Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 57 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20060D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1400V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MSRTA30080A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 300A Forward |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30080(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30080D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MSRTA400100A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MSRTA400120A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA40060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA40080(A) | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MSRTA500100A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA50060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA50080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA6001 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
MSRTA600100A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: 3-SMD Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA600100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA600120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA600140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA6001R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA60060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA60080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR10005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR10005CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR10005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR10005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR10010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR10010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MSRTA200140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Forward
Diode Modules 1400V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Forward
Diode Modules 1600V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Forward
Diode Modules 600V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Forward
Diode Modules 800V 200A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300100(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 300A Forward
Rectifiers 1000V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300100(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300120(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 300A Forward
Rectifiers 1200V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300120(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300140(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1400V 300A Forward
Rectifiers 1400V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300160(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MSRTA300160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Forward
Diode Modules 600V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Forward
Diode Modules 800V 300A Forward
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080(A)D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400100(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400100A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400120(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400120A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400140(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA40060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA40080(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500100(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500100A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500120(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500140(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA50060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA50080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA6001 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600100A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600100(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600120(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600140(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA6001R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA60060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA60080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

