Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126649) > Сторінка 2049 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.47 грн
5+141.73 грн
10+124.96 грн
25+103.99 грн
50+92.25 грн
100+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.14 грн
3+182.83 грн
10+143.41 грн
30+124.96 грн
120+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.08 грн
10+136.70 грн
30+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF IR21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
5+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -0.35...0.2A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -270...130mA
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.96 грн
10+83.86 грн
50+70.45 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.83 грн
10+69.27 грн
20+61.98 грн
100+48.64 грн
200+44.03 грн
500+39.08 грн
1000+36.48 грн
3000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.67 грн
10+62.40 грн
25+52.67 грн
100+41.51 грн
200+37.24 грн
500+32.71 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
30+14.09 грн
34+12.58 грн
39+10.90 грн
50+9.90 грн
100+9.14 грн
250+8.55 грн
500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP06N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+61.47 грн
20+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.83 грн
10+56.86 грн
100+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.93 грн
10+68.77 грн
50+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.56 грн
5+206.31 грн
10+181.99 грн
25+155.15 грн
50+137.54 грн
100+123.28 грн
125+119.09 грн
250+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 3.7A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.85 грн
5+231.47 грн
10+213.86 грн
25+193.73 грн
50+178.63 грн
100+165.21 грн
250+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65H5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.82 грн
10+137.54 грн
50+117.41 грн
100+109.86 грн
125+105.67 грн
150+103.15 грн
500+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.50 грн
3+246.56 грн
10+197.92 грн
20+172.76 грн
30+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.55 грн
30+202.95 грн
60+197.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.82 грн
10+207.15 грн
20+184.50 грн
30+171.92 грн
120+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+281.79 грн
10+223.92 грн
30+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
5+99.80 грн
10+87.22 грн
50+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.47 грн
10+170.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 111ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -2...2A
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.34 грн
3+179.47 грн
10+162.70 грн
25+155.99 грн
50+150.12 грн
100+145.09 грн
250+139.22 грн
500+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
19+22.56 грн
100+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
33+13.08 грн
50+9.14 грн
100+7.89 грн
500+5.81 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
61+6.96 грн
81+5.18 грн
100+4.59 грн
500+3.50 грн
1000+3.13 грн
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.99 грн
10+95.61 грн
25+78.83 грн
50+70.45 грн
100+65.41 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.14 грн
3+220.56 грн
10+192.05 грн
25+178.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+144.25 грн
10+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+811.04 грн
10+727.11 грн
30+692.72 грн
120+622.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
19+22.98 грн
50+22.06 грн
100+21.13 грн
250+20.13 грн
500+19.21 грн
1000+17.78 грн
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 363ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.30 грн
5+165.21 грн
10+149.28 грн
30+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 9.8mΩ
Pulsed drain current: 168A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 33W
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
11+38.49 грн
25+34.05 грн
50+31.37 грн
100+28.77 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
74+5.70 грн
79+5.37 грн
100+4.91 грн
500+4.63 грн
1000+4.16 грн
3000+3.33 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
20+21.80 грн
50+15.52 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
46+9.23 грн
50+8.55 грн
100+8.22 грн
250+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.47 грн
5+141.73 грн
10+124.96 грн
25+103.99 грн
50+92.25 грн
100+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T.pdf
IGB30N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.14 грн
3+182.83 грн
10+143.41 грн
30+124.96 грн
120+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.08 грн
10+136.70 грн
30+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CT.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF ir2106.pdf
IR21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF ir2106.pdf
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.05 грн
5+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -0.35...0.2A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
10+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -270...130mA
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.96 грн
10+83.86 грн
50+70.45 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.83 грн
10+69.27 грн
20+61.98 грн
100+48.64 грн
200+44.03 грн
500+39.08 грн
1000+36.48 грн
3000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.67 грн
10+62.40 грн
25+52.67 грн
100+41.51 грн
200+37.24 грн
500+32.71 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
30+14.09 грн
34+12.58 грн
39+10.90 грн
50+9.90 грн
100+9.14 грн
250+8.55 грн
500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60T-DTE.pdf
IGP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.77 грн
10+61.47 грн
20+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.83 грн
10+56.86 грн
100+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.93 грн
10+68.77 грн
50+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.56 грн
5+206.31 грн
10+181.99 грн
25+155.15 грн
50+137.54 грн
100+123.28 грн
125+119.09 грн
250+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L.pdf
BTS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 3.7A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+327.85 грн
5+231.47 грн
10+213.86 грн
25+193.73 грн
50+178.63 грн
100+165.21 грн
250+150.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+206.82 грн
10+137.54 грн
50+117.41 грн
100+109.86 грн
125+105.67 грн
150+103.15 грн
500+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.50 грн
3+246.56 грн
10+197.92 грн
20+172.76 грн
30+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+386.55 грн
30+202.95 грн
60+197.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.82 грн
10+207.15 грн
20+184.50 грн
30+171.92 грн
120+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.79 грн
10+223.92 грн
30+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
IKZ50N65NH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.15 грн
5+99.80 грн
10+87.22 грн
50+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+219.47 грн
10+170.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 111ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -2...2A
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.34 грн
3+179.47 грн
10+162.70 грн
25+155.99 грн
50+150.12 грн
100+145.09 грн
250+139.22 грн
500+134.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
19+22.56 грн
100+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
33+13.08 грн
50+9.14 грн
100+7.89 грн
500+5.81 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5-DTE.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
61+6.96 грн
81+5.18 грн
100+4.59 грн
500+3.50 грн
1000+3.13 грн
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+195.99 грн
10+95.61 грн
25+78.83 грн
50+70.45 грн
100+65.41 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.14 грн
3+220.56 грн
10+192.05 грн
25+178.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF irs2106.pdf
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.25 грн
10+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV27E6327.pdf
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+811.04 грн
10+727.11 грн
30+692.72 грн
120+622.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.19 грн
19+22.98 грн
50+22.06 грн
100+21.13 грн
250+20.13 грн
500+19.21 грн
1000+17.78 грн
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 363ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.30 грн
5+165.21 грн
10+149.28 грн
30+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 9.8mΩ
Pulsed drain current: 168A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 33W
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.90 грн
11+38.49 грн
25+34.05 грн
50+31.37 грн
100+28.77 грн
500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.03 грн
74+5.70 грн
79+5.37 грн
100+4.91 грн
500+4.63 грн
1000+4.16 грн
3000+3.33 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.22 грн
20+21.80 грн
50+15.52 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
46+9.23 грн
50+8.55 грн
100+8.22 грн
250+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2053 2054 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]