Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4066) > Сторінка 57 з 68
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR30005CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWERVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR30005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR30005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWERSpeed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR30010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR30010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR30020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR30020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR30020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWEROperating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR30040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR30040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWERReverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR30040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR30060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR30060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR30060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWERSupplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR40005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40005CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR40005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR40005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR40010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWERVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR40010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR40020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR40020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWERVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR40020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR40040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR40040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR40040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR40060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MUR40060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWERSpeed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 180 ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR40060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MUR5005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 50A Super Fast Recovery |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR5005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR5005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 50A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR5005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MUR5010 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 50A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR2X100A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 50A Super Fast Recovery
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MUR5005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 50A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 50A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 50A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


