Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149513) > Сторінка 2492 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2487 2488 2489 2490 2491 2492
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.62 грн
15+27.64 грн
50+21.08 грн
100+18.78 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Type of diode: varicap
Load current: 50mA
Max. off-state voltage: 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.13 грн
44+9.35 грн
75+5.51 грн
100+4.32 грн
250+3.26 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL512TDPNHI010 INFINEON TECHNOLOGIES 002-12345_rev-AF.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20706UA2KFFB4GT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: WiFi
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+337.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA2KFFB4GT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_ Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+335.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 13.9mΩ
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 15.8mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 35A; Idm: 813A; 238W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-HSOF-5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 238W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 813A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES PdfFile_624492.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SVITLE6250GV33XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: SVITLE6250GV33XUMA1
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC011N06LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f5741e469ea Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 288A; 188W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 288A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 188W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVI5033RS-TPBF.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF PVI5033RSPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVI5033RPBF.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Technology: SiGe:C
Mounting: SMD
Case: SOT343
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Frequency: 44GHz
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
25+20.50 грн
100+18.12 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740ESDH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FD1000R33HE3K.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3.3kV
Mechanical mounting: screw
Case: AG-IHVB190
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Power dissipation: 11.5kW
Topology: buck-boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
21+20.17 грн
22+18.94 грн
100+14.76 грн
250+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB339N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 156A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Gate charge: 15.9nC
On-state resistance: 33.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Application: automotive industry
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.03 грн
23+18.04 грн
100+12.05 грн
250+10.41 грн
500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.67 грн
10+81.19 грн
50+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.57 грн
12+36.25 грн
50+30.42 грн
100+28.05 грн
250+24.93 грн
500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB016N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXA INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 3.4MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B016Q_16_KBIT_(2K_X_8)_SERIAL_(SPI)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3f9176a99&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 16MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B016Q_16_KBIT_(2K_X_8)_SERIAL_(SPI)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3f9176a99&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 16MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 30A; Idm: 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 23mΩ
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Power dissipation: 284W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+434.50 грн
10+363.29 грн
30+336.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW785XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6 Category: Unclassified
Description: SLB9670VQ20FW785XTMA1
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+184.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N12K DZ600N12K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N18K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 600A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24402.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ND89N12KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 89A; BG-PB20-1; Ufmax: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 89A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD210N12KOF TD210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD210N12KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 410A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N12KHPSA1 DD104N12KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD104N18K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 2.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFHPSA1 TT104N12KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT104N14KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 2.05kA
Gate current: 120mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFKHPSA1 TT104N12KOFKHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT104N_Type.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 2.05kA
Gate current: 120mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N12KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV; 2.8kA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N12KKHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+12932.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.09 грн
13+31.82 грн
14+30.34 грн
50+26.49 грн
100+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 79W
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 144W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 144W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB090N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 50A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Drain current: 39A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; Idm: 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 170nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+83.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.35 грн
10+53.39 грн
100+41.82 грн
500+33.21 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.62 грн
15+27.64 грн
50+21.08 грн
100+18.78 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Type of diode: varicap
Load current: 50mA
Max. off-state voltage: 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.13 грн
44+9.35 грн
75+5.51 грн
100+4.32 грн
250+3.26 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL512TDPNHI010 002-12345_rev-AF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20706UA2KFFB4GT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: WiFi
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+337.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA2KFFB4GT Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+335.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 13.9mΩ
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 15.8mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 35A; Idm: 813A; 238W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-HSOF-5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 238W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 813A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1 PdfFile_624492.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SVITLE6250GV33XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: SVITLE6250GV33XUMA1
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N06LM5ATMA1 Infineon-ISC011N06LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f5741e469ea
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 288A; 188W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 288A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 188W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF.pdf
PVI5033RS-TPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 0.5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF PVI5033RPBF.pdf
PVI5033RSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 2.5ms
Turn-off time: 5ms
Manufacturer series: PVI5033RPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Technology: SiGe:C
Mounting: SMD
Case: SOT343
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Frequency: 44GHz
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
25+20.50 грн
100+18.12 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638968a5f4ea7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 FD1000R33HE3K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3.3kV
Mechanical mounting: screw
Case: AG-IHVB190
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Power dissipation: 11.5kW
Topology: buck-boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
21+20.17 грн
22+18.94 грн
100+14.76 грн
250+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB339N20NM6ATMA1 IPB339N20NM6ATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 156A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Gate charge: 15.9nC
On-state resistance: 33.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Application: automotive industry
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.03 грн
23+18.04 грн
100+12.05 грн
250+10.41 грн
500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3G-DTE.pdf
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.67 грн
10+81.19 грн
50+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.57 грн
12+36.25 грн
50+30.42 грн
100+28.05 грн
250+24.93 грн
500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3G-DTE.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXA download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXAT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXET download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 3.4MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXE Infineon-CY15B016Q_16_KBIT_(2K_X_8)_SERIAL_(SPI)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3f9176a99&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 16MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET Infineon-CY15B016Q_16_KBIT_(2K_X_8)_SERIAL_(SPI)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3f9176a99&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SOIC8
Case: SOIC8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 16MHz
Memory organisation: 2kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6.pdf
IDH20G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 30A; Idm: 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 23mΩ
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Power dissipation: 284W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.50 грн
10+363.29 грн
30+336.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW785XTMA1 Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: SLB9670VQ20FW785XTMA1
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+184.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N12K DZ600N18K.pdf
DZ600N12K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 600A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24402.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ND89N12KHPSA1 INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 89A; BG-PB20-1; Ufmax: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 89A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD210N12KOF TD210N12KOF.pdf
TD210N12KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 410A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N12KHPSA1 DD104N18K.pdf
DD104N12KHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 2.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFHPSA1 TT104N14KOF.pdf
TT104N12KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 2.05kA
Gate current: 120mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFKHPSA1 TT104N_Type.pdf
TT104N12KOFKHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 2.05kA
Gate current: 120mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N12KHPSA1 INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV; 2.8kA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N12KKHPSA2 Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+12932.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.09 грн
13+31.82 грн
14+30.34 грн
50+26.49 грн
100+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 79W
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 144W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 144W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3G-DTE.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 50A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSG-DTE.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Drain current: 39A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; Idm: 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 170nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.35 грн
10+53.39 грн
100+41.82 грн
500+33.21 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2487 2488 2489 2490 2491 2492