Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1082) > Сторінка 5 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.20 грн
10+82.73 грн
100+55.63 грн
500+41.32 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 GOFORD Semiconductor G100N03D5.pdf N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.62 грн
15000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S GOFORD Semiconductor G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S GOFORD Semiconductor G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S Goford Semiconductor G10N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.65 грн
16000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N06 G10N06 Goford Semiconductor GOFORD-G10N06.pdf Description: N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.34 грн
10+39.87 грн
100+25.85 грн
500+18.59 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.53 грн
15000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A Goford Semiconductor G10N10A.pdf Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 GOFORD Semiconductor G10P03.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+36.47 грн
100+23.53 грн
500+16.84 грн
1000+15.14 грн
2000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K GOFORD Semiconductor G110N06K.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.03 грн
5000+36.85 грн
7500+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.28 грн
10+89.12 грн
100+60.20 грн
500+44.87 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T GOFORD Semiconductor G110N06T.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220er MOSFET
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T Goford Semiconductor G110N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T Goford Semiconductor G110N06T.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.56 грн
10+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.11 грн
16000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.59 грн
10+32.43 грн
100+20.81 грн
500+14.82 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G11S GOFORD Semiconductor G11S.pdf P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.37 грн
16000+7.88 грн
32000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 GOFORD Semiconductor G120N03D3.pdf G120N03D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.10 грн
10+34.13 грн
100+22.05 грн
500+15.80 грн
1000+14.22 грн
2000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 GOFORD Semiconductor G120N03D32.pdf G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 GOFORD Semiconductor G120P03S2.pdf P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M GOFORD Semiconductor P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M GOFORD Semiconductor P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T GOFORD Semiconductor P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 GOFORD Semiconductor G12P03D3.pdf P-CH -30V -12A 20mOhm/MAX at -10V, 26mOhm/MAX at -4.5V, DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.98 грн
10+37.85 грн
100+24.56 грн
500+17.67 грн
1000+15.94 грн
2000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.94 грн
15000+10.11 грн
30000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.09 грн
15000+9.87 грн
30000+8.81 грн
50000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 104387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.03 грн
10+38.57 грн
100+28.81 грн
500+21.24 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.53 грн
15000+10.43 грн
30000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K GOFORD Semiconductor G12P06K.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.75 грн
10+45.21 грн
100+31.30 грн
500+24.55 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.55 грн
15000+11.18 грн
30000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE GOFORD Semiconductor G12P10KE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.34 грн
15000+13.27 грн
30000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE.pdf Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE GOFORD Semiconductor G12P10TE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.97 грн
10+64.05 грн
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M GOFORD Semiconductor G130N06M.pdf N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.13 грн
100+27.41 грн
500+19.80 грн
1000+17.89 грн
2000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.20 грн
10+82.73 грн
100+55.63 грн
500+41.32 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.62 грн
15000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
G10N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.65 грн
16000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N06 GOFORD-G10N06.pdf
G10N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.34 грн
10+39.87 грн
100+25.85 грн
500+18.59 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.53 грн
15000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10N10A G10N10A.pdf
G10N10A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.46 грн
10+36.47 грн
100+23.53 грн
500+16.84 грн
1000+15.14 грн
2000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03.pdf
G10P03
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.03 грн
5000+36.85 грн
7500+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
G110N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.28 грн
10+89.12 грн
100+60.20 грн
500+44.87 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220er MOSFET
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.56 грн
10+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.11 грн
16000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4.5V,RD(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 10 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.59 грн
10+32.43 грн
100+20.81 грн
500+14.82 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.37 грн
16000+7.88 грн
32000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G120N03D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.10 грн
10+34.13 грн
100+22.05 грн
500+15.80 грн
1000+14.22 грн
2000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
G120P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
G120P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -12A 20mOhm/MAX at -10V, 26mOhm/MAX at -4.5V, DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.98 грн
10+37.85 грн
100+24.56 грн
500+17.67 грн
1000+15.94 грн
2000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.94 грн
15000+10.11 грн
30000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.09 грн
15000+9.87 грн
30000+8.81 грн
50000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 104387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.03 грн
10+38.57 грн
100+28.81 грн
500+21.24 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.53 грн
15000+10.43 грн
30000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.75 грн
10+45.21 грн
100+31.30 грн
500+24.55 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.55 грн
15000+11.18 грн
30000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.34 грн
15000+13.27 грн
30000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
G12P10TE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
586+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.97 грн
10+64.05 грн
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.54 грн
10+42.13 грн
100+27.41 грн
500+19.80 грн
1000+17.89 грн
2000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]