Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 59 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery |
на замовлення 633 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2510R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
на замовлення 373 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MUR2510R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2520 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR2520R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR2520R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| MUR2540 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR2540 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 25A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2540R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR2540R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUR2560 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR2560 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 25A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR2560R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR2560R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 78 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X030A10 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 78 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X030A12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X060A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X100A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2X120A10 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A10 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR30005CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR30005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWERVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUR30005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR30005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR30010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR30010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWERSpeed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUR30010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
на замовлення 633 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1097.34 грн |
| 10+ | 901.79 грн |
| 25+ | 728.30 грн |
| 100+ | 662.66 грн |
| 250+ | 661.97 грн |
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2510R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery
на замовлення 373 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1097.34 грн |
| 10+ | 901.79 грн |
| 25+ | 728.30 грн |
| 100+ | 662.66 грн |
| 250+ | 661.97 грн |
| MUR2510R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2520 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2520R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2520R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 922.19 грн |
| 10+ | 757.25 грн |
| 25+ | 612.39 грн |
| 100+ | 548.15 грн |
| 250+ | 529.99 грн |
| MUR2540 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2540 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 400V 25A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2540R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 400V 25A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2540R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2560 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Description: DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2560 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 25A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2560R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2560R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 25A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 60A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 60A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 60A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 1000V 60A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X030A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
Rectifiers 1200V 60A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 120A Fwd Super Fast Recovery
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3311.57 грн |
| MUR2X060A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 120A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3569.82 грн |
| 10+ | 3032.19 грн |
| 25+ | 2485.16 грн |
| 52+ | 2376.23 грн |
| 104+ | 2360.87 грн |
| MUR2X060A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 120A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3768.59 грн |
| 25+ | 3656.14 грн |
| MUR2X100A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3934.09 грн |
| 10+ | 3282.23 грн |
| MUR2X100A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Description: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A06 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 120 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1000V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X120A12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 100V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.





