Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149758) > Сторінка 2496 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2496
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TZ600N16KOF TZ600N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CEE563BB628469&compId=TZ600N16KOF.pdf?ci_sign=771810b9df81adea268ef9a17ac11c2ffb879b45 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE9A079D1DE469&compId=TT500N14KOF.pdf?ci_sign=b0aadc52c9d5d3fdf46bc40fc9a88cd19f84b3f5 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CED8FCD3EB6469&compId=TZ500N16KOF.pdf?ci_sign=e342fac28e657edb4f639ad89f6a091993a51e35 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1666133B1A259&compId=IPD80R1K4P7.pdf?ci_sign=6b2571a0111d4343dd05c0fe97dac72608ab0bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.07 грн
8+49.05 грн
25+40.62 грн
27+33.72 грн
74+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB9CAFC0364143&compId=IPU80R1K4P7.pdf?ci_sign=6ace7a65f867c52cbfecf47f0c7e7e4b71b3378b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.88 грн
10+41.54 грн
31+29.20 грн
85+27.59 грн
525+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR191E6327 BCR191E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C577575678A469&compId=BCR191.pdf?ci_sign=95bdeac9f9d591f952a3f1e72481882e571b369f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.36 грн
125+3.65 грн
325+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.02 грн
10+79.70 грн
17+53.64 грн
47+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AD9BA81268F1A303005056AB0C4F&compId=irf8010spbf.pdf?ci_sign=96016d20f638b230a1eae1ea6fde48bebe5d8df7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91E6123DFF1BF&compId=IPL65R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=969cf8172b02fdcd0df90401c7352a0acdf47886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA76F5DF84074A&compId=IPL60R075CFD7.pdf?ci_sign=bbf5bff69a5a7dcb91600f1953d938f86b5570fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7 IPL60R185CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA79288AD9474A&compId=IPL60R185CFD7.pdf?ci_sign=df1f1430705f9786b7e98cac63b1815eb4e8f571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.346Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1 IPL60R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594377B2964B1BF&compId=IPL60R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=8b7408cd5f723bebcbd583b98198e4134795f77c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943BF09687B1BF&compId=IPL60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=2482a8efbae735912a57ce4d494599f7ef5a1ea3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1 IPL65R165CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91904138191BF&compId=IPL65R165CFD-DTE.pdf?ci_sign=901d28ab02ff3f6e0f1edb6b3fcc7b5ae2b6d7b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.3A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91BEE8C4DB1BF&compId=IPL65R195C7-DTE.pdf?ci_sign=d0defed3728ddff30a99901918b4adcfa4edc9f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.57 грн
12+32.95 грн
25+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC576DF2E1ACFA8&compId=IPA90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=22df4d4f3cd156b1c1ba07996da465bfa95d0489 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1383KV33-133AXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S70FL01GS_1_Gbit_(128_Mbyte)_3.0V_SPI_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb3adf5e12&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_2_3_1 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDRATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3046SDR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad820ee64c1d Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+92.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDRATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3028SDR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad822a204c25 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+115.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.99 грн
9+106.52 грн
24+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACC01A37E9D3D7&compId=IGCM04G60HA.pdf?ci_sign=7d15329436abe701c9bb6bb687929afe58344d0a Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 21.8W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.84 грн
3+400.79 грн
7+378.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP50H6327XTSA1 BSP50H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586991C042987A469&compId=BSP50H6327XTSA1.pdf?ci_sign=542758f57bfb5844573fe09b784a03254dfb5c91 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+400.26 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2L BSP603S2L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5949351EA6CD16469&compId=BSP603S2L.pdf?ci_sign=f8f722eb04392bc5053d8ee981b89e1032944b05 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB99598EF12749&compId=BTS3050EJ.pdf?ci_sign=89d5832899019faccad3ed7558afa1e764f18f05 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.93 грн
20+45.21 грн
55+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035EJ BTS3035EJ INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB541665492749&compId=BTS3035EJ.pdf?ci_sign=eb8aa60fb56b1ae50c345cbfb20b45b1de9f9ace Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.29 грн
5+89.66 грн
18+51.34 грн
48+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035TF BTS3035TF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AC27C82481C749&compId=BTS3035TF.pdf?ci_sign=b9e50ab739c8031922b9b9606b4a7ab5f5a679d1 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.62 грн
10+93.49 грн
15+62.07 грн
40+58.24 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.98 грн
8+122.61 грн
21+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U85N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC287EE23F00D5&compId=DDB6U85N16LHOSA1.pdf?ci_sign=f2ace1df17ef1379975033d894477bb0156101e4 Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 85A; Ifsm: 550A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 0.55kA
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Leads: M5 screws
Max. forward voltage: 1.44V
Load current: 85A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U215N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC1DE5F519E0D5&compId=DDB6U215N16LHOSA1.pdf?ci_sign=65908a27e9b4250566259e6669050f7b6a6dd511 Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 215A; Ifsm: 1.95kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 1.95kA
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Leads: M6 screws
Max. forward voltage: 1.61V
Load current: 215A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U145N16LHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC10F1220FA0D5&compId=DDB6U145N16LHOSA1.pdf?ci_sign=b35af81a88c0199de10debefc62b61337cfd06cf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 145A; Ifsm: 1kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 1kA
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Leads: M5 screws
Max. forward voltage: 1.43V
Load current: 145A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 BC847PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6A4E750E1A469&compId=BC846PNH6327.pdf?ci_sign=b3d707a0c8687f7783b02bc7f504750648a3ba4c Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD637F5D40575EA&compId=BSS131.pdf?ci_sign=3fa845932928938a385fc3c5d60733bac622727b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T640N12TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBF8492F5415620C7&compId=T640Nxx.pdf?ci_sign=4085f29dbf5a72c355637ece05131ec336f0c7c6 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 1.25kA
Load current: 644A
Gate current: 250mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 9.4kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ240N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4064592BE11C&compId=BSZ240N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=8bc4c4584b83edfdf3c81c1c22139f55c4acf4d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDD5BE257718BF&compId=IAUS165N08S5N029.pdf?ci_sign=394e5f40f7fae10bc3b56c2d70e20a1e0fc48e70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA57E319ED78BF&compId=IAUT165N08S5N029.pdf?ci_sign=1f09f84ff53a379526d421e7b22fd84aaec4af51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15L60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb71486178f7 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+721.30 грн
42+603.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327 BCR10PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869757B66B1A6469&compId=BCR10PNH6327.pdf?ci_sign=b2c2746e16a6aca8015036aa14272b1c552f7db2 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C301A0AA3A611C&compId=BSC052N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=79e01560211bef173b7b8e173045d7dfe6e4168d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA052N08NM5SXKSA1 IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA7DB6BC51B820&compId=AIKQ120N60CT.pdf?ci_sign=b3d260d053566763d4d058bcc2c0c4e1c33ab1e5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 480A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 120A
Turn-off time: 343ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GBXUMA1 BTS716GBXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889EF32CEFFBAB3D1&compId=BTS716GB.pdf?ci_sign=53be85562225c62950fcee8fa4c453731ad09b9a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+411.82 грн
5+215.34 грн
12+203.85 грн
250+200.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CEE563BB628469&compId=TZ600N16KOF.pdf?ci_sign=771810b9df81adea268ef9a17ac11c2ffb879b45
TZ600N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE9A079D1DE469&compId=TT500N14KOF.pdf?ci_sign=b0aadc52c9d5d3fdf46bc40fc9a88cd19f84b3f5
TT500N14KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CED8FCD3EB6469&compId=TZ500N16KOF.pdf?ci_sign=e342fac28e657edb4f639ad89f6a091993a51e35
TZ500N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1666133B1A259&compId=IPD80R1K4P7.pdf?ci_sign=6b2571a0111d4343dd05c0fe97dac72608ab0bed
IPD80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.07 грн
8+49.05 грн
25+40.62 грн
27+33.72 грн
74+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB9CAFC0364143&compId=IPU80R1K4P7.pdf?ci_sign=6ace7a65f867c52cbfecf47f0c7e7e4b71b3378b
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.88 грн
10+41.54 грн
31+29.20 грн
85+27.59 грн
525+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPD80R1K4CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.3A; 63W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831
IRFR5410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR191E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C577575678A469&compId=BCR191.pdf?ci_sign=95bdeac9f9d591f952a3f1e72481882e571b369f
BCR191E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.36 грн
125+3.65 грн
325+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.02 грн
10+79.70 грн
17+53.64 грн
47+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AD9BA81268F1A303005056AB0C4F&compId=irf8010spbf.pdf?ci_sign=96016d20f638b230a1eae1ea6fde48bebe5d8df7
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91E6123DFF1BF&compId=IPL65R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=969cf8172b02fdcd0df90401c7352a0acdf47886
IPL65R1K5C6SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA76F5DF84074A&compId=IPL60R075CFD7.pdf?ci_sign=bbf5bff69a5a7dcb91600f1953d938f86b5570fa
IPL60R075CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA79288AD9474A&compId=IPL60R185CFD7.pdf?ci_sign=df1f1430705f9786b7e98cac63b1815eb4e8f571
IPL60R185CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.346Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R1K5C6SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594377B2964B1BF&compId=IPL60R1K5C6S-DTE.pdf?ci_sign=8b7408cd5f723bebcbd583b98198e4134795f77c
IPL60R1K5C6SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943BF09687B1BF&compId=IPL60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=2482a8efbae735912a57ce4d494599f7ef5a1ea3
IPL60R385CPAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R165CFDAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91904138191BF&compId=IPL65R165CFD-DTE.pdf?ci_sign=901d28ab02ff3f6e0f1edb6b3fcc7b5ae2b6d7b4
IPL65R165CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.3A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB91BEE8C4DB1BF&compId=IPL65R195C7-DTE.pdf?ci_sign=d0defed3728ddff30a99901918b4adcfa4edc9f4
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.57 грн
12+32.95 грн
25+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CC576DF2E1ACFA8&compId=IPA90R800C3XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=22df4d4f3cd156b1c1ba07996da465bfa95d0489
IPA90R800C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095
IPW90R800C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1383KV33-133AXC Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c
IRG4PSH71UDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 Infineon-S70FL01GS_1_Gbit_(128_Mbyte)_3.0V_SPI_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb3adf5e12&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_2_3_1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDRATMA1 Infineon-BTS3046SDR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad820ee64c1d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+92.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDRATMA1 Infineon-BTS3028SDR-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad822a204c25
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+115.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.99 грн
9+106.52 грн
24+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BACC01A37E9D3D7&compId=IGCM04G60HA.pdf?ci_sign=7d15329436abe701c9bb6bb687929afe58344d0a
IGCM04G60HAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 21.8W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.84 грн
3+400.79 грн
7+378.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP50H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586991C042987A469&compId=BSP50H6327XTSA1.pdf?ci_sign=542758f57bfb5844573fe09b784a03254dfb5c91
BSP50H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S-TPBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+400.26 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5949351EA6CD16469&compId=BSP603S2L.pdf?ci_sign=f8f722eb04392bc5053d8ee981b89e1032944b05
BSP603S2L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB99598EF12749&compId=BTS3050EJ.pdf?ci_sign=89d5832899019faccad3ed7558afa1e764f18f05
BTS3050EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.93 грн
20+45.21 грн
55+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035EJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB541665492749&compId=BTS3035EJ.pdf?ci_sign=eb8aa60fb56b1ae50c345cbfb20b45b1de9f9ace
BTS3035EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.29 грн
5+89.66 грн
18+51.34 грн
48+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AC27C82481C749&compId=BTS3035TF.pdf?ci_sign=b9e50ab739c8031922b9b9606b4a7ab5f5a679d1
BTS3035TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.62 грн
10+93.49 грн
15+62.07 грн
40+58.24 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.98 грн
8+122.61 грн
21+115.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U85N16LHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC287EE23F00D5&compId=DDB6U85N16LHOSA1.pdf?ci_sign=f2ace1df17ef1379975033d894477bb0156101e4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 85A; Ifsm: 550A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 0.55kA
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Leads: M5 screws
Max. forward voltage: 1.44V
Load current: 85A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U215N16LHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC1DE5F519E0D5&compId=DDB6U215N16LHOSA1.pdf?ci_sign=65908a27e9b4250566259e6669050f7b6a6dd511
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 215A; Ifsm: 1.95kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 1.95kA
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Leads: M6 screws
Max. forward voltage: 1.61V
Load current: 215A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U145N16LHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CC10F1220FA0D5&compId=DDB6U145N16LHOSA1.pdf?ci_sign=b35af81a88c0199de10debefc62b61337cfd06cf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 145A; Ifsm: 1kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 1kA
Case: AG-ISOPACK
Electrical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Leads: M5 screws
Max. forward voltage: 1.43V
Load current: 145A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6A4E750E1A469&compId=BC846PNH6327.pdf?ci_sign=b3d707a0c8687f7783b02bc7f504750648a3ba4c
BC847PNH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD637F5D40575EA&compId=BSS131.pdf?ci_sign=3fa845932928938a385fc3c5d60733bac622727b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T640N12TOFXPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBF8492F5415620C7&compId=T640Nxx.pdf?ci_sign=4085f29dbf5a72c355637ece05131ec336f0c7c6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 1.25kA
Load current: 644A
Gate current: 250mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 9.4kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4064592BE11C&compId=BSZ240N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=8bc4c4584b83edfdf3c81c1c22139f55c4acf4d1
BSZ240N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDD5BE257718BF&compId=IAUS165N08S5N029.pdf?ci_sign=394e5f40f7fae10bc3b56c2d70e20a1e0fc48e70
IAUS165N08S5N029ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Case: PG-HSOG-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 660A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA57E319ED78BF&compId=IAUT165N08S5N029.pdf?ci_sign=1f09f84ff53a379526d421e7b22fd84aaec4af51
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15L60GAXKMA1 Infineon-IKCM15L60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb71486178f7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+721.30 грн
42+603.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869757B66B1A6469&compId=BCR10PNH6327.pdf?ci_sign=b2c2746e16a6aca8015036aa14272b1c552f7db2
BCR10PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C301A0AA3A611C&compId=BSC052N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=79e01560211bef173b7b8e173045d7dfe6e4168d
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA052N08NM5SXKSA1 Infineon-IPA052N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfde8986e2a
IPA052N08NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA7DB6BC51B820&compId=AIKQ120N60CT.pdf?ci_sign=b3d260d053566763d4d058bcc2c0c4e1c33ab1e5
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 480A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 120A
Turn-off time: 343ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GBXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889EF32CEFFBAB3D1&compId=BTS716GB.pdf?ci_sign=53be85562225c62950fcee8fa4c453731ad09b9a
BTS716GBXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.82 грн
5+215.34 грн
12+203.85 грн
250+200.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2491 2492 2493 2494 2495 2496