Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1044) > Сторінка 5 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G10N03S GOFORD Semiconductor G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N06 G10N06 Goford Semiconductor GOFORD-G10N06.pdf Description: N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.11 грн
10+39.12 грн
100+25.37 грн
500+18.24 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.35 грн
15000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 GOFORD Semiconductor G10P03.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
10+35.79 грн
100+23.09 грн
500+16.52 грн
1000+14.86 грн
2000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.56 грн
15000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K GOFORD Semiconductor G110N06K.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.41 грн
10+96.98 грн
100+65.48 грн
500+48.80 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T GOFORD Semiconductor G110N06T.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220er MOSFET
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T Goford Semiconductor G110N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.04 грн
9000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G11S GOFORD Semiconductor G11S.pdf P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.31 грн
16000+7.82 грн
32000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.57 грн
10+31.82 грн
100+20.42 грн
500+14.54 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.96 грн
16000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 GOFORD Semiconductor G120N03D3.pdf G120N03D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.86 грн
10+33.97 грн
100+21.94 грн
500+15.72 грн
1000+14.15 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 GOFORD Semiconductor G120N03D32.pdf G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 GOFORD Semiconductor G120P03S2.pdf P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M GOFORD Semiconductor P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M GOFORD Semiconductor P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T GOFORD Semiconductor P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.81 грн
10+37.14 грн
100+24.10 грн
500+17.34 грн
1000+15.64 грн
2000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 GOFORD Semiconductor G12P03D3.pdf P-CH -30V -12A 20mOhm/MAX at -10V, 26mOhm/MAX at -4.5V, DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.88 грн
15000+9.68 грн
30000+8.65 грн
50000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.87 грн
15000+10.04 грн
30000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 104387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.15 грн
10+37.85 грн
100+28.27 грн
500+20.84 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.32 грн
15000+10.24 грн
30000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K GOFORD Semiconductor G12P06K.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.74 грн
10+44.36 грн
100+30.72 грн
500+24.09 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.03 грн
15000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE.pdf Description: P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE.pdf Description: P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
10+33.25 грн
100+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE GOFORD Semiconductor G12P10KE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.24 грн
15000+13.17 грн
30000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE GOFORD Semiconductor G12P10TE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE.pdf Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.19 грн
10+62.06 грн
100+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M GOFORD Semiconductor G130N06M.pdf N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.40 грн
10+40.79 грн
100+26.55 грн
500+19.17 грн
1000+17.32 грн
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.84 грн
10+63.01 грн
100+41.92 грн
500+30.82 грн
1000+28.08 грн
2000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N06 GOFORD-G10N06.pdf
G10N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.11 грн
10+39.12 грн
100+25.37 грн
500+18.24 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.35 грн
15000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+35.79 грн
100+23.09 грн
500+16.52 грн
1000+14.86 грн
2000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.56 грн
15000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.41 грн
10+96.98 грн
100+65.48 грн
500+48.80 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220er MOSFET
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+51.04 грн
9000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.31 грн
16000+7.82 грн
32000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.57 грн
10+31.82 грн
100+20.42 грн
500+14.54 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.96 грн
16000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G120N03D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
10+33.97 грн
100+21.94 грн
500+15.72 грн
1000+14.15 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
G120P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
G120P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.81 грн
10+37.14 грн
100+24.10 грн
500+17.34 грн
1000+15.64 грн
2000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -12A 20mOhm/MAX at -10V, 26mOhm/MAX at -4.5V, DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.88 грн
15000+9.68 грн
30000+8.65 грн
50000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.87 грн
15000+10.04 грн
30000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 104387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.15 грн
10+37.85 грн
100+28.27 грн
500+20.84 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.32 грн
15000+10.24 грн
30000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.74 грн
10+44.36 грн
100+30.72 грн
500+24.09 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.03 грн
15000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
10+33.25 грн
100+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.24 грн
15000+13.17 грн
30000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
586+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
G12P10TE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.19 грн
10+62.06 грн
100+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.40 грн
10+40.79 грн
100+26.55 грн
500+19.17 грн
1000+17.32 грн
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.84 грн
10+63.01 грн
100+41.92 грн
500+30.82 грн
1000+28.08 грн
2000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]