600E,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E314B5FC358259&compId=BT137-600E.pdf?ci_sign=2d11090da40b187b5e7f7689c75b0430bf626c78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.78 грн
10+42.74 грн
11+38.86 грн
25+34.59 грн
43+21.77 грн
118+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/DG WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G,127 BT137-600G,127 WeEn Semiconductors bt137-600g.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.93 грн
10+43.45 грн
40+23.59 грн
100+23.51 грн
109+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0TQ WeEn Semiconductors bt137-600g0t.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E378FD687E6259&compId=BTA416Y-600C.pdf?ci_sign=75906d40976f0ef203c86b12c5efc10b5b93ce35 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.19 грн
10+51.21 грн
22+42.42 грн
61+40.13 грн
250+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-600BQ BTA41-600BQ WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C996F8521DE60C8&compId=BTA41-600B.pdf?ci_sign=53c2a3ba5b8fe3cb80a0aac194d3d175957a5112 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Gate current: 50/70mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 4Q
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.43 грн
8+132.97 грн
20+125.84 грн
450+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600BT,127 BTA410Y-600BT,127 WeEn Semiconductors bta410y-600bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600CT,127 BTA410Y-600CT,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7DFEBC631274A&compId=BTA410Y-600CT.pdf?ci_sign=6f2844dad71462a80bf3b4f6f30c01341720d12a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.80 грн
14+30.23 грн
25+27.07 грн
36+26.44 грн
97+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600ET,127 BTA410Y-600ET,127 WeEn Semiconductors bta410y-600et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800BT,127 BTA410Y-800BT,127 WeEn Semiconductors bta410y-800bt.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WeEn Semiconductors bta410y-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600B,127 BTA412Y-600B,127 WeEn Semiconductors bta412y-600b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.29 грн
10+41.95 грн
24+39.26 грн
25+37.04 грн
100+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600C,127 BTA412Y-600C,127 WeEn Semiconductors bta412y-600c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ETQ WeEn Semiconductors bta412y-600et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800B,127 BTA412Y-800B,127 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EE354275B860C4&compId=BTA412Y_ser.pdf?ci_sign=77bf335049caca71bf403956a1751589c636d89a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. load current: 12A
Max. forward impulse current: 140A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.75 грн
10+51.05 грн
26+35.93 грн
72+33.95 грн
500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800C,127 BTA412Y-800C,127 WeEn Semiconductors 568_BTA412Y-800C127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT168G,112 BT168G,112 WeEn Semiconductors bt168g.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.31 грн
32+12.58 грн
39+10.29 грн
100+8.31 грн
174+5.30 грн
478+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BT168GW,115 BT168GW,115 WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7AEF30867274A&compId=BT168GW.pdf?ci_sign=f600be21c83b6f813538322e7474bbab7bf5b54f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.24 грн
18+22.24 грн
21+19.07 грн
100+12.90 грн
106+8.86 грн
289+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BT168GWF,115 BT168GWF,115 WeEn Semiconductors bt168gwf.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 450uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 450µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.91 грн
17+24.38 грн
19+20.97 грн
100+13.14 грн
156+5.94 грн
430+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 2893352.pdf
BTA312B-600B,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 12A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 2724526.pdf
BTA204S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.47 грн
19+46.71 грн
100+32.05 грн
500+23.90 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.57 грн
17+52.42 грн
100+34.69 грн
500+23.19 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ 3204975.pdf
WNC3060D45160WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.51 грн
10+200.30 грн
100+161.95 грн
500+142.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ 3672592.pdf
WNSC2D10650BJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.17 грн
500+81.52 грн
1000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ 4553164.pdf
BTA440Z-1200ATQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+558.29 грн
10+357.14 грн
100+283.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 4553165.pdf
BTA410Y-800CT,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.39 грн
10+140.64 грн
100+127.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q
WNSC5D20650W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.45 грн
10+166.21 грн
100+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q 3928021.pdf
WNSC5D206506Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.14 грн
10+149.16 грн
100+118.48 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T
WMSC006H12B2P6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7860.40 грн
5+7415.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.57 грн
17+52.42 грн
100+34.69 грн
500+23.19 грн
1000+20.89 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.69 грн
500+23.19 грн
1000+20.89 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q 3928023.pdf
WNSC2D501200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.35 грн
5+743.25 грн
10+600.91 грн
50+535.03 грн
100+483.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q 3928024.pdf
WNSC2D201200W-B6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.57 грн
10+243.77 грн
100+196.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ 3672595.pdf
WNSC2D10650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.71 грн
10+171.32 грн
100+104.84 грн
500+83.90 грн
1000+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q 4553155.pdf
WG30R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.85 грн
10+153.42 грн
100+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q 4553158.pdf
WG25R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.80 грн
10+144.90 грн
100+121.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q 4553157.pdf
WG30N65HAW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.98 грн
10+136.38 грн
100+113.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q
WG40N120MFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+408.28 грн
10+271.05 грн
100+215.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q
WG40N120HFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.37 грн
10+276.16 грн
100+228.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q 4553156.pdf
WG30R140W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.96 грн
10+155.98 грн
100+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q
WG40N120UFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+455.16 грн
10+302.59 грн
100+240.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T 4553147.pdf
WMSC006H12B2S6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8237.14 грн
5+7604.69 грн
10+6845.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF947543473E143&compId=BTA16-600B.pdf?ci_sign=bab4264cd3ee4e64cc318f8cba6359ae0bc77aa8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA16-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.64 грн
10+73.21 грн
28+33.72 грн
76+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCF93546E1E76143&compId=BTA16-800B.pdf?ci_sign=5b2d91d3caf329e0f34d317c2e5b68991880ed21 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA16-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.64 грн
10+58.09 грн
26+35.93 грн
72+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BD979DEEF89F80C4&compId=bta408x-1000c0t.pdf?ci_sign=7ccfb90366096a2bf2d68bf4e4840f57e352d5f0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA408X-1000C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.26 грн
11+36.88 грн
25+32.29 грн
31+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 bt152-800r.pdf
BT152-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7829252BF63ADA259&compId=BT169D.pdf?ci_sign=d7beb69c9b24b361ce7cc40b43467e3610086383 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT169D,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50mA
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.01 грн
26+15.67 грн
50+13.06 грн
100+12.03 грн
206+4.51 грн
566+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.37 грн
10+51.84 грн
33+28.41 грн
90+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 phe13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 mac97a6.pdf
MAC97A6,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 mac97a6.pdf
MAC97A6,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.87 грн
23+17.25 грн
30+13.61 грн
100+9.02 грн
158+5.94 грн
434+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BTA225-800B,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3630A7D5E2259&compId=BTA225-800B.pdf?ci_sign=ede26d34fecd57b49c511c8ba7a0e033d417a336 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA225-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.77 грн
10+107.64 грн
21+44.32 грн
58+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B__127.pdf bta204-800b.pdf
BTA204-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.72 грн
20+20.74 грн
22+18.68 грн
30+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA987E481E47100CE&compId=BT151-500R.pdf?ci_sign=53021a41efe6df2cfd78be5ab8da85cc9e781cfc
BT151-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.40 грн
13+32.37 грн
25+24.61 грн
46+20.34 грн
100+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E3EC9B411DA259&compId=BT151-500RT.pdf?ci_sign=646a0c0eae3651e074fdbcf9a817b3e0865eac19 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT151-500RT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.73 грн
14+28.97 грн
25+23.27 грн
41+23.03 грн
100+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C995B4B2C5580C8&compId=BTA41-800B.pdf?ci_sign=5b68d00c911742f8412fe3a949d74be2e53ddac5
BTA41-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 0.4kA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.59 грн
3+220.82 грн
7+138.51 грн
19+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E30FF706BEA259&compId=BT137-600.pdf?ci_sign=038fc1e9dc47e88aa947ca30a5c472badcf7b645 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT137-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.75 грн
10+54.69 грн
25+44.64 грн
42+22.32 грн
115+21.13 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600/L01,127 bt137-600.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600D,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E313107E7EC259&compId=BT137-600D.pdf?ci_sign=572e45dc75af42ffdf75903f8d4c5daf80dc62d4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT137-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.86 грн
10+51.76 грн
25+41.63 грн
43+22.08 грн
116+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E314B5FC358259&compId=BT137-600E.pdf?ci_sign=2d11090da40b187b5e7f7689c75b0430bf626c78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT137-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.78 грн
10+42.74 грн
11+38.86 грн
25+34.59 грн
43+21.77 грн
118+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/DG bt137-600e.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600E/L01,127 bt137-600e.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G,127 bt137-600g.pdf
BT137-600G,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.93 грн
10+43.45 грн
40+23.59 грн
100+23.51 грн
109+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0TQ bt137-600g0t.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416Y-600C,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED782E378FD687E6259&compId=BTA416Y-600C.pdf?ci_sign=75906d40976f0ef203c86b12c5efc10b5b93ce35 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA416Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.19 грн
10+51.21 грн
22+42.42 грн
61+40.13 грн
250+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-600BQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8C996F8521DE60C8&compId=BTA41-600B.pdf?ci_sign=53c2a3ba5b8fe3cb80a0aac194d3d175957a5112
BTA41-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Case: SOT1292; TO3P
Mounting: THT
Gate current: 50/70mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 4Q
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.43 грн
8+132.97 грн
20+125.84 грн
450+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600BT,127 bta410y-600bt.pdf
BTA410Y-600BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600CT,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7DFEBC631274A&compId=BTA410Y-600CT.pdf?ci_sign=6f2844dad71462a80bf3b4f6f30c01341720d12a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA410Y-600CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.80 грн
14+30.23 грн
25+27.07 грн
36+26.44 грн
97+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600ET,127 bta410y-600et.pdf
BTA410Y-600ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800BT,127 bta410y-800bt.pdf
BTA410Y-800BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 bta410y-800ct.pdf
BTA410Y-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 10A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600B,127 bta412y-600b.pdf
BTA412Y-600B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.29 грн
10+41.95 грн
24+39.26 грн
25+37.04 грн
100+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600C,127 bta412y-600c.pdf
BTA412Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-600ETQ bta412y-600et.pdf
BTA412Y-600ETQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800B,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EE354275B860C4&compId=BTA412Y_ser.pdf?ci_sign=77bf335049caca71bf403956a1751589c636d89a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BTA412Y-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Type of thyristor: triac
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. load current: 12A
Max. forward impulse current: 140A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Technology: 3Q; Hi-Com
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.75 грн
10+51.05 грн
26+35.93 грн
72+33.95 грн
500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA412Y-800C,127 568_BTA412Y-800C127.pdf
BTA412Y-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 3Q; Hi-Com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT168G,112 bt168g.pdf
BT168G,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.31 грн
32+12.58 грн
39+10.29 грн
100+8.31 грн
174+5.30 грн
478+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BT168GW,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A5F7AEF30867274A&compId=BT168GW.pdf?ci_sign=f600be21c83b6f813538322e7474bbab7bf5b54f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5ADF7A47D1E60C7&compId=_ween_psg2020.pdf?ci_sign=468e6aeff5ff673b9b681e7e7132f302dc444c36
BT168GW,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.24 грн
18+22.24 грн
21+19.07 грн
100+12.90 грн
106+8.86 грн
289+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BT168GWF,115 bt168gwf.pdf
BT168GWF,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 1A; 0.63A; Igt: 450uA; SOT223; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 450µA
Load current: 0.63A
Max. load current: 1A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.91 грн
17+24.38 грн
19+20.97 грн
100+13.14 грн
156+5.94 грн
430+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 109  [ Наступна Сторінка >> ]