Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123003) > Сторінка 2008 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.79 грн
10+44.94 грн
50+33.66 грн
100+29.85 грн
200+26.61 грн
500+23.13 грн
1000+20.98 грн
2000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S405.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.11 грн
11+37.97 грн
50+35.74 грн
100+34.49 грн
500+32.58 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.51 грн
10+82.08 грн
25+63.01 грн
50+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.97 грн
8+54.72 грн
10+49.75 грн
50+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+477.70 грн
2+408.76 грн
10+335.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5010pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.69 грн
3+190.70 грн
10+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.87 грн
10+213.08 грн
100+172.46 грн
250+156.70 грн
500+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+333.05 грн
10+234.64 грн
100+208.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.44 грн
10+167.48 грн
20+150.90 грн
50+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.33 грн
5+89.54 грн
10+78.77 грн
50+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM31256-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM3164_31256-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Clock frequency: 1MHz
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 32kx8bit
Case: SO14
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+978.62 грн
3+842.39 грн
10+813.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
88+5.11 грн
100+4.28 грн
250+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.51 грн
3+257.03 грн
10+230.50 грн
50+214.74 грн
250+213.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Case: SOT343
Frequency: 8GHz
Collector current: 65mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
30+13.93 грн
35+11.86 грн
45+9.37 грн
53+7.88 грн
100+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.36 грн
20+21.64 грн
100+13.43 грн
250+10.86 грн
500+9.45 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -630mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
33+12.60 грн
50+8.76 грн
100+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.90 грн
10+45.85 грн
100+30.35 грн
200+27.11 грн
250+26.12 грн
500+23.38 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.43 грн
30+14.01 грн
50+9.65 грн
100+8.15 грн
500+5.62 грн
1000+4.85 грн
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.6V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.04 грн
17+25.37 грн
20+21.47 грн
50+12.60 грн
100+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
39+10.70 грн
57+7.40 грн
100+6.29 грн
250+5.14 грн
500+4.44 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.04 грн
10+59.61 грн
50+47.51 грн
100+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.58 грн
10+65.58 грн
100+44.69 грн
250+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.04 грн
10+67.32 грн
50+52.65 грн
100+47.51 грн
200+42.95 грн
500+37.64 грн
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.43 грн
8+58.87 грн
10+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.6V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.36 грн
90+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
47+8.95 грн
52+8.13 грн
100+5.89 грн
500+4.97 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.29 грн
10+149.24 грн
25+140.95 грн
50+134.32 грн
100+127.68 грн
250+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor drivers
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Gate-source voltage: -10...20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY1BM-2
On-state resistance: 45mΩ
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4671.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.52 грн
25+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
37+11.36 грн
54+7.69 грн
100+6.48 грн
500+4.54 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
33+12.77 грн
50+9.14 грн
100+7.97 грн
500+5.98 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
41+10.12 грн
57+7.38 грн
100+6.47 грн
500+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.93 грн
5+105.30 грн
10+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
32+13.10 грн
100+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.18 грн
10+78.77 грн
25+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT210N12KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4357.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRS21531DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.04 грн
10+56.38 грн
25+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR400W.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: active bias controller
Power: 0.33W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.6...18V DC
Output current: 10mA
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.29 грн
50+9.29 грн
100+8.46 грн
250+8.13 грн
500+7.71 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2186-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.08 грн
5+111.10 грн
10+101.15 грн
25+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.79 грн
10+44.94 грн
50+33.66 грн
100+29.85 грн
200+26.61 грн
500+23.13 грн
1000+20.98 грн
2000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF irl7833pbf.pdf
IRL7833STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.11 грн
11+37.97 грн
50+35.74 грн
100+34.49 грн
500+32.58 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.51 грн
10+82.08 грн
25+63.01 грн
50+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.97 грн
8+54.72 грн
10+49.75 грн
50+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5.pdf
AIGW40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+325.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+477.70 грн
2+408.76 грн
10+335.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5.pdf
AIKW40N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF irfh5010pbf.pdf
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.69 грн
3+190.70 грн
10+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+342.87 грн
10+213.08 грн
100+172.46 грн
250+156.70 грн
500+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+333.05 грн
10+234.64 грн
100+208.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.44 грн
10+167.48 грн
20+150.90 грн
50+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.33 грн
5+89.54 грн
10+78.77 грн
50+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM31256-GTR FM3164_31256-DTE.pdf
FM31256-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 1MHz; SO14
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Clock frequency: 1MHz
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 32kx8bit
Case: SO14
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+978.62 грн
3+842.39 грн
10+813.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+5.11 грн
100+4.28 грн
250+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.51 грн
3+257.03 грн
10+230.50 грн
50+214.74 грн
250+213.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60R.pdf
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Case: SOT343
Frequency: 8GHz
Collector current: 65mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
30+13.93 грн
35+11.86 грн
45+9.37 грн
53+7.88 грн
100+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.36 грн
20+21.64 грн
100+13.43 грн
250+10.86 грн
500+9.45 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -630mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
33+12.60 грн
50+8.76 грн
100+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.90 грн
10+45.85 грн
100+30.35 грн
200+27.11 грн
250+26.12 грн
500+23.38 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.43 грн
30+14.01 грн
50+9.65 грн
100+8.15 грн
500+5.62 грн
1000+4.85 грн
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.6V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.04 грн
17+25.37 грн
20+21.47 грн
50+12.60 грн
100+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
39+10.70 грн
57+7.40 грн
100+6.29 грн
250+5.14 грн
500+4.44 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.04 грн
10+59.61 грн
50+47.51 грн
100+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.58 грн
10+65.58 грн
100+44.69 грн
250+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.04 грн
10+67.32 грн
50+52.65 грн
100+47.51 грн
200+42.95 грн
500+37.64 грн
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.43 грн
8+58.87 грн
10+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.6V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.36 грн
90+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
47+8.95 грн
52+8.13 грн
100+5.89 грн
500+4.97 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.29 грн
10+149.24 грн
25+140.95 грн
50+134.32 грн
100+127.68 грн
250+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor drivers
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Gate-source voltage: -10...20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY1BM-2
On-state resistance: 45mΩ
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4671.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.52 грн
25+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
37+11.36 грн
54+7.69 грн
100+6.48 грн
500+4.54 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
33+12.77 грн
50+9.14 грн
100+7.97 грн
500+5.98 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
41+10.12 грн
57+7.38 грн
100+6.47 грн
500+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
IR11672ASTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.93 грн
5+105.30 грн
10+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
32+13.10 грн
100+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.18 грн
10+78.77 грн
25+74.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF.pdf
TT210N12KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4357.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21531DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.04 грн
10+56.38 грн
25+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400W.pdf
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: active bias controller
Power: 0.33W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.6...18V DC
Output current: 10mA
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.29 грн
50+9.29 грн
100+8.46 грн
250+8.13 грн
500+7.71 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF infineon-irs2186-datasheet-en.pdf
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.08 грн
5+111.10 грн
10+101.15 грн
25+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]