Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117841) > Сторінка 1949 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1953 1954 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY15B004Q-SXE CY15B004Q-SXE INFINEON TECHNOLOGIES CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Clock frequency: 16MHz
Memory organisation: 512x8bit
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5310H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-bcx51-bcx52-bcx53-ds-en.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.26 грн
10+155.26 грн
100+123.37 грн
250+109.94 грн
500+100.71 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3PCS01-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67ae8c02b46 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 21÷100kHz; SOIC14; boost; 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 21...100kHz
Case: SOIC14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 11632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.40 грн
10+42.97 грн
100+32.31 грн
250+28.87 грн
500+26.35 грн
1000+23.84 грн
2000+21.49 грн
4000+19.39 грн
6000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-55SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-55SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ESL-55ZAXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148ESL_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe70473204&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC; 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ESL-55ZAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148ESL_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe70473204&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC; 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45ZSXI CY62148EV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-55SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 55ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G30-45SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G30-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; VFBGA36; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+413.95 грн
3+340.74 грн
10+274.44 грн
100+240.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.11 грн
10+182.96 грн
100+146.87 грн
250+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS125-0xW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 25V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.84 грн
10+44.65 грн
11+39.11 грн
50+27.19 грн
100+23.25 грн
250+19.22 грн
500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT323; double,common cathode
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Case: SOT323
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.27 грн
37+11.41 грн
45+9.40 грн
59+7.22 грн
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA92E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.50 грн
23+18.55 грн
100+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.84 грн
10+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.71 грн
13+33.32 грн
50+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Number of channels: 6
Power: 2W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+586.58 грн
10+472.51 грн
27+441.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+911.05 грн
3+762.89 грн
10+670.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.63 грн
10+95.68 грн
25+76.37 грн
100+69.66 грн
125+67.98 грн
250+64.62 грн
400+62.11 грн
500+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Supply voltage: 4.1...28V DC
Case: PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 19.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 9A
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.42 грн
10+83.09 грн
25+77.21 грн
50+72.18 грн
100+67.98 грн
250+62.11 грн
500+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAW101E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Case: SOT143
Semiconductor structure: double independent
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 1µs
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...24V DC
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.19 грн
5+138.48 грн
10+129.25 грн
25+118.34 грн
50+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 PVI1050NSPBFHLLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; 2.5kV; SMD8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SMD8
Turn-on time: 90µs
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+504.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
T1590N28TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. load current: 3.2kA
Load current: 1.59kA
Gate current: 300mA
Case: BG-T10026K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 3.7nC
On-state resistance: 30Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Case: AG-62MM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV62.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Input voltage: 12...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.13 грн
13+32.90 грн
100+21.99 грн
500+17.37 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 BC847PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Input voltage: 10...15.6V
Integrated circuit features: bridge
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS115B0LDXUMA1 TLS115B0LDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLS115B0.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TSON-10
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±0.1%
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Input voltage: 4...45V
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.09 грн
10+121.69 грн
50+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ60R040C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1048.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXE CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf
CY15B004Q-SXE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Clock frequency: 16MHz
Memory organisation: 512x8bit
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03G.pdf
ICE3PCS03GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5310H6327XTSA1 infineon-bcx51-bcx52-bcx53-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G.pdf
ICE3PCS01G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.26 грн
10+155.26 грн
100+123.37 грн
250+109.94 грн
500+100.71 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01GXUMA1 Infineon-ICE3PCS01-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67ae8c02b46
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 21÷100kHz; SOIC14; boost; 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 21...100kHz
Case: SOIC14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF irlr7833pbf.pdf
IRLR7833TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 11632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.40 грн
10+42.97 грн
100+32.31 грн
250+28.87 грн
500+26.35 грн
1000+23.84 грн
2000+21.49 грн
4000+19.39 грн
6000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-45ZSXI Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-45ZSXIT Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-55SXI Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-55SXIT Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 55ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ESL-55ZAXI Infineon-CY62148ESL_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe70473204&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC; 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ESL-55ZAXIT Infineon-CY62148ESL_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe70473204&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 55ns; STSOP32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: STSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC; 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45BVXI Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
CY62148EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-55SXI Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 55ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 55ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G-45ZSXI Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G30-45SXIT Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G30-45ZSXI Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; VFBGA36; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BE6327HTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+413.95 грн
3+340.74 грн
10+274.44 грн
100+240.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3G-DTE.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.11 грн
10+182.96 грн
100+146.87 грн
250+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NS-DTE.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS125-0xW.pdf
BAS12504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 25V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.84 грн
10+44.65 грн
11+39.11 грн
50+27.19 грн
100+23.25 грн
250+19.22 грн
500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT323; double,common cathode
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Case: SOT323
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.27 грн
37+11.41 грн
45+9.40 грн
59+7.22 грн
100+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA92E6327HTSA1 SMBTA92E6327.pdf
SMBTA92E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.50 грн
23+18.55 грн
100+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3G-DTE.pdf
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.84 грн
10+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.71 грн
13+33.32 грн
50+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Number of channels: 6
Power: 2W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.58 грн
10+472.51 грн
27+441.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+911.05 грн
3+762.89 грн
10+670.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.63 грн
10+95.68 грн
25+76.37 грн
100+69.66 грн
125+67.98 грн
250+64.62 грн
400+62.11 грн
500+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Supply voltage: 4.1...28V DC
Case: PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 19.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 9A
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.42 грн
10+83.09 грн
25+77.21 грн
50+72.18 грн
100+67.98 грн
250+62.11 грн
500+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1.pdf
BAW101E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Case: SOT143
Semiconductor structure: double independent
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 1µs
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...24V DC
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.19 грн
5+138.48 грн
10+129.25 грн
25+118.34 грн
50+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI1050NSPBFHLLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; 2.5kV; SMD8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SMD8
Turn-on time: 90µs
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+504.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RF.pdf
IKD03N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3G-DTE.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
T1590N28TOFVTXPSA1 Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. load current: 3.2kA
Load current: 1.59kA
Gate current: 300mA
Case: BG-T10026K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 3.7nC
On-state resistance: 30Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Case: AG-62MM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62.pdf
BCV62BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Input voltage: 12...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7S.pdf
IPD70R900P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.13 грн
13+32.90 грн
100+21.99 грн
500+17.37 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7S.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Input voltage: 10...15.6V
Integrated circuit features: bridge
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS115B0LDXUMA1 TLS115B0.pdf
TLS115B0LDXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TSON-10
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±0.1%
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Input voltage: 4...45V
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.09 грн
10+121.69 грн
50+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5.pdf
IKP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7-DTE.pdf
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1048.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1953 1954 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]