Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149718) > Сторінка 2496 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2496
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.97 грн
46+8.65 грн
60+6.70 грн
100+6.02 грн
500+4.79 грн
1000+4.39 грн
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA57E319ED78BF&compId=IAUT165N08S5N029.pdf?ci_sign=1f09f84ff53a379526d421e7b22fd84aaec4af51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5C4837FC78BF&compId=IAUT200N08S5N023.pdf?ci_sign=e5ceb0a849d4b34f35c5dfe8cc4826d69c46c355 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7DE5C88B86469&compId=SMBT3906E6327.pdf?ci_sign=c9d3548f357d41a291b0ddb7dd0abd5245648fbc Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.11 грн
63+6.35 грн
77+5.17 грн
100+4.69 грн
250+4.06 грн
500+3.58 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8B20C73D5053D7&compId=FP06R12W1T4B3.pdf?ci_sign=b0d07d5c11c3511c198ac0969a13834d175d08d9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Technology: EasyPIM™ 1B
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3084.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D8C237D8D178BF&compId=FP25R12W1T7_B11.pdf?ci_sign=a732f48776801bfedc233a3fbcc66a36b16c6886 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Technology: EasyPIM™ 1B
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F417MR12W1M1HB76BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4-17MR12W1M1H_B76_Rev0.20_9-9-22.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: F417MR12W1M1HB76BPSA1
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+6589.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAAFE16A04211C&compId=IPB030N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=908c3cc80a30d3cf651dff5baa321b44d762a716 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.25 грн
10+165.07 грн
100+119.04 грн
250+107.93 грн
500+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA439EDF2288143&compId=IPD30N08S222.pdf?ci_sign=fd03e03efa6b060e8b258f8d25af59f138db872f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A1DE2482E11C&compId=BSC030N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=e2923a653bbc49ae9f0a658a51ab2dbc6a80e934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ30N08S5N186-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd436b20214 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7A; Idm: 120A; 41W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.97 грн
46+8.65 грн
60+6.70 грн
100+6.02 грн
500+4.79 грн
1000+4.39 грн
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA57E319ED78BF&compId=IAUT165N08S5N029.pdf?ci_sign=1f09f84ff53a379526d421e7b22fd84aaec4af51
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5C4837FC78BF&compId=IAUT200N08S5N023.pdf?ci_sign=e5ceb0a849d4b34f35c5dfe8cc4826d69c46c355
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7DE5C88B86469&compId=SMBT3906E6327.pdf?ci_sign=c9d3548f357d41a291b0ddb7dd0abd5245648fbc
SMBT3906E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.11 грн
63+6.35 грн
77+5.17 грн
100+4.69 грн
250+4.06 грн
500+3.58 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8B20C73D5053D7&compId=FP06R12W1T4B3.pdf?ci_sign=b0d07d5c11c3511c198ac0969a13834d175d08d9
FP06R12W1T4B3BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Technology: EasyPIM™ 1B
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3084.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D8C237D8D178BF&compId=FP25R12W1T7_B11.pdf?ci_sign=a732f48776801bfedc233a3fbcc66a36b16c6886
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Technology: EasyPIM™ 1B
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-EASY1B-2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F417MR12W1M1HB76BPSA1 F4-17MR12W1M1H_B76_Rev0.20_9-9-22.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: F417MR12W1M1HB76BPSA1
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+6589.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAAFE16A04211C&compId=IPB030N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=908c3cc80a30d3cf651dff5baa321b44d762a716
IPB030N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.25 грн
10+165.07 грн
100+119.04 грн
250+107.93 грн
500+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA439EDF2288143&compId=IPD30N08S222.pdf?ci_sign=fd03e03efa6b060e8b258f8d25af59f138db872f
IPD30N08S222ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A1DE2482E11C&compId=BSC030N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=e2923a653bbc49ae9f0a658a51ab2dbc6a80e934
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1 Infineon-IAUZ30N08S5N186-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd436b20214
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7A; Idm: 120A; 41W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2496