Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119485) > Сторінка 1950 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1953 1954 1955 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PVG612 PVG612 INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.60 грн
3+380.03 грн
5+362.45 грн
10+350.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVG612ASPBF.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1468.47 грн
5+1211.23 грн
25+1059.72 грн
100+909.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+509.32 грн
5+436.95 грн
10+418.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.73 грн
27+15.90 грн
30+14.06 грн
36+11.89 грн
50+10.63 грн
100+9.63 грн
250+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.13 грн
38+11.13 грн
100+9.28 грн
500+8.91 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.10 грн
11+41.18 грн
25+32.56 грн
50+27.12 грн
100+22.94 грн
125+21.76 грн
500+16.99 грн
1000+15.65 грн
2000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.34 грн
21+20.26 грн
24+18.00 грн
100+10.21 грн
500+6.77 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.53 грн
10+80.36 грн
25+70.31 грн
50+63.62 грн
100+58.59 грн
500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.16 грн
5+105.47 грн
10+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.87 грн
3+181.64 грн
10+161.55 грн
25+153.18 грн
55+146.49 грн
275+138.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.87 грн
10+143.98 грн
25+137.28 грн
50+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+218.47 грн
3+209.27 грн
10+179.13 грн
25+160.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Turn-on time: 680ns
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.21 грн
10+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60AE6327-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 24169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.03 грн
30+14.06 грн
34+12.56 грн
40+10.71 грн
100+8.87 грн
500+7.78 грн
1000+6.95 грн
3000+6.03 грн
6000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES BTS452R-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.68 грн
10+100.45 грн
100+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
52+8.83 грн
83+5.06 грн
250+4.50 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.40 грн
5+143.98 грн
10+125.56 грн
15+114.68 грн
25+102.12 грн
100+82.87 грн
125+82.03 грн
400+72.82 грн
500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.04 грн
10+163.23 грн
25+125.56 грн
50+107.98 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.29 грн
10+84.54 грн
50+79.52 грн
100+72.82 грн
250+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Power dissipation: 2W
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.60 грн
10+131.42 грн
25+95.43 грн
50+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+464.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.58 грн
10+246.10 грн
25+206.75 грн
50+183.32 грн
100+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.03 грн
10+51.23 грн
25+43.53 грн
100+33.48 грн
250+27.71 грн
500+24.86 грн
1000+24.02 грн
2000+23.02 грн
4000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.90 грн
10+102.96 грн
25+91.24 грн
50+82.87 грн
100+76.17 грн
500+66.13 грн
1000+61.94 грн
1250+61.11 грн
2000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.40 грн
5+149.83 грн
10+136.44 грн
25+121.37 грн
100+107.14 грн
500+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.39 грн
10+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.48 грн
5+84.88 грн
10+70.90 грн
20+57.42 грн
40+46.88 грн
50+44.20 грн
100+38.25 грн
200+34.74 грн
2000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR81.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.81 грн
18+23.77 грн
25+21.09 грн
100+18.92 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.51 грн
157+2.68 грн
179+2.34 грн
213+1.97 грн
250+1.77 грн
500+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
220+2.06 грн
278+1.51 грн
296+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC860CWH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT323
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.68 грн
110+3.90 грн
250+3.45 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.72 грн
50+8.45 грн
58+7.33 грн
100+5.94 грн
500+4.86 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.10 грн
95+4.55 грн
105+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.95 грн
10+154.86 грн
50+143.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+268.63 грн
5+200.06 грн
10+178.29 грн
15+175.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+393.03 грн
5+322.27 грн
25+289.62 грн
100+274.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.94 грн
10+122.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.65 грн
3+235.21 грн
10+200.06 грн
30+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.60 грн
10+101.28 грн
50+95.43 грн
100+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.50 грн
10+56.00 грн
25+49.39 грн
40+47.13 грн
50+45.70 грн
100+42.69 грн
500+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 310W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.20 грн
5+173.27 грн
10+163.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.97 грн
10+89.57 грн
25+63.62 грн
50+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT_XMC11_BOOT_001 INFINEON TECHNOLOGIES KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Kind of architecture: Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 description pvg612.pdf
PVG612
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+433.60 грн
3+380.03 грн
5+362.45 грн
10+350.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF.pdf
PVG612ASPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1468.47 грн
5+1211.23 грн
25+1059.72 грн
100+909.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.32 грн
5+436.95 грн
10+418.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.73 грн
27+15.90 грн
30+14.06 грн
36+11.89 грн
50+10.63 грн
100+9.63 грн
250+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.13 грн
38+11.13 грн
100+9.28 грн
500+8.91 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.10 грн
11+41.18 грн
25+32.56 грн
50+27.12 грн
100+22.94 грн
125+21.76 грн
500+16.99 грн
1000+15.65 грн
2000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.34 грн
21+20.26 грн
24+18.00 грн
100+10.21 грн
500+6.77 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.53 грн
10+80.36 грн
25+70.31 грн
50+63.62 грн
100+58.59 грн
500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.16 грн
5+105.47 грн
10+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.87 грн
3+181.64 грн
10+161.55 грн
25+153.18 грн
55+146.49 грн
275+138.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.87 грн
10+143.98 грн
25+137.28 грн
50+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 270ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.47 грн
3+209.27 грн
10+179.13 грн
25+160.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2.3...1.9A
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Power: 625mW
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Turn-on time: 680ns
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.21 грн
10+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327-DTE.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 24169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.03 грн
30+14.06 грн
34+12.56 грн
40+10.71 грн
100+8.87 грн
500+7.78 грн
1000+6.95 грн
3000+6.03 грн
6000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R-DTE.pdf
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.68 грн
10+100.45 грн
100+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.83 грн
83+5.06 грн
250+4.50 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.40 грн
5+143.98 грн
10+125.56 грн
15+114.68 грн
25+102.12 грн
100+82.87 грн
125+82.03 грн
400+72.82 грн
500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.04 грн
10+163.23 грн
25+125.56 грн
50+107.98 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.29 грн
10+84.54 грн
50+79.52 грн
100+72.82 грн
250+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1.pdf
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Power dissipation: 2W
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.60 грн
10+131.42 грн
25+95.43 грн
50+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+360.58 грн
10+246.10 грн
25+206.75 грн
50+183.32 грн
100+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.03 грн
10+51.23 грн
25+43.53 грн
100+33.48 грн
250+27.71 грн
500+24.86 грн
1000+24.02 грн
2000+23.02 грн
4000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.90 грн
10+102.96 грн
25+91.24 грн
50+82.87 грн
100+76.17 грн
500+66.13 грн
1000+61.94 грн
1250+61.11 грн
2000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.40 грн
5+149.83 грн
10+136.44 грн
25+121.37 грн
100+107.14 грн
500+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.39 грн
10+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.48 грн
5+84.88 грн
10+70.90 грн
20+57.42 грн
40+46.88 грн
50+44.20 грн
100+38.25 грн
200+34.74 грн
2000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81.pdf
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.81 грн
18+23.77 грн
25+21.09 грн
100+18.92 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.51 грн
157+2.68 грн
179+2.34 грн
213+1.97 грн
250+1.77 грн
500+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CE6327.pdf
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
220+2.06 грн
278+1.51 грн
296+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327.pdf
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT323
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.68 грн
110+3.90 грн
250+3.45 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.72 грн
50+8.45 грн
58+7.33 грн
100+5.94 грн
500+4.86 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116.pdf
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.10 грн
95+4.55 грн
105+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+219.95 грн
10+154.86 грн
50+143.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS2103WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.63 грн
5+200.06 грн
10+178.29 грн
15+175.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+393.03 грн
5+322.27 грн
25+289.62 грн
100+274.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+146.94 грн
10+122.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.65 грн
3+235.21 грн
10+200.06 грн
30+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.60 грн
10+101.28 грн
50+95.43 грн
100+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.50 грн
10+56.00 грн
25+49.39 грн
40+47.13 грн
50+45.70 грн
100+42.69 грн
500+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 310W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.20 грн
5+173.27 грн
10+163.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.97 грн
10+89.57 грн
25+63.62 грн
50+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf
KIT_XMC11_BOOT_001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Kind of architecture: Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1953 1954 1955 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]