Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4169) > Сторінка 57 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Diode Modules 800V 300A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080(A)D MSRTA30080(A)D GeneSiC Semiconductor www.genesicsemi.com Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080D MSRTA30080D GeneSiC Semiconductor msrta30080d-3482083.pdf Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100(A) MSRTA400100(A) GeneSiC Semiconductor msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100A MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400120A MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120%28A%29%7EMSRTA400160%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400120(A) MSRTA400120(A) GeneSiC Semiconductor MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400140(A) MSRTA400140(A) GeneSiC Semiconductor msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400160(A) MSRTA400160(A) GeneSiC Semiconductor msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA40060(A) MSRTA40060(A) GeneSiC Semiconductor msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA40080(A) MSRTA40080(A) GeneSiC Semiconductor Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100A MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100(A) MSRTA500100(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500120(A) MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500140(A) MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500160(A) MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA50060(A) MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA50080(A) MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA6001 MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100(A) MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600120(A) MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600140(A) MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA6001R MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor threetower.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA60060(A) MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA60080(A) MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CT MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct-3480606.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CTR MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CT MUR10010CT GeneSiC Semiconductor mur10010ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CTR MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor mur10010ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT MUR10020CT GeneSiC Semiconductor mur10020ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CTR MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10020ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CTR MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ctr.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CT MUR10060CT GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CTR MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor mur10040ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CT MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct-3480153.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CTR MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ctr-3480551.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20010ct-3481743.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CT MUR20010CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20010ctr-3481513.pdf Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CTR MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20020ct.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20020CT MUR20020CT GeneSiC Semiconductor mur20005ct.pdf Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20020CTR MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor mur20020ctr-3482794.pdf Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20060ctr.pdf Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20040CT MUR20040CT GeneSiC Semiconductor mur20040ct-3482093.pdf Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080(A)D www.genesicsemi.com
MSRTA30080(A)D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA30080D msrta30080d-3482083.pdf
MSRTA30080D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA400100(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100A MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf
MSRTA400100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400120A MSRTA400120%28A%29%7EMSRTA400160%28A%29.pdf
MSRTA400120A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400120(A) MSRTA400120(A)~MSRTA400160(A).pdf
MSRTA400120(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400140(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400140(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400160(A) msrta400120a_thru_msrta400160a.pdf
MSRTA400160(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA40060(A) msrta40060a_thru_msrta400100a.pdf
MSRTA40060(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA40080(A)
MSRTA40080(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100A
MSRTA500100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA500100(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500120(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500120(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500140(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500140(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500160(A) msrta500120a_thru_msrta500160a.pdf
MSRTA500160(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA50060(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50060(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA50080(A) msrta50060a_thru_msrta500100a.pdf
MSRTA50080(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA6001 threetower.pdf
MSRTA6001
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA600100(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600120(A) msrta600120a_thru_msrta600160a.pdf
MSRTA600120(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600140(A)
MSRTA600140(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA6001R threetower.pdf
MSRTA6001R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA60060(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60060(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA60080(A) msrta60060a_thru_msrta600100a.pdf
MSRTA60080(A)
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CT mur10005ct-3480606.pdf
MUR10005CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CT mur10005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10005CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10005CTR mur10005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CT mur10005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CT mur10010ct.pdf
MUR10010CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CTR mur10005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10010CTR mur10010ctr.pdf
MUR10010CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT mur10005ct.pdf
MUR10020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT mur10005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CT mur10020ct.pdf
MUR10020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CTR mur10020ctr.pdf
MUR10020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10020CTR mur10005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT mur10040ct.pdf
MUR10040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CT mur10040ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CTR mur10040ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10040CTR mur10040ctr.pdf
MUR10040CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CT mur10040ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CT mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CTR mur10005ct_thru_mur10020ctr-1133695.pdf
MUR10060CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR10060CTR mur10040ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CT mur20005ct-3480153.pdf
MUR20005CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CT mur20005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CTR mur20005ctr-3480551.pdf
MUR20005CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20005CTR mur20005ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CT mur20010ct-3481743.pdf
MUR20010CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CT mur20005ct.pdf
MUR20010CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CTR mur20010ctr-3481513.pdf
MUR20010CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20010CTR mur20005ct.pdf
MUR20010CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20020CT mur20020ct.pdf
MUR20020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20020CT mur20005ct.pdf
MUR20020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20020CTR mur20020ctr-3482794.pdf
MUR20020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20040CT mur20060ctr.pdf
MUR20040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR20040CT mur20040ct-3482093.pdf
MUR20040CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]