Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126531) > Сторінка 2102 з 2109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2097 2098 2099 2100 2101 2102 2103 2104 2105 2106 2107 2109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FM25V20A-DGQ FM25V20A-DGQ INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DGQ-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DG FM25V20A-DG INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DG-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-G FM25V20A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DG-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 2Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 256kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-PG INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A_PDIP_RevE_2-9-24.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V01A-G FM25V01A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25V01A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; SPI; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V02A-DGQ FM25V02A-DGQ INFINEON TECHNOLOGIES FM25V02A-DGQ-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBF IRFB7734PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7734PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMT65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b265b71bb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R022CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdff29c02d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3c00794f033f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
On-state resistance: 214mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.57 грн
4+135.02 грн
10+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 7.4mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTC011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e988ff2f7436 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG011N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f5c9e7d54 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2 IDH04SG60CXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04SG60C_rev2.2_.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30431f848401011ff4cbbf635316 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 25uA
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 2.3V
Technology: CoolSiC™; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Case: PG-TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+66.25 грн
50+61.22 грн
100+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+85.54 грн
10+82.19 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.96 грн
10+98.96 грн
50+82.19 грн
100+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.34 грн
5+123.28 грн
10+116.57 грн
25+109.86 грн
50+105.67 грн
100+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.38 грн
5+103.15 грн
10+93.09 грн
25+83.03 грн
50+75.48 грн
100+68.77 грн
250+63.74 грн
500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP30E120XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.89 грн
10+110.70 грн
20+97.28 грн
50+83.86 грн
100+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDP18E120XKSA1 IDP18E120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP18E120XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.22 грн
10+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV15E65D2XKSA1 IDV15E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDV15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.12 грн
7+65.41 грн
10+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW15E65D2FKSA1 IDW15E65D2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D2XKSA1 IDP15E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 47ns
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+69.94 грн
10+63.40 грн
50+51.07 грн
100+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP40E65D2XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 36ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.89 грн
10+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV08E65D2XKSA1 IDV08E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDV08E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.61 грн
9+48.31 грн
10+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS140WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4DIR0400HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436 Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0400HXUMA1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4DIR0401HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436 Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0401HXUMA1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT330N16KOF TT330N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT330N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+21865.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TD330N16KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1330N22TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1330N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08a0734036 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16AOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT330N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54 Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT330N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N18AOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29CD016J0MQFM010 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0812ND-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3bb3125562b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH2110XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-04W-DS-v01_00-EN.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSG0811ND-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 31A
Power dissipation: 6.25W
Case: PG-TISON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0813NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2235JPbF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2235JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c890ba169f IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 13...17.5V
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBF IR2085STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Output current: -1...1A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 100V
Power: 1W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON TECHNOLOGIES auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+76.07 грн
100+51.91 грн
250+45.37 грн
500+41.35 грн
1000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R060P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.62 грн
10+256.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DGQ FM25V20A-DGQ-DTE.pdf
FM25V20A-DGQ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-DG FM25V20A-DG-DTE.pdf
FM25V20A-DG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-G FM25V20A-DG-DTE.pdf
FM25V20A-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 2Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 256kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V20A-PG FM25V20A_PDIP_RevE_2-9-24.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V01A-G FM25V01A-DTE.pdf
FM25V01A-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; SPI; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V02A-DGQ FM25V02A-DGQ-DTE.pdf
FM25V02A-DGQ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-DGTR Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7734PBF IRFB7734PBF.pdf
IRFB7734PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 Infineon-IMT65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b265b71bb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R022CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdff29c02d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7SXKSA1 Infineon-IPA60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3c00794f033f
IPA60R280P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
On-state resistance: 214mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
IPP80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.57 грн
4+135.02 грн
10+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013
IAUC70N08S5N074ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 7.4mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon-IPTC011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e988ff2f7436
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon-IPTG011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f5c9e7d54
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2 IDH04SG60C_rev2.2_.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30431f848401011ff4cbbf635316
IDH04SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 25uA
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 2.3V
Technology: CoolSiC™; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Case: PG-TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.48 грн
10+66.25 грн
50+61.22 грн
100+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF irfi1310n.pdf
IRFI1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+85.54 грн
10+82.19 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.96 грн
10+98.96 грн
50+82.19 грн
100+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF irfs52n15d.pdf
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+211.34 грн
5+123.28 грн
10+116.57 грн
25+109.86 грн
50+105.67 грн
100+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf
IRFB7534PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.38 грн
5+103.15 грн
10+93.09 грн
25+83.03 грн
50+75.48 грн
100+68.77 грн
250+63.74 грн
500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1.pdf
IDP30E120XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.89 грн
10+110.70 грн
20+97.28 грн
50+83.86 грн
100+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDP18E120XKSA1 IDP18E120XKSA1.pdf
IDP18E120XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.22 грн
10+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV15E65D2XKSA1 IDV15E65D2.pdf
IDV15E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.12 грн
7+65.41 грн
10+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW15E65D2FKSA1 IDW15E65D2.pdf
IDW15E65D2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D2XKSA1 IDP15E65D2.pdf
IDP15E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 47ns
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+69.94 грн
10+63.40 грн
50+51.07 грн
100+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1.pdf
IDP40E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 36ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.89 грн
10+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV08E65D2XKSA1 IDV08E65D2.pdf
IDV08E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.61 грн
9+48.31 грн
10+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1.pdf
BAS140WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4DIR0400HXUMA1 Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0400HXUMA1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4DIR0401HXUMA1 Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0401HXUMA1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2 Infineon-IPB35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT330N16KOF TT330N16KOF.pdf
TT330N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21865.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOF.pdf
TD330N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1330N22TOFVTXPSA1 Infineon-T1330N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08a0734036
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16AOFHPSA1 Infineon-TT330N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16KOFTIMHPSA1 Infineon-TT330N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N18AOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29CD016J0MQFM010 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 Infineon-BSG0812ND-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3bb3125562b6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf
BSZ180P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ180P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH2110XTSA1 Infineon-BAT15-04W-DS-v01_00-EN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811ND-DTE.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 31A
Power dissipation: 6.25W
Case: PG-TISON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0813NDIATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2235JPbF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2235JTRPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JTRPBF Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c890ba169f IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 13...17.5V
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBF Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828
IR2085STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Output current: -1...1A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 100V
Power: 1W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f
AUIR2085STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.15 грн
10+76.07 грн
100+51.91 грн
250+45.37 грн
500+41.35 грн
1000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
IAUC50N08S5L096ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.62 грн
10+256.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2097 2098 2099 2100 2101 2102 2103 2104 2105 2106 2107 2109  [ Наступна Сторінка >> ]