Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6043) > Сторінка 96 з 101

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTLJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800E,127 BTA316X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA316X-800E.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.71 грн
10+57.78 грн
100+47.00 грн
500+39.79 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-800E,118 BTA316B-800E,118 WeEn Semiconductors BTA316B-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.04 грн
9+52.86 грн
10+46.83 грн
30+42.08 грн
100+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.27 грн
10+53.53 грн
100+42.84 грн
500+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600C,127 BTA316-600C,127 WeEn Semiconductors BTA316-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600BT,127 BTA316-600BT,127 WeEn Semiconductors BTA316-600BT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600E,127 BTA316-600E,127 WeEn Semiconductors BTA316-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C,127 BTA316X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA316X-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-800CTQ BTA316-800CTQ WeEn Semiconductors BTA316-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.30 грн
10+45.98 грн
25+40.55 грн
100+36.40 грн
500+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET/DGQ WeEn Semiconductors BTA316-600ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58AJ WeEn Semiconductors SMCJ Series.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMCJ
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQ WNSC16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC16650CWQ.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 48A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 96A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 96A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 48A
Max. forward voltage: 1.8V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D16650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 110A
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D16650CW6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.65V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600D,127 BTA204-600D,127 WeEn Semiconductors BTA204-600D.pdf BTA204-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.04 грн
20+22.06 грн
22+19.77 грн
30+17.48 грн
100+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600F,127 BTA204X-600F,127 WeEn Semiconductors BTA204X-600F.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.69 грн
17+25.11 грн
19+22.48 грн
30+19.94 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600C,127 BTA204X-600C,127 WeEn Semiconductors BTA204X-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600B,127 BTA204-600B,127 WeEn Semiconductors BTA204-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600E,127 BTA204-600E,127 WeEn Semiconductors BTA204-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600E,135 BTA204W-600E,135 WeEn Semiconductors PHGLS30330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BTA204W-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600D,127 BTA204X-600D,127 WeEn Semiconductors BTA204X-600D.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600C,127 BTA204-600C,127 WeEn Semiconductors BTA204-600C.pdf PHGLS30374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600F,127 BTA204-600F,127 WeEn Semiconductors BTA204-600F.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-1000C,118 BTA204S-1000C,118 WeEn Semiconductors BTA204S-1000C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 4A; DPAK; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-600F,118 BTA204S-600F,118 WeEn Semiconductors BTA204S-600F.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600C,135 BTA204W-600C,135 WeEn Semiconductors BTA204W-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600D,135 BTA204W-600D,135 WeEn Semiconductors BTA204W-600D.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 5mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600F,135 BTA204W-600F,135 WeEn Semiconductors BTA204W-600F.pdf BTA204W-600F.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600B,127 BTA204X-600B,127 WeEn Semiconductors BTA204X-600B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600E,127 BTA204X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA204X-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B NXPSC04650B WeEn Semiconductors NXPSC04650B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650Q NXPSC04650Q WeEn Semiconductors NXPSC04650.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.82 грн
10+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6Q NXPLQSC30650W6Q WeEn Semiconductors nxplqsc30650w.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.95V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151U-500C,127 BT151U-500C,127 WeEn Semiconductors BT151U-500c.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; IPAK; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600BT,127 BTA410Y-600BT,127 WeEn Semiconductors BTA410Y-600BT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206-800CT,127 BTA206-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA206-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 66A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 66A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.20 грн
15+30.03 грн
50+24.77 грн
100+22.99 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800ET,127 BTA206X-800ET,127 WeEn Semiconductors Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+47.17 грн
25+39.96 грн
50+35.12 грн
100+31.14 грн
500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206-800ET,127 BTA206-800ET,127 WeEn Semiconductors PHGLS23949-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta206-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 66A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 66A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.39 грн
13+33.09 грн
25+26.30 грн
100+23.59 грн
500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA202X-600D,127 BTA202X-600D,127 WeEn Semiconductors BTA202X-600D_127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 2A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 14A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 2A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 14A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.76 грн
30+17.73 грн
100+15.95 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 BUJD203A,127 WeEn Semiconductors BUJD203A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 11...22
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CAJ P6SMBJ28CAJ WeEn Semiconductors P6SMBJ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800CTQ BTA425Z-800CTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; SOT1292,TO3P; Igt: 35mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.11 грн
10+151.86 грн
30+131.50 грн
150+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAC223A6,127 MAC223A6,127 WeEn Semiconductors MAC223A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 25A; TO220AB; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 190A
Gate current: 50/75mA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: triac
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.56 грн
10+85.69 грн
25+79.75 грн
50+75.51 грн
100+72.11 грн
250+66.18 грн
500+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-800.127 BT139-800.127 WeEn Semiconductors BT139-800.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PQ BYC30W-600PQ WeEn Semiconductors BYC30W-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 300A; Ufmax: 1.8V; 22ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO247AC Modified
Max. forward voltage: 1.8V
Reverse recovery time: 22ns
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.27 грн
10+98.41 грн
30+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30X-600P,127 BYC30X-600P,127 WeEn Semiconductors byc30x-600p.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.75V
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.53 грн
5+112.84 грн
10+103.50 грн
25+91.63 грн
50+83.99 грн
100+76.36 грн
250+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30WT-600PQ BYC30WT-600PQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600P.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-3; 70ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2Q.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-2; 26ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.75V
Reverse recovery time: 26ns
Max. load current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors byc30-1200p.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 270A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Case: SOD59; TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3.3V
Max. forward impulse current: 270A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 65ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P,127 WeEn Semiconductors BYC30-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.38V
Reverse recovery time: 35ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30B-600PJ BYC30B-600PJ WeEn Semiconductors BYC30B-600P.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 35ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 2.75V
Reverse recovery time: 35ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ WeEn Semiconductors BYC30DW-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 260A; TO247-2; 26ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 260A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Reverse recovery time: 26ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MB-650PJ WeEn Semiconductors BYC30MB-650P.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 650V; 30A; 20ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 270A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 2.75V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q WeEn Semiconductors BYC30MW-650PT2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-2; 20ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MX-650PQ WeEn Semiconductors BYC30MX-650PQ.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 270A; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.75V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 300A; TO247-2; 65ns
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3.5V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 65ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30Y-600PQ BYC30Y-600PQ WeEn Semiconductors BYC30Y-600P.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.38V
Reverse recovery time: 35ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800E,127 BTA316X-800E.PDF
BTA316X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.71 грн
10+57.78 грн
100+47.00 грн
500+39.79 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-800E,118 BTA316B-800E.pdf
BTA316B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.04 грн
9+52.86 грн
10+46.83 грн
30+42.08 грн
100+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316B-600E,118 BTA316B-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.27 грн
10+53.53 грн
100+42.84 грн
500+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600C,127 BTA316-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.61 грн
10+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600BT,127 BTA316-600BT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA316-600BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600E,127 BTA316-600E.pdf
BTA316-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C,127 BTA316X-800C.pdf
BTA316X-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-800CTQ BTA316-800CT.pdf
BTA316-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.30 грн
10+45.98 грн
25+40.55 грн
100+36.40 грн
500+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET.pdf
BTA316-600ET/DGQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58AJ SMCJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 65÷70.6V; 16.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 65...70.6V
Max. forward impulse current: 16.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMCJ
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQ WNSC16650CWQ.pdf
WNSC16650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 48A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q.pdf
NXPSC166506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 96A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J.pdf
NXPSC16650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 96A
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CW.pdf
WNSC2D16650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 48A
Max. forward voltage: 1.8V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 110A
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.65V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600D,127 BTA204-600D.pdf BTA204-600B.pdf
BTA204-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.04 грн
20+22.06 грн
22+19.77 грн
30+17.48 грн
100+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600F,127 BTA204X-600F.pdf
BTA204X-600F,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.69 грн
17+25.11 грн
19+22.48 грн
30+19.94 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600C,127 BTA204X-600C.pdf
BTA204X-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600B,127 BTA204-600B.pdf
BTA204-600B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600E,127 BTA204-600E.pdf
BTA204-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600E,135 PHGLS30330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BTA204W-600E.pdf
BTA204W-600E,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600D,127 BTA204X-600D.pdf
BTA204X-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600C,127 BTA204-600C.pdf PHGLS30374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA204-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-600F,127 BTA204-600F.pdf
BTA204-600F,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-1000C,118 BTA204S-1000C.pdf
BTA204S-1000C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 4A; DPAK; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-600F,118 BTA204S-600F.pdf
BTA204S-600F,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; DPAK; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: DPAK
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600C,135 BTA204W-600C.pdf
BTA204W-600C,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 35mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600D,135 BTA204W-600D.pdf
BTA204W-600D,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 5mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204W-600F,135 BTA204W-600F.pdf BTA204W-600F.pdf
BTA204W-600F,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; SOT223; Igt: 25mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: SOT223
Gate current: 25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600B,127 BTA204X-600B.pdf
BTA204X-600B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-600E,127 BTA204X-600E.pdf
BTA204X-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B NXPSC04650B.pdf _ween_psg2020.pdf
NXPSC04650B
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650Q NXPSC04650.pdf _ween_psg2020.pdf
NXPSC04650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.82 грн
10+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPLQSC30650W6Q nxplqsc30650w.pdf
NXPLQSC30650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.95V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151U-500C,127 BT151U-500c.pdf
BT151U-500C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; IPAK; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-600BT,127 BTA410Y-600BT.pdf
BTA410Y-600BT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 10A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 10A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206-800CT,127 BTA206-800CT.pdf
BTA206-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 66A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 66A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.20 грн
15+30.03 грн
50+24.77 грн
100+22.99 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800ET,127
BTA206X-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.61 грн
10+47.17 грн
25+39.96 грн
50+35.12 грн
100+31.14 грн
500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206-800ET,127 PHGLS23949-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta206-800et.pdf
BTA206-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 6A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 66A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 6A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 66A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.39 грн
13+33.09 грн
25+26.30 грн
100+23.59 грн
500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA202X-600D,127 BTA202X-600D_127.pdf
BTA202X-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 2A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 14A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 2A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 14A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.76 грн
30+17.73 грн
100+15.95 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 BUJD203A.pdf
BUJD203A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 11...22
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ28CAJ P6SMBJ.pdf
P6SMBJ28CAJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.33÷34.16V; 13.3A; bidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.33...34.16V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800CTQ BTA425Z-800CT.pdf
BTA425Z-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; SOT1292,TO3P; Igt: 35mA; Ifsm: 250A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.11 грн
10+151.86 грн
30+131.50 грн
150+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAC223A6,127 MAC223A6.pdf
MAC223A6,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 25A; TO220AB; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 190A
Gate current: 50/75mA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: triac
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.56 грн
10+85.69 грн
25+79.75 грн
50+75.51 грн
100+72.11 грн
250+66.18 грн
500+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT139-800.127 BT139-800.pdf _ween_psg2020.pdf
BT139-800.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 155A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PQ BYC30W-600P.pdf
BYC30W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 300A; Ufmax: 1.8V; 22ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO247AC Modified
Max. forward voltage: 1.8V
Reverse recovery time: 22ns
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.27 грн
10+98.41 грн
30+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30X-600P,127 byc30x-600p.pdf _ween_psg2020.pdf
BYC30X-600P,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.75V
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+142.53 грн
5+112.84 грн
10+103.50 грн
25+91.63 грн
50+83.99 грн
100+76.36 грн
250+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30WT-600PQ BYC30WT-600P.pdf _ween_psg2020.pdf
BYC30WT-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-3; 70ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-2; 26ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.75V
Reverse recovery time: 26ns
Max. load current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ byc30-1200p.pdf _ween_psg2020.pdf
BYC30-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 270A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Case: SOD59; TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3.3V
Max. forward impulse current: 270A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 65ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P.pdf
BYC30-600P,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.38V
Reverse recovery time: 35ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30B-600PJ BYC30B-600P.pdf
BYC30B-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 35ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 2.75V
Reverse recovery time: 35ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600P.pdf
BYC30DW-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 260A; TO247-2; 26ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 260A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Reverse recovery time: 26ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MB-650PJ BYC30MB-650P.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 650V; 30A; 20ns; D2PAK,SOT404; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 270A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 2.75V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q BYC30MW-650PT2.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-2; 20ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MX-650PQ BYC30MX-650PQ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 270A; Ufmax: 2.75V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 270A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.75V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200P.pdf
BYC30W-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 300A; TO247-2; 65ns
Type of diode: rectifying
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3.5V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 65ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30Y-600PQ BYC30Y-600P.pdf
BYC30Y-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 200A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.38V
Reverse recovery time: 35ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]