Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1248) > Сторінка 5 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.76 грн
15000+2.44 грн
30000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
27+11.55 грн
100+7.75 грн
500+5.59 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 GOFORD Semiconductor G1002.pdf G1002
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.45 грн
15000+3.26 грн
30000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.07 грн
15+21.37 грн
100+13.55 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L GOFORD Semiconductor G1002L.pdf N-CH,100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L GOFORD SEMICONDUCTOR G1002L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
15000+3.09 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.42 грн
11+30.13 грн
100+20.49 грн
500+14.42 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
15000+7.27 грн
30000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G1003A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.59 грн
15000+5.89 грн
30000+5.29 грн
51000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B G1003B Goford Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B G1003B Goford Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.44 грн
15+20.24 грн
100+12.15 грн
500+10.55 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G1003B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE G1006LE Goford Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
6000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE G1006LE Goford Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.72 грн
12+25.37 грн
100+15.21 грн
500+13.22 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf N-Channel Trench MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
15000+7.09 грн
30000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G1006LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1007 GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 7A; 28W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B G1008B Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=406 Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.73 грн
16000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B GOFORD SEMICONDUCTOR products-detail.php?ProId=406 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B G1008B Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=406 Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B G1008B Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=406 Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.77 грн
10+33.90 грн
100+23.47 грн
500+18.40 грн
1000+15.66 грн
2000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=406 N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.90 грн
16000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=406 N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.90 грн
16000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.67 грн
10+76.26 грн
100+51.14 грн
500+37.89 грн
1000+34.64 грн
2000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 GOFORD Semiconductor G100N03D5.pdf N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 GOFORD SEMICONDUCTOR G100N03D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 100A; 50W; DFN5x6-8
Drain-source voltage: 30V
Case: DFN5x6-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 50W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 GOFORD Semiconductor G100N03D5.pdf N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S GOFORD Semiconductor G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S GOFORD SEMICONDUCTOR G10N03S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 13A; 2.23W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.23W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S GOFORD Semiconductor G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S Goford Semiconductor G10N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.14 грн
16000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N06 G10N06 Goford Semiconductor GOFORD-G10N06.pdf Description: N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 10A; 28W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.94 грн
10+37.22 грн
100+24.14 грн
500+17.35 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.90 грн
15000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 GOFORD Semiconductor G10P03.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.18 грн
11+29.67 грн
100+19.05 грн
500+13.58 грн
1000+12.20 грн
2000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K GOFORD Semiconductor G110N06K.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.31 грн
5000+34.40 грн
7500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.65 грн
10+83.21 грн
100+56.21 грн
500+41.89 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K GOFORD SEMICONDUCTOR G110N06K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T GOFORD Semiconductor G110N06T.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220er MOSFET
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T Goford Semiconductor G110N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-220
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T GOFORD SEMICONDUCTOR G110N06T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T Goford Semiconductor G110N06T.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.98 грн
10+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.05 грн
16000+6.40 грн
32000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S GOFORD Semiconductor G11S.pdf P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.42 грн
16000+8.86 грн
32000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.76 грн
15000+2.44 грн
30000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.03 грн
27+11.55 грн
100+7.75 грн
500+5.59 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G1002
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.45 грн
15000+3.26 грн
30000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.07 грн
15+21.37 грн
100+13.55 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+4.38 грн
15000+4.01 грн
30000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.51 грн
15000+3.09 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.42 грн
11+30.13 грн
100+20.49 грн
500+14.42 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.83 грн
15000+7.27 грн
30000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.59 грн
15000+5.89 грн
30000+5.29 грн
51000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
G1003B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
G1003B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.44 грн
15+20.24 грн
100+12.15 грн
500+10.55 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
G1006LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.16 грн
6000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
G1006LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.72 грн
12+25.37 грн
100+15.21 грн
500+13.22 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Trench MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.65 грн
15000+7.09 грн
30000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1007
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 7A; 28W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
G1008B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.73 грн
16000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
G1008B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
G1008B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.77 грн
10+33.90 грн
100+23.47 грн
500+18.40 грн
1000+15.66 грн
2000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.90 грн
16000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.90 грн
16000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.67 грн
10+76.26 грн
100+51.14 грн
500+37.89 грн
1000+34.64 грн
2000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 100A; 50W; DFN5x6-8
Drain-source voltage: 30V
Case: DFN5x6-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 50W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 13A; 2.23W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.23W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
G10N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.14 грн
16000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N06 GOFORD-G10N06.pdf
G10N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 10A; 28W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.94 грн
10+37.22 грн
100+24.14 грн
500+17.35 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.90 грн
15000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.18 грн
11+29.67 грн
100+19.05 грн
500+13.58 грн
1000+12.20 грн
2000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.31 грн
5000+34.40 грн
7500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+83.21 грн
100+56.21 грн
500+41.89 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220er MOSFET
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-220
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.98 грн
10+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.05 грн
16000+6.40 грн
32000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.42 грн
16000+8.86 грн
32000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]