Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5870) > Сторінка 96 з 98

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95 96 97 98  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BT258-500R,127 BT258-500R,127 WeEn Semiconductors BT258-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Max. off-state voltage: 500V
Turn-on time: 2µs
Load current: 5A
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 75A
Gate current: 0.2mA
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.18 грн
10+47.53 грн
100+35.23 грн
500+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800E.127 BT138-800E.127 WeEn Semiconductors BT138-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR08BT1,115 MCR08BT1,115 WeEn Semiconductors MCR08BT1.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.54 грн
17+24.85 грн
100+15.31 грн
500+10.54 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors WNS20H100CB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.29 грн
10+47.36 грн
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-400D,115 BT1308W-400D,115 WeEn Semiconductors bt1308w-400d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Technology: 4Q
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.34 грн
18+23.68 грн
100+14.73 грн
250+12.13 грн
500+10.46 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D,115 WeEn Semiconductors BT1308W-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 9A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.54 грн
19+22.59 грн
22+19.33 грн
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800CT,127 BTA312-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA312-800CT.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.77 грн
10+45.77 грн
11+40.25 грн
30+36.15 грн
100+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800ET.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.77 грн
10+42.84 грн
25+38.41 грн
100+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800CTQ BTA312X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA312X-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.87 грн
11+40.83 грн
25+35.98 грн
100+32.30 грн
250+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800B,118 BTA312B-800B,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.28 грн
9+51.21 грн
25+45.27 грн
100+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-600C,127 BTA312Y-600C,127 WeEn Semiconductors bta312y-600c.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.67 грн
10+78.99 грн
50+62.93 грн
100+57.49 грн
250+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800B,127 BTA312-800B,127 WeEn Semiconductors BTA312-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.37 грн
10+43.68 грн
25+39.25 грн
100+34.64 грн
500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600CT,127 BTA312-600CT,127 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.49 грн
10+52.80 грн
100+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600D,127 BTA312X-600D,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600D.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.69 грн
10+43.35 грн
100+35.48 грн
500+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600D,118 BTA312B-600D,118 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.04 грн
10+70.46 грн
100+56.82 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800C,118 BTA312B-800C,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.83 грн
10+62.84 грн
100+46.61 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT,118 WeEn Semiconductors BTA312B-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.95 грн
10+70.62 грн
100+48.03 грн
250+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800E,118 BTA312B-800E,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.09 грн
10+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B,127 BTA312X-800B,127 WeEn Semiconductors BTA312X-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800C,127 BTA312X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA312X-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800E,127 BTA312-800E,127 WeEn Semiconductors BTA312-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800ET,127 BTA312-800ET,127 WeEn Semiconductors BTA312-800ET.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600C,118 BTA312B-600C,118 WeEn Semiconductors BTA312B-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600C,127 BTA312-600C,127 WeEn Semiconductors PHGLS30272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BTA312-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600D,127 BTA312-600D,127 WeEn Semiconductors BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600E,118 BTA312B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA312B-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; I2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: I2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800E,127 BTA312X-800E,127 WeEn Semiconductors BTA312X-800E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600E,127 BTA312-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E.pdf BTA312-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800C,127 BTA312-800C,127 WeEn Semiconductors BTA312-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600C,127 BTA312X-600C,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600E,127 BTA312X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B/DGQ BTA312X-800B/DGQ WeEn Semiconductors BTA312X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-800C,127 BTA312Y-800C,127 WeEn Semiconductors BTA312Y-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6Q WeEn Semiconductors WNSC2M20120R.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC58X-600,127 BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors BYC58X-600.pdf BYC58X-600.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 120A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.4V
Reverse recovery time: 21ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.72 грн
6+73.64 грн
25+63.60 грн
100+55.23 грн
500+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-800E.127 BT136-800E.127 WeEn Semiconductors BT136-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103A,127 BUJ103A,127 WeEn Semiconductors Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AD,118 WeEn Semiconductors BUJ103AD.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AX,127 BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors BUJ103AX.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 26W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ33AJ WeEn Semiconductors SMDJ Series.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Manufacturer series: SMDJ
Peak pulse power dissipation: 3kW
Case: SMC
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6T WeEn Semiconductors WMSC008H12B1P6T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 153A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 8mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200TJ WeEn Semiconductors BT153B-1200T.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf BT153B-1200T-A.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200E,127 WeEn Semiconductors byq28e-200e.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 55A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 55A
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.895V
Load current: 5A x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 10A
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.09 грн
10+43.60 грн
50+33.14 грн
100+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC5D-500,127 BYC5D-500,127 WeEn Semiconductors PHGLS23037-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 5A; tube; Ifsm: 44A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 44A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.45V
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.66 грн
11+38.16 грн
100+30.79 грн
250+28.28 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151X-500C,127 BT151X-500C,127 WeEn Semiconductors BT151X-500C-127.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV72EW-200,127 BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors byv72ew-200.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 185A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 28ns
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.26 грн
30+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C/L03Q BTA316X-800C/L03Q WeEn Semiconductors BTA316X-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2X WeEn Semiconductors ESDALD05UE2.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; SOT23-3; Ch: 2; LD
Application: HDMI; USB
Peak pulse power dissipation: 60W
Case: SOT23-3
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 4A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X WeEn Semiconductors ESDALD05UG4.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; DFN2510; Ch: 4; LD
Application: HDMI; USB
Peak pulse power dissipation: 60W
Case: DFN2510
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. forward impulse current: 4A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA140-800.127 BTA140-800.127 WeEn Semiconductors BTA140-800.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 190A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ WNC3060D45160WQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf WNC3060D45160WQ.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-3; 29ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 29ns
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 270A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: bypass diode; ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B76J WeEn Semiconductors WNSC2M40120B76J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 61A; Idm: 170A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 500W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28X-200,127 BYQ28X-200,127 WeEn Semiconductors byq28x-200.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 55A; Ufmax: 1.25V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 55A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 10A
Reverse recovery time: 25ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136X-800,127 BT136X-800,127 WeEn Semiconductors BT136X-800.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors BUJ302AD.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 4A
Current gain: 25...50
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.08 грн
10+46.36 грн
25+40.75 грн
100+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302A,127 BUJ302A,127 WeEn Semiconductors PHGLS22628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 25...50
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.17 грн
12+35.98 грн
15+29.04 грн
30+26.11 грн
100+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AX,127 BUJ302AX,127 WeEn Semiconductors buj302ax.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.17 грн
12+35.98 грн
15+29.04 грн
30+26.11 грн
100+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WND35P08XQ WeEn Semiconductors WND35P08XQ.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 35A; tube; Ifsm: 400A; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT258-500R,127 BT258-500R.pdf
BT258-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Max. off-state voltage: 500V
Turn-on time: 2µs
Load current: 5A
Max. load current: 8A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 75A
Gate current: 0.2mA
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.18 грн
10+47.53 грн
100+35.23 грн
500+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800E.127 BT138-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT138-800E.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR08BT1,115 MCR08BT1.pdf _ween_psg2020.pdf
MCR08BT1,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.54 грн
17+24.85 грн
100+15.31 грн
500+10.54 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CB.pdf
WNS20H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.29 грн
10+47.36 грн
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-400D,115 bt1308w-400d.pdf
BT1308W-400D,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Technology: 4Q
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.34 грн
18+23.68 грн
100+14.73 грн
250+12.13 грн
500+10.46 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT1308W-600D,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 9A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.54 грн
19+22.59 грн
22+19.33 грн
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800CT,127 BTA312-800CT.pdf
BTA312-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.77 грн
10+45.77 грн
11+40.25 грн
30+36.15 грн
100+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET.PDF
BTA312B-800ET,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.77 грн
10+42.84 грн
25+38.41 грн
100+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800CTQ BTA312X-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.87 грн
11+40.83 грн
25+35.98 грн
100+32.30 грн
250+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800B,118 BTA312B-800B.pdf
BTA312B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.28 грн
9+51.21 грн
25+45.27 грн
100+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-600C,127 bta312y-600c.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.67 грн
10+78.99 грн
50+62.93 грн
100+57.49 грн
250+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800B,127 BTA312-800B.pdf
BTA312-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.37 грн
10+43.68 грн
25+39.25 грн
100+34.64 грн
500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600CT,127 _ween_psg2020.pdf
BTA312-600CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.49 грн
10+52.80 грн
100+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600D,127 BTA312X-600D.pdf
BTA312X-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.69 грн
10+43.35 грн
100+35.48 грн
500+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600D,118 _ween_psg2020.pdf
BTA312B-600D,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.04 грн
10+70.46 грн
100+56.82 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800C,118 BTA312B-800C.pdf
BTA312B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.83 грн
10+62.84 грн
100+46.61 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312B-600CT,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.95 грн
10+70.62 грн
100+48.03 грн
250+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800E,118 BTA312B-800E.pdf
BTA312B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.09 грн
10+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B,127 BTA312X-800B.pdf
BTA312X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800C,127 BTA312X-800C.pdf
BTA312X-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800E,127 BTA312-800E.pdf
BTA312-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800ET,127 BTA312-800ET.pdf
BTA312-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600C,118 BTA312B-600C.pdf
BTA312B-600C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600C,127 PHGLS30272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BTA312-600C.pdf
BTA312-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600D,127 BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600E,118 BTA312B-600E.pdf
BTA312B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312G-600CTQ _ween_psg2020.pdf
BTA312G-600CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; I2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: I2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800E,127 BTA312X-800E.pdf
BTA312X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600E,127 BTA312-600E.pdf BTA312-600E.pdf
BTA312-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800C,127 BTA312-800C.pdf
BTA312-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600C,127 BTA312X-600C.pdf
BTA312X-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600E,127 BTA312X-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B/DGQ BTA312X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-800B/DGQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-800C,127 BTA312Y-800C.pdf
BTA312Y-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6Q WNSC2M20120R.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC58X-600,127 BYC58X-600.pdf BYC58X-600.pdf
BYC58X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 120A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.4V
Reverse recovery time: 21ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.72 грн
6+73.64 грн
25+63.60 грн
100+55.23 грн
500+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-800E.127 BT136-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136-800E.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103A,127
BUJ103A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AD,118 BUJ103AD.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AX,127 BUJ103AX.pdf
BUJ103AX,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 26W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ33AJ SMDJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Manufacturer series: SMDJ
Peak pulse power dissipation: 3kW
Case: SMC
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6T WMSC008H12B1P6T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 153A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 8mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200TJ BT153B-1200T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ _ween_psg2020.pdf BT153B-1200T-A.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28E-200E,127 byq28e-200e.pdf
BYQ28E-200E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 55A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 55A
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.895V
Load current: 5A x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 10A
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.09 грн
10+43.60 грн
50+33.14 грн
100+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC5D-500,127 PHGLS23037-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BYC5D-500,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 5A; tube; Ifsm: 44A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 44A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.45V
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.66 грн
11+38.16 грн
100+30.79 грн
250+28.28 грн
500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151X-500C,127 BT151X-500C-127.pdf
BT151X-500C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV72EW-200,127 byv72ew-200.pdf
BYV72EW-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 185A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 28ns
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.26 грн
30+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C/L03Q BTA316X-800C.pdf
BTA316X-800C/L03Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2.pdf
ESDALD05UE2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; SOT23-3; Ch: 2; LD
Application: HDMI; USB
Peak pulse power dissipation: 60W
Case: SOT23-3
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 4A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; DFN2510; Ch: 4; LD
Application: HDMI; USB
Peak pulse power dissipation: 60W
Case: DFN2510
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. forward impulse current: 4A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA140-800.127 BTA140-800.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA140-800.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 190A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ _ween_psg2020.pdf WNC3060D45160WQ.pdf
WNC3060D45160WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 270A; TO247-3; 29ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 29ns
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 270A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: bypass diode; ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B76J WNSC2M40120B76J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 61A; Idm: 170A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 500W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28X-200,127 byq28x-200.pdf
BYQ28X-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 55A; Ufmax: 1.25V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 55A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 10A
Reverse recovery time: 25ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136X-800,127 BT136X-800.pdf
BT136X-800,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220FP; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD.pdf
BUJ302AD,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 4A
Current gain: 25...50
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.08 грн
10+46.36 грн
25+40.75 грн
100+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302A,127 PHGLS22628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BUJ302A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 25...50
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.17 грн
12+35.98 грн
15+29.04 грн
30+26.11 грн
100+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AX,127 buj302ax.pdf
BUJ302AX,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Current gain: 25...50
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.17 грн
12+35.98 грн
15+29.04 грн
30+26.11 грн
100+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WND35P08XQ WND35P08XQ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 35A; tube; Ifsm: 400A; Ufmax: 1.35V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95 96 97 98  [ Наступна Сторінка >> ]