Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149394) > Сторінка 2462 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PVT412APBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; THT; DIP6; 4kV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+409.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; SMT; DIP6; 4kV; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+409.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 140mA
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+293.30 грн
150+245.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 230mA; 360mW; SOT23; SMT
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 1nC
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 30A; 100W; DPAK; automotive industry
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Mounting: SMD
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 100W
на замовлення 1215000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.42 грн
5+223.26 грн
6+157.55 грн
17+148.84 грн
100+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...15.6V
Voltage class: 600V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAS21SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880ded0b7e1a Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 100nA
Capacitance: 5pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 200V
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 50A; 56W; DPAK; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15F60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43b29e78c1 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP24; 15A; Iout max: 15A; 14.5÷18.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP24
Output current: 15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 15A
Supply voltage: 14.5...18.5V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+790.38 грн
42+660.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 1nC
Application: automotive industry
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS28508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Infineon-FS100R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4310be95324 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single diode; Ic: 140A; screw; 480W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single diode
Collector current: 140A
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 480W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+10123.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2004STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 4a-BC-817-40-E6433.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5316H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO261-4; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.26 грн
10+131.42 грн
15+64.13 грн
40+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 15A; 156W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D433586DF1BF&compId=IPD65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=9ea3afa8d9727bf8ea2124d28c7373c14a7dee27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8DE9D0B1231BF&compId=IPD65R380E6-DTE.pdf?ci_sign=60a21f457a80f66563697855df0e43ade7b4693e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8DE9D0B1231BF&compId=IPD65R380E6-DTE.pdf?ci_sign=60a21f457a80f66563697855df0e43ade7b4693e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.94 грн
7+62.07 грн
10+57.32 грн
20+46.87 грн
50+46.79 грн
55+44.26 грн
100+44.18 грн
250+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Drain current: 290A
Drain-source voltage: 100V
Case: TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS436L2GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS436L2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9aff33e35e5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK; 75W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 9.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 4.7...41V
Technology: SIPMOS™
Power dissipation: 75W
Active logical level: high
Integrated circuit features: thermal protection
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+223.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 2A
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
Leads: for PCB
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+642.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+150.91 грн
200+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3 FP40R12KE3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698978B6E7E2469&compId=FP40R12KE3.pdf?ci_sign=49b6b959139c32616d6c0ffbe2a4d7fbce40eaeb description Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+6368.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10H60GAXKMA1 IKCM10H60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACDC852B5593D7&compId=IKCM10H60GA.pdf?ci_sign=4b5a98fd60881639d3b88e907a50e2961c030923 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 23.1W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.97 грн
2+524.91 грн
5+489.28 грн
10+477.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D564C0834F1A303005056AB0C4F&compId=irf7311pbf.pdf?ci_sign=8996b5e8514953b18fbf8dc54ac6b3c8a3a84fbb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.50 грн
10+96.59 грн
17+57.80 грн
45+54.63 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.94 грн
10+55.42 грн
49+19.32 грн
133+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 95A; PQFN5X6; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Unclassified
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
490+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422S-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf?fileId=5546d462533600a401535684473f2973 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 25mA; SMT; SMD8; Leads: Gull Wing; 4kV; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Control current max.: 25mA
Mounting: SMT
Case: SMD8
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+474.91 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.8A; Ch: 2; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Input voltage: 10...20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+112.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A; 34W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+93.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.13 грн
9+109.26 грн
24+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.34 грн
5+175.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5954AD1DDD011BF&compId=IPW60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=0df0715cc8fabb1c958cc792a364ed24eb6bf983 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 100mA; SOT323; Ufmax: 1.2V; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 100mA; SOT323; Ufmax: 1.2V; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC70,SOT323; Ufmax: 1.1V; 250mW
Semiconductor structure: single diode
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC59; 250mW
Semiconductor structure: common anode
Case: SC59
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR10080JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; Ubr: 800V; Usup: 10.5÷27V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V AC
Breakdown voltage: 800V
Supply voltage: 10.5...27V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+94.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6144LQI-S4F82 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
260+288.18 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; THT; DIP6; 4kV
Type of relay: solid state
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+409.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412ASPBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; SMT; DIP6; 4kV; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+409.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412PBF description pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 140mA
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+293.30 грн
150+245.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 230mA; 360mW; SOT23; SMT
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 1nC
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 30A; 100W; DPAK; automotive industry
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Mounting: SMD
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 100W
на замовлення 1215000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.42 грн
5+223.26 грн
6+157.55 грн
17+148.84 грн
100+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...15.6V
Voltage class: 600V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6433HTMA1 Infineon-BAS21SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880ded0b7e1a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 100nA
Capacitance: 5pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1µA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 200V
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 50A; 56W; DPAK; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15F60GAXKMA1 Infineon-IKCM15F60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43b29e78c1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP24; 15A; Iout max: 15A; 14.5÷18.5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP24
Output current: 15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 15A
Supply voltage: 14.5...18.5V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+790.38 грн
42+660.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 1nC
Application: automotive industry
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KE3BOSA1 INFNS28508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Infineon-FS100R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4310be95324
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single diode; Ic: 140A; screw; 480W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single diode
Collector current: 140A
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 480W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+10123.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2004STRPBF irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40E6327HTSA1 4a-BC-817-40-E6433.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5316H6327XTSA1 bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO261-4; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.26 грн
10+131.42 грн
15+64.13 грн
40+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 15A; 156W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8D433586DF1BF&compId=IPD65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=9ea3afa8d9727bf8ea2124d28c7373c14a7dee27
IPD65R380C6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8DE9D0B1231BF&compId=IPD65R380E6-DTE.pdf?ci_sign=60a21f457a80f66563697855df0e43ade7b4693e
IPD65R380E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380E6BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8DE9D0B1231BF&compId=IPD65R380E6-DTE.pdf?ci_sign=60a21f457a80f66563697855df0e43ade7b4693e
IPD65R380E6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.94 грн
7+62.07 грн
10+57.32 грн
20+46.87 грн
50+46.79 грн
55+44.26 грн
100+44.18 грн
250+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Drain current: 290A
Drain-source voltage: 100V
Case: TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS436L2GATMA1 Infineon-BTS436L2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9aff33e35e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK; 75W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 9.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 4.7...41V
Technology: SIPMOS™
Power dissipation: 75W
Active logical level: high
Integrated circuit features: thermal protection
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+223.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 2A
Case: DIP6
Insulation voltage: 4kV
Leads: for PCB
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+642.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165
IPA030N10NF2SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+150.91 грн
200+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698978B6E7E2469&compId=FP40R12KE3.pdf?ci_sign=49b6b959139c32616d6c0ffbe2a4d7fbce40eaeb
FP40R12KE3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3BPSA1 Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+6368.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10H60GAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACDC852B5593D7&compId=IKCM10H60GA.pdf?ci_sign=4b5a98fd60881639d3b88e907a50e2961c030923
IKCM10H60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Power dissipation: 23.1W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.97 грн
2+524.91 грн
5+489.28 грн
10+477.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D564C0834F1A303005056AB0C4F&compId=irf7311pbf.pdf?ci_sign=8996b5e8514953b18fbf8dc54ac6b3c8a3a84fbb
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.50 грн
10+96.59 грн
17+57.80 грн
45+54.63 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.94 грн
10+55.42 грн
49+19.32 грн
133+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 95A; PQFN5X6; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007STRLPBF irf3007spbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 62A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422S-TPBF pvt422.pdf?fileId=5546d462533600a401535684473f2973
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 25mA; SMT; SMD8; Leads: Gull Wing; 4kV; -40÷85°C
Type of relay: solid state
Control current max.: 25mA
Mounting: SMT
Case: SMD8
Leads: Gull Wing
Insulation voltage: 4kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+474.91 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.8A; Ch: 2; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Input voltage: 10...20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+112.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A; 34W; TO220-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+93.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.13 грн
9+109.26 грн
24+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1
IPP60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.34 грн
5+175.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5954AD1DDD011BF&compId=IPW60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=0df0715cc8fabb1c958cc792a364ed24eb6bf983
IPW60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 100mA; SOT323; Ufmax: 1.2V; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 100mA; SOT323; Ufmax: 1.2V; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC70,SOT323; Ufmax: 1.1V; 250mW
Semiconductor structure: single diode
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC59; 250mW
Semiconductor structure: common anode
Case: SC59
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR10080JZXKLA1 Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; 100kHz; DIP8; flyback; 85÷265VAC; Ubr: 800V; Usup: 10.5÷27V
Type of integrated circuit: PMIC
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V AC
Breakdown voltage: 800V
Supply voltage: 10.5...27V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+94.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6144LQI-S4F82 Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
260+288.18 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2490  [ Наступна Сторінка >> ]