Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149397) > Сторінка 2462 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.08 грн
29+14.43 грн
50+11.07 грн
100+9.84 грн
500+7.54 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.64 грн
10+82.83 грн
50+72.17 грн
100+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.29 грн
10+92.67 грн
25+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.64 грн
10+150.89 грн
25+126.29 грн
50+108.25 грн
100+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5BB543851E469&compId=BCP5216H6327XTSA1.pdf?ci_sign=32661be25e0eb08e39efe4bf55c87c5ce197e855 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3A2065ELJ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 10.3A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.55 грн
5+122.19 грн
10+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
 		ICE3AR0680JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC197E0F7F093D7&compId=ICE3AR0680JZ.pdf?ci_sign=e5a5a2a41e0d97336de868e16e9987b775cba6af Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 82/52W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+218.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.65 грн
10+106.61 грн
25+82.01 грн
50+62.32 грн
100+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 290A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.22 грн
25+208.29 грн
100+191.89 грн
125+189.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.34 грн
25+95.95 грн
50+91.03 грн
100+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 13625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
26+16.24 грн
50+11.15 грн
100+9.51 грн
500+6.81 грн
1000+5.99 грн
3000+5.08 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.90 грн
10+54.04 грн
25+47.32 грн
100+38.87 грн
250+34.36 грн
500+31.24 грн
1000+28.54 грн
2000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+408.89 грн
10+237.82 грн
25+222.24 грн
100+200.09 грн
125+195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+45.76 грн
25+40.35 грн
100+33.70 грн
250+30.10 грн
500+27.64 грн
1000+25.50 грн
2000+23.54 грн
4000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+145.72 грн
10+108.25 грн
25+98.41 грн
50+90.21 грн
100+83.65 грн
500+68.88 грн
1000+63.96 грн
1250+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.62 грн
5+159.09 грн
10+133.67 грн
100+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...24V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.56 грн
5+130.39 грн
10+120.55 грн
25+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A176919833F1A303005056AB0C4F&compId=irf7389pbf.pdf?ci_sign=33486cc5a79142c2d9ae938ef43a9f134b5aef0b description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+200.47 грн
5+156.63 грн
10+138.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.43 грн
10+112.35 грн
25+104.15 грн
50+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.91 грн
10+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.08 грн
10+129.57 грн
25+110.71 грн
50+90.21 грн
100+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.58 грн
10+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.04 грн
10+71.92 грн
20+62.16 грн
50+51.42 грн
100+45.10 грн
500+34.77 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR81.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.26 грн
12+34.93 грн
25+30.92 грн
100+27.80 грн
500+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
61+7.24 грн
100+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.43 грн
31+13.28 грн
100+7.61 грн
250+5.97 грн
500+4.96 грн
1000+4.12 грн
2500+3.21 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.42 грн
157+2.62 грн
179+2.30 грн
213+1.93 грн
250+1.73 грн
500+1.60 грн
1000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
202+2.19 грн
253+1.62 грн
280+1.47 грн
1000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC860CWH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.56 грн
110+3.82 грн
250+3.38 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.95 грн
90+4.69 грн
100+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.89 грн
95+4.46 грн
105+4.03 грн
500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR129.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 ICE3BR0665JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492A96FF2A258BF&compId=ICE3BR0665J.pdf?ci_sign=2485ba497152d65b19cbd6488c3afc8c6cbd4e28 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 4.8A
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.97 грн
10+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 ICE3BR1765JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492B90DB14E18BF&compId=ICE3BR1765J.pdf?ci_sign=b06ecb24355917be2440a416b519d692a3668673 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 1.5A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR0665JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR1765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9949306FB11E998BF&compId=ICE3RBR1765JZ.pdf?ci_sign=51e37586229cebaa7e3a4060c0ad23c8a6fdf5ec Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR4765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492F6789822D8BF&compId=ICE3RBR4765JZ.pdf?ci_sign=ede773950aa5318fcee8c2f31f82a013a22b1219 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Operating temperature: -40...130°C
Case: DIP7
Topology: flyback
Mounting: THT
Application: SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Duty cycle factor: 0...75%
Number of channels: 1
Operating voltage: 10.5...25V DC
Power: 26/18W
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Frequency: 65kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.04 грн
10+101.69 грн
50+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697CD6C94488469&compId=BTS640S2G.pdf?ci_sign=6ab6339076f7ce3792ac6be94012d605c8ecfe8b Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.10 грн
10+304.24 грн
100+246.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 250V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.25 грн
40+10.33 грн
46+9.02 грн
65+6.36 грн
100+5.46 грн
500+3.95 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.41 грн
100+9.18 грн
500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Gate charge: 23.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.36 грн
10+200.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+385.05 грн
5+315.72 грн
25+283.74 грн
100+268.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+143.95 грн
10+119.73 грн
50+105.79 грн
100+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.01 грн
3+230.44 грн
10+195.99 грн
30+179.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.61 грн
10+56.83 грн
50+41.49 грн
100+36.74 грн
200+32.88 грн
250+31.82 грн
500+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.33 грн
10+131.21 грн
50+112.35 грн
100+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.20 грн
10+69.54 грн
25+57.08 грн
50+47.32 грн
100+39.53 грн
250+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 161A
Polarisation: unipolar
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.71 грн
5+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+142.19 грн
10+91.03 грн
25+83.65 грн
50+78.73 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.08 грн
29+14.43 грн
50+11.07 грн
100+9.84 грн
500+7.54 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.64 грн
10+82.83 грн
50+72.17 грн
100+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+126.29 грн
10+92.67 грн
25+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.64 грн
10+150.89 грн
25+126.29 грн
50+108.25 грн
100+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5BB543851E469&compId=BCP5216H6327XTSA1.pdf?ci_sign=32661be25e0eb08e39efe4bf55c87c5ce197e855
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJ.pdf
ICE3A2065ELJFKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 10.3A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.55 грн
5+122.19 грн
10+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC197E0F7F093D7&compId=ICE3AR0680JZ.pdf?ci_sign=e5a5a2a41e0d97336de868e16e9987b775cba6af
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 82/52W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.65 грн
10+106.61 грн
25+82.01 грн
50+62.32 грн
100+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 290A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.22 грн
25+208.29 грн
100+191.89 грн
125+189.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.34 грн
25+95.95 грн
50+91.03 грн
100+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 13625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
26+16.24 грн
50+11.15 грн
100+9.51 грн
500+6.81 грн
1000+5.99 грн
3000+5.08 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.90 грн
10+54.04 грн
25+47.32 грн
100+38.87 грн
250+34.36 грн
500+31.24 грн
1000+28.54 грн
2000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+408.89 грн
10+237.82 грн
25+222.24 грн
100+200.09 грн
125+195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.48 грн
10+45.76 грн
25+40.35 грн
100+33.70 грн
250+30.10 грн
500+27.64 грн
1000+25.50 грн
2000+23.54 грн
4000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+145.72 грн
10+108.25 грн
25+98.41 грн
50+90.21 грн
100+83.65 грн
500+68.88 грн
1000+63.96 грн
1250+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.62 грн
5+159.09 грн
10+133.67 грн
100+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...24V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.56 грн
5+130.39 грн
10+120.55 грн
25+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A176919833F1A303005056AB0C4F&compId=irf7389pbf.pdf?ci_sign=33486cc5a79142c2d9ae938ef43a9f134b5aef0b
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.47 грн
5+156.63 грн
10+138.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.43 грн
10+112.35 грн
25+104.15 грн
50+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.91 грн
10+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.08 грн
10+129.57 грн
25+110.71 грн
50+90.21 грн
100+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.58 грн
10+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.04 грн
10+71.92 грн
20+62.16 грн
50+51.42 грн
100+45.10 грн
500+34.77 грн
1000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81.pdf
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.26 грн
12+34.93 грн
25+30.92 грн
100+27.80 грн
500+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+7.24 грн
100+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.43 грн
31+13.28 грн
100+7.61 грн
250+5.97 грн
500+4.96 грн
1000+4.12 грн
2500+3.21 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.42 грн
157+2.62 грн
179+2.30 грн
213+1.93 грн
250+1.73 грн
500+1.60 грн
1000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CE6327.pdf
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
202+2.19 грн
253+1.62 грн
280+1.47 грн
1000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327.pdf
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.56 грн
110+3.82 грн
250+3.38 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.95 грн
90+4.69 грн
100+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116.pdf
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+9.89 грн
95+4.46 грн
105+4.03 грн
500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129.pdf
BCR129WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492A96FF2A258BF&compId=ICE3BR0665J.pdf?ci_sign=2485ba497152d65b19cbd6488c3afc8c6cbd4e28
ICE3BR0665JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 4.8A
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.97 грн
10+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492B90DB14E18BF&compId=ICE3BR1765J.pdf?ci_sign=b06ecb24355917be2440a416b519d692a3668673
ICE3BR1765JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 1.5A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1 INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9949306FB11E998BF&compId=ICE3RBR1765JZ.pdf?ci_sign=51e37586229cebaa7e3a4060c0ad23c8a6fdf5ec
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492F6789822D8BF&compId=ICE3RBR4765JZ.pdf?ci_sign=ede773950aa5318fcee8c2f31f82a013a22b1219
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Operating temperature: -40...130°C
Case: DIP7
Topology: flyback
Mounting: THT
Application: SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Duty cycle factor: 0...75%
Number of channels: 1
Operating voltage: 10.5...25V DC
Power: 26/18W
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Frequency: 65kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.04 грн
10+101.69 грн
50+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697CD6C94488469&compId=BTS640S2G.pdf?ci_sign=6ab6339076f7ce3792ac6be94012d605c8ecfe8b
BTS640S2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.10 грн
10+304.24 грн
100+246.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS2103WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 250V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.25 грн
40+10.33 грн
46+9.02 грн
65+6.36 грн
100+5.46 грн
500+3.95 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.41 грн
100+9.18 грн
500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Gate charge: 23.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.36 грн
10+200.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+385.05 грн
5+315.72 грн
25+283.74 грн
100+268.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+143.95 грн
10+119.73 грн
50+105.79 грн
100+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.01 грн
3+230.44 грн
10+195.99 грн
30+179.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.61 грн
10+56.83 грн
50+41.49 грн
100+36.74 грн
200+32.88 грн
250+31.82 грн
500+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.33 грн
10+131.21 грн
50+112.35 грн
100+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.20 грн
10+69.54 грн
25+57.08 грн
50+47.32 грн
100+39.53 грн
250+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 161A
Polarisation: unipolar
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.71 грн
5+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+142.19 грн
10+91.03 грн
25+83.65 грн
50+78.73 грн
100+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2490  [ Наступна Сторінка >> ]