Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1248) > Сторінка 3 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G01N20LE G01N20LE Goford Semiconductor GOFORD-G01N20LE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
15000+5.37 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03D5 G020N03D5 Goford Semiconductor G020N03D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03D5 G020N03D5 Goford Semiconductor G020N03D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.98 грн
10+48.25 грн
100+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03K G020N03K Goford Semiconductor G020N03K.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,168A,140W,TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03K G020N03K Goford Semiconductor G020N03K.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,168A,140W,TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.01 грн
10+59.80 грн
100+39.72 грн
500+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T Goford Semiconductor G020N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.94 грн
10+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T Goford Semiconductor G020N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T GOFORD SEMICONDUCTOR G020N03T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 168A; 140W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 168A
Power dissipation: 140W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T GOFORD Semiconductor G020N03T.pdf G020N03T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
G025N03T GOFORD Semiconductor G025N03T
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFORD Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.64 грн
15000+3.36 грн
30000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 G02P06 Goford Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
6000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 G02P06 Goford Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.80 грн
15+20.24 грн
100+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M GOFORD Semiconductor G030N06M.pdf G030N06M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M Goford Semiconductor G030N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M Goford Semiconductor G030N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.57 грн
10+130.25 грн
100+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T GOFORD SEMICONDUCTOR G030N06T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 223A; 240W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 240W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T Goford Semiconductor G030N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11999 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.82 грн
50+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T GOFORD Semiconductor G030N06T.pdf G030N06T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M GOFORD Semiconductor G040P04M.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.43 грн
15200+69.65 грн
30400+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M Goford Semiconductor G040P04M.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ -20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.72 грн
8000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M Goford Semiconductor G040P04M.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M Goford Semiconductor G040P04M.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.87 грн
10+127.15 грн
100+87.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04T G040P04T Goford Semiconductor G040P04T.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15087 pF @ 20 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.59 грн
50+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04T GOFORD Semiconductor G040P04T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G048N04T GOFORD Semiconductor G048N04T.pdf G048N04T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
G048N04T G048N04T Goford Semiconductor G048N04T.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO-220
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6561 pF @ 20 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.05 грн
10+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE G04P10HE Goford Semiconductor GOFORD-G04P10HE.pdf Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE G04P10HE Goford Semiconductor GOFORD-G04P10HE.pdf Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
на замовлення 14979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.91 грн
10+36.02 грн
100+26.90 грн
500+19.83 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE GOFORD Semiconductor GOFORD-G04P10HE.pdf P-CH,-100V,-4A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.8V, SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.87 грн
15000+11.93 грн
30000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE G04P10HE Goford Semiconductor GOFORD-G04P10HE.pdf Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S Goford Semiconductor G050N03S.pdf Description: N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S GOFORD Semiconductor G050N03S.pdf N-CH,30V,18A,RD(max) Less Than 5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.4V ,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.39 грн
16000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S Goford Semiconductor G050N03S.pdf Description: N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 15 V
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+50.66 грн
100+33.29 грн
500+24.23 грн
1000+21.97 грн
2000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S GOFORD SEMICONDUCTOR G050N03S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 18A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S Goford Semiconductor G050N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.78 грн
16000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL GOFORD SEMICONDUCTOR G050N06LL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 1.25W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 26.4nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
6000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
13+24.84 грн
100+15.85 грн
500+11.23 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03D5 GOFORD Semiconductor G050P03D5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03D5 G050P03D5 Goford Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03D5 G050P03D5 Goford Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K GOFORD Semiconductor G050P03K.pdf 0
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K Goford Semiconductor G050P03K.pdf Description: P-30V,-85A,RD(MAX)<4.5M@-10V,VTH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7533 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K Goford Semiconductor G050P03K.pdf Description: P-30V,-85A,RD(MAX)<4.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7533 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+64.71 грн
100+43.14 грн
500+31.80 грн
1000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K Goford Semiconductor G050P03K.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 85A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7533 pF @ -15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03S G050P03S Goford Semiconductor G050P03S.pdf Description: P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7221 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03S G050P03S Goford Semiconductor G050P03S.pdf Description: P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7221 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.21 грн
10+65.99 грн
100+43.85 грн
500+32.22 грн
1000+29.35 грн
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03T G050P03T Goford Semiconductor G050P03T.pdf Description: P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03T G050P03T Goford Semiconductor G050P03T.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 85A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.86 грн
10+39.57 грн
100+25.68 грн
500+18.48 грн
1000+16.67 грн
2000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 GOFORD Semiconductor G05N06S2.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.41 грн
16000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G05N06S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP04S G05NP04S Goford Semiconductor GOFORD-G05NP04S.pdf Description: MOSFET 40V 4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V, 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 10V, 37mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516pF @ 20V, 520pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP06S2 G05NP06S2 Goford Semiconductor G05NP06S2.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), 3.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP06S2 G05NP06S2 Goford Semiconductor G05NP06S2.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), 3.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.78 грн
10+41.68 грн
100+27.12 грн
500+19.56 грн
1000+17.66 грн
2000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP10S G05NP10S Goford Semiconductor GOFORD-G05NP10S.pdf Description: MOSFET 100V 5A/6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V, 200mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797pF @ 25V, 760pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Tc), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G05P06L G05P06L Goford Semiconductor G05P06L.pdf Description: P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE GOFORD-G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.02 грн
15000+5.37 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03D5 G020N03D5.pdf
G020N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03D5 G020N03D5.pdf
G020N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.98 грн
10+48.25 грн
100+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03K G020N03K.pdf
G020N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,168A,140W,TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03K G020N03K.pdf
G020N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,168A,140W,TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.01 грн
10+59.80 грн
100+39.72 грн
500+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
G020N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.94 грн
10+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
G020N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 168A; 140W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 168A
Power dissipation: 140W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G020N03T G020N03T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G020N03T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
349+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
G025N03T
Виробник: GOFORD Semiconductor
G025N03T
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
484+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFROD-G02P06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.64 грн
15000+3.36 грн
30000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFROD-G02P06.pdf
G02P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.54 грн
6000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFROD-G02P06.pdf
G02P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.80 грн
15+20.24 грн
100+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G030N06M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M.pdf
G030N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06M G030N06M.pdf
G030N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12432 pF @ 30 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.57 грн
10+130.25 грн
100+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 223A; 240W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 240W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T.pdf
G030N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11999 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.82 грн
50+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G030N06T G030N06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G030N06T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.43 грн
15200+69.65 грн
30400+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M.pdf
G040P04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ -20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.72 грн
8000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M.pdf
G040P04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04M G040P04M.pdf
G040P04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.87 грн
10+127.15 грн
100+87.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04T G040P04T.pdf
G040P04T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15087 pF @ 20 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.59 грн
50+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G040P04T G040P04T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G048N04T G048N04T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G048N04T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
349+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
G048N04T G048N04T.pdf
G048N04T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO-220
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6561 pF @ 20 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.05 грн
10+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE GOFORD-G04P10HE.pdf
G04P10HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE GOFORD-G04P10HE.pdf
G04P10HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
на замовлення 14979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.91 грн
10+36.02 грн
100+26.90 грн
500+19.83 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE GOFORD-G04P10HE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-4A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.8V, SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.87 грн
15000+11.93 грн
30000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HE GOFORD-G04P10HE.pdf
G04P10HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S.pdf
G050N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,18A,RD(max) Less Than 5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.4V ,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.39 грн
16000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S.pdf
G050N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 15 V
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.90 грн
10+50.66 грн
100+33.29 грн
500+24.23 грн
1000+21.97 грн
2000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 18A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050N03S G050N03S.pdf
G050N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.78 грн
16000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 1.25W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 26.4nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.46 грн
6000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.34 грн
13+24.84 грн
100+15.85 грн
500+11.23 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03D5
Виробник: GOFORD Semiconductor
G050P03D5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03D5
G050P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03D5
G050P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
0
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K.pdf
G050P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-85A,RD(MAX)<4.5M@-10V,VTH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7533 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K.pdf
G050P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-85A,RD(MAX)<4.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7533 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.64 грн
10+64.71 грн
100+43.14 грн
500+31.80 грн
1000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03K G050P03K.pdf
G050P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 85A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7533 pF @ -15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03S G050P03S.pdf
G050P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7221 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03S G050P03S.pdf
G050P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7221 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.21 грн
10+65.99 грн
100+43.85 грн
500+32.22 грн
1000+29.35 грн
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03T G050P03T.pdf
G050P03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G050P03T G050P03T.pdf
G050P03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 85A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2.pdf
G05N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.86 грн
10+39.57 грн
100+25.68 грн
500+18.48 грн
1000+16.67 грн
2000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.41 грн
16000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2.pdf
G05N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP04S GOFORD-G05NP04S.pdf
G05NP04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 40V 4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V, 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 10V, 37mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516pF @ 20V, 520pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP06S2 G05NP06S2.pdf
G05NP06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), 3.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP06S2 G05NP06S2.pdf
G05NP06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), 3.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.78 грн
10+41.68 грн
100+27.12 грн
500+19.56 грн
1000+17.66 грн
2000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G05NP10S GOFORD-G05NP10S.pdf
G05NP10S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 5A/6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V, 200mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797pF @ 25V, 760pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Tc), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G05P06L G05P06L.pdf
G05P06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]